JP2001291591A - 有機電界発光素子及び発光装置 - Google Patents

有機電界発光素子及び発光装置

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義 石橋
Mari Ichimura
眞理 市村
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尚之 植田
Shinichiro Tamura
眞一郎 田村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い蛍光収率を有し、熱安定性にも優れた化
合物を用いて、赤色の色純度が良く、高輝度かつ安定な
赤色発光を有する有機電界発光素子を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板１上に、ＩＴＯ透明電極２、
正孔輸送層６、電子輸送層７及び金属電極３がこの順に
積層され、正孔輸送層６及び／又は電子輸送層７が下記
一般式[Ｉ]で表されるアミノスチリル化合物の少なくと
も１種を含んだ混合物層からなり、更に正孔輸送層６と
電子輸送層７との間にホールブロッキング層３０が設け
られた有機電界発光素子。 【化５５】 ［但し、前記一般式［Ｉ］において、X1はニトロ基等の
置換基を有するフェニル基等のアリール基、Y1及びY2は
アミノフェニル基等を骨格に有する基である。］

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光領域を有する
有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発
光素子（有機ＥＬ素子）、及びこれを用いたディスプレ
イデバイス等の発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】軽量で高効率のフラットパネルディスプ
レイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示
用として盛んに研究、開発されている。
【０００３】まず、ブラウン管（ＣＲＴ）は、輝度が高
く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとして最も
多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電力も高
いという問題がある。
【０００４】また、軽量で高効率のフラットパネルディ
スプレイとして、アクティブマトリックス駆動等の液晶
ディスプレイが商品化されているが、液晶ディスプレイ
は視野角が狭く、また自発光でないために、周囲が暗い
環境下ではバックライトの消費電力が大きいことや、今
後実用化が期待されている高精細度の高速ビデオ信号に
対して十分な応答性能を有しない等の問題点がある。特
に、大画面サイズのディスプレイを製造することは困難
であり、そのコストが高い等の課題もある。
【０００５】これに対する代替として、発光ダイオード
を用いたディスプレイの可能性があるが、やはり製造コ
ストが高く、また、１つの基板上に発光ダイオードのマ
トリックス構造を形成することが難しい等の問題があ
り、ブラウン管に取って代わる低価格のディスプレイ候
補としては、実用化までの課題が大きい。
【０００６】これらの諸課題を解決する可能性のあるフ
ラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料
を用いた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）が注目され
ている。即ち、発光材料として有機化合物を用いること
により、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存
性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待され
ている。
【０００７】有機電界発光素子の構成は、透光性の正極
と金属陰極との間に、電流の注入によって発光する発光
材料を含む有機薄膜を形成したものである。C. W. Tan
g、S.A. VanSlyke等は Applied Physics Letters第５１
巻１２号９１３〜９１５頁（１９８７年）掲載の研究報
告において、有機薄膜を正孔輸送性材料からなる薄膜と
電子輸送性材料からなる薄膜との２層構造として、各々
の電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結合
することにより発光する素子構造を開発した（シングル
ヘテロ構造の有機ＥＬ素子）。
【０００８】この素子構造では、正孔輸送材料または電
子輸送材料のいずれかが発光材料を兼ねており、発光は
発光材料の基底状態と励起状態のエネルギーギャップに
対応した波長帯で起きる。このような２層構造とするこ
とにより、大幅な駆動電圧の低減、発光効率の改善が行
われた。
【０００９】その後、C. Adachi 、S. Tokita 、T. Tsu
tsui、S. Saito等の Japanese Journal of Applied Phy
sics第２７巻２号Ｌ２６９〜Ｌ２７１頁（１９８８年）
掲載の研究報告に記載されているように、正孔輸送材
料、発光材料、電子輸送材料の３層構造（ダブルヘテロ
構造の有機ＥＬ素子）が開発され、更に、C. W. Tang、
S. A. VanSlyke、C. H. Chen等の Journal of Applied
Physics 第６５巻９号３６１０〜３６１６頁（１９８９
年）掲載の研究報告に記載されているように、電子輸送
材料中に発光材料を含ませた素子構造などが開発され
た。これらの研究により、低電圧で、高輝度の発光の可
能性が検証され、近年、研究開発が非常に活発に行われ
ている。
【００１０】発光材料に用いる有機化合物は、その多様
性から、理論的には分子構造を変化させることによって
発光色を任意に変えることができるという利点があると
言える。従って、分子設計を施すことにより、フルカラ
ーディスプレイに必要な色純度の良いＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の３色を揃えることは、無機物を用い
た薄膜ＥＬ素子と比べて容易であると言える。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は有機電界発光素子においても、解決しなければならな
い問題がある。安定した高輝度の赤色発光素子の開発は
難しく、現在報告されている電子輸送材料として、トリ
ス（８−キノリノール）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3
と略称。）にＤＣＭ〔４−ジシアノメチレン−６−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）−２−メチル−４Ｈ−ピラ
ン〕をドープした赤色発光の例（Chem. Funct.Dyes,Pro
c.Int.Symp.,2nd P.536(1993)）等があるが、輝度、信
頼性ともにディスプレイ材料としては満足のいくもので
はない。
【００１２】また、T.Tsutsui,D.U.Kim がInorganic an
d Organic electroluminescence 会議（１９９６、Ｂｅ
ｒｌｉｎ）で報告したＢＳＢ−ＢＣＮは、１０００ｃｄ
／ｍ2 以上の高い輝度を実現しているが、フルカラーに
対応する赤色としての色度が完全なものとは言えない。
【００１３】さらに高輝度で安定かつ色純度の高い赤色
発光素子の実現が、望まれているのが現状である。
【００１４】また、特開平７−１８８６４９号（特願平
６−１４８７９８号）においては、特定のジスチリル化
合物を有機電界発光材料とすることを提案しているが、
目的の発光色が青色であり、赤色用ではない。
【００１５】本発明の目的は、高い蛍光収率を有し、熱
安定性にも優れた化合物を用いて、赤色の色純度が良
く、高輝度かつ安定な赤色発光を有する有機電界発光素
子を提供することにある。
【００１６】本発明の他の目的は、本来高い量子収率を
有する化合物を含有する有機電界発光素子において、発
光層でのホールと電子の再結合を促進し、さらに高輝度
かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素子を提供する
ことにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討した結果、特に、特定のアミノ
スチリル化合物と、これに効率良くエネルギーを伝達す
ることが可能な材料とから発光領域を構成した有機電界
発光素子を作製すれば、高輝度、高信頼性の赤色発光素
子を提供できることを見出し、本発明に到達したもので
ある。
【００１８】即ち、本発明は、発光領域を有する有機層
が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入によって発
光する有機物質を構成要素として含む有機電界発光素子
において、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、下記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
の少なくとも１種（１種であってよいが、２種又はそれ
以上であってもよい。）を含んだ混合物層からなること
を特徴とする有機電界発光素子（以下、本発明の第１の
有機ＥＬ素子と称することがある。）に係るものであ
る。
【００１９】
【化２５】 ［但し、前記一般式［Ｉ］において、X1は下記一般式
（１）〜（７）のいずれかで表される基であり
【化２６】 （但し、前記一般式（１）〜（３）において、R1〜R4の
うち少なくとも一つ（例えば一つ又は二つ）はハロゲン
原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等：以下、同
様）、ニトロ基、シアノ基及びフルオロアルキル基（ト
リフルオロメチル基等：以下、同様）から選ばれた基で
あり、その他は水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びフ
ルオロアルキル基から選ばれた基であり、それらが同一
であっても異なっていてもよく、また前記一般式（４）
〜（７）において、R5〜R10のうち少なくとも一つ（例
えば一つ又は二つ）はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、その
他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロア
ルキル基から選ばれた基であり、それらが同一であって
も異なっていてもよい。）、また、Y1は下記一般式
（８）又は（９）で表される基であり、Y2は下記一般式
（８）、（９）又は（１０）で表される基である。
【化２７】 （但し、前記一般式（８）〜（１０）において、R11及
びR12は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基及
び置換基を有してもよいアリール基から選ばれた基であ
り、それらが同一であっても異なっていてもよく、また
R13〜R35は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよいアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、それ
らが同一であっても異なっていてもよい。）］
【００２０】前記一般式［I］において、X1は下記構造
式（１１）〜（１４）のいずれかで表される基であり、
【化２８】 また、Y1及びY2は下記一般式（８）又は（９）で表され
る基であってよい（以下、同様）。
【化２９】 （但し、前記一般式（８）及び（９）において、R11及
びR12は前記したものと同じであり、R13〜R30は前記し
たものと同じであるが、フルオロアルキル基の場合はト
リフルオロメチル基である。）
【００２１】本発明の第１の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表さ
れるアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前
記混合物層からなってよい。
【００２２】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が、
前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少
なくとも１種を含んだ前記混合物層からなっていてよ
い。
【００２３】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノス
チリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記混合物層か
らなり、かつ前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表
されるアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ
前記混合物層からなっていてよい。
【００２４】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
の少なくとも１種を含んだ前記混合物層からなっていて
よい。
【００２５】本発明において、前記アミノスチリル化合
物を含む混合物層を形成するのに使用可能な材料として
は、前記アミノスチリル化合物の他に、ホール輸送材料
（例えば、芳香族アミン類等）、電子輸送材料（例え
ば、Ａｌｑ3、ピラゾリン類等）、又は一般に赤色発光
用ドーパントとして用いられる一連の化合物（ＤＣＭ及
びその類似化合物、ポルフィリン類、フタロシアニン
類、ペリレン化合物、ナイルレッド、スクアリリウム化
合物等）が挙げられる（以下、同様）。
【００２６】この場合、混合物層において上記アミノス
チリル化合物の少なくとも１種は、その他の化合物と混
合する場合、重量比で０．１〜９５％の割合で含有され
ており、この範囲内でドーパントとしての含有量を決め
ることができる（以下、同様）。
【００２７】なお、ここで「混合物層」とは、典型的に
は、上記アミノスチリル化合物とその他の化合物との混
合物層を意味するが、これ以外にも、上記アミノスチリ
ル化合物に包含される２種又はそれ以上のアミノスチリ
ル化合物の混合物層も意味する場合がある。このような
混合物層とすることによって、複数の化合物の組み合せ
で所望の輝度や色度の赤色発光を生ぜしめることができ
る。
【００２８】本発明の有機電界発光素子は、例えばディ
スプレイデバイスとして構成された発光装置に用いて好
適なものである（以下、同様）。
【００２９】本発明はまた、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子に
おいて、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、下記構造式（１５）−１〜（１５）−１２、（１
６）−１〜（１６）−１２、（１７）−１〜（１７）−
６、及び（１８）−１〜（１８）−６で表されるアミノ
スチリル化合物の少なくとも１種（１種であってよい
が、２種又はそれ以上であってもよい。）を含んだ混合
物層からなることを特徴とする有機電界発光素子（以
下、本発明の第２の有機ＥＬ素子と称することがあ
る。）を提供するものである。
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【００３０】本発明の第２の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも電子輸送層が、前記アミノスチリル化合物の
少なくとも１種を含んだ前記混合物層からなっていてよ
い。
【００３１】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が、前記
アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記混
合物層からなっていてよい。
【００３２】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種を含んだ前記混合物層からなり、かつ前記電子輸
送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を
含んだ前記混合物層からなっていてよい。
【００３３】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が、前
記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記
混合物層からなっていてよい。
【００３４】また、前記有機層の構成層のうちの前記少
なくとも１層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種と、600nm以上、例えば600〜700nm（以下、同
様）の範囲に発光極大を有する赤色発光色素とを含んだ
前記混合物層からなっていてよい。
【００３５】この場合、前記有機層が、ホール輸送層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、
前記有機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少な
くとも前記電子輸送層であってよい。
【００３６】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくと
も前記ホール輸送層であってよい。
【００３７】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発
光色素とを含んだ前記混合物層からなり、かつ前記電子
輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種
と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素
とを含んだ前記混合物層からっていてよい。
【００３８】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種と、60
0nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素とを含
んだ前記混合物層からなっていてよい。
【００３９】本発明はまた、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子に
おいて、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
の少なくとも１種（１種であってよいが２種又はそれ以
上であってもよい。）を含んだ発光性の混合物層からな
り、かつ前記発光性の混合物層の陰極側に（特に接し
て）ホールブロッキング層が存在することを特徴とする
有機電界発光素子（以下、本発明の第３の有機ＥＬ素子
と称することがある。）を提供するものである。
【００４０】本発明の第３の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表さ
れるアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前
記発光性の混合物層からなっていてよい。
