JP2002343568A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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- JP2002343568A JP2002343568A JP2001139617A JP2001139617A JP2002343568A JP 2002343568 A JP2002343568 A JP 2002343568A JP 2001139617 A JP2001139617 A JP 2001139617A JP 2001139617 A JP2001139617 A JP 2001139617A JP 2002343568 A JP2002343568 A JP 2002343568A
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- organic
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- electroluminescent device
- organic electroluminescent
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/18—Metal complexes
- C09K2211/188—Metal complexes of other metals not provided for in one of the previous groups
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 発光層でのホールと電子の再結合を促進し、
さらに高輝度かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素
子を提供する。 【解決手段】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式
（１）で表される（バソフェナントロリン）ビス（ベン
ゼンチオレート）亜鉛錯体のような混合配位子錯体から
なることを特徴とする、有機電界発光素子。 構造式（１）：
さらに高輝度かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素
子を提供する。 【解決手段】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層のうちの少なくとも一部が、例えば下記構造式
（１）で表される（バソフェナントロリン）ビス（ベン
ゼンチオレート）亜鉛錯体のような混合配位子錯体から
なることを特徴とする、有機電界発光素子。 構造式（１）：
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光領域を有する
有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発
光素子（ＥＬ素子）に関するものである。
有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発
光素子（ＥＬ素子）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】軽量で高効率のフラットパネルディスプ
レイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示
用として盛んに研究、開発されている。
レイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示
用として盛んに研究、開発されている。
【０００３】まず、ブラウン管（ＣＲＴ）は、輝度が高
く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も
多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高
いという問題がある。
く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も
多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高
いという問題がある。
【０００４】また、軽量で高効率のフラットパネルディ
スプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液
晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液
晶ディスプレイは、視野角が狭く、また、自発光でない
ため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電極が大
きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高
速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有しない等の問
題点がある。特に、大画面サイズのディスプレイを製造
することは困難であり、そのコストが高い等の課題もあ
る。
スプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液
晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液
晶ディスプレイは、視野角が狭く、また、自発光でない
ため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電極が大
きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高
速ビデオ信号に対して十分な応答性能を有しない等の問
題点がある。特に、大画面サイズのディスプレイを製造
することは困難であり、そのコストが高い等の課題もあ
る。
【０００５】これに対する代替として、発光ダイオード
を用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コ
ストが高く、また、１つの基板上に発光ダイオードのマ
トリックス構造を形成することが難しい等の問題があ
り、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候
補としては、実用化までの課題が大きい。
を用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コ
ストが高く、また、１つの基板上に発光ダイオードのマ
トリックス構造を形成することが難しい等の問題があ
り、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候
補としては、実用化までの課題が大きい。
【０００６】これらの諸課題を解決する可能性のあるフ
ラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料
を用いた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）が注目され
ている。即ち、発光材料として有機化合物を用いること
により、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存
性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待され
ている。
ラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料
を用いた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）が注目され
ている。即ち、発光材料として有機化合物を用いること
により、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存
性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待され
ている。
【０００７】有機電界発光素子の構成は、透光性の正極
と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光
材料を含む有機薄膜を形成したものである。C.W.Tang、
S.A.VanSlyke 等は Applied Physics Letters 第５１巻
１２号９１３〜９１５頁（１９８７年）掲載の研究報告
において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と電
子輸送性材料からなる薄膜との２層構造として、各々の
電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結合す
ることにより発光する素子構造を開発した（シングルへ
テロ構造の有機ＥＬ素子）。
と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光
材料を含む有機薄膜を形成したものである。C.W.Tang、
S.A.VanSlyke 等は Applied Physics Letters 第５１巻
１２号９１３〜９１５頁（１９８７年）掲載の研究報告
において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と電
子輸送性材料からなる薄膜との２層構造として、各々の
電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結合す
ることにより発光する素子構造を開発した（シングルへ
テロ構造の有機ＥＬ素子）。
【０００８】この素子構造では、正孔輸送材料または電
子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は
発光材料の基底状態と励起状態のエネルギギャップに対
応した波長帯で起きる。このような２層構造とすること
により、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行わ
れた。
子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は
発光材料の基底状態と励起状態のエネルギギャップに対
応した波長帯で起きる。このような２層構造とすること
により、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行わ
れた。
【０００９】その後、C.Adachi、S.Tokita、T.Tshuthu
i、S.Saito 等の Japanese Journalof Applied Physics
第２７巻２号Ｌ２６９〜Ｌ２７１頁（１９８８年）掲
載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材料、
発光材料、電子輸送材料の３層構造（ダブルへテロ構造
の有機ＥＬ素子）が開発され、更に、C.W.Tang、S.A.Va
nSlyke、C.H.Chen等の Journal of Applied Physics第
６５巻９号３６１０〜３６１６頁（１９８９年）掲載の
研究報告に記載されているように、電子輸送材料中に発
光材料を含ませた素子構造などが開発された。これらの
研究により、低電圧で、高輝度の発光の可能性が検証さ
れ、近年、研究開発が非常に活発に行われている。
i、S.Saito 等の Japanese Journalof Applied Physics
第２７巻２号Ｌ２６９〜Ｌ２７１頁（１９８８年）掲
載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材料、
発光材料、電子輸送材料の３層構造（ダブルへテロ構造
の有機ＥＬ素子）が開発され、更に、C.W.Tang、S.A.Va
nSlyke、C.H.Chen等の Journal of Applied Physics第
６５巻９号３６１０〜３６１６頁（１９８９年）掲載の
研究報告に記載されているように、電子輸送材料中に発
光材料を含ませた素子構造などが開発された。これらの
