KR20040028670A

KR20040028670A - 투명 도전성 적층체 및 이를 사용한 투명 터치패널

Info

Publication number: KR20040028670A
Application number: KR10-2003-7005871A
Authority: KR
Inventors: 이또하루히꼬; 미꼬시바히또시; 다무라유지
Original assignee: 데이진 가부시키가이샤
Priority date: 2001-09-03
Filing date: 2002-09-03
Publication date: 2004-04-03
Also published as: US20040151895A1; EP1886799A2; EP1886799B1; EP1886799A3; CN100537217C; JP4286136B2; US7294395B2; EP1426174A1; WO2003020509A1; CN101544075B; CN1509231A; HK1065512A1; JP4869178B2; EP1426174B1; JPWO2003020509A1; CN101544075A; JP2008041669A; TW590890B; EP1426174A4; KR100944920B1

Abstract

유기 고분자 필름의 적어도 편면에 광학간섭층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고, 광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고 또한 저굴절율층이 투명 도전층과 접하고, 광학간섭층은 가교중합체로 구성된, 투명 도전성 적층체에 있어서, 상기 광학간섭층은, 금속산화물 및/또는 금속불화물로 이루어지는 1차 입자경이 100㎚ 이하의 초미립자 A를 함유하고, 및/또는 고굴절율층과 저굴절율층의 적어도 일방에 평균 1차 입자경이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이고 1.2㎛ 이하의 미립자 B를 가교중합체 성분의 0.5중량% 이하 함유한다. 이 투명 도전성 적층체는 투명 터치패널의 투명전극기판에 사용된다.

Description

투명 도전성 적층체 및 이를 사용한 투명 터치패널 {TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE}

최근 정보표시단말과 정보입력용 투명 터치패널을 탑재한 휴대형 정보단말이 널리 보급되기 시작했다. 투명 터치패널로서 많이 사용되는 저항막방식의 투명 터치패널은, 투명 도전층이 형성된 2장의 투명전극기판이 대략 10㎛∼100㎛ 간격으로 대향하여 구성되어 있고, 외력을 가하는 부분에서만 양 전극이 접촉하여 스위치로서 동작하는 것으로, 예를 들어 표시화면 상의 메뉴선택, 도형ㆍ문자입력 등을 실행할 수 있다.

종래의 투명 터치패널은 광선투과율이 그다지 높지 않기 때문에, 투명 터치패널 아래에 설치되는 표시화면이 어두워지는 경우가 많다. 따라서 유기 고분자 필름과 투명 도전층 사이에 광학간섭층을 형성함으로써 투명전극기판의 투과율을 향상시켜 표시화면을 밝게 하는 것이 시도되어 왔다. 광학간섭층의 형성방법으로는, 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 진공 막형성 공정에 의해 저굴절율층과 고굴절율층을 형성하는 방법, 알콕시실란, 티타늄알콕시드 또는 지르코늄알콕시드의 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층을 형성하고, 이들을 조합함으로써 광학간섭층을 형성하는 방법이 있다. 그러나 전자의 진공 막형성 공정을 사용함으로써 투과율이 양호한 투명전극기판을 형성하는 것은 가능하나, 투명 터치패널에 필요한 필기내구성을 확보하는 것이 곤란하다는 문제가 있다. 또 진공 막형성 공정을 사용함으로써 제조비용이 고가로 되어 양산에는 적합하지 않다. 후자는 진공 막형성 공정을 채용하지 않고 도공 공정으로 가공하기 때문에 비용면에서 유리하다. 그러나 도공 공정으로 형성된 미립자를 전혀 함유하지 않은 종래의 광학간섭층을 사용한 투명전극기판에서는, 필기내구성 시험시에 광학간섭층 중의 티타늄알콕시드나 지르코늄알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 형성된 층이 파괴되기 쉽기 때문에, 투명 도전성 적층체 및 투명 터치패널로서의 신뢰성을 확보할 수 없다. 또 양 공정을 병용한 경우에도, 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성을 확보하는 것이 곤란하다.

본 발명의 제1 목적은, 광학간섭층을 비용면에서 유리하게 형성할 수 있고, 또한 우수한 투명성을 가지며, 그리고 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성 등에 대해 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 투명 도전성 적층체 및 투명 터치패널을 얻는 것이다.

또 투명 터치패널의 헤이즈가 높아지면, 표시화면의 표시품질이 저하된다. 투명 도전층 표면을 평탄화함으로써 헤이즈를 낮춰, 표시화면의 품질을 향상시킬수는 있으나, 가동전극기판 (입력측의 투명전극기판) 의 투명 도전층 표면과 고정전극기판 (가동전극기판과 대향하는 측의 투명전극기판) 의 투명 도전층 표면이 모두 매우 평탄한 경우에는, 이들 가동전극기판과 고정전극기판을 조합하여 제작한 투명 터치패널은 오동작을 일으키는 것으로 알려져 있다. 즉 투명 터치패널 상의 어느 점 A를 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 접촉할 때까지 펜으로 누르고, 다음에 다른 점 B로 펜을 이동시킨 후에도 점 A에서 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 접촉한 상태로 되는 현상이나, 또는 점 A에서 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 접촉한 상태에서 떨어질 때까지 시간이 걸리는 현상이 나타나는 경우가 있다. 이와 같은 투명 터치패널의 오동작은 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의해 일어난다.

이와 같은 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작을 회피하는 수단으로서 경화수지층 중에 미립자를 첨가함으로써 투명 도전층 표면을 조면화하는 방법이 있다 (예를 들어 일본 공개특허공보 평8-216327호). 이 경우 경화수지층 중에 첨가하는 미립자의 평균 1차입자경을 경화수지층의 막두께보다 크게 하지 않으면 안되기 때문에, 통상 그 평균 1차 입자경은 2㎛ 이상이 된다. 이와 같이 평균 1차 입자경이 경화수지층의 막두께보다 큰 미립자를 경화수지층 중에 첨가함으로써 투명 도전층표면을 조면화한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치한 경우, 투명 터치패널을 통해 액정화면을 관찰했을 때에 표시화면이 번쩍여 보여 표시품위가 저하된다. 이것은 경화수지층중의 미립자의 평균 1차 입자경이 크기 때문에 액정패널을 투과한 RGB 삼원색광이 경화수지층을 투과할 때에 산란되기 때문이다. 경화수지층 중에 첨가하는 미립자의 평균 1차 입자를 경화수지층의 막두께보다 작게 하면 번쩍임은 없어지지만, 첨가한 미립자가 경화수지층 중에 매몰되어 실질적으로 평탄한 경화수지층이 되어 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작을 방지할 수는 없다. 이와 같이 투명도전성 적층체를 구성하는 경화수지층 중에 미립자를 첨가함으로써 투명 도전층 표면을 조면화하는 방법에서는, 투명 터치패널을 통해 관찰했을 때의 고정세 컬러 액정표시화면의 표시품위가 저하되는 문제가 있다.

본 발명의 제2 목적은, 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치한 상태에서 투명 터치패널을 통해 액정화면을 관찰했을 때에, 액정화면의 표시품위가 우수한 투명 도전성 적층체를 제공하는 것에 있다.

본 발명은 투명 도전성 적층체 및 이를 사용한 투명 터치패널에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 유기 고분자 필름 일방의 면측에 광학간섭층을 갖고, 필기내구성에 대해 신뢰성이 높은 터치패널용으로서 적합한 투명 도전성 적층체 및 이를 사용한 투명 터치패널에 관한 것이다.

도1A및 도1B는 본 발명의 투명 도전성 적층체의 구성예이다.

도2는 본 발명의 다른 투명 도전성 적층체의 구성예이다.

도3은 터치패널의 모식도이다.

도4는 터치패널을 액정표시장치에 장착한 구성예이다.

도5 및 도6은 실시예의 터치패널의 모식도이다.

발명의 실시형태

본 발명의 투명 도전성 적층체는, 유기 고분자 필름의 적어도 일방의 면측에, 광학간섭층, 투명 도전층이 순서대로 적층된 것이다.

도1A 및 도1B에 본 발명의 투명 도전성 적층체의 구성예를 나타낸다. 도1A 및 도1B에 있어서, 유기 고분자 필름 (1) 의 일면에 경화수지층 (2 ; 도1B만), 광학간섭층으로서 고굴절율층 (3) 및 저굴절율층 (4), 투명 도전층 (5) 이 순서대로 형성되고, 유기 고분자 필름 (1) 의 다른 일면에 경화수지층 (6) 이형성되어 있다.

본 발명의 투명 도전성 적층체에 있어서 경화수지층 (2) 은 필수는 아니지만 (도1A) 형성하는 것이 바람직하다 (도1B).

본 발명의 투명 도전성 적층체는, 굴절율 조정을 목적으로 하거나 또는 조면화를 목적으로 하여, 광학간섭층에 특정 입경의 특정 미립자를 바람직하게는 특정 첨가량으로 첨가하는 것을 특징으로 하는 것이다.

(1) 광학간섭층

본 발명의 광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고, 이 저굴절율층은 투명 도전층과 접해 있다. 이들 고굴절율층과 저굴절율층은, 모두 가교중합체로 이루어지고, 그 적어도 일방에 상기와 같은 미립자가 함유된다.

본 발명에 사용하는 가교중합체로는, 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 가교중합체 외에, 열경화성 수지나 방사선 경화형 수지의 가교중합체도 사용할 수 있다.

(1a)금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 가교중합체

금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 가교중합체 중에서는, 기계적 강도나 안정성, 투명 도전층이나 기판 등과의 밀착성 등이 우수한 관점에서 티타늄알콕시드, 지르코늄알콕시드 및 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 가교중합체가 바람직하다.

티타늄알콕시드로는 예를 들어 티타늄 테트라이소프로폭시드, 테트라-n-프로필오르토티타네이트, 티타늄테트라-n-부톡시드, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티타네이트 등이 예시되고, 또 지르코늄알콕시드로는 예를 들어 지르코늄테트라이소프로폭시드, 지르코늄테트라-n-부톡시드 등이 예시된다.

알콕시실란으로는, 예를 들어 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등이 예시된다. 이들 규소알콕시드는 필요에 따라, 층의 기계적 강도나 밀착성 및 내용제성 등의 관점에서 2종류 이상을 혼합해 사용하는 것이 바람직한 경우가 많고, 특히 규소알콕시드의 전체 조성 중에 중량비율 0.5∼60% 범위에서, 보다 바람직하게는 0.5∼40% 범위에서, 분자내에 아미노기를 갖는 규소알콕시드가 함유되어 있는 것이 바람직하다.

이들 금속알콕시드는 모노머로 사용해도, 미리 가수분해와 탈수축합을 실행하여 적절하게 올러고머화하여 사용해도 되지만, 통상적으로 적당한 유기용매에 용해, 희석한 도액을 하층 위에 도공한다. 하층 위에 형성된 도공막은, 공기중의 수분 등에 의해 가수분해가 진행되고, 이어서 탈수축합중합이 진행된다. 일반적으로 축합중합의 촉진에는 적당한 가열처리가 필요하고, 도공법의 프로세스에서 100℃ 이상의 온도에서 몇분 이상의 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또 경우에 따라서는 상기 열처리와 병행하여, 자외선 등의 활성광선을 도막에 조사함으로써 가교도를 보다 높일 수 있다.