【００４１】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が、
前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少
なくとも１種を含んだ前記発光性の混合物層からなって
いてよい。
【００４２】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノス
チリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記発光性の混
合物層からなり、前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］
で表されるアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含
んだ前記発光性の混合物層からなり、かつこの電子輸送
性の発光性の混合物層の陰極側に前記ホールブロッキン
グ層が存在していてよい。
【００４３】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
の少なくとも１種を含んだ前記発光性の混合物層からな
っていてよい。
【００４４】本発明の第３の有機ＥＬ素子において、前
記ホールブロッキング層は、発光層でのホールと電子の
再結合を促進し、さらに高輝度かつ高効率な発光を得る
ことができるものであって、このようなホールブロッキ
ング層に適した材料は、次のようなエネルギー状態を有
するものであることが望ましい（以下、同様）。すなわ
ち、ホールブロッキング層を形成する材料の最高占有分
子軌道レベルが、ホールブロッキング層の陽極側に接す
る層を形成する材料の最高占有分子軌道レベルより低い
エネルギーレベルにあること、なおかつ、ホールブロッ
キング層を形成する材料の最低非占有分子軌道レベル
が、ホールブロッキング層の陽極側に接する層を形成す
る材料の最低非占有分子軌道レベルより高いエネルギー
レベルにあり、またホールブロッキング層の陰極側に接
する層を形成する材料の最低非占有分子軌道レベルより
低いエネルギーレベルにあることである。
【００４５】このような材料として、特開平１０−７９
２９７号、特開平１１−２０４２５８号、特開平１１−
２０４２６４号、特開平１１−２０４２５９号の各公報
等に示されたフェナントロリン誘導体が挙げられるが、
上記のエネルギーレベルの条件を満たすものであれば、
フェナントロリン誘導体に限定されるものではない。使
用可能なフェナントロリン誘導体を下記に示す。
【００４６】
【化３３】 （この一般式中、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、置換もしくは
非置換のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール
基、置換もしくは非置換のアミノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基又は水酸基を表わす。）
【化３４】
【００４７】本発明はまた、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子に
おいて、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、前記構造式（１５）−１〜（１５）−１２、（１
６）−１〜（１６）−１２、（１７）−１〜（１７）−
６、及び（１８）−１〜（１８）−６で表されるアミノ
スチリル化合物の少なくとも１種（１種であってよい
が、２種又はそれ以上であってもよい。）を含んだ発光
性の混合物層からなり、かつ前記発光性の混合物層の陰
極側にホールブロッキング層が存在することを特徴とす
る有機電界発光素子（以下、本発明の第４の有機ＥＬ素
子と称することがある。）を提供するものである。
【００４８】本発明の第４の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも電子輸送層が、前記アミノスチリル化合物の
少なくとも１種を含んだ前記発光性の混合物層からなっ
ていてよい。
【００４９】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が、前記
アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記発
光性の混合物層からなっていてよい。
【００５０】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種を含んだ前記発光性の混合物層からなり、前記電
子輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１
種を含んだ前記発光性の混合物層からなり、かつこの電
子輸送性の発光性の混合物層の陰極側に前記ホールブロ
ッキング層が存在していてよい。
【００５１】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が、前
記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記
発光性の混合物層からなっていてよい。
【００５２】また、前記有機層の構成層のうちの前記少
なくとも１層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発
光色素とを含んだ前記発光性の混合物層からなっていて
よい。
【００５３】この場合、前記有機層が、ホール輸送層と
電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、
前記有機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少な
くとも前記電子輸送層であってよい。
【００５４】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくと
も前記ホール輸送層であってよい。
【００５５】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくと
も１種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発
光色素とを含んだ前記発光性の混合物層からなり、前記
電子輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
１種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光
色素とを含んだ前記発光性の混合物層からなり、かつこ
の電子輸送性の発光性の混合物層の陰極側に前記ホール
ブロッキング層が存在していてよい。
【００５６】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種と、60
0nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素とを含
んだ前記発光性の混合物層からなっていてよい。
【００５７】本発明はまた、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子に
おいて、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
単独で構成されたアミノスチリル化合物層からなり、か
つ前記アミノスチリル化合物層の陰極側に（特に接し
て）ホールブロッキング層が存在することを特徴とする
有機電界発光素子（以下、本発明の第５の有機ＥＬ素子
と称することがある。）を提供するものである。
【００５８】本発明の第５の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも前記電子輸送層が前記アミノスチリル化合物
層からなっていてよい。
【００５９】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が前
記アミノスチリル化合物層からなっていてよい。
【００６０】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなり、
前記電子輸送層が前記アミノスチリル化合物層からな
り、かつこの電子輸送性のアミノスチリル化合物層の陰
極側に前記ホールブロッキング層が存在していてよい。
【００６１】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層が
前記アミノスチリル化合物層からなっていてよい。
【００６２】本発明の第５の有機ＥＬ素子におけるホー
ルブロッキング層は、本発明の第３の有機ＥＬ素子にお
ける前記ホールブロッキング層と同様に構成されていて
よい。
【００６３】本発明は更に、発光領域を有する有機層が
陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子に
おいて、前記有機層の構成層のうちの少なくとも１層
が、前記構造式（１５）−１〜（１５）−１２、（１
６）−１〜（１６）−１２、（１７）−１〜（１７）−
６、及び（１８）−１〜（１８）−６で表されるアミノ
スチリル化合物単独で構成されたアミノスチリル化合物
層からなり、かつ前記アミノスチリル化合物層の陰極側
にホールブロッキング層が存在することを特徴とする有
機電界発光素子（以下、本発明の第６の有機ＥＬ素子と
称することがある。）も提供するものである。
【００６４】本発明の第６の有機ＥＬ素子において、前
記有機層が、ホール輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造をなしており、前記有機積層構造のうちの
少なくとも電子輸送層が前記アミノスチリル化合物層か
らなっていてよい。
【００６５】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
有機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が前記ア
ミノスチリル化合物層からなっていてよい。
【００６６】また、前記有機層が、ホール輸送層と電子
輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記
ホール輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなると
共に、前記電子輸送層が前記アミノスチリル化合物層か
らなり、かつこの電子輸送性のアミノスチリル化合物層
の陰極側に前記ホールブロッキング層が存在していてよ
い。
【００６７】また、前記有機層が、ホール輸送層と発光
層と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が前記
アミノスチリル化合物層からなっていてよい。
【００６８】図１〜図９には、本発明に基づく有機電界
発光素子（有機ＥＬ素子）の例をそれぞれ示す。
【００６９】図１は、陰極３を発光光２０が透過する透
過型有機電界発光素子Ａであって、発光光２０は保護層
４の側からも観測できる。図２は、陰極３での反射光も
発光光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示
す。
【００７０】図中、１は有機電界発光素子を形成するた
めの基板である。ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。２は透明電極であり、ＩＴＯ（In
dium tin oxide）、ＳｎＯ2等が使用できる。
【００７１】また、５は有機発光層であり、上記したア
ミノスチリル化合物を発光材料として含有している（但
し、上記アミノスチリル化合物は、少なくとも１種がそ
の他の化合物と混合して、或いは複数種のアミノスチリ
ル化合物を併用して含有：以下、同様）。この発光層に
ついて、有機電界発光２０を得る層構成としては、従来
公知の種々の構成を用いることができる。後記するよう
に、例えば、正孔（ホール）輸送層と電子輸送層のいず
れかを構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄
膜を積層した構造が使用できる。更に、本発明の目的を
満たす範囲で電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層
と電子輸送層のいずれか若しくは両方が、複数種の材料
の薄膜を積層した構造、又は、複数種の材料を混合した
組成からなる薄膜を使用するのを妨げない。また、発光
性能を上げるために、少なくとも１種以上の蛍光性の材
料を用いて、この薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に
挟持した構造、更に少なくとも１種以上の蛍光性の材料
を正孔輸送層若しくは電子輸送層、又はこれらの両方に
含ませた構造を使用してもよい。これらの場合には、発
光効率を改善するために、正孔（ホール）又は電子の輸
送を制御するための薄膜をその層構成に含ませることも
可能である。
【００７２】上記の一般式［Ｉ］で表したアミノスチリ
ル化合物は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つ
ため、素子構造中、電子輸送性材料との混合発光層とし
ても、或いは正孔輸送性材料との混合発光層としても用
いることが可能である。また、該化合物を含む混合層を
電子輸送層と正孔輸送層に挟み込んだ構成で発光材料と
して用いることも可能である。
【００７３】なお、図１及び図２中、３は陰極であり、
電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属と
Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金或いは積層した構造
が使用できる。透過型の有機電界発光素子においては、
陰極の厚さを調節することにより、用途に合った光透過
率を得ることができる。また、図中、４は封止、保護層
であり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすること
で、その効果が上がる。気密性が保たれれば、適宜の材
料を使用することができる。
【００７４】本発明に基づく有機電界発光素子において
は、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された
有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正
孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として前記アミノス
チリル化合物を含む混合物層が用いられてよい。或い
は、有機層が正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次
積層された有機積層構造（ダブルヘテロ構造）を有して
おり、発光層の形成材料として前記スチリル化合物を含
む混合物層が用いられてよい。
【００７５】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図３は、透光性の基板１上に、
透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７とから
なる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層構造
を有し、この積層構造が保護層４によって封止されてな
る、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Ｃである。
【００７６】図３に示すように発光層を省略した層構成
の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から所
定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基板１側
から観測される。
【００７７】また、図４は、透光性の基板１上に、透光
性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送
層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層さ
れた積層構造を有し、この積層構造が保護層４によって
封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素子
Ｄである。
【００７８】図４に示した有機電界発光素子において
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光
層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励
起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を
発生する。
【００７９】上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおい
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宣用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図３及び図４に示し
た積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、この
基板を共用してもよい。また、素子Ｃ、Ｄはいずれも透
過型、反射型のいずれの構造も採りうる。
【００８０】また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ
やＳｎＯ2等が使用できる。この陽極２と正孔輸送層６
（又は正孔輸送層１０）との間には、電荷注入効率を改
善する目的で、有機物もしくは有機金属化合物からなる
薄膜を設けてもよい。なお、保護層４が金属等の導電性
材料で形成されている場合は、陽極２の側面に絶縁膜が
設けられていてもよい。
【００８１】また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に上記したアミ
ノスチリル化合物を含む混合物が含有され、発光性の正
孔輸送層６又は電子輸送層７としてよい。有機電界発光
素子Ｄにおける有機層５ｂは、正孔輸送層１０と上記し
たアミノスチリル化合物を含む混合物からなる発光層１
１と電子輸送層１２とが積層された有機層であるが、そ
の他、種々の積層構造を採ることができる。例えば、正
孔輸送層と電子輸送層のいずれか若しくは両方が発光し
てもよい。
【００８２】また、正孔輸送層において、正孔輸送性能
を向上させるため、複数種の正孔輸送材料を積層した正
孔輸送層を形成してもよい。
【００８３】また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるため、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた発
光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に狭持させた
構造であるのがよい。或いは、この蛍光性材料を正孔輸
送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構
造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善す