研究により、低電圧で、高輝度の発光の可能性が検証さ
れ、近年、研究開発が非常に活発に行われている。
【００１０】発光材料に用いる有機化合物は、その多様
性から、理論的には分子構造を変化させることによって
発光色を任意に変えることができるという利点があると
言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラ
ーディスプレイに必要な色純度の良いＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３色を揃えることは、無機物を用い
た薄膜ＥＬ素子と比べて容易であると言える。
性から、理論的には分子構造を変化させることによって
発光色を任意に変えることができるという利点があると
言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラ
ーディスプレイに必要な色純度の良いＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３色を揃えることは、無機物を用い
た薄膜ＥＬ素子と比べて容易であると言える。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】厳密な意味から言えば
有機材料とは言えないが、金属イオンを中心に有機化合
物が配位してなる金属錯体材料も電界発光素子材料とし
て用いられており、一般的には有機ＥＬ発光材料の範疇
として取り扱われている。その典型的な例として、アル
ミニウムイオンを中心金属とし、８−キノリノールが３
分子配位したトリス（８−キノリノール）アルミニウム
［以下Ａｌｑ3と略す］が挙げられる。このＡｌｑ3の発
光は配位した８−キノリノールに局在したππ*励起状
態からの蛍光と帰属されており、有機物からの発光と同
等としても支障はないかもしれない。しかしながら、Ａ
ｌｑ3による発光は、最高輝度、信頼性ともにディスプ
レイ材料としては満足の行くものではない。
有機材料とは言えないが、金属イオンを中心に有機化合
物が配位してなる金属錯体材料も電界発光素子材料とし
て用いられており、一般的には有機ＥＬ発光材料の範疇
として取り扱われている。その典型的な例として、アル
ミニウムイオンを中心金属とし、８−キノリノールが３
分子配位したトリス（８−キノリノール）アルミニウム
［以下Ａｌｑ3と略す］が挙げられる。このＡｌｑ3の発
光は配位した８−キノリノールに局在したππ*励起状
態からの蛍光と帰属されており、有機物からの発光と同
等としても支障はないかもしれない。しかしながら、Ａ
ｌｑ3による発光は、最高輝度、信頼性ともにディスプ
レイ材料としては満足の行くものではない。
【００１２】また、近年、材料の多様化に伴い、遷移金
属ならびに希土類金属を中心とする錯体材料であり、金
属と配位子の間の電荷移動励起状態（metal-to-ligand
charge transfer;MLCT,ligand-to-metal charge transf
er;LMCT）からの発光と帰属されるものについても取扱
われてきており、上述の有機化合物と同様にしてこの金
属錯体材料を発光材料に用いる場合、その多様性から、
理論的には有機物である配位子の分子構造や組み合わせ
を変化させ、さらに中心金属を変化させることによっ
て、発光色を任意に変えることができるという利点があ
るといえる。
属ならびに希土類金属を中心とする錯体材料であり、金
属と配位子の間の電荷移動励起状態（metal-to-ligand
charge transfer;MLCT,ligand-to-metal charge transf
er;LMCT）からの発光と帰属されるものについても取扱
われてきており、上述の有機化合物と同様にしてこの金
属錯体材料を発光材料に用いる場合、その多様性から、
理論的には有機物である配位子の分子構造や組み合わせ
を変化させ、さらに中心金属を変化させることによっ
て、発光色を任意に変えることができるという利点があ
るといえる。
【００１３】さらに、発光効率の向上という面から発光
として蛍光を用いるのではなくリン光を用いる研究開発
が近年、目立ち始めており、金属錯体の場合、中心金属
の原子量が大きく、またその電子雲の広がりのため、励
起状態間における系間交差の確立が増大し、一重項励起
状態よりもさらに低い三重項励起状態からの発光、すな
わちリン光が期待される。
として蛍光を用いるのではなくリン光を用いる研究開発
が近年、目立ち始めており、金属錯体の場合、中心金属
の原子量が大きく、またその電子雲の広がりのため、励
起状態間における系間交差の確立が増大し、一重項励起
状態よりもさらに低い三重項励起状態からの発光、すな
わちリン光が期待される。
【００１４】本発明の目的は、本来高い量子収率を有す
る金属錯体を含有する電界発光素子であって、高輝度か
つ高効率な発光を呈し、また発光波長のチューニングが
比較的容易にでき、従来の有機物材料よりも多様な発光
波長が選択できる有機電界発光素子を提供することにあ
る。
る金属錯体を含有する電界発光素子であって、高輝度か
つ高効率な発光を呈し、また発光波長のチューニングが
比較的容易にでき、従来の有機物材料よりも多様な発光
波長が選択できる有機電界発光素子を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために鋭意検討した結果、発光材料として特定の配
位子間励起状態を最低励起状態に有する金属錯体を用い
ることによって、安定した、高輝度のフルカラーディス
プレイに極めて有用な高信頼性の発光素子を提供できる
ことを見出し、本発明に到達したものである。
するために鋭意検討した結果、発光材料として特定の配
位子間励起状態を最低励起状態に有する金属錯体を用い
ることによって、安定した、高輝度のフルカラーディス
プレイに極めて有用な高信頼性の発光素子を提供できる
ことを見出し、本発明に到達したものである。
【００１６】即ち、本発明は、発光領域を有する有機層
が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、下記
一般式［Ｉ］で表される混合配位子錯体の少なくとも１
種からなることを特徴とする、有機電界発光素子に係る
ものである。
が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子
において、前記有機層のうちの少なくとも一部が、下記
一般式［Ｉ］で表される混合配位子錯体の少なくとも１
種からなることを特徴とする、有機電界発光素子に係る
ものである。
【化４】一般式［Ｉ］：Ｍ（ＡＴ）2（Ｎ,Ｎ）
【化５】 （但し、前記一般式（１）〜（４）において、置換基Ｒ
1及びＲ2は、アルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基（アルコキシ基）、カルボキシル基、
カルボン酸エステル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジ
ル基から選ばれた基であり、それらが同一であっても異
なってもよく、更に置換基を有していてもよい。また、
ｍ及びｎは０以上の整数であり、１、２、３又はそれ以
上であってよい。また、前記アロマティックチオレート
は、下記一般式（５）、（６）、（７）、（８）、
（９）、（１０）、（１１）又は（１２）で表される分
子構造からなるものであり、
1及びＲ2は、アルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基（アルコキシ基）、カルボキシル基、
カルボン酸エステル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジ
ル基から選ばれた基であり、それらが同一であっても異
なってもよく、更に置換基を有していてもよい。また、
ｍ及びｎは０以上の整数であり、１、２、３又はそれ以
上であってよい。また、前記アロマティックチオレート
は、下記一般式（５）、（６）、（７）、（８）、
（９）、（１０）、（１１）又は（１２）で表される分
子構造からなるものであり、
【化６】一般式（５）： 一般式（６）： 一般式（７）： 一般式（８）： 一般式（９）： 一般式（１０）： 一般式（１１）： 一般式（１２）： （但し、前記一般式（５）〜（１２）において、置換基
Ｒ3及びＲ4はアルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基、カルボキシル基、カルボン酸エステ
ル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジル基から選ばれた
基であり、それらが同一であっても異なってもよく、更
に置換基を有していてもよい。また、Ｒ3及びＲ4は置換
基であり、ｍ’及びｎ’は０以上の整数であり、１、
２、３又はそれ以上であってよい。） また、前記金属イオンは、ｄ軌道に電子が１０個すべて
占有されているｄ10遷移金属イオンである。］
Ｒ3及びＲ4はアルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基、カルボキシル基、カルボン酸エステ
ル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジル基から選ばれた
基であり、それらが同一であっても異なってもよく、更
に置換基を有していてもよい。また、Ｒ3及びＲ4は置換
基であり、ｍ’及びｎ’は０以上の整数であり、１、
２、３又はそれ以上であってよい。） また、前記金属イオンは、ｄ軌道に電子が１０個すべて
占有されているｄ10遷移金属イオンである。］
【００１７】本発明によれば、前記一般式［I］で表さ
れる混合配位子錯体の少なくとも１種を発光材料に用い
るので、高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にも安定性に優れた素子を提供で
きる。
れる混合配位子錯体の少なくとも１種を発光材料に用い
るので、高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にも安定性に優れた素子を提供で
きる。
【００１８】また、前記一般式［I］で表される混合配
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
配位子に置換基を導入することや、配位子の組み合わせ
を変えること等によって、発光波長のチューニングが比
較的容易にでき、従来の有機物発光材料よりも多様な発
光波長が選択できる。
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
配位子に置換基を導入することや、配位子の組み合わせ
を変えること等によって、発光波長のチューニングが比
較的容易にでき、従来の有機物発光材料よりも多様な発
光波長が選択できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明を更に具体的に説明する。
明を更に具体的に説明する。
【００２０】本発明に基づく有機電界発光素子に用いる
前記一般式［I］で表される混合配位子錯体において、
中心金属イオンはＺｎ2+又はＣｄ2+であることが好まし
く、この場合、配位原子となる２つの窒素と２つのイオ
ウは中心金属に対して四面体（テトラヘドラル）配位構
造をとる。これらの最高占有軌道（ＨＯＭＯ：highest
occupied molecular orbital）は前記アロマティックチ
オレートに局在した電子軌道であり、最低非占有軌道
（ＬＵＭＯ：lowest unoccupied molecular orbital）
は前記α−ジイミンに局在した電子軌道である。従っ
て、最低励起状態は前記アロマティックチオレートから
前記α−ジイミンへの配位子間励起状態（ＬＬＣＴ）で
あると帰属されている。そして、前記ＨＯＭＯは前記ア
ロマティックチオレートの２つのイオウ原子に局在して
おり、極限すれば前記アロマティックチオレートのイオ
ウ原子から、前記α−ジイミンへのＬＬＣＴであること
が言える。また、これらの混合配位子錯体を構成する金
属イオン、イオウ原子の電子雲の広がりが大きく、さら
にこれらの重原子効果によって、一重項1ＬＬＣＴ励起
状態からさらにエネルギー準位が低い三重項3ＬＬＣＴ