희석용제로는 알코올계, 탄화수소계의 용제, 예를 들어 에탄올, 2-프로판올,부탄올, 2-메틸-1-프로판올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등이 바람직하지만, 이 외에도 자일렌, 톨루엔, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, 아세트산이소부틸 등의 극성용매도 사용할 수 있다. 이것들은 단독 또는 2종 이상의 혼합용제로 사용할 수 있다.

(1b)방사선 경화성 수지 및 열경화성 수지

본 발명의 가교중합체로는 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 원료로 하는 다관능 폴리아크릴레이트계 방사선 경화성 수지, 에테르화메틸롤멜라민 등을 원료로 하는 멜라민계 열경화성 수지, 페녹시계 열경화성 수지, 에폭시계 열경화성 수지 등의 열경화형 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 다관능 폴리아크릴레이트계 방사선 경화성 수지가 바람직하다.

방사선 경화성 수지는, 자외선이나 전자선 등의 방사선을 조사함으로써 중합이 진행되는 수지를 말하고, 단위구조 내에 2개 이상의 아크릴로일기를 갖는 다관능 아크릴레이트성분을 수지조성 중에 함유하는 아크릴계 수지를 들 수 있다.

이 아크릴계 수지를 부여하는 원료로는 구체적으로는 예를 들어 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 이소시아눌산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디메틸롤트리시클로데칸디아크릴레이트 등의 각종 아크릴레이트모노머나 폴리에스테르 변성 아크릴레이트, 우레탄 변성 아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트의 다관능 아크릴레이트올리고머 등이 바람직하게 사용된다. 이들 수지는 단독 조성으로 사용해도, 복수종의 혼합조성으로 사용해도 되고, 또 경우에 따라서는 각종 규소알콕시드의 가수분해 축합물을 조성 중에 적량 첨가하는 것도 바람직하게 실행된다.

또한 자외선조사에 의해 수지층의 중합을 실행하는 경우에는 공지된 광반응개시제가 적량 첨가된다. 광반응개시제는 예를 들어 디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-{4-(메틸티오)페닐}-2-모르폴리노프로판, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논계 화합물 ; 벤조인, 벤질디메틸케탈 등의 벤조인계 화합물 ; 벤조페논, 벤조일벤조산 등의 벤조페논계 화합물 ; 티옥산손, 2,4-디클로로티옥산손 등의 티옥산손계 화합물 등을 들 수 있다.

또 페녹시계 열경화성 수지로는 하기 식 (1) 로 표시되는 페녹시수지, 페녹시에테르수지, 페녹시에스테르수지를 다관능 이소시아네이트 화합물로 열적으로 가교시킨 수지를 들 수 있다.

식 중, R¹∼R⁶은 동일하거나 다른 수소 또는 탄소수 1∼3의 알킬기, R⁷은 탄소수 2∼5의 알킬렌기, X는 에테르기, 에스테르기, m은 0∼3의 정수, n은 20∼300의 정수를 각각 의미한다. 그 중에서도 특히 R¹, R²는 메틸기, R³∼R⁶은 수소, R⁷은 펜틸렌기의 것이, 합성이 용이하고 생산성면에서 바람직하다.

또 다관능 이소시아네이트 화합물로는 1 분자중에 이소시아네이트기를 2개 이상 함유하는 화합물이면 되고 이하의 것이 예시된다. 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트-트리메티롤프로판 어덕트체, t-시클로헥산-1,4-디이소시아네이트, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 1,3,6-헥사메틸렌트리이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 트리진디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 수첨 자일릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 수첨 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 리진디이소시아네이트, 리진에스테르트리이소시아네이트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 트리스(이소시아네이트페닐)티오포스페이트, m-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, p-테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트, 1,6,11-운데칸트리이소시아네이트, 1,8-디이소시아네이트-4-이소시아네이트메틸옥탄, 비시클로헵탄트리이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 폴리이소시아네이트 및 이들 혼합물 또는 다가 알코올 부가체 등. 이 중에서도 특히 범용성, 반응성의 관점에서 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트-트리메틸롤프로판 어덕트체, 헥사메틸렌디이소시아네이트가 바람직하다.

이 외에 반응촉진제로서 공지된 트리에틸디아민 등의 제3아민, 디부틸주석디라우레이트 등의 유기주석화합물을 적량 첨가함으로써 가교속도를 향상시킬 수 있다.

또 에폭시계 열경화성 수지로는 각종의 것을 사용할 수 있으나, 그 중에서도 하기 식 (2) 로 표시되는 노볼락형 에폭시 수지를 열적으로 가교시킨 수지가 바람직하다.

식 중, R⁸은 수소 또는 메틸기, R⁹는 수소 또는 글리시딜페닐에테르기를 나타낸다. 또 q는 1∼50까지의 정수를 나타내나, 실제로 q의 값은 일반적으로 분포되어 있어 특정하기 어려우나, 평균 수로 하여 큰 것이 바람직하고, 3 이상 나아가서는 5 이상이 바람직하다.

이와 같은 에폭시수지를 가교시키는 경화제로는 공지된 것이 적용된다. 예를 들어 아민계 폴리아미드계, 산 및 산무수물, 이미다졸, 메르캅탄, 페놀 수지 등의 경화제가 사용된다. 이들 중에서도, 산무수물 및 지환족 아민류가 바람직하게 사용되고, 더욱 바람직하게는 산무수물이다. 산무수물로는, 메틸헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산 등의 지환족 산무수물, 무수프탈산 등의 방향족산무수물, 도데세닐무수프탈산 등의 지방족 산무수물을 들 수 있으나, 특히 메틸헥사히드로무수프탈산이 바람직하다. 또한 지환족 아민으로는 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, 디아미노시클로헥실메탄, 이소포론디아민 등을 들 수 있고, 특히 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄이 바람직하다.

여기에서 경화제로서 산무수물을 사용한 경우, 에폭시수지와 산무수물의 경화반응을 촉진시키는 반응촉진제를 첨가해도 된다. 반응촉진제로는 벤지메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 피리진, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-1 등의 공지된 제2, 제3 아민류나 이미다졸류 등의 경화촉매를 들 수 있다.

가교중합체의 실제의 도공법으로는 상기 화합물 및 각종 첨가제 (경화제, 촉매 등) 를 각종 유기용제에 용해하여, 농도나 점도를 조절한 도공액을 사용하여, 하층에 도공한 후, 방사선 조사나 가열처리 등에 의해 층을 경화시킨다. 도공방법으로는 예를 들어 마이크로그라비아코트법, 마이어바코트법, 다이렉트그라비아코트법, 리버스롤코트법, 커텐코트법, 스프레이코트법, 콤마코트법, 다이코트법, 나이프코트법, 스핀코트법 등의 각종 도공방법이 사용된다.

(1c)초미립자 A (굴절율 조정용)

일반적으로 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층 또는 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지 등의 가교중합체는, 각종 코트층과의 밀착성이 양호한 것으로 알려져 있다. 그러나 가교중합체층만을 적층하여 광학간섭층을 형성한 경우, 바람직하게는 경화수지층 및 투명 도전층의 각 층간의 밀착성이 향상됨으로써 필기내구성을 향상시킬 수 있으나, 굴절율차가 적기 때문에 광학간섭층이 기능하지 않아, 고투과율인 투명 도전성 적층체를 형성할 수 없다.

따라서 본 발명에서는 광학간섭층을 형성하는 각 층에 굴절율차를 발생시키기 위해, 가교중합체층 중에 특정 입경의 특정 투명미립자 (이하 미립자 A라고 하기도 함) 를 바람직하게는 특정 첨가량으로 함유시킨다. 가교중합체로 이루어지는 광학간섭층 중에 특정 투명미립자를 첨가함으로써, 광학간섭층에 원하는 굴절율을 부여하면서, 각 층간의 밀착성, 필기내구성을 향상시킬 수 있게 된다. 단순히 미립자를 첨가하는 것만으로는, 형성한 층이 백화되는 문제가 발생하는 경우가 있으나, 본 발명에서는 광학간섭층의 양호한 밀착성을 확보하면서, 광학간섭층을 형성하는 각 층에 굴절율차를 발생시키기 위해, 미립자로서 금속산화물 및/또는 금속불화물로 이루어지는 것을 사용하고, 또한 이 미립자의 직경을 제어하여, 더욱 바람직하게는 배합비를 제어함으로써, 도막이 백화되지 않고 양호한 광학간섭층을 형성하는 것을 실현할 수 있어 본 발명이 완성된 것이다.

이와 같이 초미립자를 첨가하여 광학간섭층의 굴절율을 도막을 백화시키지 않고 조정할 수 있음으로써, 고굴절율층과 저굴절율층의 조합에 있어서, 인접층과의 밀착성이 우수한 성질을 갖고 또한 높은 굴절율차를 갖는 것이 가능해져, 필기내구성이 우수하고 또한 고투과율의 투명 도전성 적층체를 형성할 수 있다.

이와 같은 지견에 의거하여 본 발명의 제1 측면을 완성하기에 이른 것이다.

본 발명의 제1 측면에서의 광학간섭층은, 상기와 같은 가교중합체로 이루어지는 고굴절율층 및 저굴절율층 중 적어도 1층, 특히 고굴절율층에, 특정 초미립자를 첨가함으로써, 광학간섭층을 형성하는 각 층의 굴절율을 조정하는 것이다.

이 초미립자로는 본 발명에서는 1차 입자경이 100㎚ 이하인 것을 사용할 필요가 있다. 초미립자의 1차 입자경을 100㎚ 이하로 제어함으로써, 도막이 백화되지 않고 양호한 광학간섭층을 형성할 수 있다. 이와 같은 1차 입자경은 바람직하게는 80㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 60㎚ 이하이다. 또 하한은 특별히 제한되지 않지만 5㎚이다.

이와 같은 초미립자는 금속산화물 및/또는 금속불화물로 주로 구성된다. 이와 같은 금속산화물,금속불화물로는 예를 들어 Al₂O₃, Bi₂O₃, CeO₂, In₂O₃, In₂O₃ㆍSnO₂, HfO₂, La₂O₃, MgF₂, Sb₂O₅, Sb₂O₅ㆍSnO₂, SiO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, ZnO, ZrO₂를 들 수 있다.

이들 중 Bi₂O₃, CeO₂, In₂O₃, In₂O₃ㆍSnO₂, HfO₂, La₂O₃, Sb₂O₅, Sb₂O₅ㆍSnO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, ZnO, ZrO₂는 고굴절율층 중에 함유시키는 초미립자로서 바람직하고, 한편 Al₂O₃, MgF₂, SiO₂는 저굴절율층 중에 함유시키는 초미립자로서 바람직하다.

이와 같은 초미립자는 1종류로 사용해도 2종류 이상 병용하여 사용해도 된다.

초미립자와 가교중합체는 중량비율로 1:99∼80:20의 범위인 것이 바람직하고, 5:95∼80:20의 범위인 것이 보다 바람직하다. 초미립자와 가교중합체의 중량비율이 1:99 미만인 경우는 굴절율을 조정하는 효과가 없다. 또 초미립자와 가교중합체의 중량비율이 80:20을 초과하는 경우는 광학간섭층에 필요한 강도나 밀착성이 불충분해지는 경우가 있다. 이와 같은 중량비율은 30:70∼65:35의 범위가 더욱 바람직하다. 또한 초미립자와 가교중합체의 중량비율은 실제로는 초미립자와 가교중합체를 구성하는 원료를 삽입할 때의 사용량을 기준으로 하여 결정하는 것이 바람직하다.

