JP4785594B2 - イリジウム錯体の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 - Google Patents
イリジウム錯体の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 Download PDFInfo
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Description
本発明は、新規な中間体を用いたイリジウム錯体の製造方法、該イリジウム錯体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置に関する。詳しくは中間体に不安定な四員環構造を持つ補助配位子を用いることで、低温で反応が進行し，高収率でイリジウム錯体を製造する方法に関する。
有機発光素子は，古くはアントラセン蒸着膜に電圧を印加して発光させた例（非特許文献１）等がある。しかし近年、無機発光素子に比べて大面積化が容易であることや、各種新材料の開発によって所望の発色が得られることや、また低電圧で駆動可能であるなどの利点がある。さらには高速応答性や高効率の発光素子として、材料開発を含めて、デバイス化のための応用研究が精力的に行われている。
例えば、非特許文献２に詳述されているように、一般に有機ＥＬ素子は透明基板上に形成された、上下２層の電極と、この間に発光層を含む有機物層が形成された構成を有する。
また最近では、従来の１重項励起子から基底状態に遷移するときの蛍光を利用した発光だけでなく、非特許文献３，４に代表される三重項励起子を経由した燐光発光を利用する素子の検討もなされている。これらの文献では４層構成の有機層が主に用いられている。それは、陽極側からホール輸送層、発光層、励起子拡散防止層、電子輸送層からなる。用いられている材料は、下記に示すキャリア輸送材料とりん光発光性材料Ｉｒ（ｐｐｙ）3である。
また、蛍光性有機化合物の種類を変えることにより、紫外から赤外までの発光が可能であり、最近では様々な化合物の研究が活発に行われている。
さらに、上記のような低分子材料を用いた有機発光素子の他にも、共役系高分子を用いた有機発光素子が、ケンブリッジ大学のグループ（非特許文献５）により報告されている。この報告ではポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）を塗工系で成膜することにより、単層で発光を確認している。
さらに、上記のような低分子材料を用いた有機発光素子の他にも、共役系高分子を用いた有機発光素子が、ケンブリッジ大学のグループ（非特許文献５）により報告されている。この報告ではポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）を塗工系で成膜することにより、単層で発光を確認している。
このように有機発光素子における最近の進歩は著しく、その特徴は低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能であることから、広汎な用途への可能性を示唆している。
しかしながら、現状では更なる高輝度の光出力あるいは高変換効率が必要である。また、長時間の使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気などによる劣化等の耐久性の面で未だ多くの問題がある。さらには製造時に２００℃近辺の高温を必要とするため，生産性があまり高くないのが現状である。
Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，９４（１９８２）１７１ Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１から４８（１９９７） Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｅｎｅｒｇｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅ（Ｄ．Ｆ．Ｏ’Ｂｒｉｅｎ他，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．７４，Ｎｏ３，ｐ４２２（１９９９）） Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｇｒｅｅｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｄ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ他，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．７５，Ｎｏ．１，ｐ４（１９９９）） Ｎａｔｕｒｅ，３４７，５３９（１９９０）
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本発明は、補助配位子に４員環構造をもつイリジウム錯体を原料にして、有機ＥＬ素子用イリジウム錯体を合成することを特徴とする。本発明は、低温で高収率でイリジウム錯体を製造する方法を提供するものである。また、本発明は、有機ＥＬ素子用化合物として、この製造法を用いて製造したイリジウム錯体を用いた、青から赤の高効率で高輝度な光出力を有する有機ＥＬ素子を提供するものである。また、本発明の有機ＥＬ素子を用いた表示装置を提供するもである。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）に示す部分構造を有する金属錯体と、
下記一般式（１）に示す部分構造を有する金属錯体と
［一般式（１）中の前記金属錯体は下記構造式のいずれかである。
前記構造式中の配位子が有する水素原子は、メチル基、エチル基、ブチル基、フェニル基、ハロゲン原子で置換されてもよい。
Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１から２０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキル基の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、また、１つもしくは２つ以上のメチレン基は置換基を有していてもよいアリ−レン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基で置き換えられていてもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いシリル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基または置換基を有していてもよい複素環基から選ばれる。
［一般式（１）中の前記金属錯体は下記構造式のいずれかである。
前記構造式中の配位子が有する水素原子は、メチル基、エチル基、ブチル基、フェニル基、ハロゲン原子で置換されてもよい。
Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１から２０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキル基の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、また、１つもしくは２つ以上のメチレン基は置換基を有していてもよいアリ−レン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基で置き換えられていてもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いシリル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基または置換基を有していてもよい複素環基から選ばれる。
Ｙ１，Ｙ２は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有する窒素原子のいずれかから選ばれる。ｍは２である。］
下記一般式（３）に示す化合物と
下記一般式（３）に示す化合物と
［式中Ｌ １ は前記構造式中のＬで表わされる配位子のいずれかひとつである。前記構造式中のＩｒが有する配位子が有する水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、ハロゲン原子のいずれかで置換されてもよい。］
を反応させて一般式（２）に示すイリジウム錯体を得ることを特徴とするイリジウム錯体の製造方法である。
を反応させて一般式（２）に示すイリジウム錯体を得ることを特徴とするイリジウム錯体の製造方法である。
［式中、ｍは２であり、ｎは１である。］
また、本発明は前記Ｌ １ が前記Ｌと同一の配位子で表わされる上記のイリジウム錯体の製造方法である。
また、本発明は前記Ｌ １ が前記Ｌと同一の配位子で表わされる上記のイリジウム錯体の製造方法である。
本発明の製造方法で得られたイリジウム錯体は、青から赤に適した発光を有した高効率なりん光発光材料である。
本発明の製造方法で得られたイリジウム錯体を用いた有機ＥＬ素子、特に発光層の発光材料として用いた有機ＥＬ素子は、高効率で高輝度な光出力を有し、また、高耐久性を有する。
本発明の製造方法で得られたイリジウム錯体を用いた有機ＥＬ素子、特に発光層の発光材料として用いた有機ＥＬ素子は、高効率で高輝度な光出力を有し、また、高耐久性を有する。
本発明は、低温で高収率でイリジウム錯体を製造する方法を提供することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、新規なイリジウム錯体の製造方法に関する。中間体に不安定な四員環構造を持つ補助配位子を用いることで、低温で反応が進行し，高収率で目的とするイリジウム錯体が得られる。
本発明は、新規なイリジウム錯体の製造方法に関する。中間体に不安定な四員環構造を持つ補助配位子を用いることで、低温で反応が進行し，高収率で目的とするイリジウム錯体が得られる。
本発明のイリジウム錯体を用いた有機ＥＬ素子の基本的な素子構成を図１乃至図３に示す。
図１に示すように、一般に有機ＥＬ素子は透明基板１５上に、５０乃至２００ｎｍの膜厚を持つ透明電極１４と、複数層の有機膜層と、及びこれを挟持するように金属電極１１が形成される．
図１では，有機層が発光層１２とホール輸送層１３からなる例を示した。透明電極１４としては、仕事関数が大きなＩＴＯなどが用いられ、透明電極１４からホール輸送層１３へホール注入しやすくしている。金属電極１１には、アルミニウム、マグネシウムあるいはそれらを用いた合金など、仕事関数の小さな金属材料を用い、有機層への電子注入をしやすくしている。
図１に示すように、一般に有機ＥＬ素子は透明基板１５上に、５０乃至２００ｎｍの膜厚を持つ透明電極１４と、複数層の有機膜層と、及びこれを挟持するように金属電極１１が形成される．
図１では，有機層が発光層１２とホール輸送層１３からなる例を示した。透明電極１４としては、仕事関数が大きなＩＴＯなどが用いられ、透明電極１４からホール輸送層１３へホール注入しやすくしている。金属電極１１には、アルミニウム、マグネシウムあるいはそれらを用いた合金など、仕事関数の小さな金属材料を用い、有機層への電子注入をしやすくしている。
発光層１２には、本発明の化合物を用いているが、ホール輸送層１３には，例えばトリフェニルジアミン誘導体、代表例としては下記の構造式に示すα−ＮＰＤなど、電子供与性を有する材料も適宜用いることができる。
以上の構成した素子は電気的整流性を示し、金属電極１１を陰極に透明電極１４を陽極になるように電界を印加すると、金属電極１１から電子が発光層１２に注入され、透明電極１５からはホールが注入される。
注入されたホールと電子は、発光層１２内で再結合して励起子が生じ、発光する。この時ホール輸送層１３は電子のブロッキング層の役割を果たし，発光層１２とホール輸送層１３の間の界面における再結合効率が上がり，発光効率が上がる。
さらに図２では、図１の金属電極１１と発光層１２の間に、電子輸送層１６が設けられている。発光機能と電子及びホール輸送機能を分離して、より効果的なキャリアブロッキング構成にすることで、発光効率を上げている。電子輸送層１６としては、例えばオキサジアゾール誘導体などを用いることができる。
また図１３に示すように、陽極である透明電極１４側から、ホール輸送層１３、発光層１２、励起子拡散防止層１７、電子輸送層１６、及び金属電極１１からなる４層構成とすることも望ましい形態である。
このような用途に用いられる本発明のイリジウム錯体の新規な製造法は、中間体として用いる錯体の補助配位子の骨格に特徴がある。詳しくは、補助配位子と金属との結合を４員環構造にすることによって、反応性の高い中間体にすることを特徴とする。
これまでのイリジウム錯体の合成法としてはイリジウムアセチルアセトナート錯体を原料として一段階で合成する方法（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ．，１９９１，Ｖｏｌ．３０，１６８５）がある。また２核錯体の合成法（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ．，１９９３，Ｖｏｌ．３２，３０８１）からイリジウム錯体を合成する方法がある。また発光性配位子と金属錯体と６員環形成するアセチルアセトン体を経由する三段階で合成する方法（Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ．，２００１，Ｖｏｌ．４０，１７０４）がある。
これらの方法はイリジウム錯体を得る際に２００℃付近まで温度を上げる。この方法であると、一般的に、副反応が生じる。また、特にフッ素原子を含む配位子や、分子量の小さい配位子のように沸点が低い場合には配位子が系外に出てしまい、反応効率が低下する等の理由で収率が低下する。
本発明では、発光性配位子を３つ有するイリジウム錯体を合成する原料として、発光性配位子とイリジウムと４員環形成する補助配位子を有するイリジウム錯体を用いる。これは、補助配位子の金属錯体との環位数を４員環構造とすることで錯体の安定性を低下させて、反応性の向上を行っている。このような中間体を用いることで、同じ配位子を有するイリジウム錯体、異なる配位子を有するイリジウム錯体、フェイシャル体のイリジウム錯体、メリディオナル体のイリジウム錯体を合成することが可能である。特に配位子にフェニルイソキノリン骨格のように反応温度に関わらず、フェイシャル骨格のみ生成するような化合物に対しては特に有効である。