励起状態への遷移が促進され、3ＬＬＣＴからの発光、
すなわちリン光が観測される。
前記一般式［I］で表される混合配位子錯体において、
中心金属イオンはＺｎ2+又はＣｄ2+であることが好まし
く、この場合、配位原子となる２つの窒素と２つのイオ
ウは中心金属に対して四面体（テトラヘドラル）配位構
造をとる。これらの最高占有軌道（ＨＯＭＯ：highest
occupied molecular orbital）は前記アロマティックチ
オレートに局在した電子軌道であり、最低非占有軌道
（ＬＵＭＯ：lowest unoccupied molecular orbital）
は前記α−ジイミンに局在した電子軌道である。従っ
て、最低励起状態は前記アロマティックチオレートから
前記α−ジイミンへの配位子間励起状態（ＬＬＣＴ）で
あると帰属されている。そして、前記ＨＯＭＯは前記ア
ロマティックチオレートの２つのイオウ原子に局在して
おり、極限すれば前記アロマティックチオレートのイオ
ウ原子から、前記α−ジイミンへのＬＬＣＴであること
が言える。また、これらの混合配位子錯体を構成する金
属イオン、イオウ原子の電子雲の広がりが大きく、さら
にこれらの重原子効果によって、一重項1ＬＬＣＴ励起
状態からさらにエネルギー準位が低い三重項3ＬＬＣＴ
励起状態への遷移が促進され、3ＬＬＣＴからの発光、
すなわちリン光が観測される。
【００２１】従って、本発明に基づく有機電界発光素子
は、前記一般式［I］で表される混合配位子錯体を用い
るので、上述したように、りん光による発光を得ること
ができ、例えば蛍光による発光と比べ、より寿命の長
い、より高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にもより一層安定性に優れてい
る。
は、前記一般式［I］で表される混合配位子錯体を用い
るので、上述したように、りん光による発光を得ること
ができ、例えば蛍光による発光と比べ、より寿命の長
い、より高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にもより一層安定性に優れてい
る。
【００２２】前記中心金属イオンとして、前記Ｚｎ2+、
Ｃｄ2+と同じく四面体配位構造をとることが知られてい
るＦｅ2+は、ｄ軌道に電子が６個占有されたｄ6遷移金
属イオンである。このように、ｄ軌道が完全に電子が１
０個占有されていない遷移金属イオンを金属錯体の中心
金属にした場合は、最低励起状態が無発光遷移となるｄ
ｄ*となるために、発光しないことがあることも知られ
ている。なお、本発明の前記混合配位子錯体：Ｍ（Ａ
Ｔ）2（Ｎ，Ｎ）において、２配位する前記アロマティ
ックチオレートは単一のものであってもよく、また、Ｍ
（ＡＴ）（ＡＴ’）（Ｎ，Ｎ）で示されるような異種の
アロマティックチオレートを組み合わせることも可能で
ある。
Ｃｄ2+と同じく四面体配位構造をとることが知られてい
るＦｅ2+は、ｄ軌道に電子が６個占有されたｄ6遷移金
属イオンである。このように、ｄ軌道が完全に電子が１
０個占有されていない遷移金属イオンを金属錯体の中心
金属にした場合は、最低励起状態が無発光遷移となるｄ
ｄ*となるために、発光しないことがあることも知られ
ている。なお、本発明の前記混合配位子錯体：Ｍ（Ａ
Ｔ）2（Ｎ，Ｎ）において、２配位する前記アロマティ
ックチオレートは単一のものであってもよく、また、Ｍ
（ＡＴ）（ＡＴ’）（Ｎ，Ｎ）で示されるような異種の
アロマティックチオレートを組み合わせることも可能で
ある。
【００２３】前記一般式（１）〜（４）及び前記一般式
（５）〜（１２）において、前記アルキル基は炭素原子
数１０以下のアルキル基であることが好ましく、例示す
るならばメチル基、エチル基及びプロピル基等が挙げら
れる。
（５）〜（１２）において、前記アルキル基は炭素原子
数１０以下のアルキル基であることが好ましく、例示す
るならばメチル基、エチル基及びプロピル基等が挙げら
れる。
【００２４】また、前記ハロゲン原子としては、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、
前記エーテル基は、炭素原子数１０以下のエーテル基で
あることが好ましく、例示するならばメトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。前記オキシアルキル基及び前記
カルボン酸エステル基は、炭素原子数１０以下であるこ
とが好ましい。
原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、
前記エーテル基は、炭素原子数１０以下のエーテル基で
あることが好ましく、例示するならばメトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。前記オキシアルキル基及び前記
カルボン酸エステル基は、炭素原子数１０以下であるこ
とが好ましい。
【００２５】前記一般式［I］で表される混合配位子錯
体は、配位子間励起状態からの発光であるため、配位子
に前記した種々の置換基を導入することや、前記一般式
（１）〜（４）及び前記一般式（５）〜（１２）の配位
子の組み合わせを変えることによって、発光波長のチュ
ーニングが比較的容易にでき、より多様な発光波長を選
択することができる。
体は、配位子間励起状態からの発光であるため、配位子
に前記した種々の置換基を導入することや、前記一般式
（１）〜（４）及び前記一般式（５）〜（１２）の配位
子の組み合わせを変えることによって、発光波長のチュ
ーニングが比較的容易にでき、より多様な発光波長を選
択することができる。
【００２６】また本発明は、前記混合配位子錯体で構成
された層の陰極側に接してホールブロッキング層を設け
ることも可能である。前記ホールブロッキング層を置く
ことによって、前記混合配位子錯体で構成された層にて
ホールと電子の再結合がより効率良く行われ、発光材料
独自の純粋な発光をより高輝度かつ高効率に得ることが
可能となる。
された層の陰極側に接してホールブロッキング層を設け
ることも可能である。前記ホールブロッキング層を置く
ことによって、前記混合配位子錯体で構成された層にて
ホールと電子の再結合がより効率良く行われ、発光材料
独自の純粋な発光をより高輝度かつ高効率に得ることが
可能となる。
【００２７】また、前記ホールブロッキング層に適した
材料とは、次のようなエネルギー状態を有するものであ
ることが望ましい。すなわち、前記ホールブロッキング
層を形成する材料の最高占有分子軌道レベルが、前記ホ
ールブロッキング層の陽極側に接する層を形成する材料
の最高占有分子軌道レベルより低いエネルギーレベルに
あること、なおかつ前記ホールブロッキング層を形成す
る材料の最低非占有分子軌道レベルが、前記ホールブロ
ッキング層の陽極側に接する層を形成する材料の最低非
占有分子軌道レベルより高いエネルギーレベルにあり、
また前記ホールブロッキング層の陰極側に接する層を形
成する材料の最低非占有分子軌道レベルより低いエネル
ギーレベルにあることである。
材料とは、次のようなエネルギー状態を有するものであ
ることが望ましい。すなわち、前記ホールブロッキング
層を形成する材料の最高占有分子軌道レベルが、前記ホ
ールブロッキング層の陽極側に接する層を形成する材料
の最高占有分子軌道レベルより低いエネルギーレベルに
あること、なおかつ前記ホールブロッキング層を形成す
る材料の最低非占有分子軌道レベルが、前記ホールブロ
ッキング層の陽極側に接する層を形成する材料の最低非
占有分子軌道レベルより高いエネルギーレベルにあり、
また前記ホールブロッキング層の陰極側に接する層を形
成する材料の最低非占有分子軌道レベルより低いエネル
ギーレベルにあることである。
【００２８】このような材料として、特開平１０−７９
２９７、特開平１１−２０４２５８、特開平１１−２０
４２６４、特開平１１−２０４２５９等に示されたフェ
ナントロリン誘導体が挙げられるが、前記のエネルギー
レベルの条件を満たすものであれば、フェナントロリン
誘導体に限定されるものではない。
２９７、特開平１１−２０４２５８、特開平１１−２０
４２６４、特開平１１−２０４２５９等に示されたフェ
ナントロリン誘導体が挙げられるが、前記のエネルギー
レベルの条件を満たすものであれば、フェナントロリン
誘導体に限定されるものではない。
【００２９】図１〜図４及び図５〜図８は、本発明に基
づく有機電界発光素子の例をそれぞれ示すものである。
づく有機電界発光素子の例をそれぞれ示すものである。
【００３０】図１は陰極３を発光光２０が透過する透過
型有機電界発光素子Ａであって、発光光２０は保護層４
の側からも観測できる。図２は陰極３での反射光も発光
光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
型有機電界発光素子Ａであって、発光光２０は保護層４
の側からも観測できる。図２は陰極３での反射光も発光
光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
【００３１】図中、１は有機電界発光素子を形成するた
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。２は透明電極（陽極）であり、Ｉ
ＴＯ（Indium tin oxide）、ＳｎＯ2等を使用できる。
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。２は透明電極（陽極）であり、Ｉ
ＴＯ（Indium tin oxide）、ＳｎＯ2等を使用できる。
【００３２】また、５は有機発光層であり、前記した混
合配位子錯体を発光材料として含有している。この発光
層について、有機電界発光２０を得る層構成としては、
従来公知の種々の構成を用いることができる。後述する
ように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを
構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積
層した構造が使用できる。更に本発明の目的を満たす範
囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸
送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を
積層した構造、または、複数種の材料を混合した組成か
らなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を
上げるために、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用
いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持し
た構造、更に少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔
輸送層若しくは電子輸送層、またはこれらの両方に含ま
せた構造を使用しても良い。これらの場合には、発光効
率を改善するために、正孔または電子の輸送を制御する
ための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
合配位子錯体を発光材料として含有している。この発光
層について、有機電界発光２０を得る層構成としては、
従来公知の種々の構成を用いることができる。後述する
ように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを
構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積
層した構造が使用できる。更に本発明の目的を満たす範
囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸
送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を
積層した構造、または、複数種の材料を混合した組成か
らなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を
