JP2003321402A - アダマンタン誘導体及びその製造方法、並びにアダマンタン誘導体を用いた有機電界発光素子 - Google Patents
アダマンタン誘導体及びその製造方法、並びにアダマンタン誘導体を用いた有機電界発光素子Info
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- JP2003321402A JP2003321402A JP2002125223A JP2002125223A JP2003321402A JP 2003321402 A JP2003321402 A JP 2003321402A JP 2002125223 A JP2002125223 A JP 2002125223A JP 2002125223 A JP2002125223 A JP 2002125223A JP 2003321402 A JP2003321402 A JP 2003321402A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易に合成することができ、強い発光を呈す
る有機発光材料として好適な化合物及びその製造方法、
並びに高輝度かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素
子を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアダマンタ
ン誘導体及びその製造方法。また、発光領域を有する有
機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光
素子において、下記一般式（１）で表されるアダマンタ
ン誘導体が、前記有機層に含まれていることを特徴とす
る、有機電界発光素子。 【化１】 （但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
る有機発光材料として好適な化合物及びその製造方法、
並びに高輝度かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素
子を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアダマンタ
ン誘導体及びその製造方法。また、発光領域を有する有
機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光
素子において、下記一般式（１）で表されるアダマンタ
ン誘導体が、前記有機層に含まれていることを特徴とす
る、有機電界発光素子。 【化１】 （但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、アダマンタン誘導
体及びその製造方法、並びに発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
（有機ＥＬ素子）に関するものである。
体及びその製造方法、並びに発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
（有機ＥＬ素子）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自発光であって、応答速度が高速であ
り、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの
１候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）等が近時
注目されており、その構成材料として、有機発光材料へ
の関心が高まっている。有機発光材料の第一の利点は、
分子設計によって材料の光学的な性質をある程度コント
ロールできるところにあり、これによって赤、青、緑の
３原色発光をすべて、それぞれの発光材料で作成したフ
ルカラー有機発光素子の実現が可能である。
り、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの
１候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）等が近時
注目されており、その構成材料として、有機発光材料へ
の関心が高まっている。有機発光材料の第一の利点は、
分子設計によって材料の光学的な性質をある程度コント
ロールできるところにあり、これによって赤、青、緑の
３原色発光をすべて、それぞれの発光材料で作成したフ
ルカラー有機発光素子の実現が可能である。
【０００３】例えば、下記一般式（Ａ）及び（Ａ’）で
表される化合物は、古くからレーザー色素として知られ
ている。
表される化合物は、古くからレーザー色素として知られ
ている。
【化２９】
（前記一般式（Ａ）及び（Ａ’）において、Ａｒは置換
基を有してもよいアリール基である。）
基を有してもよいアリール基である。）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年では、分子内にス
ピロ構造を有する有機分子発光材料などが発表されるに
至り、分子内に剛直な構造を有する発光材料に対する研
究開発が行われている。
ピロ構造を有する有機分子発光材料などが発表されるに
至り、分子内に剛直な構造を有する発光材料に対する研
究開発が行われている。
【０００５】本発明の目的は、容易に合成することがで
き、強い発光を呈する有機発光材料として好適な化合物
及びその製造方法、並びに高輝度かつ高効率な発光を呈
する有機電界発光素子を提供することにある。
き、強い発光を呈する有機発光材料として好適な化合物
及びその製造方法、並びに高輝度かつ高効率な発光を呈
する有機電界発光素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記一
般式（１）で表されるアダマンタン誘導体に係るもので
ある。
般式（１）で表されるアダマンタン誘導体に係るもので
ある。
【化３０】
（但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
【０００７】また、下記一般式（６）で表されるアダマ
ンタン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００
ｎｍの間にある化合物とを反応させる工程を経て、下記
一般式（１）で表されるアダマンタン誘導体を得る、ア
ダマンタン誘導体の製造方法に係るものである。
ンタン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００
ｎｍの間にある化合物とを反応させる工程を経て、下記
一般式（１）で表されるアダマンタン誘導体を得る、ア
ダマンタン誘導体の製造方法に係るものである。
【化３１】
（但し、前記一般式（６）において、Ｚはそれぞれ、前
記化合物と反応する官能基を有する同一の若しくは異な
る１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数であ
る。）
記化合物と反応する官能基を有する同一の若しくは異な
る１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数であ
る。）
【化３２】
（但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合物から誘
導される１価の置換基である。ｎは１から１０までの整
数である。）
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合物から誘
導される１価の置換基である。ｎは１から１０までの整
数である。）
【０００８】本発明の製造方法によれば、分子内にアダ
マンタンという剛直な構造体を含む分子を容易に合成す
ることができる。また、本発明の製造方法によって得ら
れる本発明のアダマンタン誘導体は、熱的・化学的安定
性に優れており、また蛍光波長極大値が３００ｎｍから
８００ｎｍの間にある前記化合物から誘導される１価の
置換基を有しているので、強い発光を呈することができ
る。
マンタンという剛直な構造体を含む分子を容易に合成す
ることができる。また、本発明の製造方法によって得ら
れる本発明のアダマンタン誘導体は、熱的・化学的安定
性に優れており、また蛍光波長極大値が３００ｎｍから
８００ｎｍの間にある前記化合物から誘導される１価の
置換基を有しているので、強い発光を呈することができ
る。
【０００９】さらに、本発明は、発光領域を有する有機
層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素
子において、下記一般式（１）で表されるアダマンタン
誘導体が、前記有機層に含まれていることを特徴とす
る、有機電界発光素子に係るものである。
層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素
子において、下記一般式（１）で表されるアダマンタン
誘導体が、前記有機層に含まれていることを特徴とす
る、有機電界発光素子に係るものである。
【化３３】
（但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。）
【００１０】本発明の有機電界発光素子によれば、発光
領域を有する前記有機層の構成材料として本発明のアダ
マンタン誘導体を用いているので、熱的・化学的安定性
に優れており、高輝度かつ高効率な発光を実現すること
ができる。
領域を有する前記有機層の構成材料として本発明のアダ
マンタン誘導体を用いているので、熱的・化学的安定性
に優れており、高輝度かつ高効率な発光を実現すること
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明を更に具体的に説明する。