るために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
（ホールブロッキング層やエキシトン生成層など）をそ
の層構成に含ませることも可能である。
【００８４】また、陰極３に用いる材料としては、Ｌ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構
造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択
することによって、用途に見合った有機電界発光素子を
作製できる。
【００８５】また、保護層４は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とにより、電荷注入効率や発光効率を向上できる。な
お、その気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロ
ム等の単金属又は合金など、適宜その材料を選択でき
る。
【００８６】上記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【００８７】図５〜図９には、図１〜図４に示した有機
ＥＬ素子Ａ〜Ｄにおいて、発光層５、正孔輸送層６、電
子輸送層７又は発光層１１の陰極３側に接してホールブ
ロッキング層３０を設けた例Ａ’〜Ｄ’をそれぞれ示
す。ここでは、上記アミノスチリル化合物は、上述した
ように、少なくとも１種がその他の化合物と混合されて
いる以外にも、複数のアミノスチリル化合物が併用され
ていてもよい。或いは、単一のアミノスチリル化合物単
独で層をなしていてもよい。
【００８８】次に、図１０は、本発明の有機電界発光素
子を用いた平面ディスプレイの構成例である。図示の如
く、例えばフルカラーディスプレイの場合は、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有
機層５（５ａ,５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配さ
れている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストラ
イプ状に設けることができ、輝度信号回路１４及びシフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５により選択されて、それ
ぞれに信号電圧が印加され、これによって、選択された
陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発
光するように構成されている。
【００８９】即ち、図１０は例えば８×３ＲＧＢ単純マ
トリックスであって、正孔輸送層と、発光層及び電子輸
送層のいずれか少なくとも一つからなる積層体５を陰極
３と陽極２の間に配設したものである（図３又は図４参
照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパターニン
グするとともに、互いにマトリクス状に直交させ、シフ
トレジスタ内蔵の制御回路１５及び輝度信号回路１４に
より時系列的に信号電圧を印加し、その交叉位置で発光
するように構成されたものである。かかる構成のＥＬ素
子は、文字・記号等のディスプレイとしては勿論、画像
再生装置としても使用できる。また、陰極３と陽極２の
ストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の各色毎に配し、マルチカラーあるいはフルカラーの全
固体型フラットパネルディスプレイを構成することが可
能となる。
【００９０】
【実施例】次に、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
【００９１】実施例１ 本実施例は、上述の一般式［Ｉ］のアミノスチリル化合
物のうち、下記構造式（１５）−３のアミノスチリル化
合物とα−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）と
の混合物層を正孔輸送性発光層として用い、シングルヘ
テロ構造の有機電界発光素子を作製した例である。
【００９２】
【化３５】
【化３６】
【００９３】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１５）−３
のアミノスチリル化合物と正孔輸送材料であるα−ＮＰ
Ｄとを重量比１：１で混合した層を例えば５０ｎｍの厚
さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レー
トは各々０．１ｎｍ／秒とした。
【００９４】さらに、電子輸送層材料として下記構造式
のＡｌｑ3（トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム）を正孔輸送層に接して蒸着した。Ａｌｑ3からなる
この電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍとし、蒸着レー
トは０．２ｎｍ／秒とした。
【００９５】
【化３７】
【００９６】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、実施例１による図３に示した如き有機電
界発光素子を作製した。
【００９７】このように作製した実施例１の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を
行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピークを有するスペ
クトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイ
オードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電
圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで２０００ｃｄ／ｍ
2の輝度が得られた。
【００９８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで９００時間であった。
【００９９】実施例２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１００】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で前記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば５０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０１０１】さらに、上記構造式（１５）−３のアミノ
スチリル化合物と電子輸送性材料であるＡｌｑ3とを重
量比１：１で混合した層を正孔輸送層に接して蒸着し
た。上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合物と
Ａｌｑ3とからなる電子輸送層（兼発光層）の膜厚も例
えば５０ｎｍとし、蒸着レートは各々０．２ｎｍ／秒と
した。
【０１０２】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を作製
した。
【０１０３】このように作製した実施例２の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１０４】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８００時間であった。
【０１０５】実施例３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した例
である。
【０１０６】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
２ｎｍ／秒とした。
【０１０７】さらに、発光材料として上記構造式（１
５）−３のアミノスチリル化合物とＡｌｑ3とを重量比
１：１で正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式（１
５）−３のアミノスチリル化合物とＡｌｑ3との混合物
層からなる発光層の膜厚も例えば３０ｎｍとし、蒸着レ
ートは各々０．２ｎｍ／秒とした。
【０１０８】さらに、電子輸送性材料として上記構造式
のＡｌｑ3を発光層に接して蒸着した。Ａｌｑ3の膜厚を
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【０１０９】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、実施例３による図４に示した如き有機電界
発光素子を作製した。
【０１１０】このように作製した実施例３の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍに発光ピーク
を有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定を行
ったところ、８Ｖで２５００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られ
た。
【０１１１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５００時間であった。
【０１１２】実施例４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物と下記構造式（１５）−１のアミノスチリル化合物と
の混合物層を発光層として用い、ダブルヘテロ構造の有
機電界発光素子を作製した例である。
【０１１３】
【化３８】
【０１１４】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
２ｎｍ／秒とした。
【０１１５】さらに、発光材料として上記構造式（１
５）−３のアミノスチリル化合物と上記構造式（１５）
−１のアミノスチリル化合物とを重量比１：３で正孔輸
送層に接して共蒸着した。上記構造式（１５）−３のア
ミノスチリル化合物と上記構造式（１５）−１のアミノ
スチリル化合物との混合物層からなる発光層の膜厚も例
えば３０ｎｍとし、蒸着レートは上記構造式（１５）−
３の化合物は０．１ｎｍ／秒、上記構造式（１５）−１
の化合物は０．３ｎｍ／秒とした。
【０１１６】さらに、電子輸送性材料として上記構造式
のＡｌｑ3を発光層に接して蒸着した。Ａｌｑ3の膜厚を
例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【０１１７】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、実施例３による図４に示した如き有機電界
発光素子を作製した。
【０１１８】このように作製した実施例４の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６４０ｎｍに発光ピーク
を有するスペクトルを得た。電圧−輝度測定を行ったと
ころ、８Ｖで３０００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。
【０１１９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１２００時間であった。
【０１２０】実施例５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物と下記構造式のＤＣＭとの混合物層を電子輸送性発光
層として用い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子
を作製した例である。
【化３９】
【０１２１】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば５０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０１２２】さらに、上記構造式（１５）−３のアミノ
スチリル化合物と上記ＤＣＭとを重量比１０：１で混合
した層を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式（１
５）−３のアミノスチリル化合物と上記ＤＣＭからなる
電子輸送層（兼発光層）の膜厚も例えば５０ｎｍとし、
蒸着レートは上記構造式（１５）−３の化合物は０．５
ｎｍ／秒、ＤＣＭは０．０５ｎｍ／秒とした。
【０１２３】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、図３に示した如き有機電界発光素子を作製
した。
【０１２４】このように作製した実施例５の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで８００ｃｄ／ｍ2の輝度が得ら
れた。
【０１２５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５００時間であった。
【０１２６】実施例６ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−２のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１２７】
【化４０】
【０１２８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１２９】このように作製した実施例６の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、５９０ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで８５０ｃｄ／ｍ2の輝度が得ら
れた。
【０１３０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０１３１】実施例７ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−４のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１３２】
【化４１】
【０１３３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１３４】このように作製した実施例７の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６１０ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで８００ｃｄ／ｍ2の輝度が得ら
れた。
【０１３５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４５０時間であった。
【０１３６】実施例８ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−６のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１３７】
【化４２】
【０１３８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１３９】このように作製した実施例８の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、５８５ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで５００ｃｄ／ｍ2の輝度が得ら
れた。
【０１４０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２００時間であった。
【０１４１】実施例９ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−７のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１４２】
【化４３】
【０１４３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１４４】このように作製した実施例９の有機電界発
光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて
発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１と
同様に分光測定を行った結果、６１５ｎｍ付近に発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで５８０ｃｄ／ｍ2の輝度が得ら
れた。
【０１４５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３００時間であった。
【０１４６】実施例１０ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−８のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１４７】
【化４４】
【０１４８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１４９】このように作製した実施例１０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６１０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで４３０ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１５０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５０時間であった。
【０１５１】実施例１１ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−９のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１５２】
【化４５】
【０１５３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１５４】このように作製した実施例１１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６４０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで８００ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１５５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４５０時間であった。
【０１５６】実施例１２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−１１のアミノスチリル化
合物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として
用い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製し
た例である。
【０１５７】
【化４６】