上げるために、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用
いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持し
た構造、更に少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔
輸送層若しくは電子輸送層、またはこれらの両方に含ま
せた構造を使用しても良い。これらの場合には、発光効
率を改善するために、正孔または電子の輸送を制御する
ための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。
【００３３】例えば前記の一般式［Ｉ］で表される混合
配位子錯体は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持
つため、素子構造中、電子輸送層を兼ねた、前記混合配
位子錯体からなる発光層としても、或いは正孔輸送層を
兼ねた、前記混合配位子錯体からなる発光層としても用
いることが可能である。また、この混合配位子錯体を発
光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構
成とすることも可能である。図５及び図６は、前記の構
成に加えて、発光層５の陰極側に接してフェナントロリ
ン誘導体等からなるホールブロッキング層２１を設けた
ものである。
配位子錯体は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持
つため、素子構造中、電子輸送層を兼ねた、前記混合配
位子錯体からなる発光層としても、或いは正孔輸送層を
兼ねた、前記混合配位子錯体からなる発光層としても用
いることが可能である。また、この混合配位子錯体を発
光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構
成とすることも可能である。図５及び図６は、前記の構
成に加えて、発光層５の陰極側に接してフェナントロリ
ン誘導体等からなるホールブロッキング層２１を設けた
ものである。
【００３４】なお、図１及び図２、図５及び図６中、３
は陰極であり、電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等
の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或
いはこれらを積層した構造を使用できる。透過型の有機
電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することに
より、用途に合った光透過率を得ることができる。ま
た、図中の４は封止・保護層であり、有機電界発光素子
全体を覆う構造とすることにより、その効果が上がる。
気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができ
る。また、８は電流注入用の駆動電源である。
は陰極であり、電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等
の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或
いはこれらを積層した構造を使用できる。透過型の有機
電界発光素子においては、陰極の厚さを調節することに
より、用途に合った光透過率を得ることができる。ま
た、図中の４は封止・保護層であり、有機電界発光素子
全体を覆う構造とすることにより、その効果が上がる。
気密性が保たれれば、適宜の材料を使用することができ
る。また、８は電流注入用の駆動電源である。
【００３５】本発明に基づく有機電界発光素子におい
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記混合配位
子錯体が用いられてよい。或いは、有機層が、正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構
造（ダブルへテロ構造）を有しており、発光層の形成材
料として前記混合配位子錯体が用いられてよい。
て、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記混合配位
子錯体が用いられてよい。或いは、有機層が、正孔輸送
層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構
造（ダブルへテロ構造）を有しており、発光層の形成材
料として前記混合配位子錯体が用いられてよい。
【００３６】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図３は、透光性の基板１上に、
透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とから
なる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてな
る、シングルへテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
図７では、電子輸送層７及び／又は正孔輸送層６の陰極
側に接してホールブロッキング層２１が設けられてい
る。
発光素子の例を示すと、図３は、透光性の基板１上に、
透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とから
なる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護膜４によって封止されてな
る、シングルへテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
図７では、電子輸送層７及び／又は正孔輸送層６の陰極
側に接してホールブロッキング層２１が設けられてい
る。
【００３７】図３、図７に示すように発光層を省略した
層構成の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面
から所定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基
板１側から観測される。
層構成の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面
から所定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基
板１側から観測される。
【００３８】また、図４は、透光性の基板１上に、透光
性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送
層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護層４によって
封止されてなる、ダブルへテロ構造の有機電界発光素子
Ｄである。図８では、発光層１１の陰極側に接してホー
ルブロッキング層２１が設けられている。
性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送
層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護層４によって
封止されてなる、ダブルへテロ構造の有機電界発光素子
Ｄである。図８では、発光層１１の陰極側に接してホー
ルブロッキング層２１が設けられている。
【００３９】図４に示した有機電界発光素子において
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、分子内で三重項励起子に緩和し、この三
重項励起子から所定波長の発光を発生する。
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、分子内で三重項励起子に緩和し、この三
重項励起子から所定波長の発光を発生する。
【００４０】上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおい
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図３及び図４、図７
及び図８に示した積層構造をマトリックス状に配置する
場合等は、この基板を共用としてよい。また、素子Ｃ、
Ｄはいずれも、透過型、反射型のいずれの構造も採りう
る。
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図３及び図４、図７
及び図８に示した積層構造をマトリックス状に配置する
場合等は、この基板を共用としてよい。また、素子Ｃ、
Ｄはいずれも、透過型、反射型のいずれの構造も採りう
る。
【００４１】また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ
（indium tin oxide）やＳｎＯ2等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物（金属錯体等）からなる薄膜を設けても
よい。なお、保護層４が金属等の導電性材料で形成され
ている場合は、陽極２の側面に絶縁膜が設けられていて
もよい。
（indium tin oxide）やＳｎＯ2等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物（金属錯体等）からなる薄膜を設けても
よい。なお、保護層４が金属等の導電性材料で形成され
ている場合は、陽極２の側面に絶縁膜が設けられていて
もよい。
【００４２】また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に前記した混合
配位子錯体が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子
輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄにおける有機
層５ｂは、正孔輸送層１０と前記した混合配位子錯体を
含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に前記した混合
配位子錯体が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子
輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄにおける有機
層５ｂは、正孔輸送層１０と前記した混合配位子錯体を
含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
【００４３】また、正孔輸送層において、正孔輸送性能
を向上させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した
正孔輸送層を形成してもよい。
を向上させるために、複数種の正孔輸送材料を積層した
正孔輸送層を形成してもよい。
【００４４】また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造でるのがよい。また、この蛍光性材料を正孔輸送
層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構造
を構成してよい。このような場合、発光効率を改善する
ために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜（ホ
ールブロッキング層やエキシトン生成層など）をその層
構成に含ませることも可能である。
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に挟持させ
た構造でるのがよい。また、この蛍光性材料を正孔輸送
層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構造
を構成してよい。このような場合、発光効率を改善する
ために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜（ホ
ールブロッキング層やエキシトン生成層など）をその層
構成に含ませることも可能である。