이와 같은 초미립자를 가교중합체에 첨가하는 방법으로는, 앞에 설명한 가교중합체층을 제조하는 공정의 최초에 가교중합체의 원료에 초미립자를 혼합한 후, 앞에 설명한 바와 같이 도공하고, 가수분해 및 축합중합 또는 가교반응을 실행하면 된다.

(1d)고굴절율층 및 저굴절율층

광학간섭층은 적어도 1층의 고굴절율층과 적어도 1층의 저굴절율층으로 구성된다. 고굴절율층과 저굴절율층의 조합 단위를 2개 이상으로 할 수도 있다. 광학간섭층이 1층의 고굴절율층과 1층의 저굴절율층으로 구성되는 경우, 광학간섭층의 막두께는 30㎚∼150㎚이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎚∼150㎚이다.

광학간섭층을 형성하는 고굴절율층은, 상기와 같이 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층이나 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지로 이루어지는 가교중합체층의 단독막, 또는 금속산화물 초미립자 및/또는 금속불화물 초미립자와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층으로 형성된 막 또는 금속산화물 초미립자 및/또는 금속불화물 초미립자와 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 혼합물을 가교중합시켜 형성된 막으로, 형성된 막의 두께는 바람직하게는 15∼100㎚, 보다 바람직하게는 20∼70㎚이다. 또 고굴절율층의 굴절율은 저굴절율층의 굴절율보다 크고, 그 차가 0.2 이상인 것이 바람직하다. 또한 그 차가 0.25 이상인 것이 보다 바람직하다.

광학간섭층을 형성하는 저굴절율층은, 상기와 같이, 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층이나 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지로 이루어지는 가교중합체층의 단독막, 또는 금속산화물 초미립자 및/또는 금속불화물 초미립자와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층으로 형성된 막 또는 금속산화물 초미립자 및/또는 금속불화물 초미립자와 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 혼합물을 가교중합시켜 형성된 막으로, 형성된 막의 두께는 바람직하게는 15∼100㎚, 보다 바람직하게는 20∼70㎚이다. 또 저굴절율층의 굴절율은 1.6 이하가 바람직하다.

이와 같이 고굴절율층과 저굴절율층으로서 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층이나 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지로 이루어지는 가교중합체층을 사용한 경우, 비용면에서 유리하지만, 우수한 광학간섭효과 (원하는 굴절율차 및 투명성) 와 우수한 필기내구성을 양립시키는 것이 곤란하였으나, 본 발명에 따라 고굴절율층과 저굴절율층으로서 가교중합체층을 사용함과 동시에, 고굴절율층과 저굴절율층의 적어도 일방, 또는 고굴절율층에, 상기와 같은 초미립자를 바람직하게는 첨가량을 제어하여 첨가함으로써, 도막을 백화시키지 않고, 광학간섭효과 및 필기내구성의 양방이 양호한 광학간섭층을 형성할 수 있는 것이 발견되었다.

또한 저굴절율층이 방사선 경화성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 가교중합체로 구성되는 경우에는, 고굴절율층 중에 본 발명에 의한 초미립자 A, 미립자 B (후술함) 를 함유하고, 저굴절율층에는 미립자 (초미립자 A, 미립자 B) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다.

(1e)바람직한 고굴절율층과 저굴절율층의 조합

본 발명의 하나의 바람직한 태양에서는, 광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고, 저굴절율층은 투명 도전층과 접하여 있고, 저굴절율층은 규소알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층으로 구성되며, 고굴절율층은 주성분을 알콕시실란 이외의 금속알콕시드로 한 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 이루어지는 층으로 구성되고, 층 중에 금속산화물로 이루어지는 초미립자가 함유되어 있다. 이 고굴절율층의 금속알콕시드로서 주로 알콕시실란 이외의 것을 사용하고, 또한 초미립자를 함유함으로써, 높은 굴절율을 유지하고, 또한 투명 도전성 적층체의 필기내구성을 양호하게 할 수 있다.

알콕시실란 이외의 금속알콕시드로서, 티타늄알콕시드, 지르코늄알콕시드가 예시된다. 티타늄알콕시드 및 지르코늄알콕시드의 구체예는 앞에 서술하였다.

금속알콕시드의 주성분인 알콕시실란 이외의 금속알콕시드의 함유율은 50%∼100%인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 70%∼100%이다. 또한 함유율은 실제로는 금속알콕시드의 삽입시에서의 사용비율에 의거하여 결정하는 것이 바람직하다.

고굴절율층에 사용하는 초미립자로는 금속산화물 초미립자, 예를 들어 Bi₂O₃, CeO₂, In₂O₃, In₂O₃ㆍSnO₂, HfO₂, La₂O₃, Sb₂O₅, Sb₂O₅ㆍSnO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, ZnO, ZrO₂에서 선택된 금속산화물 초미립자가 바람직하다. 초미립자는 1종 또는 2종 이상의 조합일 수 있다.

이와 같은 조합을 채용함으로써, 층간밀착성이 우수하면서 굴절율차를 크게 할 수 있다. 바람직한 굴절율차는 적어도 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.25 이상이다.

금속산화물 초미립자와 금속알콕시드의 중량비율은 1:99∼60:40의 범위인 것이 바람직하고, 5:95∼50:50의 범위인 것이 더욱 바람직하다.

이 고굴절율층의 형성방법은, 앞에 서술한 금속알콕시드와 초미립자의 혼합물의 형성방법과 동일할 수 있다.

이 고굴절율층과 조합하여 사용하는 저굴절율층은, 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 형성되는 층으로, 이 층도 앞에 설명한 바와 같이 형성할 수 있다. 이 저굴절율층에도 필요에 따라 초미립자를 함유할 수 있다.

고굴절율층 및 저굴절율층의 막두께, 굴절율은 앞에 서술한 바와 동일한 것이 바람직하다.

(1e)제2 미립자 B (조면화용)

전술한 바와 같이 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작을 회피하는 수단으로서, 경화수지층 중에 평균 1차 입자경이 경화수지층의 막두께보다 큰 미립자를 첨가함으로써 투명 도전층 표면을 조면화하는 방법에서는, 투명 터치패널을 통해 관찰했을 때의 고정세 컬러 액정화면의 표시품위가 저하된다.

따라서 본 발명자들은 투명 도전층 표면을 조면화하는 방법으로서, 경화수지층보다 막두께가 얇은 광학간섭층을 형성하는 고굴절율층 또는 저굴절율층 중 적어도 일방의 층 중에 미립자 (이하 미립자 B라고도 함) 를 첨가하면, 경화수지층 중에 미립자를 첨가하는 경우보다 평균 1차 입자경이 작은 미립자를 사용해도 투명 도전층 표면을 조면화할 수 있는 것을 발견하였다.

또한 첨가하는 미립자의 평균 1차 입자경 및 첨가량을 제어함으로써 액정에서 나온 RGB 삼원색광의 산란에 의한 번쩍임이 발생하지 않는 범위에서 투명 도전층 표면을 조면화할 수 있는 것을 발견하였다. 이와 같이 하여 투명 도전층 표면을 조면화한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 관찰한 액정화면의 표시품위는, 경화수지층 중에 실질적으로 미립자를 함유하지 않고 투명 도전층 표면이 평탄한 종래의 투명도전상 적층체를 사용한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치한 경우와 동등하게 양호한 것을 확인하였다.

또한 광학간섭층을 구성하는 고굴절율층 또는 저굴절율층의 적어도 일방의 층 중에 미립자를 첨가함으로써 투명 도전층 표면을 조면화한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치패널에서는, 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층끼리 달라붙는 현상에 의한 오동작이 없는 것도 확인하였다.

이렇게 하여 본 발명의 제2 측면에 의하면, 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하여, 투명 터치패널을 통해 액정화면을 관찰했을 때에 액정화면의 표시품위가 저하되지 않고, 투명 터치패널을 형성하는 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 오동작을 일으키지 않고, 또한 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성 등의 고신뢰성을 확보할 수 있는 투명 도전성 적층체 및 투명 터치패널을 제공할 수 있게 되었다.

또 광학간섭층을 구성하는 고굴절율층과 저굴절율층의 적어도 일방에 첨가하는 미립자 B의 첨가량을, 미립자 B가 첨가된 층을 구성하는 가교중합체, 바람직하게는 금속알콕시드 성분의 0.5중량% 이하로 함으로써, 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작 억제효과를 손상시키지 않고 백탁이 없는 양호한 광학간섭층을 형성할 수 있다.

미립자 B를 과잉으로 광학간섭층을 구성하는 고굴절율층과 저굴절율의 적어도 일방에 첨가한 경우, 첨가한 미립자가 탈락되기 쉬워지는 점이나, 광학간섭층과 경화수지층 사이의 밀착성이 저하되어 터치패널에 요구되는 필기내구성의 신뢰성을 손상시키는 경우가 있다. 미립자 B는 고굴절율층에만 함유되어 있거나, 고굴절율층과 저굴절율층의 양방에 함유되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 광학간섭층을 구성하는 고굴절율층과 저굴절율층의 적어도 일방에 첨가하는 미립자 B로서는 무기재료 및 유기재료의 어느 것이어도 되고, 굴절율도 특별히 한정되지 않는다 (고굴절율층과 저굴절율층의 굴절율에 근접한 것이 바람직하지만). 예를 들어 실리카 미립자, 가교 아크릴 미립자, 가교폴리스틸렌 미립자 등을 들 수 있다.

이 미립자 B의 평균 1차 입자경은, 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이면서 평균 1차 입자경이 1.2㎛ 이하이다. 이 미립자의 평균 1차 입자경이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 미만인 경우, 투명 도전층 표면을 조면화하는 것은 곤란하다. 한편, 이 미립자의 평균 1차 입자경이 1.2㎛를 초과하는 경우, 광학간섭층을 구성하는 고굴절율층과 저굴절율층의 적어도 일방에 이와 같은 미립자를 첨가한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하여, 투명 터치패널을 통해 액정화면을 관찰했을 때에, 액정화면은 번쩍여 보여 표시품위가 저하된다. 또한 이 미립자의 평균 1차 입자경이 1.2㎛를 초과하는 경우, 미립자를 첨가하고 있는 광학간섭층의 막두께보다 평균 1차 입자경이 최대한 커지기 때문에, 첨가한 미립자가 광학간섭층으로부터 탈락되기 쉽고, 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성 등의 신뢰성을 확보하는 것이 곤란해진다.

광학간섭층은 적어도 1층의 고굴절율층과 적어도 1층의 저굴절율층으로 구성된다. 고굴절율층과 저굴절율층의 조합 단위를 2개 이상으로 할 수도 있다. 광학간섭층이 1층의 고굴절율층과 1층의 저굴절율층으로 구성되는 경우, 광학간섭층의 막두께는 30㎚∼150㎚이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎚∼150㎚이다. 이 광학간섭층을 형성하는 고굴절율층 또는 저굴절율층의 적어도 1층 중에 첨가하는 미립자 B의 평균 1차 입자경은 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이면서 1.2㎛ 이하이고, 바람직하게는 0.3㎛ 이상 1.2㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 1.0㎛ 이하이다.