【０１５８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１５９】このように作製した実施例１２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、５８０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０１６０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７５０時間であった。
【０１６１】実施例１３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−１２のアミノスチリル化
合物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として
用い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製し
た例である。
【０１６２】
【化４７】
【０１６３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１６４】このように作製した実施例１３の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６００ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで８５０ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１６５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０１６６】実施例１４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１７）−１のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１６７】
【化４８】
【０１６８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１６９】このように作製した実施例１４の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０１７０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８００時間であった。
【０１７１】実施例１５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１７）−２のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１７２】
【化４９】
【０１７３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１７４】このように作製した実施例１５の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６４５ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０１７５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０１７６】実施例１６ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１７）−３のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１７７】
【化５０】
【０１７８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１７９】このように作製した実施例１６の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、５９０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで７８０ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１８０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５００時間であった。
【０１８１】実施例１７ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１７）−４のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１８２】
【化５１】
【０１８３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１８４】このように作製した実施例１７の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで１１００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０１８５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０１８６】実施例１８ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１７）−５のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１８７】
【化５２】
【０１８８】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１８９】このように作製した実施例１８の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６５０ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで７００ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０１９０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４００時間であった。
【０１９１】実施例１９ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、下記構造式（１５）−５のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
い、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した
例である。
【０１９２】
【化５３】
【０１９３】層構造、成膜法とも実施例２に準拠して有
機電界発光素子を作製した。
【０１９４】このように作製した実施例１９の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例１
と同様に分光測定を行った結果、６５５ｎｍ付近に発光
ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測
定を行ったところ、８Ｖで１５００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０１９５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０１９６】実施例２０ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とα−ＮＰＤとの混合物層を正孔輸送性発光層として
用い、さらに上記構造式（１５）−３のアミノスチリル
化合物とＡｌｑ 3との混合物層を電子輸送性発光層とし
たシングルヘテロ構造の有機電界発光素子を作製した例
である。
【０１９７】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１５）−３
のアミノスチリル化合物と正孔輸送材料であるα−ＮＰ
Ｄを重量比１：１で混合した層を例えば５０ｎｍの厚さ
に正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レート
は各々０．１ｎｍ／秒とした。
【０１９８】さらに、上記構造式（１５）−３の化合物
と電子輸送性材料であるＡｌｑ3とを重量比１：１で混
合した層を正孔輸送層（兼発光層）に接して蒸着した。
上記構造式（１５）−３の化合物とＡｌｑ3とからなる
電子輸送層（兼発光層）の膜厚も例えば５０ｎｍとし、
蒸着レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。
【０１９９】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、実施例２０よる図３に示した如き有機電
界発光素子を作製した。
【０２００】このように作製した実施例２０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、６３５ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで１８００ｃｄ／
ｍ2の輝度が得られた。
【０２０１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１０００時間であった。
【０２０２】実施例２１ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とα−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）との
混合物層を正孔輸送性発光層として用いた有機電界発光
素子を作製した例である。
【０２０３】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１５）−３
のアミノスチリル化合物と正孔輸送材料であるα−ＮＰ
Ｄとを重量比１：１で混合した層を例えば５０ｎｍの厚
さに正孔輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レー
トは各々０．１ｎｍ／秒とした。
【０２０４】さらに、ホールブロッキング層材料として
下記構造式のバソクプロインを正孔輸送層（兼発光層）
に接して蒸着した。バソクプロインからなるこのホール
ブロッキング層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レー
トは０．１ｎｍ／秒とした。
【０２０５】
【化５４】
【０２０６】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のＡｌｑ3（トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム）をホールブロッキング層に接して蒸着した。Ａｌｑ
3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍと
し、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【０２０７】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、実施例２１による図７に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【０２０８】このように作製した実施例２１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、６３０ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで２５００ｃｄ／
ｍ2の輝度が得られた。
【０２０９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１０００時間であった。
【０２１０】実施例２２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２１１】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で下記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０２１２】さらに、上記構造式（１５）−３の化合物
と電子輸送性材料であるＡｌｑ3とを重量比１：１で混
合した層を正孔輸送層に接して共蒸着した。上記構造式
（１５）−３の化合物とＡｌｑ3からなる電子輸送層
（兼発光層）の膜厚も例えば３０ｎｍとし、蒸着レート
は各々０．２ｎｍ／秒とした。
【０２１３】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを正孔輸送層（兼発光層）
に接して蒸着した。バソクプロインからなるこのホール
ブロッキング層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レー
トは０．１ｎｍ／秒とした。
【０２１４】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚は例えば３０ｎ
ｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【０２１５】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、図９に示した如き有機電界発光素子を作製
した。
【０２１６】このように作製した実施例２２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで３４００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２１７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１２００時間であった。
【０２１８】実施例２３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物と上記構造式（１５）−１のアミノスチリル化合物と
の混合物層を発光層として用いた有機電界発光素子を作
製した例である。
【０２１９】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
２ｎｍ／秒とした。
【０２２０】さらに、発光材料として上記構造式（１
５）−３の化合物と上記構造式（１５）−１の化合物と
を重量比１：３で正孔輸送層に接して共蒸着した。上記
構造式（１５）−３の化合物と上記構造式（１５）−１
の化合物との混合物層からなる発光層の膜厚も例えば３
０ｎｍとし、蒸着レートは上記構造式（１５）−３の化
合物は０．１ｎｍ／秒、上記構造式（１５）−１の化合
物は０．３ｎｍ／秒とした。
【０２２１】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを発光層に接して蒸着し
た。バソクプロインからなるこのホールブロッキング層
の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１ｎｍ
／秒とした。
【０２２２】さらに、電子輸送性材料として上記構造式
のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Ａｌｑ3の膜厚を例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは
０．２ｎｍ／秒とした。
【０２２３】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、実施例２３による図９に示した如き有機電
界発光素子を作製した。
【０２２４】このように作製した実施例２３の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６４０ｎｍに発光ピ
ークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度測定
を行ったところ、８Ｖで４０００ｃｄ／ｍ2の輝度が得
られた。
【０２２５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光して強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１６００時間であった。
【０２２６】実施例２４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物と上記構造式のＤＣＭとの混合物層を電子輸送性発光
層として用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２２７】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０２２８】さらに、上記構造式（１５）−３の化合物
と上記ＤＣＭとを重量比１０：１で混合した層を正孔輸
送層に接して共蒸着した。上記構造式（１５）−３の化
合物と上記ＤＣＭとからなる電子輸送層（兼発光層）の
膜厚も例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは上記構造式
（１５）−３の化合物は０．５ｎｍ／秒、ＤＣＭは０．
０５ｎｍ／秒とした。
【０２２９】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを発光層に接して蒸着し
た。バソクプロインからなるこのホールブロッキング層
の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１ｎｍ
／秒とした。
【０２３０】さらに、電子輸送性材料として上記構造式
のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Ａｌｑ3の膜厚を例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは
０．２ｎｍ／秒とした。
【０２３１】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、図９に示した如き有機電界発光素子を作製
した。
【０２３２】このように作製した実施例２４の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２３３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０２３４】実施例２５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−２のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２３５】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２３６】このように作製した実施例２５の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、５９０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１１００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２３７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０２３８】実施例２６ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−４のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２３９】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２４０】このように作製した実施例２６の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６１０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２４１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５５０時間であった。