明を更に具体的に説明する。
【００１２】本発明のアダマンタン誘導体は、下記一般
式（２）で表されるものが好ましい。
式（２）で表されるものが好ましい。
【化３４】
（但し、前記一般式（２）において、Ｘ2及びＸ3はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。）
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。）
【００１３】また、本発明のアダマンタン誘導体は、下
記一般式（３）で表されるものがよい。
記一般式（３）で表されるものがよい。
【化３５】
（但し、前記一般式（３）において、Ｘ4及びＸ5はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、かつ部分構
造に芳香族部分若しくは複素環部分を含み、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。）
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、かつ部分構
造に芳香族部分若しくは複素環部分を含み、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。）
【００１４】また、本発明のアダマンタン誘導体は、下
記一般式（４）で表されるものであってもよい。
記一般式（４）で表されるものであってもよい。
【化３６】
（但し、前記一般式（４）において、Ｘ6及びＸ7はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる下記一般式（４−１）で表
される置換基である。）
ぞれ、同一の若しくは異なる下記一般式（４−１）で表
される置換基である。）
【化３７】
ここで、前記一般式（４−１）において、Ｙ1、Ｙ2及び
Ｙ3はそれぞれ、同一の若しくは異なる原子団であり、
少なくとも芳香族環基又はヘテロ環基からなり、それら
は、直接的若しくは間接的に連結され、この連結形式は
直鎖状、枝分かれ状又は環状のいずれとも限定されず、
またＹ1とＹ2は連結されていてもいなくてもよい（破線
はこのことを意味する）。ｎ、ｍはそれぞれ０又は１以
上の整数である。また、前記Ｙ1、Ｙ2及びＹ3は炭素炭
素単結合、１，２−エテニリデン基又は１，２−エチリ
デン基によって連結されていることが好ましい。
Ｙ3はそれぞれ、同一の若しくは異なる原子団であり、
少なくとも芳香族環基又はヘテロ環基からなり、それら
は、直接的若しくは間接的に連結され、この連結形式は
直鎖状、枝分かれ状又は環状のいずれとも限定されず、
またＹ1とＹ2は連結されていてもいなくてもよい（破線
はこのことを意味する）。ｎ、ｍはそれぞれ０又は１以
上の整数である。また、前記Ｙ1、Ｙ2及びＹ3は炭素炭
素単結合、１，２−エテニリデン基又は１，２−エチリ
デン基によって連結されていることが好ましい。
【００１５】本発明のアダマンタン誘導体は、より好ま
しくは下記一般式（５）で表されるものである。
しくは下記一般式（５）で表されるものである。
【化３８】
（但し、前記一般式（５）において、Ｘ8及びＸ9はそれ
ぞれ、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物か
ら選ばれた化合物を直接的若しくは間接的に連結し、好
ましくは単結合、１，２−エテニリデン基又は１，２−
エチリデン基によって連結し、任意の位置に炭素数１０
以下のアルキル置換基を有していてよい１価の置換基で
ある。）
ぞれ、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物か
ら選ばれた化合物を直接的若しくは間接的に連結し、好
ましくは単結合、１，２−エテニリデン基又は１，２−
エチリデン基によって連結し、任意の位置に炭素数１０
以下のアルキル置換基を有していてよい１価の置換基で
ある。）
【化３９】
【００１６】本発明のアダマンタン誘導体は、下記構造
式（９）〜（１１）で表されるものが具体的に例示され
る。
式（９）〜（１１）で表されるものが具体的に例示され
る。
【化４０】構造式（９）：
構造式（１０）：
構造式（１１）：
【００１７】本発明に基づくアダマンタン誘導体は、そ
の分子内にアダマンタンという剛直な構造体を含んでお
り、また蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎｍの
間にある化合物から誘導される１価の置換基を有してい
るので、熱的及び化学的安定性に一層優れ、より強い発
光を実現することができる。
の分子内にアダマンタンという剛直な構造体を含んでお
り、また蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎｍの
間にある化合物から誘導される１価の置換基を有してい
るので、熱的及び化学的安定性に一層優れ、より強い発
光を実現することができる。
【００１８】本発明に基づくアダマンタン誘導体は、市
販品として入手が容易である下記構造式（１４）〜（１
８）で表されるアダマンタン化合物から容易に合成する
ことができる。
販品として入手が容易である下記構造式（１４）〜（１
８）で表されるアダマンタン化合物から容易に合成する
ことができる。
【化４１】
【００１９】そして、本発明に基づくアダマンタン誘導
体の製造方法は、下記一般式（７）で表されるアダマン
タン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎ
ｍの間にある前記化合物とを反応させる工程を経て、本
発明に基づく下記一般式（８）で表されるアダマンタン
誘導体を得ることができる。
体の製造方法は、下記一般式（７）で表されるアダマン
タン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎ
ｍの間にある前記化合物とを反応させる工程を経て、本
発明に基づく下記一般式（８）で表されるアダマンタン
誘導体を得ることができる。
【化４２】
（但し、前記一般式（７）において、Ｚ1及びＺ2はそれ
ぞれ、前記化合物と反応する官能基を有する同一の若し
くは異なる１価の置換基である。）
ぞれ、前記化合物と反応する官能基を有する同一の若し
くは異なる１価の置換基である。）
【化４３】
（但し、前記一般式（８）において、Ｚ1'及びＺ2'はそ
れぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長
極大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合
物から誘導される１価の置換基である。）
れぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長
極大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合
物から誘導される１価の置換基である。）
【００２０】また、本発明に基づくアダマンタン誘導体
を高効率に製造する方法として、より具体的には、下記
構造式（１２）で表されるアダマンタン化合物をハロゲ
ン化することによって下記構造式（１３）で表されるハ
ロゲン化アダマンタン化合物を得、このハロゲン化アダ
マンタン化合物を蛍光波長極大値が３００ｎｍから８０
０ｎｍの間にある下記一般式（９）で表される化合物と
反応させるものである。
を高効率に製造する方法として、より具体的には、下記
構造式（１２）で表されるアダマンタン化合物をハロゲ
ン化することによって下記構造式（１３）で表されるハ
ロゲン化アダマンタン化合物を得、このハロゲン化アダ
マンタン化合物を蛍光波長極大値が３００ｎｍから８０
０ｎｍの間にある下記一般式（９）で表される化合物と
反応させるものである。
【化４４】
（但し、前記一般式（９）において、Ｑは水素原子又は
１価の置換基である。）
１価の置換基である。）
【００２１】図１〜図４は、本発明に基づくアダマンタ
ン誘導体を有機発光材料として用いる有機電界発光素子
（ＥＬ素子）の例をそれぞれ示すものである。
ン誘導体を有機発光材料として用いる有機電界発光素子
（ＥＬ素子）の例をそれぞれ示すものである。
【００２２】図１は陰極３を発光光２０が透過する透過
型有機電界発光素子Ａであって、発光光２０は保護層４
の側からも観測できる。図２は陰極３での反射光も発光
光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
型有機電界発光素子Ａであって、発光光２０は保護層４
の側からも観測できる。図２は陰極３での反射光も発光
光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
【００２３】図中、１は有機電界発光素子を形成するた
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
有することもでき、例えばアクティブマトリックス駆動
する場合には、ＴＦＴ（Thin Film Transistors：薄膜
トランジスタ）を基板として用いることも可能である。
２は透明電極（陽極）であり、例えば、上記透過型有機
電界発光素子Ａでは透明電極ＩＴＯ（Indium tin oxid
e）、ＩＺＯ（Indium zinc oxide）、ＳｎＯ2等を使用
でき、また反射型有機電界発光素子ＢではＣｒ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｕ及びこ
れらの合金等を使用できる。
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
有することもでき、例えばアクティブマトリックス駆動