광학간섭층, 특히 고굴절율층 중에는 굴절율을 조정하는 목적에서, 전술한 (본 발명의 제1 측면) 바와 같이, 금속산화물 및/또는 금속불화물로 이루어지는 평균 1차 입자경이 100㎚ 이하인 미립자 A (상기 초미립자) 를 단독 또는 2종류 이상 적당량 첨가할 수 있으나 첨가하지 않아도 된다.

광학간섭층 중에 미립자 A를 첨가하는 경우, 미립자 A와 금속알콕시드의 중량비율은 0:100∼60:40인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0:100∼80:20, 더욱 바람직하게는 0:100∼40:60이다. 미립자 B와 금속알콕시드의 중량비율이 80:20을 초과하는 경우는 광학간섭층에 필요한 강도나 밀착성이 부족한 경우가 있어 바람직하지 않다.

이 미립자 A에 관한 기타 사항은 앞에서 초미립자에 대해 설명한 것과 동일할 수 있다.

(2) 경화수지층

본 발명의 투명 도전성 적층체에 있어서는, 광학간섭층과 유기 고분자 필름의 사이에 경화수지층을 형성할 수 있다. 경화수지층은 내마모성, 가요성 등의 형상에 기여할 수 있는 층이다. 이와 같은 경화수지층을 형성하기 위한 재료로는, 열경화형수지, 자외선 등의 방사선 경화형 수지 등의 경화성 수지를 사용할 수 있다. 경화수지의 구체예로는 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등을 원료로 한 오르가노실란계의 열경화형 수지, 에테르화 메틸롤 멜라민 등을 원료로 한 멜라민계 열경화형 수지, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 원료로 한 다관능 아크릴레이트계 자외선 경화형 수지 등을 들 수 있다.

이와 같은 경화수지층은 통상 광학간섭층이 형성되는 표면이 평탄성이 풍부해도 되고, 조면화되어 있어도 된다. 조면화시키는 경우에는, 경화수지층내에 예를 들어 실리카 미립자 등을 함유시켜도 된다. 단, 본 발명의 제2 측면을 이용하는 경우는, 광학간섭층이 형성되는 표면은 조면화시킬 필요가 없고, 바람직하게는 평탄할 수 있다. 즉, 본 발명의 제2 측면을 이용하는 경우는, 본 발명의 투명 도전성 적층체에서 광학간섭층과 유기 고분자 필름 사이에 있는 경화수지층은, 실질적으로 미립자를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 경화수지층 중에 평균 1차 입자경이 경화수지층의 막두께보다 큰 미립자를 첨가한 경우에는, 가동전극기판, 고정전극기판의 양 투명 도전층 표면끼리 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작을 회피하는 효과가 있으나, 투명 터치패널을 통해 관찰했을 때의 고정세 컬러 액정화면의 표시품위가 저하되는 문제가 있다. 또 평균 1차 입자가 경화수지층의 막두께보다 작은 미립자를 첨가한 경우에는, 상기 달라붙는 현상에 의한 투명 터치패널의 오동작을 회피하는 효과가 없을 뿐만 아니라 미립자 크기에 따라서는 동일하게 투명 터치패널을 통해 관찰했을 때의 고정세 컬러 액정화면의 표시품위가 저하되는 문제가 있다. 단, 투명 터치패널을 통해 관찰했을 때의 고정세 컬러 액정화면의 표시품위를 방해하지 않는 범위의 미립자를 함유하는 것은 상관없다.

한편, 가동전극기판과 고정전극기판 사이의 간섭무늬 발생방지를 목적으로한 경우에는 투명 도전층 표면에 돌기를 형성하는 것이 바람직하다. 간섭무늬의 발생을 방지하는 목적으로 한 경우의 바람직한 표면의 형상은, 평균돌기높이가 0.3∼1㎛ 범위이고, 또한 돌기밀도가 350∼1800개/㎟ 범위이다. 경화수지층에 표면을 이와 같은 형상으로 한 투명 도전성 적층체를, 터치패널의 가동전극기판 및/또는 고정전극기판에 사용한 경우, 가동전극기판이 휘어 고정전극기판에 접근했다 해도 양 투명 도전층 사이에서 간섭무늬가 발생하는 것이 우선 없기 때문에, 디스플레이의 표시화면이 보기 쉬워진다. 또한 평균돌기높이가 0.3㎛ 미만의 경우나 돌기밀도가 350개/㎟ 미만에서는 간섭무늬의 발생을 방지하는 효과가 작다. 또 평균돌기높이가 1㎛를 초과하면 펜 입력 내구성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 돌기밀도가 1800개/㎟를 초과하면, 투명 도전성 적층체의 헤이즈가 증가되어 디스플레이의 문자가 흐려져 보기 어려워지는 문제가 있어 바람직하지 않다. 물론 달라붙음을 방지하는 것만이 목적인 경우에는, 평균돌기높이가 0.3㎛ 미만이어도 돌기밀도가 350개/㎟ 미만이어도 된다.

여기에서 평균돌기높이, 돌기밀도는 이하와 같이 하여 구하였다. 리얼타임 주사형 레이저 현미경 (레이저 테크 코포레이션 제조, 1LM21D) 을 사용하여, 가로 세로 250㎛의 시야내의 돌기를 무작위로 10∼20개 골라, 각 돌기의 높이를 측정한 후, 평균돌기높이를 산출하였다. 또 동 시야내의 돌기의 수로부터 돌기밀도 (단위면적당 돌기수) 를 산출하였다.

경화수지층의 두께는 가요성, 내마찰성면에서 2∼5㎛가 바람직하다.

경화수지층은 도공법에 의해 형성할 수 있다. 실제의 도공법으로는, 상기 화합물 및 각종 첨가제 (경화제, 촉매 등) 를 각종 유기용제에 용해하여, 농도나 점도를 조절한 도공액을 사용하여, 유기 고분자 필름상에 도공한 후, 방사선 조사나 가열처리 등에 의해 층을 경화시킨다. 도공방식으로는 예를 들어 마이크로그라비아코트법, 마이아바코트법, 다이렉트그라비아코트법, 리버스롤코트법, 카텐코트법, 스프레이코트법, 콤마코트법, 다이코트법, 나이프코트법, 스핀코트법, 닥터나이프법, 침지법 등의 각종 도공방법이 이용된다.

또한 경화수지층은 유기 고분자 필름상에 직접, 또는 적당한 앵커층을 통해 적층된다. 이러한 앵커층으로는 예를 들면, 경화수지층과 유기 고분자 필름의 밀착성을 향상시키는 기능을 갖는 층이나, K값 (K={(n_x+n_y)/2-n_z}×d, 단 n_x, n_y, n_Z은 각각 x축, y축, z축 방향의 굴절율을 나타내고, x축, y축이 필름평면내의 직교축, z축은 필름 막두께 방향임) 이 음의 값이 되는 삼차원 굴절율 특성을 갖는 층 등의 각종 위상보상층, 수분이나 공기의 투과를 방지하는 기능 또는 수분이나 공기를 흡수하는 기능을 갖는 층, 자외선이나 적외선을 흡수하는 기능을 갖는 층, 기판의 대전성을 저하시키는 기능을 갖는 층 등을 바람직하게 들 수 있다.

(3) 유기 고분자 필름

본 발명에 사용되는 유기 고분자 필름을 구성하는 유기 고분자 화합물로는, 내열성이 우수한 투명한 유기고분자이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르-2,6-나프탈레이트, 폴리디알릴프탈레이트등의 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리술폰 수지, 폴리알릴레이트 수지, 아크릴 수지, 셀룰로오스아세테이트 수지, 환상 폴리올레핀, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 물론 이들은 호모폴리머, 코폴리머로서 또는 단독 또는 블렌드로도 사용할 수 있다. 또 이들 수지로 형성된 유기 고분자 필름을 2장 이상 점착제 등으로 접합하여 적층시킨 유기 고분자 필름으로 해도 사용할 수 있다.

본 발명의 투명도전 적층체를 투명 터치패널의 가동전극기판으로 사용하는 경우에는, 투명 터치패널을 스위치로 동작시키기 위한 가요성과 평탄성을 유지하기 위한 강도면에서, 유기 고분자 필름의 기판형상으로서의 두께는 75∼400㎛의 필름형상의 것이 바람직하다. 고정전극기판으로 사용하는 경우는 평탄성을 유지하기 위해 강도면에서 두께 0.4∼4.0㎜의 시트형상의 것이 바람직하나, 두께 50∼400㎛의 필름상의 것을 다른 시트와 접합하여, 전체 두께를 0.4∼4.0㎜가 되는 구성으로 하여 사용해도 된다.

본 발명의 투명도전 적층체를 투명 터치패널의 가동전극기판으로 사용한 경우에는, 고정전극기판에는 상기 유기 고분자 필름 기판, 유리기판 또는 이들 적층체 기판 상에 투명 도전층을 형성한 것을 사용해도 된다. 투명 터치패널의 강도, 중량면에서 단층 또는 적층체로 이루어지는 고정전극기판의 두께는 0.4∼2.0㎜가 바람직하다.

또 최근에는 투명 터치패널의 입력측 (사용자측) 의 면에 편광판 또는, (편광판+위상차 필름) 을 적층한 구성의 새로운 타입의 투명 터치패널이 개발되고 있다. 이 구성의 이점은 주로 상기 편광판 또는, (편광판+위상차 필름) 의 광학작용에 의해, 투명 터치패널 내부에서의 외래광의 반사율을 절반 이하로 저감하고, 투명 터치패널을 설치한 상태에서의 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키는 것에 있다.

이와 같은 타입의 투명 터치패널에서는, 편광이 투명도전 적층체를 통과하는 점에서, 유기 고분자 필름으로서 광학등방성이 우수한 특성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 기판의 지상축방향의 굴절율을 n_X, 진상축방향의 굴절율을 n_y, 기판의 두께를 d (㎚) 로 한 경우에, Re=(n_x-n_y)×d(㎚)로 표시되는 면내 리타데이션값 Re 이 적어도 30㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한 여기에서 기판의 면내 리타데이션값은 다파장 복굴절율 측정장치 (닛뽕분꼬우 주식회사 제조 M-150) 를 사용하여 측정한 파장 590㎚에서의 값으로 대표한다.

상기에 예시한 투명 도전성 적층체를 편광이 통과하는 타입의 투명 터치패널의 용도에서는 투명전극기판의 면내 리타데이션값이 매우 중요하지만, 이것에 첨가하여 투명전극기판의 삼차원 굴절율 특성, 즉 기판의 막두께 방향의 굴절율을 n_z로 했을 때에 K={(n_x+n_y)/2-n_z}×d로 표시되는 K값이 -250∼+150㎚인 것이 바람직하고, -200∼100㎚의 범위에 있는 것이 투명 터치패널의 우수한 시야각 특성을 얻는 데에 보다 바람직하다.

이들 광학등방성이 우수한 특성을 나타내는 유기 고분자 필름으로서는, 예를들어 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 비정성 폴리올레핀 및 이들 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등의 성형기판, 에폭시계 수지 등의 열경화형 수지의 성형기판이나 아크릴수지 등의 자외선 경화성 수지의 성형기판 등이 예시된다. 성형성이나 제조비용, 열적안정성 등의 관점에서, 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 비정성 폴리올레핀 및 이들 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등의 성형기판을 가장 바람직하게 들 수 있다.