【００４５】また、陰極３に用いる材料としては、Ｌ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
【００４６】また、保護層４は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。なお、そ
の気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロム等の
単金属又は合金など、適宜その材料を選択できる。
【００４７】前記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【００４８】次に、図９は、本発明の有機電界発光素子
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有
機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配さ
れている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発
光するように構成される。
を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有
機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配さ
れている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発
光するように構成される。
【００４９】即ち、図９は例えば８×３ＲＧＢ単純マト
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を陰
極３と陽極２の間に配置したものである（図３及び図
７、又は図４及び図８参照）。陰極と陽極は、ともにス
トライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリ
クス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路１５
および１４により時系列的に信号電圧を印加し、その交
差位置で発光するように構成されたものである。かかる
構成のＥＬ素子は、文字・記号等のディスプレイとして
は勿論、画像再生装置としても使用できる。また陰極３
と陽極２のストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、マルチカラーあるい
はフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを
構成することが可能となる。
リックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子輸
送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を陰
極３と陽極２の間に配置したものである（図３及び図
７、又は図４及び図８参照）。陰極と陽極は、ともにス
トライプ状にパターニングするとともに、互いにマトリ
クス状に直交させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路１５
および１４により時系列的に信号電圧を印加し、その交
差位置で発光するように構成されたものである。かかる
構成のＥＬ素子は、文字・記号等のディスプレイとして
は勿論、画像再生装置としても使用できる。また陰極３
と陽極２のストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、マルチカラーあるい
はフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを
構成することが可能となる。
【００５０】
【実施例】次に本発明を実施例について具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００５１】＜混合配位子錯体の合成例＞脱水処理を施
した１０ｍｌのエタノールに１ｍｍｏｌのＺｎ（ＣＨ3
ＣＯＯ）2・２Ｈ2Ｏを溶解した。脱水処理を施した１０
ｍｌのエタノールに２ｍｍｏｌのベンゼンチオール（Ｐ
ｈＳＨ）を溶解させたものを加熱しながら滴下した。さ
らに、脱水処理を施した１０ｍｌのエタノールに１ｍｍ
ｏｌの４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリ
ン（ｄｐ−ｐｈｅｎ）をさらに加熱しながら滴下した。
その後、１時間加熱し、室温まで冷却すると、淡桃色の
固体が析出した。これをろ過し、固体をエタノールで洗
浄した。この固体を、脱水処理を施したエタノールで処
理し、再結晶を３回行った。これにより、８０〜９０％
の高収率で、Ｚｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を得
ることができた。
した１０ｍｌのエタノールに１ｍｍｏｌのＺｎ（ＣＨ3
ＣＯＯ）2・２Ｈ2Ｏを溶解した。脱水処理を施した１０
ｍｌのエタノールに２ｍｍｏｌのベンゼンチオール（Ｐ
ｈＳＨ）を溶解させたものを加熱しながら滴下した。さ
らに、脱水処理を施した１０ｍｌのエタノールに１ｍｍ
ｏｌの４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリ
ン（ｄｐ−ｐｈｅｎ）をさらに加熱しながら滴下した。
その後、１時間加熱し、室温まで冷却すると、淡桃色の
固体が析出した。これをろ過し、固体をエタノールで洗
浄した。この固体を、脱水処理を施したエタノールで処
理し、再結晶を３回行った。これにより、８０〜９０％
の高収率で、Ｚｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を得
ることができた。
【００５２】これと同じ手法により、４，７−ジフェニ
ル−１，１０−フェナントロリンの代わりに任意のα−
ジイミン化合物、ベンゼンチオールの代わりに任意のア
ロマティックチオール、酢酸亜鉛の代わりに酢酸カドミ
ウムを用いることにより、対応する混合配位子錯体を得
ることができた。
ル−１，１０−フェナントロリンの代わりに任意のα−
ジイミン化合物、ベンゼンチオールの代わりに任意のア
ロマティックチオール、酢酸亜鉛の代わりに酢酸カドミ
ウムを用いることにより、対応する混合配位子錯体を得
ることができた。
【００５３】実施例１ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた下記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を正孔輸送層（兼発光層）とし
て用い、シングルへテロ構造の有機電界発光素子を作製
した例である。
方法によって得られた下記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を正孔輸送層（兼発光層）とし
て用い、シングルへテロ構造の有機電界発光素子を作製
した例である。
【化７】構造式（１）：（バソフェナントロリン）ビス
（ベンゼンチオレート）亜鉛錯体：Ｚｎ（ＰｈＳ）
2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）
（ベンゼンチオレート）亜鉛錯体：Ｚｎ（ＰｈＳ）
2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）
【００５４】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を例えば５０
ｎｍの厚さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。
蒸着レートは各々０．１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を例えば５０
ｎｍの厚さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。
蒸着レートは各々０．１ｎｍ／秒とした。
【００５５】また、電子輸送層材料として下記構造式
（２）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
（２）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【化８】
【００５６】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例１による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例１による図３に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
【００５７】このように作製した実施例１の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６３５ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１．６６×１０3
ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６３５ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１．６６×１０3
ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。
【００５８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２５０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２５０時間であった。
【００５９】実施例２ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた前記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を発光層として用い、ダブルへ
テロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
方法によって得られた前記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を発光層として用い、ダブルへ
テロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００６０】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の下記構造式（３）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で、正孔輸送層材料として
の下記構造式（３）で表されるα−ＮＰＤを例えば３０
ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．１ｎｍ／秒と
した。
【化９】
【００６１】さらに、正孔輸送層に接して、前記構造式
（１）で表されるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）
を例えば３０ｎｍの厚さに発光層として成膜した。蒸着
レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。
（１）で表されるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）
を例えば３０ｎｍの厚さに発光層として成膜した。蒸着
レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。
【００６２】さらに、電子輸送層材料としての前記構造
式（２）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接して
蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例
えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
式（２）で表されるＡｌｑ3を用いて、発光層に接して