する場合には、ＴＦＴ（Thin Film Transistors：薄膜
トランジスタ）を基板として用いることも可能である。
２は透明電極（陽極）であり、例えば、上記透過型有機
電界発光素子Ａでは透明電極ＩＴＯ（Indium tin oxid
e）、ＩＺＯ（Indium zinc oxide）、ＳｎＯ2等を使用
でき、また反射型有機電界発光素子ＢではＣｒ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ａｕ及びこ
れらの合金等を使用できる。
【００２４】また、５は有機発光層であり、本発明に基
づくアダマンタン誘導体を発光材料として含有してい
る。この発光層について、有機電界発光２０を得る層構
成としては、従来公知の種々の構成を用いることができ
る。後述するように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層
のいずれかを構成する材料が発光性を有する場合、これ
らの薄膜を積層した構造を使用できる。更に本発明の目
的を満たす範囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸
送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が、複数種の
材料の薄膜を積層した構造、または、複数種の材料を混
合した組成からなる薄膜を使用するのを妨げない。ま
た、発光性能を上げるために、少なくとも１種以上の蛍
光性の材料を用いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送
層の間に挟持した構造、更に少なくとも１種以上の蛍光
性の材料を正孔輸送層若しくは電子輸送層、またはこれ
らの両方に含ませた構造を使用してもよい。これらの場
合には、発光効率を改善するために、正孔または電子の
輸送を制御するための薄膜をその層構成に含ませること
も可能である。
づくアダマンタン誘導体を発光材料として含有してい
る。この発光層について、有機電界発光２０を得る層構
成としては、従来公知の種々の構成を用いることができ
る。後述するように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層
のいずれかを構成する材料が発光性を有する場合、これ
らの薄膜を積層した構造を使用できる。更に本発明の目
的を満たす範囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸
送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が、複数種の
材料の薄膜を積層した構造、または、複数種の材料を混
合した組成からなる薄膜を使用するのを妨げない。ま
た、発光性能を上げるために、少なくとも１種以上の蛍
光性の材料を用いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送
層の間に挟持した構造、更に少なくとも１種以上の蛍光
性の材料を正孔輸送層若しくは電子輸送層、またはこれ
らの両方に含ませた構造を使用してもよい。これらの場
合には、発光効率を改善するために、正孔または電子の
輸送を制御するための薄膜をその層構成に含ませること
も可能である。
【００２５】本発明に基づくアダマンタン誘導体は、電
子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つため、素子構成
中、電子輸送層を兼ねた発光層としても、或いは正孔輸
送層と兼ねた発光層としても用いることが可能である。
また、本発明に基づくアダマンタン誘導体を発光層とし
て、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成とする
ことも可能である。
子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つため、素子構成
中、電子輸送層を兼ねた発光層としても、或いは正孔輸
送層と兼ねた発光層としても用いることが可能である。
また、本発明に基づくアダマンタン誘導体を発光層とし
て、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成とする
ことも可能である。
【００２６】なお、図１及び図２中、３は陰極であり、
電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属と
Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、ＬｉＦ、Ｌｉ
Ｏ2、或いはこれらを積層した構造を使用できる。透過
型の有機電界発光素子においては、陰極の厚さを調節す
ることにより、用途に合った光透過率を得ることができ
る。一方、反射型の有機電界発光素子においては、陰極
の厚さを薄くして高い透過率を保持し、なおかつ陽極を
反射率の高い材料で構成することによって、有機電界発
光を陰極側に取り出すことができる。また、図中の４は
封止・保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構造
とすることにより、その効果が上がる。気密性が保たれ
れば、適宜の材料を使用することができる。また、８は
電流注入用の駆動電源である。
電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属と
Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、ＬｉＦ、Ｌｉ
Ｏ2、或いはこれらを積層した構造を使用できる。透過
型の有機電界発光素子においては、陰極の厚さを調節す
ることにより、用途に合った光透過率を得ることができ
る。一方、反射型の有機電界発光素子においては、陰極
の厚さを薄くして高い透過率を保持し、なおかつ陽極を
反射率の高い材料で構成することによって、有機電界発
光を陰極側に取り出すことができる。また、図中の４は
封止・保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構造
とすることにより、その効果が上がる。気密性が保たれ
れば、適宜の材料を使用することができる。また、８は
電流注入用の駆動電源である。
【００２７】本発明に基づく有機電界発光素子におい
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として本発明に基づ
くアダマンタン誘導体が用いられてよい。或いは、有機
層が、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次積層さ
れた有機積層構造（ダブルへテロ構造）を有しており、
前記発光層の形成材料として本発明に基づくアダマンタ
ン誘導体が用いられてよい。
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として本発明に基づ
くアダマンタン誘導体が用いられてよい。或いは、有機
層が、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次積層さ
れた有機積層構造（ダブルへテロ構造）を有しており、
前記発光層の形成材料として本発明に基づくアダマンタ
ン誘導体が用いられてよい。
【００２８】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図３は、透過性の基板１上に、
透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とから
なる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてな
る、シングルへテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
発光素子の例を示すと、図３は、透過性の基板１上に、
透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とから
なる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてな
る、シングルへテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
【００２９】図３に示すように発光層を省略した層構成
の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から所
定波長の発光光２０を発生する。これらの発光光は基板
１側から観測される。
の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から所
定波長の発光光２０を発生する。これらの発光光は基板
１側から観測される。
【００３０】また、図４は、透光性の基板１上に、透光
性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送
層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によって
封止されてなる、ダブルへテロ構造の有機電界発光素子
Ｄである。
性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送
層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によって
封止されてなる、ダブルへテロ構造の有機電界発光素子
Ｄである。
【００３１】図４に示した有機電界発光素子において
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を