보다 구체적으로는 폴리카보네이트로는 예를 들어 비스페놀 A, 1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 3,3,5-트리메틸-1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 플루오렌-9,9-디(4-페놀), 플루오렌-9,9-디(3-메틸-4-페놀) 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 모노머 단위로 하는 중합체나 공중합체 또는 이들 혼합물로, 평균분자량이 대략 15000∼100000 범위의 폴리카보네이트 (상품으로는 예를 들어 테이진주식회사 「퓨어에스」, 테이진카세이주식회사 제조 「판라이트」나 바이엘사 제조 「Apec HT 등이 예시됨) 의 성형기판이 바람직하게 사용된다.

또 비정성 폴리알릴레이트로는 상품으로서 가네가후찌 화학공업주식회사 제조의 「에르메크」, 유니치카주식회사 제조의 「U폴리머」, 이소노바사 제조의 「이사릴」 등의 성형기판이 예시된다.

또 비정성 폴리올레핀으로는 상품으로서 닛뽕제온 주식회사 제조의 「제오노아」나 JSR주식회사 제조의 「아톤」등의 성형기판이 예시된다.

또 이들 고분자재료의 성형방법으로는 용융압출법이나 용액유연법, 사출성형법 등의 방법이 예시되지만, 우수한 광학등방성을 얻는 관점에서는, 특히 용액유연법을 이용하여 성형하는 것이 바람직하다.

(4) 투명 도전층

본 발명에 있어서는, 상기 저굴절율층 상에 접하여 투명도전막이 형성된다. 상기 저굴절율층에 접하여 투명도전막을 형성함으로써, 투명 도전성 적층체의 광학특성, 필기내구성 등의 기계특성이 향상된다. 여기에서 투명 도전층으로는 산화주석을 2∼20중량% 함유하는 ITO막이나 안티몬 또는 불소 등을 도프한 산화주석막이 있다. 투명 도전층의 형성방법으로는 스퍼터링법, 진공증착법, 이온플레이팅법 등의 PVD법 또는 도공법, 인쇄법, CVD법이 있으나, PVD법 또는 CVD법이 바람직하다. PVD법 또는 CVD법의 경우, 투명 도전층의 두께는, 투명성과 도전성면에서 5∼50㎚이 바람직하다. 또한 투명 도전층으로서 주로 결정질의 산화인듐으로 이루어지는 막이 보다 바람직하다. 특히 결정입경이 2000㎚ 이하인 주로 결정질의 인듐산화물로 이루어지는 층이 바람직하게 사용된다. 결정입경이 2000㎚을 초과하면 펜 입력 내구성이 나빠지기 때문에 바람직하지 않다. 광학특성 및 저항값의 안정성면에서 막두께는 12∼30㎚가 보다 바람직하다. 투명 도전층의 막두께가 12㎚ 미만에서는 시간의 경과에 따라 저항값의 안정성이 떨어지는 경향이 있고, 또 30㎚을 초과하면 투명 도전성 적층체의 투과율이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 터치패널의 소비전력저감과 회로처리상의 필요 등으로부터, 막두께 12∼30㎚에서 표면저항값이 100∼2000Ω/?, 보다 바람직하게는 140∼2000Ω/?의 범위를 나타내는 투명 도전층을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 주로 결정질의 인듐산화물로 이루어지는 층에는, 투명성 향상, 표면저항값의 조정 등의 목적에서, 산화주석, 산화규소, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화아연 등의 금속산화물을 1종 또는 2종 이상 첨가할 수 있다. 특히 결정질의 인듐주석 산화물 (ITO) 은 투명성, 도전성이 우수하여 바람직하게 사용된다.

상기 결정입경 2000㎚ 이하의 주로 결정질의 인듐산화물로 이루어지는 층을 얻는 방법의 일례로서, 결정질의 인듐주석 산화물 막을 얻는 방법을 이하에 나타낸다. 먼저 미소한 결정핵을 함유하는 비정질의 인듐주석산화물 막을 스퍼터링법, 이온블레이팅법, 진공증착법, 등의 공지된 PVD법을 이용하여 적층한다. 다음에 100∼150℃의 온도에서 어닐처리하여 미소한 결정핵을 중심으로 하여 결정성장시킨다. PVD법에 의한 형성조건에 의존하여, 예를 들어 최소입경 10㎚이고 최대입경 300㎚의 범위에 결정입경이 분포되어 있는 막 또는 최소입경 250㎚이고 최대입경 2000㎚의 범위에 결정입경이 분포되어 있는 막이 얻어진다. 이와 같은 막을 본 발명의 투명 도전층으로 사용함으로써 펜 입력 내구성이 향성되는 점에서, 결정입경이 분포되는 막 구조이기 때문에 펜 입력시에 투명 도전층에 가해지는 응력이 결정입계에서 완화되어, 투명 도전층 자체의 막강도가 향상되어 있는 것으로 추측된다. 여기에서 결정입경이란, 투과형 전자현미경 (TEM) 하에서 관측되는 다각형상 또는 긴원형의 각 영역에서의 대각선 또는 직경 중에서 최대의 것으로 정의한다.

(5) 다른 1면의 경화수지층

본 발명의 투명 도전성 적층체를 가동전극기판으로 사용한 경우에는, 투명 터치패널에서 외력이 가해지는 면에는, 경화수지층을 형성하는 것이 바람직하다. 경화수지층을 형성하기 위한 재료로는, 예를 들어 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등을 원료로 한 오르가노실란계의 열경화성 수지나 에테르화 메틸롤멜라민 등을 원료로 한 멜라민계 열경화성 수지, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 원료로 한 다관능 아크릴레이트계 자외경화성 수지 등이 있고, 필요에 따라 실리카 초미립자 등을 혼합한 것을 사용할 수 있다. 경화수지층의 두께는, 가요성, 내마모성의 면에서 2∼5㎛가 바람직하다.

(6) 중간층

본 발명의 투명 도전성 적층체는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 이 투명 도전성 적층체를 구성하는 각 층, 즉 유기 고분자 필름과 경화수지층 사이, 경화수지층과 광학간섭층 사이에 접착층 등의 중간층을 가질 수도 있다.

예를 들어 경화수지층은 유기 고분자 필름상에 직접, 또는 적당한 앵커층을 통해 적층된다. 이러한 앵커층으로는 예를 들어 이 경화수지층과 유기 고분자 필름의 밀착성을 향상시키는 기능을 갖는 층이나, K값이 음의 값이 되는 삼차원 굴절율 특성을 갖는 층 등의 각종 위상보상층, 수분이나 공기의 투과를 방지하는 기능 또는 수분이나 공기를 흡수하는 기능을 갖는 층, 자외선이나 적외선을 흡수하는 기능을 갖는 층, 기판의 대전성을 저하시키는 기능을 갖는 층 등을 바람직하게 들 수 있다.

(7) 적층 타입 유기 고분자 필름 기판

본 발명의 투명 도전성 적층체를 터치패널의 가동전극기판으로 사용한 경우, 터치패널의 손가락 입력 내구성 (타점특성), 펜 입력 내구성 (펜 슬라이딩성), 고온 또는 고온고습 환경하에서의 신뢰성을 향상시키기 위해, 유기 고분자 필름의 투명 도전층과 반대측의 면에 유기 고분자 필름보다 영률이 낮은 투명 탄성층을 통해 투명기재를 적층하는 구성을 채용할 수 있다.

도2에 이 태양의 투명 도전성 적층체의 구성예를 나타낸다. 도2에서 도1과 동일한 부재는 도1과 동일한 참조부호로 나타낸다. 즉, 유기 고분자 필름 (1), 경화수지층 (2), 고굴절율층 (3), 저굴절율층 (4), 투명 도전층 (5), 경화수지층 (6) 이다. 이 태양에서는 기판 필름은 유기 고분자 필름 (1) 과 투명기재 (8) 사이에 투명 탄성층 (7) 을 사이에 끼우는 형상으로 적층되어 구성되고, 그 양면에 경화수지층 (2, 6) 이 형성되어 있다.

본 발명에 바람직하게 사용되는 투명 탄성층으로는, 투명성이 높고, 이 투명고분자 필름보다 영률이 낮고, 이 투명고분자 필름 및 이 투명기재의 쌍방에 밀착성이 좋은 재료인 것이 바람직하다. 펜 입력시의 충격을 완충시키기 위해서는, 이 투명 탄성층의 영률을 이 투명고분자 필름의 영률보다 작게 할 필요가 있다. 그러나 극단적으로 영률이 적은 경우에는 투명 도전성 적층체의 펀칭, 슬릿 등의 가공공정에서 이 투명 탄성층이 나이프에 부착되어 이물 결점의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다. 바람직한 영률의 범위는 투명 고분자 필름의 영률의 약 1/5∼1/80이다. 예를 들어 투명 고분자 필름이 폴리에틸렌테레프탈레이트필름의 경우에는, 이 투명 탄성층의 영률은 7 ×10⁷∼1 ×10⁹㎩가 된다.

이 투명 탄성층의 영률은 초미소 압입 높이 시험지 (Nano Indentation Tester, 주식회사 에리오닉스제, ENT-1100a) 로 측정한다. 이 투명 탄성층의 표면 (투명고분자 필름과 반대측) 에 삼각추 압자 (능간 각 115도, 다이아몬드) 를 하중 15mgf (147μN) 에서 0.5㎛의 깊이까지 밀어넣어, 하중을 제거했을 때의 그래프의 기울기로부터 영률을 계산한다.

이 투명 탄성층의 두께는 5∼45㎛, 바람직하게는 10∼40㎛이다. 5㎛ 미만에서는 펜 입력시의 충격을 완충시키는 효과는 작고, 또 45㎛를 초과하면 투명 도전성 적층체의 펀칭, 슬릿 등의 가공공정에서 이 투명 탄성층이 나이프에 부착되어 이물 결점의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다.

이 투명 탄성층에 사용되는 재료로는, 예를 들어 폴리에스테르계 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지가 있다. 그 중에서도 실리콘계 수지가 터치패널 제작공정이나 고온환경하에 방치되었을 때의 영률의 변화가 적은 점에서 바람직하다.

(8) 터치패널

이렇게 하여 본 발명의 투명 도전성 적층체는, 적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2장의 투명전극기판이, 상호 투명 도전층끼리 대향하도록 배치되어 구성된 투명 터치패널에 있어서, 투명전극기판의 적어도 1장으로 사용할 수 있다. 구체적으로는 후술하는 실시예에서 명확해진다.

도3에 본 발명의 투명 도전성 적층체를 사용한 터치패널의 구성예를 나타낸다.

도1, 도2에 나타낸 바와 같은 투명 도전성 적층체 P, R 은 일방의 전극기판으로 사용된다. 도3에서는 도2의 투명 도전성 적층체 R을 가동전극기판으로 하고, 그 투명도전막 (5) 에 대향하는 형태로, 유리기판 (9) 의 표면에 투명도전막 (10) 이 형성되고, 또한 그 표면에 도트 스페이서 (11) 가 형성되어 있는 고정전극기판 F가 배치되어, 터치패널이 구성된다. 가동전극기판 R과 고정전극기판 F 사이의 스페이스는 스페이서 (도시생략) 를 이용하여 통상 10∼100㎛ 간격으로 설정되어 있다. 이 가동전극기판을 그 표면상으로부터 손가락 또는 붓 (펜)으로 누르면, 그 누른 위치에 가동전극기판 R과 고정전극기판 F 사이에서 접점이 생기므로, 그 입력위치를 전위차로 검출할 수 있게 된다. 도트 스페이서 (11) 는 가동전극기판 R 이 휘어 자연력으로 고정전극기판과 접촉되는 것을 방지하나, 손가락 또는 펜으로 입력할 수 있게 하기 위해 설치하는 것으로서 필수는 아니다.