【０２４２】実施例２７ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−６のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２４３】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２４４】このように作製した実施例２７の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、５８５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで６００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２４５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３００時間であった。
【０２４６】実施例２８ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−７のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２４７】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２４８】このように作製した実施例２８の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６１５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで６５０ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２４９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３５０時間であった。
【０２５０】実施例２９ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−８のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２５１】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２５２】このように作製した実施例２９の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６１０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで５００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２５３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２００時間であった。
【０２５４】実施例３０ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−９のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２５５】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２５６】このように作製した実施例３０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６４０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで９２０ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２５７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４８０時間であった。
【０２５８】実施例３１ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−１１の化合物とＡｌｑ3
との混合物層を電子輸送性発光層として用いた有機電界
発光素子を作製した例である。
【０２５９】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２６０】このように作製した実施例３１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、５８０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１１００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２６１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８００時間であった。
【０２６２】実施例３２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−１２のアミノスチリル化
合物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として
用いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２６３】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２６４】このように作製した実施例３２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６００ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで９００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２６５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６６０時間であった。
【０２６６】実施例３３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−１のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２６７】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２６８】このように作製した実施例３３の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２６９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８８０時間であった。
【０２７０】実施例３４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−２のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２７１】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２７２】このように作製した実施例３４の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６４５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１３００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２７３】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８００時間であった。
【０２７４】実施例３５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−３のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２７５】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２７６】このように作製した実施例３５の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６００ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１４５０ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２７７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０２７８】実施例３６ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−４のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２７９】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２８０】このように作製した実施例３６の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２８１】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６５０時間であった。
【０２８２】実施例３７ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−５のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２８３】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２８４】このように作製した実施例３７の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６５０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで８００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０２８５】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５００時間であった。
【０２８６】実施例３８ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−５のアミノスチリル化合
物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層として用
いた有機電界発光素子を作製した例である。
【０２８７】層構造、成膜法とも実施例２２に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０２８８】このように作製した実施例３８の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例２
１と同様に分光測定を行った結果、６５５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１７２０ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０２８９】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７８０時間であった。
【０２９０】実施例３９ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物とα−ＮＰＤとの混合物層を正孔輸送性発光層として
用い、更に上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化
合物とＡｌｑ3との混合物層を電子輸送性発光層とした
有機電界発光素子を作製した例である。
【０２９１】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１５）−３
の化合物と正孔輸送材料であるα−ＮＰＤとを重量比
１：１で混合した層を例えば３０ｎｍの厚さに正孔輸送
層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは各々０．
１ｎｍ／秒とした。
【０２９２】さらに、上記構造式（１５）−３の化合物
と電子輸送性材料であるＡｌｑ3とを重量比１：１で混
合した層を正孔輸送層（兼発光層）に接して共蒸着し
た。上記構造式（１５）−３の化合物とＡｌｑ3とから
なる電子輸送層（兼発光層）の膜厚も例えば３０ｎｍと
し、蒸着レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。
【０２９３】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを電子輸送層（兼発光層）
に接して蒸着した。バソクプロインからなるこのホール
ブロッキング層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レー
トは０．１ｎｍ／秒とした。
【０２９４】さらに、電子輸送性材料として上記構造式
のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Ａｌｑ3の膜厚を例えば３０ｎｍとし、蒸着レートは
０．２ｎｍ／秒とした。
【０２９５】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、実施例３９による図９に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【０２９６】このように作製した実施例３９の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、６３５ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで２９００ｃｄ／
ｍ2の輝度が得られた。
【０２９７】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１１００時間であった。
【０２９８】実施例４０ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物を正孔輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０２９９】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で上記構造式（１５）−３
のアミノスチリル化合物を例えば５０ｎｍの厚さに正孔
輸送層（兼発光層）として成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０３００】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを正孔輸送層に接して蒸着
した。バソクプロインからなるこのホールブロッキング
層の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１ｎ
ｍ／秒とした。
【０３０１】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のＡｌｑ3（トリス（８−キノリノール）アルミニウ
ム）をホールブロッキング層に接して蒸着した。Ａｌｑ
3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば５０ｎｍと
し、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【０３０２】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ膜）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の
厚さに形成し、実施例４０による図７に示した如き有機
電界発光素子を作製した。
【０３０３】このように作製した実施例４０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定
を行った結果、６４０ｎｍ付近に発光ピークを有するス
ペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダ
イオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、
電圧−輝度測定を行ったところ、８Ｖで３０００ｃｄ／
ｍ2の輝度が得られた。
【０３０４】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１１００時間であった。
【０３０５】実施例４１ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−３のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３０６】まず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚
さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ
×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マス
クとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有
する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法に
より１０-4Ｐａ以下の真空下で下記構造式のα−ＮＰＤ
を例えば３０ｎｍの厚さに成膜した。蒸着レートは０．
１ｎｍ／秒とした。
【０３０７】さらに、上記構造式（１５）−３の化合物
を正孔輸送層に接して蒸着した。上記構造式（１５）−
３の化合物からなる電子輸送層（兼発光層）の膜厚も例
えば３０ｎｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とし
た。
【０３０８】さらに、ホールブロッキング層材料として
上記構造式のバソクプロインを発光層に接して蒸着し
た。バソクプロインからなるこのホールブロッキング層
の膜厚は例えば１５ｎｍとし、蒸着レートは０．１ｎｍ
／秒とした。
【０３０９】さらに、電子輸送層材料として上記構造式
のＡｌｑ3をホールブロッキング層に接して蒸着した。
Ａｌｑ3からなるこの電子輸送層の膜厚も例えば３０ｎ
ｍとし、蒸着レートは０．２ｎｍ／秒とした。
【０３１０】陰極材料としてはＭｇとＡｇの積層膜を採
用し、これも蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として
例えば５０ｎｍ（Ｍｇ）及び１５０ｎｍ（Ａｇ膜）の厚
さに形成し、図９に示した如き有機電界発光素子を作製
した。