発生する。
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を
発生する。
【００３２】上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおい
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図３及び図４に示し
た積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この
基板を共用としてよい。また、素子Ｃ、Ｄはいずれも、
透過型、反射型のいずれの構造もとりうる。
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図３及び図４に示し
た積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この
基板を共用としてよい。また、素子Ｃ、Ｄはいずれも、
透過型、反射型のいずれの構造もとりうる。
【００３３】また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ
（indium tin oxide）やＳｎＯ2等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極２の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
（indium tin oxide）やＳｎＯ2等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極２の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。
【００３４】また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に本発明に基づ
くアダマンタン誘導体が含有され、発光性の正孔輸送層
６又は電子輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄに
おける有機層５ｂは、正孔輸送層１０と本発明に基づく
アダマンタン誘導体を含有する発光層１１と電子輸送層
１２とが積層された有機層であるが、その他、種々の積
層構造を取ることができる。例えば、正孔輸送層と電子
輸送層のいずれか若しくは両方が発光性を有していても
よい。
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に本発明に基づ
くアダマンタン誘導体が含有され、発光性の正孔輸送層
６又は電子輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄに
おける有機層５ｂは、正孔輸送層１０と本発明に基づく
アダマンタン誘導体を含有する発光層１１と電子輸送層
１２とが積層された有機層であるが、その他、種々の積
層構造を取ることができる。例えば、正孔輸送層と電子
輸送層のいずれか若しくは両方が発光性を有していても
よい。
【００３５】また、特に、正孔輸送層６又は電子輸送層
７や発光層１１が本発明に基づくアダマンタン誘導体か
らなる層であることが望ましいが、これらの層を本発明
に基づくアダマンタン誘導体のみで形成してもよく、或
いは、本発明に基づくアダマンタン誘導体と他の正孔又
は電子輸送材料（例えば、芳香族アミン類やピラゾリン
類等）との共蒸着によって形成してもよい。さらに、正
孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるために、
複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成して
もよい。
７や発光層１１が本発明に基づくアダマンタン誘導体か
らなる層であることが望ましいが、これらの層を本発明
に基づくアダマンタン誘導体のみで形成してもよく、或
いは、本発明に基づくアダマンタン誘導体と他の正孔又
は電子輸送材料（例えば、芳香族アミン類やピラゾリン
類等）との共蒸着によって形成してもよい。さらに、正
孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるために、
複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成して
もよい。
【００３６】また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造であるのがよい。または、この蛍光性材料を正孔
輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた
構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
（ホールブロッキング層やエキシトン生成層など）をそ
の層構成に含ませることも可能である。
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造であるのがよい。または、この蛍光性材料を正孔
輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた
構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
（ホールブロッキング層やエキシトン生成層など）をそ
の層構成に含ませることも可能である。
【００３７】また、陰極３に用いる材料としては、Ｌ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
【００３８】また、保護膜４は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
【００３９】上記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【００４０】次に、図５は、本発明の有機電界発光素子
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有
機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配さ
れている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発
光するように構成される。この駆動方法としては、単純
マトリックス方式又はアクティブマトリックス方式を用
いることができる。
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有
機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配さ
れている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発
光するように構成される。この駆動方法としては、単純
マトリックス方式又はアクティブマトリックス方式を用
いることができる。
【００４１】即ち、図５は例えば８×３ＲＧＢ単純マト
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を陰
極３と陽極２の間に配置したものである（図３又は図４
参照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパターニ
ングするとともに、互いにマトリックス状に直行させ、
シフトレジスタ内蔵の制御回路１５および１４により時
系列的に信号電圧を印加し、その交差位置で発光するよ
うに構成されたものである。かかる構成のＥＬ素子は、
文字・信号等のディスプレイとしては勿論、画像再生装
置としても使用できる。また陰極３と陽極２のストライ
プ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎
に配し、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体型フ
ラットパネルディスプレイを構成することが可能とな
る。
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を陰
極３と陽極２の間に配置したものである（図３又は図４
参照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパターニ
ングするとともに、互いにマトリックス状に直行させ、
シフトレジスタ内蔵の制御回路１５および１４により時
系列的に信号電圧を印加し、その交差位置で発光するよ
うに構成されたものである。かかる構成のＥＬ素子は、
文字・信号等のディスプレイとしては勿論、画像再生装
置としても使用できる。また陰極３と陽極２のストライ
プ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎
に配し、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体型フ
ラットパネルディスプレイを構成することが可能とな
る。
【００４２】
【実施例】以下に本発明を実施例について具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００４３】実施例１
＜前記構造式（１）で表されるアダマンタン誘導体の合
成＞
成＞
【００４４】
【化４５】
【００４５】文献記載（Obukhova, T. A. etal, Zh. Or
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
-トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル−ビス安息香酸（スキーム中