蒸着した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例
えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【００６３】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、図４に示した如き有機電界発光素子を
作製した。
【００６４】このように作製した実施例２の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３２ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで１．５１×１０3ｃｄ／ｍ2の輝
度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３２ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで１．５１×１０3ｃｄ／ｍ2の輝
度が得られた。
【００６５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２１０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２１０時間であった。
【００６６】実施例３ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた上記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を正孔輸送層（兼発光層）とし
て用い、シングルへテロ構造に基づく有機電界発光素子
を作製した例である。
方法によって得られた上記構造式（１）で表される混合
配位子錯体（（バソフェナントロリン）ビス（ベンゼン
チオレート）亜鉛錯体）を正孔輸送層（兼発光層）とし
て用い、シングルへテロ構造に基づく有機電界発光素子
を作製した例である。
【００６７】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を例えば５０
ｎｍの厚さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。
蒸着レートは各々０．１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式（１）で表さ
れるＺｎ（ＰｈＳ）2（ｄｐ−ｐｈｅｎ）を例えば５０
ｎｍの厚さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。
蒸着レートは各々０．１ｎｍ／秒とした。
【００６８】さらに、ホールブロッキング層材料として
下記構造式（４）で表されるバソクプロインを正孔輸送
層に接して蒸着した。バソクプロインからなるこのホー
ルブロッキング層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レ
ートは０．１ｎｍ／秒とした。
下記構造式（４）で表されるバソクプロインを正孔輸送
層に接して蒸着した。バソクプロインからなるこのホー
ルブロッキング層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レ
ートは０．１ｎｍ／秒とした。
【００６９】さらに、電子輸送層材料としての上記構造
式（２）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ 3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
式（２）で表されるＡｌｑ3（トリス（８−キノリノー
ル）アルミニウム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａ
ｌｑ 3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍ
とし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【化１０】
【００７０】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例３による図７に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）
の厚さに形成し、実施例３による図７に示したが如き有
機電界発光素子を作製した。
【００７１】このように作製した実施例３の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６３７ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで２１９０ｃｄ／ｍ
2の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６３７ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで２１９０ｃｄ／ｍ
2の輝度が得られた。
【００７２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１８０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１８０時間であった。
【００７３】実施例４ 本実施例は、前記一般式[Ｉ]の化合物のうち、前記構造
式[Ｉ]の混合配位子錯体を電子輸送性発光層として用い
た有機電界発光素子を作製した例である。
式[Ｉ]の混合配位子錯体を電子輸送性発光層として用い
た有機電界発光素子を作製した例である。
【００７４】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【００７５】さらに前記構造式（１）の化合物を正孔輸
送層に接して蒸着し、電子輸送層（兼発光層）を膜厚例
えば３０ｎｍに形成した。この蒸着レートは０．２ｎｍ
／秒とした。
送層に接して蒸着し、電子輸送層（兼発光層）を膜厚例
えば３０ｎｍに形成した。この蒸着レートは０．２ｎｍ
／秒とした。
【００７６】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式（４）のバソクプロインを発光層に接して蒸
着した。バソクプロインからなるこのホールブロッキン
グ層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１
ｎｍ／秒とした。
上記構造式（４）のバソクプロインを発光層に接して蒸
着した。バソクプロインからなるこのホールブロッキン
グ層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１
ｎｍ／秒とした。
【００７７】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
（２）のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
（２）のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着
した。Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば
３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【００７８】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、図８に示した如き有機電界発光素子を作
製した。
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）および１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、図８に示した如き有機電界発光素子を作
製した。
【００７９】このように作製した実施例４の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３７ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで１．７８×１０3ｃｄ／ｍ2の輝
度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３７ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで１．７８×１０3ｃｄ／ｍ2の輝
度が得られた。
【００８０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１３０時間であった。
気下に１カ月放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１３０時間であった。
【００８１】実施例５ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
【００８２】この実施例５の有機電界発光素子に、窒素
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．５３×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．５３×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
【００８３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２３０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２３０時間であった。
【００８４】実施例６ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
【００８５】この実施例６の有機電界発光素子に、窒素
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２８ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．４８×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２８ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．４８×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
【００８６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２００時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２００時間であった。
【００８７】実施例７ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例３と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例３と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
【００８８】この実施例７の有機電界発光素子に、窒素
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２５ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで２．０１×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２５ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで２．０１×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
【００８９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５０時間であった。
【００９０】実施例８ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］の化合物のうち、前記の