【０３１１】このように作製した実施例４１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６４０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで３８００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３１２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１５００時間であった。
【０３１３】実施例４２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−２のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３１４】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３１５】このように作製した実施例４２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６００ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３１６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８００時間であった。
【０３１７】実施例４３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−４のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層としてた有機電界発光素子を作製
した例である。
【０３１８】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３１９】このように作製した実施例４３の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１１００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３２０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０３２１】実施例４４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−６の化合物を電子輸送性
発光層として用いた有機電界発光素子を作製した例であ
る。
【０３２２】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３２３】このように作製した実施例４４の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、５９５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで７００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３２４】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで３００時間であった。
【０３２５】実施例４５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−７のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３２６】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３２７】このように作製した実施例４５の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで７５０ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３２８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで４５０時間であった。
【０３２９】実施例４６ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−８のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３３０】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３３１】このように作製した実施例４６の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６２０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで５２０ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３３２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで２５０時間であった。
【０３３３】実施例４７ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−９のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３３４】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３３５】このように作製した実施例４７の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６５０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３３６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６００時間であった。
【０３３７】実施例４８ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−１１のアミノスチリル化
合物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子
を作製した例である。
【０３３８】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３３９】このように作製した実施例４８の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は橙色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、５９０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１２００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３４０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８５０時間であった。
【０３４１】実施例４９ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−１２のアミノスチリル化
合物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子
を作製した例である。
【０３４２】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３４３】このように作製した実施例４９の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６１０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで９３０ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３４４】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７００時間であった。
【０３４５】実施例５０ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−１のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３４６】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３４７】このように作製した実施例５０の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１７００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３４８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで１０００時間であった。
【０３４９】実施例５１ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−２の化合物を電子輸送性
発光層として用いた有機電界発光素子を作製した例であ
る。
【０３５０】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３５１】このように作製した実施例５１の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６５５ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１４００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３５２】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで８５０時間であった。
【０３５３】実施例５２ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−３の化合物を電子輸送性
発光層として用いた有機電界発光素子を作製した例であ
る。
【０３５４】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３５５】このように作製した実施例５２の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６００ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで９００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３５６】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで６５０時間であった。
【０３５７】実施例５３ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−４の化合物を電子輸送性
発光層として用いた有機電界発光素子を作製した例であ
る。
【０３５８】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３５９】このように作製した実施例５３の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６３０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１３００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３６０】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで７５０時間であった。
【０３６１】実施例５４ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１７）−５の化合物を電子輸送性
発光層として用いた有機電界発光素子を作製した例であ
る。
【０３６２】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３６３】このように作製した実施例５４の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６６０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで８００ｃｄ／ｍ2の輝度が
得られた。
【０３６４】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで５００時間であった。
【０３６５】実施例５５ 本実施例は、上述の一般式[Ｉ]のアミノスチリル化合物
のうち、上記構造式（１５）−５のアミノスチリル化合
物を電子輸送性発光層として用いた有機電界発光素子を
作製した例である。
【０３６６】層構造、成膜法とも実施例４１に準拠して
有機電界発光素子を作製した。
【０３６７】このように作製した実施例５５の有機電界
発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加え
て発光特性を評価した。発光色は赤色であり、実施例４
０と同様に分光測定を行った結果、６６０ｎｍ付近に発
光ピークを有するスペクトルを得た。また、電圧−輝度
測定を行ったところ、８Ｖで１７００ｃｄ／ｍ2の輝度
が得られた。
【０３６８】この有機電界発光素子を作製後、窒素雰囲
気下に１カ月間放置したが、素子劣化は観察されなかっ
た。また、初期輝度２００ｃｄ／ｍ2で電流値を一定に
通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝度が半減す
るまで９００時間であった。
【０３６９】
【発明の作用効果】本発明の有機電界発光素子によれ
ば、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設け
られている有機電界発光素子において、前記有機層の構
成層の少なくとも１層に前記一般式[Ｉ]で表されるアミ
ノスチリル化合物の少なくとも１種が混合物として又は
単独に含まれているので、この特定のアミノスチリル化
合物及び／又はこれに効率良くエネルギーを伝達するこ
とが可能な材料から発光領域を構成でき、高い蛍光収率
で熱安定性に優れ、赤色純度が良く、高輝度、高信頼性
の赤色発光素子を提供できる。
【０３７０】しかも、前記ホールブロッキング層を設け
ることによって、本来高い量子収率を有する上記アミノ
スチリル化合物を含有する有機電界発光素子において、
発光層でのホールと電子の再結合を促進し、さらに高輝
度かつ高効率な発光を呈する有機電界発光素子を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略断
面図である。
【図２】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図３】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図４】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図５】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図６】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図７】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図８】同、有機電界発光素子の他の例の要部概略断面
図である。
【図９】同、有機電界発光素子の更に他の例の要部概略
断面図である。
【図１０】同、有機電界発光素子を用いたフルカラーの
平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、３０…ホールブロッキング層、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’…有機電界発
光素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 255/52 Ｃ０７Ｃ 255/52 Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２０ ６４５ ６４５ ６５０ ６５０ Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｂ Ｄ (72)発明者 植田 尚之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 田村 眞一郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB04 AB11 AB14 CA01 CB01 DA01 DB03 EA00 EB00 4H006 AA01 AA03 AB92

Claims (55)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
    の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
    有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記一般式
    ［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少なくとも１
    種を含んだ混合物層からなることを特徴とする有機電界
    発光素子。 【化１】 ［但し、前記一般式［Ｉ］において、X1は下記一般式
    （１）〜（７）のいずれかで表される基であり 【化２】 （但し、前記一般式（１）〜（３）において、R1〜R4の
    うち少なくとも一つはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、その
    他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
    基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロア
    ルキル基から選ばれた基であり、それらが同一であって
    も異なっていてもよく、また前記一般式（４）〜（７）
    において、R5〜R10のうち少なくとも一つはハロゲン原
    子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロアルキル基から選
    ばれた基であり、その他は水素原子、アルキル基、アリ
    ール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
    ノ基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、そ
    れらが同一であっても異なっていてもよい。）、また、
    Y1は下記一般式（８）又は（９）で表される基であり、
    Y2は下記一般式（８）、（９）又は（１０）で表される
    基である。 【化３】 （但し、前記一般式（８）〜（１０）において、R11及
    びR12は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基及
    び置換基を有してもよいアリール基から選ばれた基であ
    り、それらが同一であっても異なっていてもよく、また
    R13〜R35は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