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
-トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル−ビス安息香酸（スキーム中
【出発物質】）（２．００ｇ、５．３１ｍｍｏｌ）を塩
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、ピリジン（２
０ｍｌ）を加えた。得られた反応混合物に、４−ターシ
ャリーブチル−テトラゾール（２．２２ｇ、１１．０ｍ
ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１２時間加熱、還流し
た。得られた反応混合物を濃縮し、シリカゲル・カラム
クロマトグラフィーで精製、クロロホルム−ヘキサンか
ら再結晶することにより、目的物である前記構造式
（１）で表されるアダマンタン誘導体（２．６３ｇ、収
率７２％）を無色結晶として得た。
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、ピリジン（２
０ｍｌ）を加えた。得られた反応混合物に、４−ターシ
ャリーブチル−テトラゾール（２．２２ｇ、１１．０ｍ
ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で１２時間加熱、還流し
た。得られた反応混合物を濃縮し、シリカゲル・カラム
クロマトグラフィーで精製、クロロホルム−ヘキサンか
ら再結晶することにより、目的物である前記構造式
（１）で表されるアダマンタン誘導体（２．６３ｇ、収
率７２％）を無色結晶として得た。
【００４６】1Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定によ
り、目的物と同定した。
り、目的物と同定した。
【００４７】実施例２
＜前記構造式（２）で表されるアダマンタン誘導体の合
成＞
成＞
【００４８】
【化４６】
【００４９】文献記載（Obukhova, T. A. etal, Zh. Or
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
−トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル-ビス安息香酸（スキーム中
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
−トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル-ビス安息香酸（スキーム中
【出発物質】）（２．００ｇ、５．３１ｍｍｏｌ）を塩
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、ピリジン（２
０ｍｌ）を加えた。得られた反応混合物に、４−ブロモ
フェニルテトラゾール（２．４８ｇ、１１．０ｍｍｏ
ｌ）を加え、８時間還流した。反応溶液を減圧下、濃縮
し、析出した結晶をトルエン（２０ｍｌ）、４−ビフェ
ニルボロン酸（２．３８ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）、２Ｎ
−炭酸カリウム水溶液（１０ｍｌ）とともに加熱還流し
た。反応混合物をクロロホルムで抽出し、得られた有機
層を、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、
減圧下濃縮した。得られた残さをカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、さらにクロロホルム−ヘキサンから再結
晶して目的物である前記構造式（２）で表されるアダマ
ンタン誘導体（３．５１ｇ、収率７５％）を無色結晶と
して得た。
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、ピリジン（２
０ｍｌ）を加えた。得られた反応混合物に、４−ブロモ
フェニルテトラゾール（２．４８ｇ、１１．０ｍｍｏ
ｌ）を加え、８時間還流した。反応溶液を減圧下、濃縮
し、析出した結晶をトルエン（２０ｍｌ）、４−ビフェ
ニルボロン酸（２．３８ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）、２Ｎ
−炭酸カリウム水溶液（１０ｍｌ）とともに加熱還流し
た。反応混合物をクロロホルムで抽出し、得られた有機
層を、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、
減圧下濃縮した。得られた残さをカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、さらにクロロホルム−ヘキサンから再結
晶して目的物である前記構造式（２）で表されるアダマ
ンタン誘導体（３．５１ｇ、収率７５％）を無色結晶と
して得た。
【００５０】1Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定によ
り、目的物と同定した。
り、目的物と同定した。
【００５１】実施例３
＜前記構造式（３）で表されるアダマンタン誘導体の合
成＞
成＞
【００５２】
【化４７】
【００５３】文献記載（Obukhova, T. A. etal, Zh. Or
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
−トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル-ビス安息香酸（スキーム中
g. Khim, 1995, 21(8), 1152）に従い合成した４，４’
−トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン−１，３
−ジイル-ビス安息香酸（スキーム中
【出発物質】）（２．００ｇ、５．３１ｍｍｏｌ）を塩
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、リンドラー触
媒（１００ｍｇ）、を加え、水素雰囲気下で８時間撹拌
した。得られた反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮した。
得られた残渣をクロロホルム−ヘキサンから結晶化して
粗ジアルデヒドを得た。引き続き、前もって市販品のブ
ロモメチルビフェニル（２．７２ｇ、１１．０ｍｍｏ
ｌ）から誘導したホーナーエモンズ試薬のアニオンのテ
トラヒドロフランけん濁液（２０ｍｌ）に得られた粗ア
ルデヒドを氷冷下加え、室温下１２時間撹拌した。得ら
れた反応混合物に氷−水を加え、クロロホルムで抽出し
た。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナト
リウムで乾燥、減圧下濃縮した。得られた残渣をカラム
クロマトグラフで精製して、目的生成物である前記構造
式（３）で表されるアダマンタン誘導体（２．０５ｇ、
収率６０％）を無色結晶として得た。
化チオニル（２０ｍｌ）中、数滴のジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）とともに５時間、加熱、還流した。得られ
た反応混合物を減圧下濃縮し、そのまま、リンドラー触
媒（１００ｍｇ）、を加え、水素雰囲気下で８時間撹拌
した。得られた反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮した。
得られた残渣をクロロホルム−ヘキサンから結晶化して
粗ジアルデヒドを得た。引き続き、前もって市販品のブ
ロモメチルビフェニル（２．７２ｇ、１１．０ｍｍｏ
ｌ）から誘導したホーナーエモンズ試薬のアニオンのテ
トラヒドロフランけん濁液（２０ｍｌ）に得られた粗ア
ルデヒドを氷冷下加え、室温下１２時間撹拌した。得ら
れた反応混合物に氷−水を加え、クロロホルムで抽出し
た。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナト
リウムで乾燥、減圧下濃縮した。得られた残渣をカラム
クロマトグラフで精製して、目的生成物である前記構造
式（３）で表されるアダマンタン誘導体（２．０５ｇ、
収率６０％）を無色結晶として得た。
【００５４】1Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定によ
り、目的物と同定した。
り、目的物と同定した。
【００５５】実施例４
本実施例は、前記構造式（１）で表されるアダマンタン
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００５６】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
【００５７】また、電子輸送層材料として下記構造式
（１９）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
（１９）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【化４８】構造式（１９）：Ａｌｑ3
【００５８】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例４による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例４による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
【００５９】このように作製した実施例４の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００６０】実施例５