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
方法によって得られた前記構造式（１）の混合配位子錯
体に代えて混合配位子錯体（（バソフェナントロリン）
ビス（ベンゼンチオレート）カドミウム錯体）を用いた
以外は、実施例４と同様にして有機電界発光素子を作製
した例である。
【００９１】この実施例８の有機電界発光素子に、窒素
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２７ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．９３×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価
した。発光色は赤色であり、実施例１と同様に分光測定
を行った結果、６２７ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行ったとこ
ろ、８Ｖで１．９３×１０3ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
【００９２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１４０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１４０時間であった。
【００９３】実施例９〜２９ 本実施例は、前記一般式［Ｉ］で表される混合配位子錯
体のうち、前記α−ジイミンとして、下記構造式（５）
〜（９）で表される１，１０−フェナントロリン誘導
体、下記構造式（１０）〜（１２）で表される２，２’
−ビピリジン誘導体、下記構造式（１３）で表される
２，２’−ビキノリン誘導体及び下記構造式（１４）で
表される２，２’−ビピラジン誘導体を用い、また前記
アロマティックチオレートとして、下記構造式（１５）
〜（２２）で表されるベンゼンチオレート誘導体、下記
構造式（２３）〜（２４）で表されるナフタレンチオレ
ート誘導体、下記構造式（２５）で表されるアントラセ
ンチオレート誘導体及び下記構造式（２６）で表される
フェナントレンチオレート誘導体を用い、中心金属とし
てのＺｎ2+又はＣｄ2+を組み合わせてなる、下記表１に
示すような混合配位子錯体を電子輸送性発光層材料とし
て用い、層構造、成膜法とも実施例４に準拠して図８に
示すようなダブルへテロ構造に基づく有機電界発光素子
を作製した例である。
体のうち、前記α−ジイミンとして、下記構造式（５）
〜（９）で表される１，１０−フェナントロリン誘導
体、下記構造式（１０）〜（１２）で表される２，２’
−ビピリジン誘導体、下記構造式（１３）で表される
２，２’−ビキノリン誘導体及び下記構造式（１４）で
表される２，２’−ビピラジン誘導体を用い、また前記
アロマティックチオレートとして、下記構造式（１５）
〜（２２）で表されるベンゼンチオレート誘導体、下記
構造式（２３）〜（２４）で表されるナフタレンチオレ
ート誘導体、下記構造式（２５）で表されるアントラセ
ンチオレート誘導体及び下記構造式（２６）で表される
フェナントレンチオレート誘導体を用い、中心金属とし
てのＺｎ2+又はＣｄ2+を組み合わせてなる、下記表１に
示すような混合配位子錯体を電子輸送性発光層材料とし
て用い、層構造、成膜法とも実施例４に準拠して図８に
示すようなダブルへテロ構造に基づく有機電界発光素子
を作製した例である。
【００９４】
【化１１】 構造式（１３）： 構造式（１５）： 構造式（１６）： 構造式（１７）： 構造式（１８）： 構造式（１９）： 構造式（２０）： 構造式（２１）： 構造式（２２）： 構造式（２３）： 構造式（２４）： 構造式（２５）： 構造式（２６）：
【００９５】このように作製した実施例９〜２９の有機
電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を
加えて発光特性を評価した。その結果を、まとめて下記
表１に示す。
電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を
加えて発光特性を評価した。その結果を、まとめて下記
表１に示す。
【００９６】
【表１】表１ ※この表中、輝度は８Ｖ印加時の結果、「−」は発光が
見られなかったもの。
見られなかったもの。
【００９７】比較例１ 前記構造式（１）で表される混合配位子錯体（（バソフ
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、下記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を正孔輸送層（兼発光層）に用いたこと以外は実
施例１と同様にして、図３に示すようなシングルへテロ
構造の有機電界発光素子を作製した。尚、下記構造式
（２７）で表される２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリ
ン白金（II）錯体は、赤色発光を目的とした従来公知の
りん光発光材料である。
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、下記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を正孔輸送層（兼発光層）に用いたこと以外は実
施例１と同様にして、図３に示すようなシングルへテロ
構造の有機電界発光素子を作製した。尚、下記構造式
（２７）で表される２，３，７，８，１２，１３，１
７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリ
ン白金（II）錯体は、赤色発光を目的とした従来公知の
りん光発光材料である。
【化１２】
【００９８】このように作製した比較例１の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで８０ｃｄ／ｍ2の
輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで８０ｃｄ／ｍ2の
輝度が得られた。
【００９９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度５０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで１００時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度５０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで１００時間であった。
【０１００】比較例２ 前記構造式（１）で表される混合配位子錯体（（バソフ
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を発光層に用いたこと以外は実施例２と同様にし
て、図４に示すようなダブルへテロ構造の有機電界発光
素子を作製した。
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を発光層に用いたこと以外は実施例２と同様にし
て、図４に示すようなダブルへテロ構造の有機電界発光
素子を作製した。
【０１０１】このように作製した比較例２の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで９０ｃｄ／ｍ2の
輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで９０ｃｄ／ｍ2の
輝度が得られた。
【０１０２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度５０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで１１０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度５０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に通
電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減する
まで１１０時間であった。
【０１０３】比較例３ 前記構造式（１）で表される混合配位子錯体（（バソフ
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を正孔輸送層（兼発光層）に用いたこと以外は実
施例３と同様にして、図７に示すようなシングルへテロ
構造に基づく有機電界発光素子を作製した。
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を正孔輸送層（兼発光層）に用いたこと以外は実
施例３と同様にして、図７に示すようなシングルへテロ
構造に基づく有機電界発光素子を作製した。
【０１０４】このように作製した比較例３の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１２０ｃｄ／ｍ2
の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１２０ｃｄ／ｍ2
の輝度が得られた。
【０１０５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１１０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで９０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１１０ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで９０時間であった。
【０１０６】比較例４ 前記構造式（１）で表される混合配位子錯体（（バソフ
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を発光層に用いたこと以外は実施例４と同様にし
て、図８に示すようなダブルへテロ構造に基づく有機電
界発光素子を作製した。
ェナントロリン）ビス（ベンゼンチオレート）亜鉛錯
体）の代わりに、上記構造式（２７）で表される２，
３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）錯体（ＰｔＯ
ＥＰ）を発光層に用いたこと以外は実施例４と同様にし
て、図８に示すようなダブルへテロ構造に基づく有機電
界発光素子を作製した。
【０１０７】このように作製した比較例４の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１１０ｃｄ／ｍ2
の輝度が得られた。
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６５０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１１０ｃｄ／ｍ2
の輝度が得られた。
【０１０８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８０時間であった。
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８０時間であった。
【０１０９】以上より明らかなように、本発明に基づく
有機電界発光素子は、発光材料として前記一般式［I］
で表される混合配位子錯体としての例えば前記構造式
（１）で表される（バソフェナントロリン）ビス（ベン
ゼンチオレート）亜鉛錯体を用いることができるので、
りん光による発光を得ることができ、より一層寿命の長
い、より高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にもより安定性に優れている。
有機電界発光素子は、発光材料として前記一般式［I］
で表される混合配位子錯体としての例えば前記構造式
（１）で表される（バソフェナントロリン）ビス（ベン
ゼンチオレート）亜鉛錯体を用いることができるので、
りん光による発光を得ることができ、より一層寿命の長
い、より高輝度で安定な発光が得られると共に、電気
的、熱的或いは化学的にもより安定性に優れている。
