JP4455211B2 - 発光素子及び表示装置 - Google Patents
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Description
Alq3:アルミ−キノリノール錯体
α−NPD:N4,N4’−Di−naphthalen−1−yl−N4,N4’−diphenyl−biphenyl−4,4’−diamine
CBP:4,4’−N,N’−dicarbazole−biphenyl
BCP:2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline
PtOEP:白金−オクタエチルポルフィリン錯体
Ir(ppy)3:イリジウム−フェニルピリジン錯体
PtOEPを除くそれぞれの構造を以下に示す。
一対の電極と、前記一対の電極間に配置される発光層とを有する発光素子において、
前記発光層はホストと2種類のドーパントとを有し、
前記2種類のドーパントはそれぞれ配位子が有機物である燐光発光性金属錯体であり、前記2種類のドーパントのうち発光スペクトルのピークの波長が長い方のドーパントは、他方のドーパントよりも低濃度で且つ下記いずれかの構造式で示される燐光発光性金属錯体であり、
前記他方のドーパントはフェイシャル体とメリディオナル体とからなる下記構造式で示される燐光発光性金属錯体であり、前記他方のドーパントの濃度は7wt.%以上12wt.%以下の範囲であることを特徴とする発光素子を提供する。
ホール輸送層 (40nm):FL03
発光層 (60nm):ホストとしてCBP+ドーパントとして所定の燐光材料2種類 電子輸送層 (50nm):Bphen
金属電極層1 (10nm):KF
金属電極層2 (100nm):Al
CBPを発光層のホストとして用い、短波長無置換発光材料としてIr(bq)3を8wt%、長波長発光材料としてIr(4mopiq)3を4wt%の濃度で発光層にドープして素子を作製した。得られた発光素子の効率(600cd/m2時のlm/W)、色度(x,y)(TOPCON社製BM−7で測定)、寿命100mA/cm2駆動での輝度半減時間(hr)、電流量(8V印加時の電流量)を測定した。結果を表2に示す。
短波長無置換発光材料としてのIr(bq)3と長波長発光材料としてのIr(4mopiq)3のドーピング濃度をそれぞれ異ならせた。ぞれぞれの濃度と発光素子特性の結果を表2に示す。
短波長無置換発光材料としてのIr(bq)3と長波長発光材料としてのIr(4mopiq)3のドーピング濃度をそれぞれ異ならせた。ぞれぞれの濃度と発光素子特性の結果を表2に示す。
CBPを発光層のホストとして用い、短波長無置換発光材料としてIr(bq)3を11wt%、長波長発光材料としてIr(4F5mpiq)3を3wt%の濃度で発光層にドープして素子を作製した。
実施例6と同様に素子を作成した。異なる点は比較例4はIr(4F5mpiq)3のみとし10wt%の濃度でドープした。比較例5は短波長発光材料としてIr(4F5mpiq)3、長波長発光材料Ir(piq)3を用い、それぞれのドーパント濃度をともに10Wt.%とした。素子評価は実施例6と同様である。これらの素子の評価結果を表5に示す。
CBPを発光層のホストとして用い、短波長無置換発光材料としてIr(bq)3を10wt%、長発光材料としてIr(4mopiq)3を1wt%、3wt%の濃度で発光層にドープして素子を作製した(実施例7,8)。CBPを発光層のホストとして用い、短波長無置換発光材料としてIr(bq)3を10wt%、長発光材料としてIr(piq)3を1wt%、3wt%の濃度で発光層にドープして素子を作製した(比較例6,7)。そのときの長波長発光材料の濃度と効率(lm/W)の関係を表6に示す。
2 電子輸送層
3 発光層
4 ホール輸送層
5 透明電極
6 透明基板
7 励起子拡散防止層
Claims (2)
- 請求項1に記載の発光素子を表示部に配置している表示装置。
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