本実施例は、前記構造式（１）で表されるアダマンタン
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００６１】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の下記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の下記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
【化４９】構造式（２０）：α−ＮＰＤ
【００６２】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（１）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
式（１）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００６３】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００６４】このように作製した実施例５の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００６５】実施例６
本実施例は、前記構造式（１）で表されるアダマンタン
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
【００６６】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
【００６７】さらに、正孔輸送層に接して、前記構造式
（１）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
（１）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
【００６８】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【００６９】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００７０】このように作製した実施例６の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００７１】実施例７
本実施例は、前記構造式（２）で表されるアダマンタン
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００７２】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（２）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（２）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
【００７３】また、電子輸送層材料として前記構造式
（１９）で表されるＡｌｑ3を正孔輸送層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
５０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
（１９）で表されるＡｌｑ3を正孔輸送層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
５０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００７４】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例７による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例７による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
【００７５】このように作製した実施例７の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００７６】実施例８
本実施例は、前記構造式（２）で表されるアダマンタン
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００７７】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
【００７８】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（２）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
式（２）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００７９】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００８０】このように作製した実施例８の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００８１】実施例９
本実施例は、前記一般式（２）で表されるアダマンタン
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
【００８２】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍがラス基板をセッティングした。蒸着マスク
として複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有す
る金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法によ
り１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料としての
前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍがラス基板をセッティングした。蒸着マスク
として複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有す
る金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法によ
り１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料としての
前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
【００８３】さらに、正孔輸送層に接して、前記構造式
（２）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
（２）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
【００８４】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【００８５】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００８６】このように作製した実施例９の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得られ
た。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲気
下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００８７】実施例１０
本実施例は、前記構造式（３）で表されるアダマンタン
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を正孔輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００８８】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（３）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（３）で表さ
れるアダマンタン誘導体を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々
０．１ｎｍ／秒とした。
【００８９】また、電子輸送層材料として前記構造式
（１９）で表されるＡｌｑ3を正孔輸送層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
５０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
（１９）で表されるＡｌｑ3を正孔輸送層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
５０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００９０】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例１０による図３に示したが如き
有機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例１０による図３に示したが如き
有機電界発光素子を作製した。
【００９１】このように作製した実施例１０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００９２】実施例１１