【０１１０】また、前記一般式［I］で表される混合配
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
高発光収量の電界発光素子となり、また配位子に置換基
を導入することや、配位子の組み合わせ又は中心金属と
の組み合わせを変えることによって、発光波長のチュー
ニングが比較的容易にでき、幅広いより多様な発光波長
が選択できる。
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
高発光収量の電界発光素子となり、また配位子に置換基
を導入することや、配位子の組み合わせ又は中心金属と
の組み合わせを変えることによって、発光波長のチュー
ニングが比較的容易にでき、幅広いより多様な発光波長
が選択できる。
【０１１１】
【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、前
記一般式［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも
１種を発光材料に用いるので、高輝度で安定な発光が得
られると共に、電気的、熱的或いは化学的にも安定性に
優れた素子を提供できる。
記一般式［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも
１種を発光材料に用いるので、高輝度で安定な発光が得
られると共に、電気的、熱的或いは化学的にも安定性に
優れた素子を提供できる。
【０１１２】また、前記一般式［I］で表される混合配
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
配位子に置換基を導入することや、配位子の組み合わせ
を変えること等によって、発光波長のチューニングが比
較的容易にでき、従来の有機物発光材料よりも多様な発
光波長が選択できる。
位子錯体は、配位子間励起状態からの発光であるため、
配位子に置換基を導入することや、配位子の組み合わせ
を変えること等によって、発光波長のチューニングが比
較的容易にでき、従来の有機物発光材料よりも多様な発
光波長が選択できる。
【図１】本発明に基づく有機電界発光素子の一例の要部
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図３】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図４】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図５】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図６】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図７】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
図である。
【図８】同、有機電界発光素子の更に他の例の要部概略
断面図である。
断面図である。
【図９】同、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平
面ディスプレイの構成図である。
面ディスプレイの構成図である。
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、２１…ホール（正孔）ブロッキ
ング層、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光素子
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、２１…ホール（正孔）ブロッキ
ング層、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｄ
Claims (12)
- 【請求項１】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
有機層のうちの少なくとも一部が、下記一般式［Ｉ］で
表される混合配位子錯体の少なくとも１種からなること
を特徴とする、有機電界発光素子。 【化１】一般式［Ｉ］： 【化２】 （但し、前記一般式（１）〜（４）において、置換基Ｒ
1及びＲ2は、アルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基、カルボキシル基、カルボン酸エステ
ル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジル基から選ばれた
基であり、それらが同一であっても異なってもよく、更
に置換基を有していてもよい。また、ｍ及びｎは０以上
の整数である。） また、前記アロマティックチオレートは、下記一般式
（５）、（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、
（１１）又は（１２）で表される分子構造からなるもの
であり、 【化３】一般式（５）： 一般式（６）： 一般式（７）： 一般式（８）： 一般式（９）： 一般式（１０）： 一般式（１１）： 一般式（１２）： （但し、前記一般式（５）〜（１２）において、置換基
Ｒ3及びＲ4はアルキル基、ハロゲン原子、エーテル基、
オキシアルキル基、カルボキシル基、カルボン酸エステ
ル基、ニトロ基、フェニル基、ベンジル基から選ばれた
基であり、それらが同一であっても異なってもよく、更
に置換基を有していてもよい。また、ｍ’及びｎ’は０
以上の整数である。） また、前記金属イオンは、ｄ10遷移金属イオンであ
る。] - 【請求項２】 前記アルキル基が炭素原子数１０以下の
アルキル基であり、前記エーテル基が炭素原子数１０以
下のエーテル基であり、前記オキシアルキル基が炭素原
子数１０以下のオキシアルキル基であり、前記カルボン
酸エステル基が炭素原子数１０以下のカルボン酸エステ
ル基である、請求項１に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項３】 前記一般式［I］で表される混合配位子
錯体の前記金属イオンがＺｎ2+又はＣｄ2+で表される、
請求項１に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記有機
層のうちの少なくとも電子輸送層が、前記一般式［I］
で表される混合配位子錯体の少なくとも１種を含有した
層である、請求項１に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記有機
層のうちの少なくともホール輸送層が、前記一般式
［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも１種を含
有した層である、請求項１に記載した有機電界発光素
子。 - 【請求項６】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記ホー
ル輸送層が、前記一般式［I］で表される混合配位子錯
体の少なくとも１種を含有した層であり、かつ前記電子
輸送層が、前記一般式［I］で表される混合配位子錯体
の少なくとも１種を含有した層である、請求項１に記載
した有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、
前記有機層のうちの少なくとも前記発光層が、前記一般
式［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも１種を
含有した層である、請求項１に記載した有機電界発光素
子。 - 【請求項８】 前記混合配位子錯体で構成された層の陰
極側に接してホールブロッキング層が存在する、請求項
１に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項９】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
層とが積層された有機積層構造を有しており、前記有機
層のうちの少なくとも電子輸送層が、前記一般式［I］
で表される混合配位子錯体の少なくとも１種を含有した
層であり、かつこの層の陰極側に接して前記ホールブロ
ッキング層が存在する、請求項８に記載した有機電界発
光素子。 - 【請求項１０】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記有
機層のうちの少なくともホール輸送層が、前記一般式
［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも１種を含
有した層であり、かつこの層の陰極側に接して前記ホー
ルブロッキング層が存在する、請求項８に記載した有機
電界発光素子。 - 【請求項１１】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記ホ
ール輸送層が、前記一般式［I］で表される混合配位子
錯体の少なくとも１種を含有した層であり、かつ前記電
子輸送層が、前記一般式［I］で表される混合配位子錯
体の少なくとも１種を含有した層であり、なおかつ前記
電子輸送層の陰極側に接して前記ホールブロッキング層
が存在する、請求項８に記載した有機電界発光素子。 - 【請求項１２】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
と電子輸送層とが積層された有機積層構造を有してお
り、前記有機層のうちの少なくとも前記発光層が、前記
一般式［I］で表される混合配位子錯体の少なくとも１
種を含有した層であり、かつこの層の陰極側に接して前
記ホールブロッキング層が存在する、請求項８に記載し
た有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139617A JP2002343568A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139617A JP2002343568A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343568A true JP2002343568A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18986361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001139617A Pending JP2002343568A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002343568A (ja) |
Cited By (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1424381A2 (en) | 2002-11-26 | 2004-06-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, and display and illuminator |
| WO2007055186A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2007077810A1 (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2007097153A1 (ja) | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2007108362A1 (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 |
| WO2007108459A1 (ja) | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2007114244A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置 |
| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120110 |