また、一般に炭素のみで結合される環の安定性は６員環＞５員環＞４員環の順である。本発明ではＩｒ金属を介するために条件が多少異なるが、５員環，６員環に対して４員環は不安定であり、反応性を高めることができる。
これらの点で４員環構造の原料を用いたほうが目的とする発光性イリジウム錯体の合成にはより適している。また、４員環形成する補助配位子としては原料として酢酸を原料にすることも可能であり、この際は非常に安価な補助配位子となり、製造時のコストも下げることが可能になる。また、この４員環配位子を有するイリジウム錯体は発光素子の材料として用いることも可能であり、発光材料と用いる例はあるが、本発明は中間体として用いることが主たる目的である。
本発明で示した製造方法で作製したイリジウム錯体を用いた発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては表示装置・照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、本発明の発光素子に置き換えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成する。本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。照明装置やバックライトに関しては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。
ディスプレイへの応用では、アクティブマトリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方式が考えられる。
以下、図４乃至図６を参照して、本発明の素子において、アクティブマトリクス基板を用いた例について説明する。
以下、図４乃至図６を参照して、本発明の素子において、アクティブマトリクス基板を用いた例について説明する。
図４は、ＥＬ素子と駆動手段を備えたパネルの構成の一例を模式的に示したものである。パネルには、走査信号ドライバー、情報信号ドライバー、電流供給源が配置され、それぞれゲート選択線、情報信号線、電流供給線に接続される。ゲート選択線と情報信号線の交点には図５に示す画素回路が配置される。走査信号ドライバーは、ゲート選択線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３．．．Ｇｎを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバーから画像信号が印加される。
次に画素回路の動作について説明する。この画素回路においては、ゲート選択線に選択信号が印加されると、ＴＦＴ１がＯＮとなり、Ｃａｄｄに画像信号が供給され、ＴＦＴ２のゲート電位を決定する。ＥＬ素子には、ＴＦＴ２のゲート電位に応じて、電流供給線より電流が供給される。ＴＦＴ２のゲート電位は、ＴＦＴ１が次に走査選択されるまでＣａｄｄに保持されるため、ＥＬ素子には次の走査が行われるまで流れつづける。これにより１フレーム期間常に発光させることが可能となる。
図６は、本発明で用いられるＴＦＴ基板の断面構造の一例を示した模式図である。ガラス基板上にｐ−Ｓｉ層が設けられ、チャネル、ドレイン、ソース領域にはそれぞれ必要な不純物がドープされる。この上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられると共に、上記ドレイン領域、ソース領域に接続するドレイン電極、ソース電極が形成されている。これらの上に絶縁層、及び画素電極としてＩＴＯ電極を積層し、コンタクトホールにより、ＩＴＯとドレイン電極が接続される。
本発明は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ型等でも容易に応用することができる。
上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。本発明のイリジウム錯体を用いた表示パネルを駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。本発明のイリジウム錯体を用いた表示パネルを駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
以下本発明に用いられるイリジウム錯体の具体的な構造式を下記に示す。この際、Ｉｒと結合する部分を一般式（Ａ）に示す結合で表現している。
Ａ１乃至Ａ２５はイリジウム錯体の原料の化合物が有する、４員環配位子骨格の例である。
また、Ｂ１乃至Ｂ７６はイリジウム錯体の発光性配位子の例である。
また、Ｂ１乃至Ｂ７６はイリジウム錯体の発光性配位子の例である。
また、Ｃ１乃至Ｃ７７はＡ１乃至Ａ２５とＢ１乃至Ｂ７６の配位子を有するイリジウム錯体の例である。
また、Ｄ１乃至Ｄ９７はＡ１乃至Ａ２５を用いた中間体を経由して、Ｂ１乃至Ｂ７６とＣ１乃至Ｃ７７を組み合わせて合成することができる発光素子に用いるイリジウム錯体の例である。
また、Ｄ１乃至Ｄ９７はＡ１乃至Ａ２５を用いた中間体を経由して、Ｂ１乃至Ｂ７６とＣ１乃至Ｃ７７を組み合わせて合成することができる発光素子に用いるイリジウム錯体の例である。
これらを組み合わせることで４員環構造を有するイリジウム錯体、それを原料とするイリジウム錯体を合成することができる。
但し、これらは、代表例を例示しただけで、本発明は、これに限定されるものではない。
但し、これらは、代表例を例示しただけで、本発明は、これに限定されるものではない。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
例示されている化合物を合成するために必要な合成法に関して代表的な合成例を以下に示す。
例示されている化合物を合成するために必要な合成法に関して代表的な合成例を以下に示す。
合成例１
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２１の製造法）
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２１の製造法）
２００ｍｌの３つ口フラスコにイリジウム（ＩＩＩ）・３水和物０．７１ｇ（２ｍｍｏｌｅ）、（Ｂ２１）１．９０ｇ（８ｍｏｌｅ）、エトキシエタノ−ル９０ｍｌと水３０ｍｌを入れ、窒素気流下室温で３０分間攪拌した。その後１０時間還流攪拌した。反応物を室温まで冷却し、沈殿物を濾取水洗後、エタノ−ルで洗浄した。室温で減圧乾燥し、化合物（Ｅ１）の赤色粉末１．２０ｇ（収率８６％）を得ることができる。