本実施例は、前記構造式（３）で表されるアダマンタン
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
誘導体を電子輸送層（兼発光層）として用い、シングル
へテロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００９３】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３
０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒
とした。
【００９４】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（３）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
式（３）で表されるアダマンタン誘導体を用いて、正孔
輸送層に接して蒸着した。本発明に基づくアダマンタン
誘導体からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００９５】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００９６】このように作製した実施例１１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【００９７】実施例１２
本実施例は、前記一般式（３）で表されるアダマンタン
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
誘導体を発光層として用い、ダブルへテロ構造の有機電
界発光素子を作製した例である。
【００９８】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍがラス基板をセッティングした。蒸着マスク
として複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有す
る金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法によ
り１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料としての
前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍがラス基板をセッティングした。蒸着マスク
として複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有す
る金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法によ
り１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料としての
前記構造式（２０）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
【００９９】さらに、正孔輸送層に接して、前記構造式
（３）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
（３）で表されるアダマンタン誘導体を例えば３０ｎｍ
の厚さに発光層として成膜した。蒸着レートは各々０．
２ｎｍ／秒とした。
【０１００】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
式（１９）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接し
て蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【０１０１】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【０１０２】このように作製した実施例１２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価したところ、目的とする発光色が得ら
れた。また、この有機電界発光素子を作成後、窒素雰囲
気下に１ヶ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。
【０１０３】
【発明の作用効果】本発明の製造方法によれば、分子内
にアダマンタンという剛直な構造体を含む分子を容易に
合成することができる。また、本発明の製造方法によっ
て得られる本発明のアダマンタン誘導体は、熱的・化学
的安定性に優れており、また蛍光波長極大値が３００ｎ
ｍから８００ｎｍの間にある前記化合物から誘導される
１価の置換基を有しているので、強い発光を呈すること
ができる。
にアダマンタンという剛直な構造体を含む分子を容易に
合成することができる。また、本発明の製造方法によっ
て得られる本発明のアダマンタン誘導体は、熱的・化学
的安定性に優れており、また蛍光波長極大値が３００ｎ
ｍから８００ｎｍの間にある前記化合物から誘導される
１価の置換基を有しているので、強い発光を呈すること
ができる。
【０１０４】また、本発明の有機電界発光素子によれ
ば、発光領域を有する前記有機層の構成材料として本発
明のアダマンタン誘導体を用いているので、熱的・化学
的安定性に優れており、高輝度かつ高効率な発光を実現
することができる
ば、発光領域を有する前記有機層の構成材料として本発
明のアダマンタン誘導体を用いているので、熱的・化学
的安定性に優れており、高輝度かつ高効率な発光を実現
することができる
【図１】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略断
面図である。
面図である。
【図２】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図で
ある。
ある。
【図３】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図で
ある。
ある。
【図４】同、更に他の有機電界発光素子の要部概略断面
図である。
図である。
【図５】同、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平
面ディスプレイの構成図である。
面ディスプレイの構成図である。
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光
素子
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光
素子
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４０
６５０ ６５０
６５５ ６５５
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ
33/22 33/22 Ｂ
Ｄ
(72)発明者 石橋 義
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 田村 眞一郎
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB11 AB12 AB14
4C056 AA01 AB02 AC07 AD01 AE03
FA04 FA13 FC01
4H006 AA01 AA03 AB91 AB92
Claims (23)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるアダマンタ
ン誘導体。 【化１】 （但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。） - 【請求項２】 下記一般式（２）で表される、請求項１
に記載したアダマンタン誘導体。 【化２】 （但し、前記一般式（２）において、Ｘ2及びＸ3はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。） - 【請求項３】 下記一般式（３）で表される、請求項１
に記載したアダマンタン誘導体。 【化３】 （但し、前記一般式（３）において、Ｘ4及びＸ5はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、かつ部分構
造に芳香族部分若しくは複素環部分を含み、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。） - 【請求項４】 下記一般式（４）で表される、請求項１
に記載したアダマンタン誘導体。 【化４】 （但し、前記一般式（４）において、Ｘ6及びＸ7はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる下記一般式（４−１）で表
される置換基である。） 【化５】 （但し、前記一般式（４−１）において、Ｙ1、Ｙ2及び
Ｙ3はそれぞれ、同一の若しくは異なる原子団であり、
少なくとも芳香族環基又はヘテロ環基からなり、それら
は、直接的若しくは間接的に連結され、この連結形式は
直鎖状、枝分かれ状又は環状のいずれとも限定されず、
またＹ1とＹ2は連結されていてもいなくてもよい（破線
はこのことを意味する）。ｎ、ｍはそれぞれ０又は１以
上の整数である。） - 【請求項５】 下記一般式（５）で表される、請求項１
に記載したアダマンタン誘導体。 【化６】 （但し、前記一般式（５）において、Ｘ8及びＸ9はそれ
ぞれ、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物か
ら選ばれた化合物を直接的若しくは間接的に連結し、任
意の位置に炭素数１０以下のアルキル置換基を有してい
てよい１価の置換基である。） 【化７】 - 【請求項６】 下記構造式（９）〜（１１）で表され