도4는 터치패널을 액정표시장치에 장착한 예를 나타낸다. 도4에서 상대하는 가동전극기판 (13) 과 고정전극기판 (14) 으로 이루어지는 터치패널 (15) 이, 액정표시장치 (19) 위에 설치되어 있다. 액정표시장치 (23) 는 전형적으로는 내측 표면에 투명전극 (18, 20) 이 설치된 2장의 유리기판 (17, 21) 사이에 액정층 (19) 이 끼워지고, 또한 유리기판 (17, 21) 의 외측에 편광판 (16, 22) 이 배치되어 구성되어 있다. 물론 액정표시장치의 구체적 구성은 이 예에 한정되지 않고, 또 예를 들어 편광자가 액정표시장치가 아니라 터치패널측에 배치되는 구성예등도 있다.

(1) 유기 고분자 필름에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체에 있어서,

유기 고분자 필름의 적어도 편면에 광학간섭층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고,

광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고 또한 이 저굴절율층이 투명 도전층과 접하고,

고굴절율층 및 저굴절율층은 가교중합체로 이루어지고, 또한 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방은, 1차 입자경이 100㎚ 이하인 금속산화물 및/또는 금속불화물의 초미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.

(2) 상기 금속산화물 및/또는 금속불화물로서 Al₂O₃, Bi₂0₃, Ce0₂, In₂O₃, In₂O₃ㆍSnO₂, HfO₂, La₂O₃, MgF₂, Sb₂O₅, Sb₂O₅ㆍSnO₂, SiO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, Zn0 및 ZrO₂로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용한 상기 (1) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(3) 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방의 가교중합체는 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것인 상기 (1) (2) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(4) 상기 초미립자와 상기 금속알콕시드의 중량비율이 5:95∼80:20인 상기 (3) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(5) 상기 고굴절율층이 상기 초미립자와 알콕시실란의 중량비율이 5:95∼80:20으로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성한 것인 상기 (4) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(6) 상기 고굴절율층은 상기 초미립자와 금속 알콕시드의 중량비율이 1:99∼60:40으로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속 알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속 알콕시드를 주성분으로 하는 것인 상기 (3) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(7) 상기 고굴절율층이 상기 초미립자와 상기 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 중합비율이 5:95∼80:20인 혼합물로 이루어지는 상기 (1) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(8) 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방의 상기 가교중합체가 열경화성 수지 또는 방사선 경화형 수지인 상기 (1) (2) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(9) 고굴절율층과 저굴절율층의 굴절율차가 0.2 이상인 상기 (1)∼(8)에 기재된 투명 도전성 적층체.

(10) 상기 고굴절율층과 상기 저굴절율층의 적어도 일방에 평균 1차 입자경이 이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이고 또한 평균 1차 입자경이 1.2㎛ 이하인 제2 미립자를 함유하고, 상기 제2 미립자의 함유량은 이 제2 미립자를 함유하는 고굴절율층 및/또는 저굴절율층을 형성하는 가교중합체 성분의 0.5중량% 이하로 한 상기 (1)∼(9) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(11) 상기 유기 고분자 필름과 상기 광학간섭층 사이에 경화수지층을 갖는 상기 (1)∼(10) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(12) 상기 경화수지층은 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지로 이루어지고 또한 막두께가 2∼5㎛인 상기 (1)∼(11) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(12) 상기 경화수지층은 제3 미립자를 함유하는 상기 (11) (12) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(14) 상기 고굴절율층은 상기 초미립자와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속알콕시드를 주성분으로 하는 것이고, 저굴절율층은 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 초미립자는 TiO₂이고, 상기 제3 미립자가 실리카입자인 상기 (1) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(15) 상기 유기 고분자 필름의 상기 광학간섭층과 반대측의 면에, 이 유기 고분자 필름보다 영률이 작은 투명 탄성층을 통해, 투명기재가 적층되어 있는 상기 (1)∼(14) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(16) 유기 고분자 필름에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체에 있어서,

상기 광학간섭층은 가교중합체로 구성되고, 상기 고굴절율층과 상기 저굴절율층의 적어도 일방에 평균 1차 입자경이 이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이고 또한 평균 1차 입자경이 1.2㎛ 이하의 미립자 B를 함유하고, 상기 미립자 B의 함유량은 이 미립자 B를 함유하는 고굴절율층 및/또는 저굴절율층을 형성하는 가교중합체 성분의 0.5중량% 이하로 한 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.

(17) 가교중합체는 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것 또는 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지인 상기 (16) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(18) 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방이 평균 1차 입자경이 100㎚ 이하의 초미립자 A를 (초미립자 A) : (가교중합체) 의 중량비율이 0:100∼80:20으로 함유하는 상기 (16) (17) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(19) 상기 고굴절율층이, 상기 초미립자 A와 상기 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 중합비율이 5:95∼80:20인 혼합물로 이루어지는 상기 (18) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(20) 상기 유기 고분자 필름과 상기 광학간섭층 사이에 경화수지층을 갖는 상기 (16)∼(19) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(21) 상기 경화수지층은 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지로 이루어지고 또한 막두께가 2∼5㎛인 상기 (20) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(22) 상기 경화수지층은 이 경화수지층의 두께보다 큰 미립자를 함유하지 않은 상기 (20) (21) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(23) 상기 고굴절율층은 상기 미립자 B와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속알콕시드를 주성분으로 하는 것이고, 저굴절율층은 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 미립자 B는 실리카인 상기 (16) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(24) 상기 유기 고분자 필름의 상기 광학간섭층과 반대측의 면에, 이 유기 고분자 필름보다 영률이 작은 투명 탄성층을 통해, 투명기재가 적층되어 있는 상기(16)∼(23) 에 기재된 투명 도전성 적층체.

(25) 적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2장의 투명전극기판이 상호 투명 도전층끼리 대향하도록 배치되어 구성된 터치패널에 있어서, 적어도 일방의 투명전극기판으로서 상기 (1)∼(24) 에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 투명 터치패널.

(26) 가동전극기판 및 고정전극기판의 양방에 상기 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 상기 (25) 에 기재된 투명 터치패널.

이하 본 발명의 구체예를 들어 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.

이하의 실시예에서 리니얼리티, 영률, 평균 1차 입자경의 측정방법은 다음과 같다.

리니얼리티

가동전극기판상 또는 고정전극기판 상의 평행전극간에 직류전압 5V를 인가한다. 평행전극과 수직 방향으로 5㎜ 간격으로 전압을 측정한다. 측정개시위치 A의 전압을 EA, 측정종료위치의 전압 B의 전압을 EB, A로부터의 거리 X에서의 전압실측값 EX, 이론값을 ET, 리니얼리티를 L로 하면,

ET=(EB-EA)ㆍX(B-A)+EA

L(%)=(┃ET-EX┃)/(EB-EA)100

영률

초미소 압입 경도시험기 (Nano Indentation Tester, 주식회사 엘리오닉스 제조, ENT-1100a) 를 사용하여 측정한다. 투명 탄성층의 표면에 삼각추 압자 (능간 각 115°, 다이아몬드) 를 하중 15mgf (1.47μN) 에서 0.5㎛의 깊이까지 밀어넣어, 하중을 제거했을 때의 그래프의 기울기로부터 영률을 계산한다.

미립자의 평균 1차 입자경

미립자의 평균 1차 입자경은 레이저 회절 산란식 입도분포 측정장치를 사용하여 측정하였다.

[실시예 1]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다.

γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 (신에쓰화학사 제조 「KBM403」)과 메틸트리메톡시실란 (신에쓰화학사 제조 「KBM13」) 을 1:1의 몰비로 혼합하여, 아세트산수용액 (pH=3.0) 에 의해 공지된 방법으로 상기 실란을 가수분해하였다. 이렇게 하여 얻은 실란의 가수분해물에 대해, 고형분의 중량비율 20:1의 비율로 N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란 (신에쓰화학사 제조 「KBM603」) 을 첨가하고, 다시 이소프로필알코올과 n-부탄올의 혼합용액으로 희석하여, 알콕시실란 도공액 A를 제조하였다.

이어서 도공액 A중에 1차 입자경이 20㎚인 ZnO 미립자를 ZnO 미립자와 알콕시실란의 중량비율이 75:25가 되도록 혼합한 도공액 B를 제조하였다. 경화수지층 (1) 과 반대면의 PET면 위에 도공액 B를 바코터법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코터법에 의해 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 산화인듐과 산화주석이 중량비 9:1의 조성으로 충전밀도 98%의 산화인듐-주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해ITO층을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.3%, 헤이즈값은 2.4%이었다.

한편, 두께 1.1㎜ 유리판의 양면에 SiO₂딥코트를 실행한 후, 동일한 방법으로 두께 18㎚의 ITO막을 형성하였다. 다음에 ITO막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써 고정전극기판을 제작하였다. 제작한 고정전극기판과 가동전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터 선단이 0.8R의 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 결과를 표1에 나타낸다.

[실시예 2]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 평균 1차 입자경 4.0㎛의 실리카 입자를 수지고형분 100중량부에 대해 0.1중량부의 비율로 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성하였다. 또한 이하의 실시예에서도 경화수지층에서 실리카 입자를 첨가한 예에서는 전부 이 구성이다.

실시예 1 에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 50㎚의 SnO₂미립자를 SnO₂미립자와 알콕시실란의 중량비율이 50:50이 되도록 혼합한 도공액 C를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 C를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 실시예 1에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 90㎚인 MgF₂미립자를 MgF₂미립자와 알콕시실란의 중량비율이 10:90이 되도록 혼합한 도공액 D를 제작하였다. 도공액 D를 이 고굴절율층 상에 바코트법에 의해 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 스퍼터링 타겟으로서 인듐과 주석이 중량비 9:1의 조성으로 인듐-주석 합금 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링법에 의해, 이 저굴절율층 상에 인듐 주석 저급 산화물 막을 형성한 후, 150℃ 에서 15시간 열처리하고, 두께 19㎚, 표면저항값은 약 400Ω/?(약 400Ω/평방) 의 결정성의 ITO막을 형성하여 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.2%, 헤이즈값은 2.8%이었다.

제작한 가동전극기판과 실시예1과 동일한 투명 도전층이 부착된 유리 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 실시예1과 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 시험결과를 표1에 나타낸다.

[실시예 3]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 실리카 입자를 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크리레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성하였다. 실시예 1 에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 60㎚의 ZrO₂미립자를 ZrO₂미립자와 알콕시실란의 중량비율이 50:50이 되도록 혼합한 도공액 E를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 E를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 실시예 1에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 20㎚인 Al₂O₃미립자를 Al₂O₃미립자와 알콕시실란의 중량비율이 15:85이 되도록 혼합한 도공액 F를 제작하였다. 도공액 F를 이 고굴절율층 상에 바코트법에 의해 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 2와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하여, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 89.8%, 헤이즈값은 2.5%이었다.

한편 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의경화수지층을 형성하였다. 편면의 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 E를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 도공액 F를 이 고굴절율층 상에 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 2와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하여 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.2%, 헤이즈값은 1.5%이었다. 이 투명 도전성 적층체를 사용하여 ITO막을 형성한 측과 반대면이 접하도록 1.1㎜의 폴리카보네이트시트와 점착제를 사용하여 접합하고, 다음에 ITO막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써 고정전극기판을 제작하였다.