２００ｍｌの３つ口フラスコにエトキシエタノ−ル１００ｍｌ、化合物（Ｅ１）１．０５ｇ（０．７５ｍｍｏｌｅ）、酢酸カリウム（Ｅ２）０．４９ｇ（５ｍｍｏｌｅ）を入れ、窒素気流下室温で１時間攪拌した。その後、系内を１００℃に保持して７時間攪拌した。反応物を氷冷し、蒸留水５０ｍｌを加えてしばらく攪拌した後、沈殿物を濾取水洗した。この沈殿物をエタノールで洗浄し、クロロホルムに溶解した後、不溶物をろ過した。ろ液を濃縮した後、クロロホルム−メタノールで再結晶し、例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の赤色粉末９．２４ｇ（収率８５％）を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳによりこの化合物のＭ＋である７２４．１５を確認した。
１００ｍｌの３つ口フラスコに（Ｃ４１）０．７２ｇ（１ｍｍｏｌｅ）、化合物（Ｂ２１）０．７１ｇ（３ｍｍｏｌｅ）とグリセロ−ル５０ｍｌを入れ、窒素気流下、系内が１８２℃付近で５時間加熱攪拌した。反応物を室温まで冷却して０．２Ｎ−塩酸２００ｍｌに注入し、沈殿物を濾取・水洗し、１００℃で５時間減圧乾燥した。この沈殿物をクロロホルムを溶離液としたシリカゲルカラムクロマトで精製し、例示化合物Ｎｏ．Ｄ２１の赤色粉末０．６３ｇ（収率７０％）を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳによりこの化合物のＭ＋である９０１．２３を確認した。
合成例２
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の中間体の製造法、その２）
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の中間体の製造法、その２）
２００ｍｌの３つ口フラスコにエトキシエタノ−ル１００ｍｌ、化合物（Ｅ１）１．０５ｇ（０．７５ｍｍｏｌｅ）、氷酢酸０．１２ｇ（２ｍｍｏｌｅ）と炭酸ナトリウム０．８５ｇ（８ｍｍｏｌｅ）を入れ、窒素気流下室温で１時間攪拌した。その後、系内を１００℃に保持して７時間攪拌した。反応物を氷冷し、蒸留水５０ｍｌを加えてしばらく攪拌した後、沈殿物を濾取水洗した。この沈殿物をエタノールで洗浄し、クロロホルムに溶解した後，不溶物をろ過した。ろ液を濃縮した後、クロロホルム−メタノールで再結晶し、例示化合物Ｎｏ．Ｃ４１の赤色粉末８．８１ｇ（収率８１％）を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳによりこの化合物のＭ＋である７２４．１５を確認した。
合成例３
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ１を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ１を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１を合成することができる。
合成例４
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ７の中間体を用いたＮｏ．Ｄ４の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ４を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ７を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ４を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ７の中間体を用いたＮｏ．Ｄ４の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ４を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ７を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ４を合成することができる。
合成例５
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ５の中間体を用いたＮｏ．Ｄ７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ７を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ５を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ７を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ５の中間体を用いたＮｏ．Ｄ７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ７を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ５を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ７を合成することができる。
合成例６
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ１０の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１０の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１０を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ１０を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１０を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ１０の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１０の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１０を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ１０を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１０を合成することができる。
合成例７
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１５の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１５を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１５を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１５の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１５を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１５を合成することができる。
合成例８