る、請求項１に記載したアダマンタン誘導体。 【化８】構造式（９）： 構造式（１０）： 構造式（１１）： - 【請求項７】 下記一般式（６）で表されるアダマンタ
ン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎｍ
の間にある化合物とを反応させる工程を経て、下記一般
式（１）で表されるアダマンタン誘導体を得る、アダマ
ンタン誘導体の製造方法。 【化９】 （但し、前記一般式（６）において、Ｚはそれぞれ、前
記化合物と反応する官能基を有する同一の若しくは異な
る１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数であ
る。） 【化１０】 （但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合物から誘
導される１価の置換基である。ｎは１から１０までの整
数である。） - 【請求項８】 下記一般式（７）で表されるアダマンタ
ン化合物と蛍光波長極大値が３００ｎｍから８００ｎｍ
の間にある前記化合物とを反応させる工程を経て、下記
一般式（８）で表されるアダマンタン誘導体を得る、請
求項７に記載したアダマンタン誘導体の製造方法。 【化１１】 （但し、前記一般式（７）において、Ｚ1及びＺ2はそれ
ぞれ、前記化合物と反応する官能基を有する同一の若し
くは異なる１価の置換基である。） 【化１２】 （但し、前記一般式（８）において、Ｚ1'及びＺ2'はそ
れぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長
極大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合
物から誘導される１価の置換基である。） - 【請求項９】 下記一般式（２）で表されるアダマンタ
ン誘導体を得る、請求項７に記載したアダマンタン誘導
体の製造方法。 【化１３】 （但し、前記一般式（２）において、Ｘ2及びＸ3はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合物
から誘導される１価の置換基である。） - 【請求項１０】 下記一般式（３）で表されるアダマン
タン誘導体を得る、請求項７に記載したアダマンタン誘
導体の製造方法。 【化１４】 （但し、前記一般式（３）において、Ｘ4及びＸ5はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、かつ部分構
造に芳香族部分若しくは複素環部分を含み、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある前記化合物
から誘導される１価の置換基である。） - 【請求項１１】 下記一般式（４）で表されるアダマン
タン誘導体を得る、請求項７に記載したアダマンタン誘
導体の製造方法。 【化１５】 （但し、前記一般式（４）において、Ｘ6及びＸ7はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる下記一般式（４−１）で表
される置換基である。） 【化１６】 （但し、前記一般式（４−１）において、Ｙ1、Ｙ2及び
Ｙ3はそれぞれ、同一の若しくは異なる原子団であり、
少なくとも芳香族環基又はヘテロ環基からなり、それら
は、直接的若しくは間接的に連結され、この連結形式は
直鎖状、枝分かれ状又は環状のいずれとも限定されず、
またＹ1とＹ2は連結されていてもいなくてもよい（破線
はこのことを意味する）。ｎ、ｍはそれぞれ０又は１以
上の整数である。） - 【請求項１２】 下記一般式（５）で表されるアダマン
タン誘導体を得る、請求項７に記載したアダマンタン誘
導体の製造方法。 【化１７】 （但し、前記一般式（５）において、Ｘ8及びＸ9はそれ
ぞれ、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物か
ら選ばれた化合物を直接的若しくは間接的に連結し、任
意の位置に炭素数１０以下のアルキル置換基を有してい
てよい１価の置換基である。） 【化１８】 - 【請求項１３】 下記構造式（９）〜（１１）で表され
るアダマンタン誘導体を得る、請求項７に記載したアダ
マンタン誘導体の製造方法。 【化１９】構造式（９）： 構造式（１０）： 構造式（１１）： - 【請求項１４】 下記構造式（１２）で表されるアダマ
ンタン化合物をハロゲン化することによって下記構造式
（１３）で表されるハロゲン化アダマンタン化合物を
得、このハロゲン化アダマンタン化合物を蛍光波長極大
値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある下記一般式
（９）で表される化合物と反応させる、請求項７に記載
したアダマンタン誘導体の製造方法。 【化２０】 （但し、前記一般式（９）において、Ｑは水素原子又は
１価の置換基である。） - 【請求項１５】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
との間に設けられている有機電界発光素子において、下
記一般式（１）で表されるアダマンタン誘導体が、前記
有機層に含まれていることを特徴とする、有機電界発光
素子。 【化２１】 （但し、前記一般式（１）において、Ｘ1はそれぞれ、
同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極大値が
３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から誘導さ
れる１価の置換基である。ｎは１から１０までの整数で
ある。） - 【請求項１６】 前記アダマンタン誘導体が、下記一般
式（２）で表される化合物のうちの少なくとも１種であ
る、請求項１５に記載した有機電界発光素子。 【化２２】 （但し、前記一般式（２）において、Ｘ2及びＸ3はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。） - 【請求項１７】 前記アダマンタン誘導体が、下記一般
式（３）で表される化合物のうちの少なくとも１種であ
る、請求項１５に記載した有機電界発光素子。 【化２３】 （但し、前記一般式（３）において、Ｘ4及びＸ5はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる置換基であり、かつ部分構
造に芳香族部分若しくは複素環部分を含み、蛍光波長極
大値が３００ｎｍから８００ｎｍの間にある化合物から
誘導される１価の置換基である。） - 【請求項１８】 前記アダマンタン誘導体が、下記一般
式（４）で表される化合物のうちの少なくとも１種であ
る、請求項１５に記載した有機電界発光素子。 【化２４】 （但し、前記一般式（４）において、Ｘ6及びＸ7はそれ
ぞれ、同一の若しくは異なる下記一般式（４−１）によ
って表される置換基である。） 【化２５】 （但し、前記一般式（４−１）において、Ｙ1、Ｙ2及び
Ｙ3はそれぞれ、同一の若しくは異なる原子団であり、
少なくとも芳香族環基又はヘテロ環基からなり、それら
は、直接的若しくは間接的に連結され、この連結形式は
直鎖状、枝分かれ状又は環状のいずれとも限定されず、
またＹ1とＹ2は連結されていてもいなくてもよい（破線
はこのことを意味する）。ｎ、ｍはそれぞれ０又は１以
上の整数である。） - 【請求項１９】 前記アダマンタン誘導体が、下記一般
式（５）で表される化合物のうちの少なくとも１種であ
る、請求項１５に記載した有機電界発光素子。 【化２６】 （但し、前記一般式（５）において、Ｘ8及びＸ9はそれ
ぞれ、下記構造式（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）及び（８）で表される化合物か
ら選ばれた化合物を直接的若しくは間接的に連結し、任
意の位置に炭素数１０以下のアルキル置換基を有してい
てよい１価の置換基である。） 【化２７】 - 【請求項２０】 前記アダマンタン誘導体として、下記
構造式（９）、（１０）、（１１）で表されるうちの少
なくとも１種を用いる、請求項１５に記載した有機電界
発光素子。 【化２８】構造式（９）： 構造式（１０）： 構造式（１１）： - 【請求項２１】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔
輸送層の形成材料として前記アダマンタン誘導体が用い
られている、請求項１５に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項２２】 前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送
層とが順次積層された有機積層構造を有しており、前記
電子輸送層の形成材料として前記アダマンタン誘導体が
用いられている、請求項１５に記載した有機電界発光素
子。 - 【請求項２３】 前記有機層が、正孔輸送層と発光層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、
前記発光層の形成材料として前記アダマンタン誘導体が
用いられている、請求項１５に記載した有機電界発光素
子。
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| JP2002125223A JP4189719B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | アダマンタン誘導体及びその製造方法、並びにアダマンタン誘導体を用いた有機電界発光素子 |
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