제작한 가동전극기판과 고정전극기판을 사용하여 도6의 투명 터치패널을 제작하여, 실시예1과 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 시험결과를 표1에 나타낸다.

[실시예 4]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 실리카 입자를 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크리레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성하였다.

실시예 1 에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 20㎚의 TiO₂미립자를 TiO₂미립자와 알콕시실란의 중량비율이 50:50이 되도록 혼합한 도공액 G를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 G를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 실시예 1에서 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 1과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하여, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.8%, 헤이즈값은 2.2%이었다.

한편 두께 100㎛의 폴리카보네이트 필름 (테이진(주) 제조의 퓨어에이스) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층을 형성하였다. 이하 상기 가동전극기판과 동일하게, 편면의 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 G를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 실시예 1 에서 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하여 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은90.5%, 헤이즈값은 2.3%이었다. 이 투명 도전성 적층체에 ITO막을 형성한 측과 반대면이 접하도록 1.1㎜의 폴리카보네이트시트와 점착제를 사용하여 접합하고, 다음에 ITO막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써 고정전극기판을 제작하였다. 제작한 가동전극기판과 고정전극기판을 사용하여 도6의 투명 터치패널을 제작하여, 실시예1과 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 시험결과를 표1에 나타낸다.

[참고예]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의 편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 실리카 입자를 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크리레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성하였다. 실시예 1 에서 사용한 도공액 A중에 1차 입자경이 20㎚의 TiO₂미립자를 TiO₂미립자와 알콕시실란의 중량비율이 90:10이 되도록 혼합한 도공액 H를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 H를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 실시예 1에서 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 1과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하여, 가동전극기판이되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.8%, 헤이즈값은 2.7%이었다.

제작한 가동전극기판과 실시예 1과 동일한 투명 도전층이 형성된 유리 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 실시예1과 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 결과를 표1에 나타낸다.

[비교예 1]

테트라부톡시티타네이트 (닛뽕소다사 제조 「B-4」) 를 리그로인 (와꼬우쥰야꾸공업사 제조의 등급이 특급품) 과 부탄올 (와꼬우쥰야꾸공업사 제조의 등급이 특급품) 의 혼합용매로 희석한 도공액 I를 제조하였다. 실리카 입자 함유의 상기 경화수지층 상에 도공액 I를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께 75㎚의 고굴절율층을 형성하였다. 또한 실시예 1에서 사용한 도공액 A를 이 고굴절율층 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께 45㎚의 저굴절율층을 형성하고, 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제조하였다. 또한 실시예 1과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 89.5%, 헤이즈값은 2.7%이었다.

제작한 가동전극기판과 실시예 1과 동일한 투명 도전층이 형성된 유리 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 실시예 1과 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 결과를 표1에 나타낸다.

	전광선투과율(%)	헤이즈(%)	250g 하중 직선왕복 30만회 필기내구성
실시예 1	91.3	2.4	전기특성, 외관 모두 변화없음
실시예 2	90.2	2.8	전기특성, 외관 모두 변화없음
실시예 3	가동전극:91.1고정전극:90.8	가동전극:2.4고정전극:1.7	전기특성, 외관 모두 변화없음
실시예 4	가동전극:89.8고정전극:90.2	가동전극:2.5고정전극:1.5	전기특성, 외관 모두 변화없음
참고예	91.0	2.7	전기특성 이상, 광학간섭층 박리
비교예 1	89.5	2.7	전기특성 이상, 광학간섭층 박리

[실시예 5]

이어서 도공액 I의 함유량이 80%가 되도록 도공액 I와 실시예 1 에서 사용한 도공액 A를 혼합한 금속알콕시드 혼합액 중에 1차 입자경이 20㎚인 ZnO 미립자를 ZnO 미립자와 금속알콕시드의 중량비율이 20:80이 되도록 혼합한 도공액 J를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 J를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 70㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 산화인듐과 산화주석이 중량비 9:1의 조성으로 충전밀도 98%의 산화인듐-주석 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해 ITO층을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 작성하였다. 형성된 ITO층의 막두께는 약 20, 표면저항은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 93.0%, 헤이즈값은 2.5%이었다.

한편 가동전극기판과 실시예 1과 동일하게 제작한 투명 도전층이 형성된 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터 선단이 0.8R인 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중으로 직선왕복 45만회의 필기내구성 시험을 하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 결과를 표2에 나타낸다.

[실시예 6]

비교예 1에서 사용한 도공액 I중에 1차 입자경이 20㎚인 TiO₂미립자를 TiO₂미립자와 금속알콕시드의 중량비율이 25:75가 되도록 혼합한 도공액 K를 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 K를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 작성하였다. 또한 실시예 5와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 93.1%, 헤이즈값은 2.4%이었다.

한편, 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조 OFW) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층을 형성하였다. 이하 상기 가동전극기판과 동일하게, 경화수지층의 편면상에, 도공액 K를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 작성하였다. 또한 실시예 5와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 92.8%, 헤이즈값은 1.7%이었다. 이 투명 도전성 적층체에 ITO막을 형성한 측과 반대면이 접하도록 1.1㎜의 폴리카보네이트시트와 점착제를 사용하여 접합하고, 다음에 ITO막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정전극기판을 제작하였다.

제작한 가동전극기판과 고정전극기판을 사용하여 도6의 투명 터치패널을 제작하고, 실시예 5와 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 45만회의 필기내구성 시험을 하였다. 결과를 표2에 나타낸다.

[실시예 7]

비교예 1에서 사용한 도공액 I의 함유량이 90%가 되도록 도공액 I와 도공액 A를 혼합한 금속알콕시드의 혼합액중에 1차 입자경이 20㎚인 TiO₂미립자를 TiO₂미립자와 금속알콕시드의 중량비율이 15:85가 되도록 혼합한 도공액 L을 제작하였다. 실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 도공액 L을 바코트법으로코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 작성하였다. 또한 실시예 5와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 93.4%, 헤이즈값은 2.8%이었다.

한편, 두께 1.0㎜의 폴리카보네이트시트 (테이진화성(주) 제조 판라이트) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층을 형성하였다. 경화수지층의 편면상에, 도공액 L을 12 스핀코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 작성하였다. 또한 실시예 5와 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 94.0%, 헤이즈값은 1.8%이었다. ITO막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정전극기판을 제작하였다.

제작한 가동전극기판과 고정전극기판을 사용하여 도6의 투명 터치패널을 제작하고, 실시예 5와 동일하게 250g 하중으로 직선왕복 45만회의 필기내구성을 확인하였다. 시험결과를 표2에 나타낸다.

	전광선투과율(%)	헤이즈(%)	250g 하중 직선왕복 30만회 필기내구성
실시예 5	93.0	2.5	전기특성, 외관 모두 변화없음
실시예 6	가동전극:93.1고정전극:92.8	가동전극:2.4고정전극:1.7	전기특성, 외관 모두 변화없음
실시예 7	가동전극:93.4고정전극:94.0	가동전극:2.8고정전극:1.8	전기특성, 외관 모두 변화없음

[실시예 8]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진듀뽕필름(주) 제조의 OFW) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다.

도공액 I중에 평균 1차 입자경이 0.5㎛의 실리카 입자를 테트라부톡시티타네이트의 100중량부에 대해 0.3중량부가 되도록 혼합하여 도공액 M을 작성하였다.

도공액 M을 경화수지층 (1) 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 상기 고굴절율층 상에 알콕시실란 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다.

또한 이 저굴절율층 상에 실시예 1과 동일한 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO층의 막두께는 20㎚, 표면저항값은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.7%, 헤이즈값은 1.4%이었다.

한편, 실시예 5와 동일하게 제작한 투명 도전층이 형성된 고정전극기판과 가동전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터 선단이 0.8R의 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 의 측정 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층 끼리 달라붙는 현상을 확인하기 위해, 상기 펜을 사용하여 임의의 압력으로 투명 터치패널을 눌러 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층끼리를 접촉시켜, 펜을 이동시킨 후의 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층끼리 달라붙는 현상의 유무를 조사하였다. 또 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 액정화면의 외관을 관찰하였다. 결과를 표3에 나타낸다.

[실시예 9]

도공액 M과 도공액 A의 혼합비가 70:30이 되도록 도공액 N을 제작하여, 도공액 N에 1차 입자경이 20㎚인 TiO₂미립자를 TiO₂미립자와 금속알콕시드의 중량비율이 30:70이 되도록 혼합한 도공액 O를 제작하였다. 상기 경화수지층 (1) 면상에 도공액 O를 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 55㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 실시예 1에서 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 1과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.1%, 헤이즈값은 2.1%이었다.

한편, 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트필름 (테이진듀뽕필름(주) 제조의 OFW) 의 양면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 이하 상기 가동전극기판과 동일하게, 경화수지층 (1) 면상에, 도공액 L을 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 55㎚의 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 40㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 실시예 1과 동일하게 ITO막을 형성하여 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.4%, 헤이즈값은 1.9%이었다. 이 투명 도전성 적층체에 ITO 막을 형성한 측과 반대면이 접하도록 1.1㎜의 폴리카보네이트와 점착제를 사용하여 접합하고, 다음에 ITO 막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정전극기판을 제작하였다.

제작한 가동전극기판과 고정전극기판을 사용하여 도6의 투명 터치패널을 제작하고, 실시예 8과 동일하게 필기내구성 시험우의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 의 측정 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 또 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층끼리 달라붙는 현상의 유무를 조사하였다. 또한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 액정화면의 외관을 관찰하였다. 시험결과를 표3에 나타낸다.

[비교예 2]

실시예 8에서 사용한 도공액 I중에 평균 1차 입자경이 0.5㎛의 실리카 미립자를 테트라부톡시티타네이트의 100중량부에 대해 1.0중량부가 되도록 혼합하여 도공액 P를 제작하였다. 도공액 P를, 경화수지층 (1) 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 이 고굴절율층 상에 실시예 8에서 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 실시예 8과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.8%, 헤이즈값은 2.6%이었다. 제작한 투명 도전성 적층체의 헤이즈값은 첨가한 미립자량이 많았기 때문에 높고 약간 백탁되어 있었다.

상기에서 제작한 가동전극기판과 실시예 8과 동일한 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 액정화면의 외관을 관찰하였다. 첨가한 미립지가 많았기 때문에 액정화면이 흐려 보여 시인성이 불량했다.

[비교예 3]

실시예 8에서 사용한 도공액 I중에 평균 1차 입자경이 1.5㎛의 실리카 미립자를 테트라부톡시티타네이트의 100중량부에 대해 0.3중량부가 되도록 혼합하여 도공액 Q를 제작하였다. 도공액 Q를, 경화수지층 (1) 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 고굴절율층 상에 사용한 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 형성하였다.

또한 실시예 8과 동일하게 이 저굴절율층 상에 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.4%, 헤이즈값은 2.3%이었다.

제작한 가동전극기판과 실시예 8과 동일한 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 실시예 8과 동일하게 필기내구성 시험을 하였다.광학간섭층 중에 첨가한 미립자의 1차 입자경이 컸기 때문에 필기내구성 시험시에 광학간섭층으로부터 미립자가 탈락됨으로써, 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 및 광학간섭층의 외관은 매우 불량했다. 또한 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 액정화면의 외관을 관찰하였다. 첨가한 미립지의 1차 입자가 크기 때문에 액정화면이 번쩍거리는 것이 관찰되었다.