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１６の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１６を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１６を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ１６の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ１６を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ１６を合成することができる。
合成例９
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ２２を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ４３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ２２を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ２２を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ４３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ２２を合成することができる。
合成例１０
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ２３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３２を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ２３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３２を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ２３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３２を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ２３を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３２を合成することができる。
合成例１１
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３７を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ４を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３７を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ４の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３７を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ４を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３７を合成することができる。
合成例１２
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ２７の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３８の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３８を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ２７を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３８を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ２７の中間体を用いたＮｏ．Ｄ３８の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ３８を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ２７を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ３８を合成することができる。
合成例１３
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２９の製造法）
合成例１で用いたＥ２の代わりに例示化合物Ａ１７、例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ２９を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３８を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ２９を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ３８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ２９の製造法）
合成例１で用いたＥ２の代わりに例示化合物Ａ１７、例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ２９を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ３８を合成し、同様の反応を行うことによって例示化合物Ｄ２９を合成することができる。
合成例１４
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ５８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ４６の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ４６を用い、反応の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件で反応することによって中間体の例示化合物Ｃ５８を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ４６を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ５８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ４６の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ４６を用い、反応の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件で反応することによって中間体の例示化合物Ｃ５８を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ４６を合成することができる。
合成例１５
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ６６の中間体を用いたＮｏ．Ｄ５２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ５２を用い、反応の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件で反応することによって中間体の例示化合物Ｃ５２を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ４６を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ６６の中間体を用いたＮｏ．Ｄ５２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ５２を用い、反応の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件で反応することによって中間体の例示化合物Ｃ５２を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ４６を合成することができる。
合成例１６
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ６１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ６７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ６７を用い、全ての反応系の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件に変更することによって中間体の例示化合物Ｃ６１を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ６７を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ６１の中間体を用いたＮｏ．Ｄ６７の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ６７を用い、全ての反応系の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件に変更することによって中間体の例示化合物Ｃ６１を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ６７を合成することができる。
合成例１７
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ７３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ７２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ７２を用い、全ての反応系の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件に変更することによって中間体の例示化合物Ｃ７３を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ７２を合成することができる。
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ７３の中間体を用いたＮｏ．Ｄ７２の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ７２を用い、全ての反応系の溶媒をテトラヒドロフラン、還流条件に変更することによって中間体の例示化合物Ｃ７３を合成した。さらに反応を行うことによって例示化合物Ｄ７２を合成することができる。
合成例１８
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ８６の製造法）
（例示化合物Ｎｏ．Ｃ８の中間体を用いたＮｏ．Ｄ８６の製造法）
合成例１で用いた例示化合物Ｂ２１の代わりに例示化合物Ｂ９を用いることによって中間体の例示化合物Ｃ８を合成した。
１００ｍｌの３つ口フラスコに例示化合物（Ｃ８）、化合物（Ｂ１）とグリセロ−ル５０ｍｌを入れ、窒素気流下、系内が１７０℃付近で５時間反応することによって例示化合物Ｄ８６を得ることができる。
１００ｍｌの３つ口フラスコに例示化合物（Ｃ８）、化合物（Ｂ１）とグリセロ−ル５０ｍｌを入れ、窒素気流下、系内が１７０℃付近で５時間反応することによって例示化合物Ｄ８６を得ることができる。
本発明は、中間体に不安定な四員環構造を持つ補助配位子を用いることで、低温で反応が進行し，高収率で目的とするイリジウム錯体が得られるので、得られたイリジウム錯体は有機ＥＬ素子に利用することができる。
１１ 金属電極
１２ 発光層
１３ ホール輸送層
１４ 透明電極
１５ 透明基板
１６ 電子輸送層
１７ 励起子拡散防止層
１２ 発光層
１３ ホール輸送層
１４ 透明電極
１５ 透明基板
１６ 電子輸送層
１７ 励起子拡散防止層
Claims (2)
- 下記一般式（１）に示す部分構造を有する金属錯体と
［一般式（１）中の前記金属錯体は下記構造式のいずれかである。
前記構造式中の配位子が有する水素原子は、メチル基、エチル基、ブチル基、フェニル基、ハロゲン原子に置換されてもよい。
Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１から２０の直鎖状または分岐状のアルキル基（該アルキル基の１つもしくは隣接しない２つ以上のメチレン基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、また、１つもしくは２つ以上のメチレン基は置換基を有していてもよいアリ−レン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基で置き換えられていてもよく、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いシリル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基または置換基を有していてもよい複素環基から選ばれる。
Ｙ１，Ｙ２は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有する窒素原子のいずれかから選ばれる。ｍは２である。］
下記一般式（３）に示す化合物と
［式中Ｌ１は前記構造式中のＬで表わされる配位子のいずれかひとつである。
前記Ｌで表わされる配位子が有する水素原子は、メチル基、エチル基、ブチル基、フェニル基、ハロゲン原子のいずれかで置換されてもよい。］
を反応させて一般式（２）に示すイリジウム錯体を得ることを特徴とするイリジウム錯体の製造方法。
［式中、ｍは２であり、ｎは１である。］ - 前記Ｌ１と前記Ｌとが同一であることを特徴とする請求項１に記載のイリジウム錯体の製造方法。
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