    基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
    もよいアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、それ
    らが同一であっても異なっていてもよい。）］
  2. 【請求項２】 前記一般式［I］において、X1は下記構
    造式（１１）〜（１４）のいずれかで表される基であ
    り、 【化４】 また、Y1及びY2は下記一般式（８）又は（９）で表され
    る基である 【化５】 （但し、前記一般式（８）及び（９）において、R11及
    びR12は前記したものと同じであり、R13〜R30は前記し
    たものと同じであるが、フルオロアルキル基の場合はト
    リフルオロメチル基である。）、請求項１に記載した有
    機電界発光素子。
  3. 【請求項３】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
    層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機
    積層構造のうちの少なくとも前記電子輸送層が、前記一
    般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少なくと
    も１種を含んだ前記混合物層からなる、請求項１に記載
    した有機電界発光素子。
  4. 【請求項４】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
    層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有機
    積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が、前記
    一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少なく
    とも１種を含んだ前記混合物層からなる、請求項１に記
    載した有機電界発光素子。
  5. 【請求項５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸送
    層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホー
    ル輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリ
    ル化合物の少なくとも１種を含んだ前記混合物層からな
    り、かつ前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表され
    るアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記
    混合物層からなる、請求項１に記載した有機電界発光素
    子。
  6. 【請求項６】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層と
    電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしており、
    前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層が、前
    記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少な
    くとも１種を含んだ前記混合物層からなる、請求項１に
    記載した有機電界発光素子。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載した
    有機電界発光素子を用いた発光装置。
  8. 【請求項８】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項７に記載した発光装置。
  9. 【請求項９】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極と
    の間に設けられている有機電界発光素子において、前記
    有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記構造式
    （１５）−１〜（１５）−１２、（１６）−１〜（１
    ６）−１２、（１７）−１〜（１７）−６、及び（１
    ８）−１〜（１８）−６で表されるアミノスチリル化合
    物の少なくとも１種を含んだ混合物層からなることを特
    徴とする有機電界発光素子。 【化６】 【化７】 【化８】
  10. 【請求項１０】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも電子輸送層が、前記アミ
    ノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記混合物
    層からなる、請求項９に記載した有機電界発光素子。
  11. 【請求項１１】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が、前記ア
    ミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記混合
    物層からなる、請求項９に記載した有機電界発光素子。
  12. 【請求項１２】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種を含んだ前記混合物層からなり、かつ前記電子輸送
    層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含
    んだ前記混合物層からなる、請求項９に記載した有機電
    界発光素子。
  13. 【請求項１３】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が、前
    記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記
    混合物層からなる、請求項９に記載した有機電界発光素
    子。
  14. 【請求項１４】 前記有機層の構成層のうちの前記少な
    くとも１層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光
    色素とを含んだ前記混合物層からなる、請求項９に記載
    した有機電界発光素子。
  15. 【請求項１５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくとも
    前記電子輸送層である、請求項１４に記載した有機電界
    発光素子。
  16. 【請求項１６】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくとも
    前記ホール輸送層である、請求項１４に記載した有機電
    界発光素子。
  17. 【請求項１７】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光
    色素とを含んだ前記混合物層からなり、かつ前記電子輸
    送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種
    と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素
    とを含んだ前記混合物層からなる、請求項９に記載した
    有機電界発光素子。
  18. 【請求項１８】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
    が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種と、60
    0nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素とを含
    んだ前記混合物層からなる、請求項９に記載した有機電
    界発光素子。
  19. 【請求項１９】 請求項９〜１８のいずれか１項に記載
    した有機電界発光素子を用いた発光装置。
  20. 【請求項２０】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項１９に記載した発光装置。
  21. 【請求項２１】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
    との間に設けられている有機電界発光素子において、前
    記有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記一般
    式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少なくとも
    １種を含んだ発光性の混合物層からなり、かつ前記発光
    性の混合物層の陰極側にホールブロッキング層が存在す
    ることを特徴とする有機電界発光素子。 【化９】 ［但し、前記一般式［Ｉ］において、X1は下記一般式
    （１）〜（７）のいずれかで表される基であり 【化１０】 （但し、前記一般式（１）〜（３）において、R1〜R4の
    うち少なくとも一つはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、その
    他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
    基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロア
    ルキル基から選ばれた基であり、それらが同一であって
    も異なっていてもよく、また前記一般式（４）〜（７）
    において、R5〜R10のうち少なくとも一つはハロゲン原
    子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロアルキル基から選
    ばれた基であり、その他は水素原子、アルキル基、アリ
    ール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
    ノ基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、そ
    れらが同一であっても異なっていてもよい。）、また、
    Y1は下記一般式（８）又は（９）で表される基であり、
    Y2は下記一般式（８）、（９）又は（１０）で表される
    基である。 【化１１】 （但し、前記一般式（８）〜（１０）において、R11及
    びR12は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基及
    び置換基を有してもよいアリール基から選ばれた基であ
    り、それらが同一であっても異なっていてもよく、また
    R13〜R35は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
    基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
    もよいアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、それ
    らが同一であっても異なっていてもよい。）］
  22. 【請求項２２】 前記一般式［I］において、X1は下記
    構造式（１１）〜（１４）のいずれかで表される基であ
    り、 【化１２】 また、Y1及びY2は下記一般式（８）又は（９）で表され
    る基である 【化１３】 （但し、前記一般式（８）及び（９）において、R11及
    びR12は前記したものと同じであり、R13〜R30は前記し
    たものと同じであるが、フルオロアルキル基の場合はト
    リフルオロメチル基である。）、請求項２１に記載した
    有機電界発光素子。
  23. 【請求項２３】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも前記電子輸送層が、前記
    一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少なく
    とも１種を含んだ前記発光性の混合物層からなる、請求
    項２１に記載した有機電界発光素子。
  24. 【請求項２４】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が、前
    記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物の少な
    くとも１種を含んだ前記発光性の混合物層からなる、請
    求項２１に記載した有機電界発光素子。
  25. 【請求項２５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチ
    リル化合物の少なくとも１種を含んだ前記発光性の混合
    物層からなり、前記電子輸送層が、前記一般式［Ｉ］で
    表されるアミノスチリル化合物の少なくとも１種を含ん
    だ前記発光性の混合物層からなり、かつこの電子輸送性
    の発光性の混合物層の陰極側に前記ホールブロッキング
    層が存在する、請求項２１に記載した有機電界発光素
    子。
  26. 【請求項２６】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
    が、前記一般式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物
    の少なくとも１種を含んだ前記発光性の混合物層からな
    る、請求項２１に記載した有機電界発光素子。
  27. 【請求項２７】 請求項２１〜２６のいずれか１項に記
    載した有機電界発光素子を用いた発光装置。
  28. 【請求項２８】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項２７に記載した発光装置。
  29. 【請求項２９】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
    との間に設けられている有機電界発光素子において、前
    記有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記構造
    式（１５）−１〜（１５）−１２、（１６）−１〜（１
    ６）−１２、（１７）−１〜（１７）−６、及び（１
    ８）−１〜（１８）−６で表されるアミノスチリル化合
    物の少なくとも１種を含んだ発光性の混合物層からな
    り、かつ前記発光性の混合物層の陰極側にホールブロッ
    キング層が存在することを特徴とする有機電界発光素
    子。 【化１４】 【化１５】 【化１６】
  30. 【請求項３０】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも電子輸送層が、前記アミ
    ノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記発光性
    の混合物層からなる、請求項２９に記載した有機電界発
    光素子。
  31. 【請求項３１】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が、前記ア
    ミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記発光
    性の混合物層からなる、請求項２９に記載した有機電界
    発光素子。
  32. 【請求項３２】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種を含んだ前記発光性の混合物層からなり、前記電子
    輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種
    を含んだ前記発光性の混合物層からなり、かつこの電子
    輸送性の発光性の混合物層の陰極側に前記ホールブロッ
    キング層が存在する、請求項２９に記載した有機電界発
    光素子。
  33. 【請求項３３】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が、前
    記アミノスチリル化合物の少なくとも１種を含んだ前記
    発光性の混合物層からなる、請求項２９に記載した有機
    電界発光素子。
  34. 【請求項３４】 前記有機層の構成層のうちの前記少な
    くとも１層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光
    色素とを含んだ前記発光性の混合物層からなる、請求項
    ２９に記載した有機電界発光素子。
  35. 【請求項３５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくとも
    前記電子輸送層である、請求項３４に記載した有機電界
    発光素子。
  36. 【請求項３６】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機層の構成層のうちの前記少なくとも１層が少なくとも
    前記ホール輸送層である、請求項３４に記載した有機電
    界発光素子。
  37. 【請求項３７】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも
    １種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光
    色素とを含んだ前記発光性の混合物層からなり、前記電
    子輸送層が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１
    種と、600nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色
    素とを含んだ前記発光性の混合物層からなり、かつこの
    電子輸送性の発光性の混合物層の陰極側に前記ホールブ
    ロッキング層が存在する、請求項２９に記載した有機電
    界発光素子。
  38. 【請求項３８】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層
    が、前記アミノスチリル化合物の少なくとも１種と、60
    0nm以上の範囲に発光極大を有する赤色発光色素とを含
    んだ前記発光性の混合物層からなる、請求項２９に記載
    した有機電界発光素子。
  39. 【請求項３９】 請求項２９〜３８のいずれか１項に記
    載した有機電界発光素子を用いた発光装置。
  40. 【請求項４０】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項３９に記載した発光装置。
  41. 【請求項４１】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
    との間に設けられている有機電界発光素子において、前
    記有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記一般
    式［Ｉ］で表されるアミノスチリル化合物で構成された
    アミノスチリル化合物層からなり、かつ前記アミノスチ
    リル化合物層の陰極側にホールブロッキング層が存在す
    ることを特徴とする有機電界発光素子。 【化１７】 ［但し、前記一般式［Ｉ］において、X1は下記一般式
    （１）〜（７）のいずれかで表される基であり 【化１８】 （但し、前記一般式（１）〜（３）において、R1〜R4の
    うち少なくとも一つはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、その
    他は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ
    基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロア
    ルキル基から選ばれた基であり、それらが同一であって
    も異なっていてもよく、また前記一般式（４）〜（７）
    において、R5〜R10のうち少なくとも一つはハロゲン原
    子、ニトロ基、シアノ基及びフルオロアルキル基から選
    ばれた基であり、その他は水素原子、アルキル基、アリ
    ール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シア
    ノ基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、そ
    れらが同一であっても異なっていてもよい。）、また、
    Y1は下記一般式（８）又は（９）で表される基であり、
    Y2は下記一般式（８）、（９）又は（１０）で表される
    基である。 【化１９】 （但し、前記一般式（８）〜（１０）において、R11及
    びR12は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基及
    び置換基を有してもよいアリール基から選ばれた基であ
    り、それらが同一であっても異なっていてもよく、また
    R13〜R35は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
    基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
    もよいアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基及びフルオロアルキル基から選ばれた基であり、それ
    らが同一であっても異なっていてもよい。）］
  42. 【請求項４２】 前記一般式［I］において、X1は下記
    構造式（１１）〜（１４）のいずれかで表される基であ
    り、 【化２０】 また、Y1及びY2は下記一般式（８）又は（９）で表され
    る基である 【化２１】 （但し、前記一般式（８）及び（９）において、R11及
    びR12は前記したものと同じであり、R13〜R30は前記し
    たものと同じであるが、フルオロアルキル基の場合はト
    リフルオロメチル基である。）、請求項４１に記載した
    有機電界発光素子。
  43. 【請求項４３】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも前記電子輸送層が前記ア
    ミノスチリル化合物層からなる、請求項４１に記載した
    有機電界発光素子。
  44. 【請求項４４】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも前記ホール輸送層が前記
    アミノスチリル化合物層からなる、請求項４１に記載し
    た有機電界発光素子。
  45. 【請求項４５】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなり、前
    記電子輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなり、
    かつこの電子輸送性のアミノスチリル化合物層の陰極側
    に前記ホールブロッキング層が存在する、請求項４１に
    記載した有機電界発光素子。
  46. 【請求項４６】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも前記発光層が
    前記アミノスチリル化合物層からなる、請求項４１に記
    載した有機電界発光素子。
  47. 【請求項４７】 請求項４１〜４６のいずれか１項に記
    載した有機電界発光素子を用いた発光装置。
  48. 【請求項４８】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項４７に記載した発光装置。
  49. 【請求項４９】 発光領域を有する有機層が陽極と陰極
    との間に設けられている有機電界発光素子において、前
    記有機層の構成層のうちの少なくとも１層が、下記構造
    式（１５）−１〜（１５）−１２、（１６）−１〜（１
    ６）−１２、（１７）−１〜（１７）−６、及び（１
    ８）−１〜（１８）−６で表されるアミノスチリル化合
    物から選ばれたアミノスチリル化合物で構成されたアミ
    ノスチリル化合物層からなり、かつ前記アミノスチリル
    化合物層の陰極側にホールブロッキング層が存在するこ
    とを特徴とする有機電界発光素子。 【化２２】 【化２３】 【化２４】
  50. 【請求項５０】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくとも電子輸送層が前記アミノ
    スチリル化合物層からなる、請求項４９に記載した有機
    電界発光素子。
  51. 【請求項５１】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記有
    機積層構造のうちの少なくともホール輸送層が前記アミ
    ノスチリル化合物層からなる、請求項４９に記載した有
    機電界発光素子。
  52. 【請求項５２】 前記有機層が、ホール輸送層と電子輸
    送層とが積層された有機積層構造をなしており、前記ホ
    ール輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなり、前
    記電子輸送層が前記アミノスチリル化合物層からなり、
    かつこの電子輸送性のアミノスチリル化合物層の陰極側
    に前記ホールブロッキング層が存在する、請求項４９に
    記載した有機電界発光素子。
  53. 【請求項５３】 前記有機層が、ホール輸送層と発光層
    と電子輸送層とが積層された有機積層構造をなしてお
    り、前記有機積層構造のうちの少なくとも発光層が前記
    アミノスチリル化合物層からなる、請求項４９に記載し
    た有機電界発光素子。
  54. 【請求項５４】 請求項４９〜５３のいずれか１項に記
    載した有機電界発光素子を用いた発光装置。
  55. 【請求項５５】 ディスプレイデバイスとして構成され
    た、請求項５４に記載した発光装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212113A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002212115A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002212114A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002220354A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002220355A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
KR100736619B1 (ko) * 2005-10-12 2007-07-09 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
KR100811058B1 (ko) * 2005-05-11 2008-03-06 (주)루디스 발광 고분자 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR100826441B1 (ko) 2005-12-21 2008-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US7402344B2 (en) 2003-03-24 2008-07-22 Sony Corporation Organic electroluminescent devices and aminostyrylnaphthalene compounds
US8183771B2 (en) 2008-06-05 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and method of fabricating the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003091357A1 (fr) * 2000-10-30 2003-11-06 Sony Corporation Element organique electroluminescent
JP2004006066A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Sony Corp 有機電界発光素子及び発光装置
KR100495038B1 (ko) * 2002-12-30 2005-06-14 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자용 적색 발광 화합물 및 이를 사용한유기 전계 발광 소자
WO2005004549A1 (ja) * 2003-07-08 2005-01-13 Konica Minolta Holding, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
US6885025B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-26 Universal Display Corporation Organic light emitting device structures for obtaining chromaticity stability
US7211823B2 (en) * 2003-07-10 2007-05-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability
KR100707357B1 (ko) * 2005-06-23 2007-04-13 (주)그라쎌 전기 발광 재료용 유기 금속착물의 전구체 화합물
WO2007132965A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Cheong-A Baek High brightness electro luminescence device and method for manufacturing thereof
TWI402243B (zh) * 2010-01-06 2013-07-21 Univ Nat Chiao Tung 有機發光材料
TWI421230B (zh) * 2010-01-06 2014-01-01 Univ Nat Chiao Tung 有機發光元件及其製法
PT3533601T (pt) * 2018-03-01 2022-08-09 Bayerische Motoren Werke Ag Estrutura compósita para cobertura de airbag e produto costurado da estrutura compósita
CN109742251B (zh) * 2019-01-08 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件、显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11273859A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Sony Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JPH11329731A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sony Corp 有機電界発光素子
JPH11329730A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2000012224A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2000012226A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130603A (en) * 1989-03-20 1992-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JPH07119407B2 (ja) 1989-03-20 1995-12-20 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JPH061973A (ja) 1992-06-18 1994-01-11 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3852509B2 (ja) * 1998-01-09 2006-11-29 ソニー株式会社 電界発光素子及びその製造方法
DE69941200D1 (de) 1998-01-09 2009-09-17 Sony Corp Elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren
JP2000012225A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子
US6525212B1 (en) * 1998-12-07 2003-02-25 Sony Corporation Bis(aminostyryl)benzene compounds and synthetic intermediates thereof, and process for preparing the compounds and intermediates
JP2001043974A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Sony Corp 有機電界発光素子にこれらの製造方法
US6492557B1 (en) * 1999-10-06 2002-12-10 Sony Corporation Bis (aminostyryl) naphthalene compound, synthesis intermediate thereof, and process for production thereof
JP4164718B2 (ja) * 1999-10-06 2008-10-15 ソニー株式会社 ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物及びその合成中間体、これらの製造方法、並びに有機電界発光素子
US6660411B2 (en) * 2000-09-20 2003-12-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11273859A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Sony Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JPH11329731A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sony Corp 有機電界発光素子
JPH11329730A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2000012224A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2000012226A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Sony Corp 有機電界発光素子

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212113A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002212115A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002212114A (ja) * 2001-01-24 2002-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002220354A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
JP2002220355A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 芳香族メチリデン化合物、それを製造するための芳香族アルデヒド化合物及びメチルスチリル化合物、並びにそれらの製造方法
US7402344B2 (en) 2003-03-24 2008-07-22 Sony Corporation Organic electroluminescent devices and aminostyrylnaphthalene compounds
US7524991B2 (en) 2003-03-24 2009-04-28 Sony Corporation Organic electroluminescent devices, aminostyrylnaphthalene compounds and synthesis intermediates thereof, and production processes of the same
KR100811058B1 (ko) * 2005-05-11 2008-03-06 (주)루디스 발광 고분자 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR100736619B1 (ko) * 2005-10-12 2007-07-09 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
KR100826441B1 (ko) 2005-12-21 2008-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
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