	필기내구성	달라붙는 현상의 유무	액정화면의 외관
실시예 8	전기특성, 외관 모두 변화없음	없음	양호
실시예 9	전기특성, 외관 모두 변화없음	없음	양호

[실시예 10]

실시예 8에서 작성한 도공액 M을 경화수지층 (1) 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다.

다음에 트리메틸롤프로판트라아크릴레이트 31.3중량부와 디메틸롤프로판헥사아크릴레이트 62.6중량부로 이루어지는 자외선 경화성 수지와 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤 5.0중량부, 벤조페논 1.0중량부로 이루어지는 광개시제와 이소프로필알코올과 1-메톡시-2-프로판올의 혼합용제로 이루어지는 희석제를 사용하여 도공액 R을 제작하였다.

상기 고굴절율층 상에 도공액 R을 바코트법으로 코팅하여 60℃에서 2분간 건조시킨 후, 강도 160W/㎝의 고압수은등을 사용하여 적산광량 300mJ/㎠의 조건에서 도포된 막을 경화시킴으로써, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 실시예 1과 동일하게 ITO막을 형성하고, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO층의 막두께는 약 20㎚, 표면저항값은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.1%, 헤이즈값은 1.4%이었다.

한편, 실시예 1과 동일하게 ITO 막이 형성된 고정전극기판을 제작하였다. 제작한 고정전극기판과 가동전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터선단이 0.8R인 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중에서 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 의 측정 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층끼리 달라붙는 현상을 확인하기 위해, 상기 펜을 사용하여 임의의 압력으로 투명 터치패널을 눌러 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층 끼리를 접촉시켜, 펜을 이동시킨 후의 가동전극기판과 고정전극기판의 투명 도전층끼리 달라붙는 현상의 유무를 조사하였다. 또 투명 터치패널을 고정세 컬러 액정화면 상에 설치하고, 투명 터치패널을 통해 액정화면의 외관을 관찰하였다. 결과를 표4에 나타낸다.

[실시예 11]

두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진(주) 제조의 OFW) 의편면에 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (1) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 실리카 입자를 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크리레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성하였다.

실리카 입자를 함유하는 상기 경화수지층 (2) 면 위에, 실시예 7의 도공액 L을 바코트법으로 코팅하여 130℃ 에서 2분간 소성한 후, 막두께가 55㎚인 고굴절율층을 형성하였다. 이어서 고굴절율층 상에 실시예 10에서 사용한 도공액 R을 바코트법에 의해 코팅하여 60℃에서 2분간 건조시킨 후, 강도 160w/㎝의 고압수은등을 사용하여 적산광량 300mJ/㎠의 조건에서 도포된 막을 경화시킴으로써, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 작성하였다. 또한 이 저굴절율층 상에 산화인듐과 산화주석이 중량비 9:1의 조성으로 충전밀도 98%의 산화인듐-주석타겟을 사용하여 스퍼터링법으로 ITO층을 형성하여, 가동전극기판이 되는 투명 도전성 적층체를 작성하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 표면저항은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.6%, 헤이즈값은 2.5%이었다.

한편 실시예 1과 동일한 ITO 막이 형성된 고정전극기판을 제작하였다. 제작한 고정전극기판을 사용하여 도5의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터 선단이 0.8R의 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성 시험을 하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다.결과를 표4에 나타낸다.

	필기내구성	달라붙는 현상의 유무	액정화면의 외관
실시예 10	전기특성, 외관 변화 없음	없음	양호
실시예 11	전기특성, 외관 변화 없음	없음	양호

[실시예 12, 13]

도3은 실시예 12, 13의 투명 도전성 적층체를 사용한 터치패널이다. 도면중 9는 유리기판, 5와 10은 투명 도전층, 11은 도트 스페이서, 1과 8은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 7은 투명 탄성층, 2,2',6은 경화수지층, 4는 저굴절율층, 3은 고굴절율층을 나타낸다. 그리고 유리기판 (1), 투명 도전층 (10) 과 도트 스페이서 (11) 에 의해 고정전극기판이 구성되고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (1 과 8), 투명 탄성층 (7), 경화수지층 (2, 2', 6) 과 저굴절율층 (4) 과 고굴절율층 (5), 투명 도전층 (10) 에 의해 가동전극기판이 구성된다.

이러한 터치패널을 제작하기 위해, 먼저 두께 1.1㎜의 유리기판 (9) 의 양면에 딥코팅법에 의해 SiO₂막을 형성한 후, 스퍼터링법으로 두께 18㎚의 ITO막을 투명 도전층 (10) 으로 형성함으로써 유리전극기판을 제작하였다. 다음에 ITO 막 위에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜의 도트 스페이서 (11) 를 형성함으로써, 유리전극기판으로 이루어지는 고정전극기판을 제작하였다.

한편, 유기 고분자 필름 (1) 용 및 투명기재 (8) 용으로 두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진주식회사 제조 OFW) 을 준비하였다.

이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면에 γ-아미노프로필트리에톡시실란의 가수분해에 의해 생성된 올리고머로 이루어지는 성분을 1% 함유하는 도공액을 도포한 후 130℃에서 5분간 건조시킴으로써 플라이머 처리하였다. 이어서 플라이머 처리한 면에 폴리디메틸실록산으로 이루어지는 실리콘 수지 성분를 함유하는 도공액 Y를 사용하여 두께 30㎛의 투명 탄성층 (7) 을 형성하였다. 이 투명 탄성층 (7) 의 영률은 1.4×10⁸㎩ 이었다. 또한 동일한 방법으로 특정한 도공층이 없는 폴리에틸렌테레프탈레이트필름의 영률은 5.4×10⁹㎩ 이었다. 이 투명 탄성층 (7) 상에 다른 폴리에틸렌테레프탈레이트필름의 플라이머처리면을 접합하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 투명 탄성층, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름으로 이루어지는 적층체 R을 제작하였다.

다음으로 자외선 경화형 우레탄 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 이 적층체 R의 양면에 두께 3㎛의 경화수지층 (2, 6) 을 형성함으로써, 경화수지층 (2), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (1), 투명 탄성층 (7), 폴리에틸렌테레프탈레이트필름 (8), 경화수지층 (6) 으로 이루어지는 적층체 S를 제작하였다.

실시예 8에서 작성한 도공액 M을 경화수지층 (2) 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다.

상기 고굴절율층 상에 알콕시실란 도공액 A를 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 45㎚인 저굴절율층을 형성하여 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층을 제작하였다.

또한 이 저굴절율층 상에 실시예 1과 동일하게 ITO층을 형성하고, 가동전극기판이 되는 실시예 12의 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO층의 막두께는 약 20㎚, 표면저항값은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 91.0%, 헤이즈값은 1.7%이었다.

한편 실시예 13의 투명 도전성 적층체를 제작하기 위해, 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 이 적층체 R의 편면에 두께 3㎛의 경화수지층 (6) 을 형성하였다. 다음에 반대면에 실리카 입자를 혼합한 자외선 경화형 우레탄아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 3㎛의 경화수지층 (2) 을 형성함으로써, 경화수지층 (6), 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (8), 투명 탄성층 (7), 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (1), 경화수지층 (2') 으로 이루어지는 적층체 T를 제작하였다.

실시예 7에서 작성한 도공액 L을 경화수지층 (2') 면 위에 바코트법으로 코팅하여 130℃에서 2분간 소성한 후, 막두께가 50㎚인 고굴절율층을 형성하였다.

또한 이 저굴절율층 상에 실시예 1과 동일하게 ITO층을 형성하고, 가동전극기판이 되는 실시예 15의 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO층의 막두께는 약 20㎚, 표면저항값은 약 280Ω/?이었다. ITO 막형성 후의 투명 도전성 적층체의 전광선투과율은 90.7%, 헤이즈값은 2.8%이었다.

제작한 고정전극기판과 가동전극기판을 사용하여 도3의 투명 터치패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치패널의 가동전극측으로부터 선단이 0.8R의 폴리아세탈제의 펜을 사용하여 250g 하중으로 직선왕복 30만회의 필기내구성을 시험하였다. 필기내구성 시험후의 투명 터치패널의 전기특성 (리니얼리티) 의 측정 및 광학간섭층의 외관을 관찰하였다. 결과를 표5에 나타낸다.

실시예	전광선투과율(%)	헤이즈(%)	250g 하중 직선왕복 30만회 필기내구성
12	90.6	2.5	전기특성, 외관 변화없음
13	90.7	2.8	전기특성, 외관 변화없음

본 발명에 의하면, 광학간섭층으로서, 금속산화물 및/또는 금속불화물로 이루어지는 1차 입자경이 100㎚ 이하의 초미립자를 함유하는 알콕시실란의 경화물층을 사용하고, 또한 이 초미립자와 알콕시실란의 중량비율을 특정 비율로 함으로써, 저비용이고 우수한 투명성을 갖고 그리고 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성 등에 대해 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 투명 도전성 적층체가 제공된다. 또 본 발명에 의하면, 저굴절율층과 고굴절율층으로 이루어지는 광학간섭층 중, 저굴절율층으로서 알콕시실란의 경화물층을 사용하고, 고굴절율층으로서 알콕시실란 이외의 금속알콕시드를 주성분으로 하는 경화물층을 사용하고, 또한 고굴절율층 중에 금속산화물로 이루어지는 1차 입자경이 100㎚ 이하의 초미립자를 특정 비율로 함유함으로써, 저비용이고, 우수한 투명성을 갖고 그리고 투명 터치패널에 요구되는 필기내구성 등에 대해 높은 신뢰성을 확보할 수 있는 투명 도전성 적층체가 제공된다. 또한 본 발명에 의하면, 전기특성 및 외관변화도 없고 필기내구성이 우수하며, 달라붙는 현상도 없고, 양호한 액정표시화면을 제공하는 터치패널용에 적합한 투명도전 적층체를 제공할 수 있다.

Claims

(1) 유기 고분자 필름에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체에 있어서,

유기 고분자 필름의 적어도 편면에 광학간섭층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고,

광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고 또한 이 저굴절율층이 투명 도전층과 접하고,

고굴절율층 및 저굴절율층은 가교중합체로 이루어지고, 또한 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방은, 1차 입자경이 100㎚ 이하인 금속산화물 및/또는 금속불화물의 초미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물 및/또는 금속불화물로서 Al₂O₃, Bi₂0₃, Ce0₂, In₂O₃, In₂O₃ㆍSnO₂, HfO₂, La₂O₃, MgF₂, Sb₂O₅, Sb₂O₅ㆍSnO₂, SiO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, Zn0 및 ZrO₂로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용한 투명 도전성 적층체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방의 가교중합체는 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것인 투명 도전성적층체.
제 3 항에 있어서, 상기 초미립자와 상기 금속알콕시드의 중량비율이 5:95∼80:20인 투명 도전성 적층체.
제 4 항에 있어서, 상기 고굴절율층이 상기 초미립자와 알콕시실란의 중량비율이 5:95∼80:20으로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성한 것인 투명 도전성 적층체.
제 3 항에 있어서, 상기 고굴절율층은 상기 초미립자와 금속 알콕시드의 중량비율이 1:99∼60:40으로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속 알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속 알콕시드를 주성분으로 하는 것인 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서, 상기 고굴절율층이 상기 초미립자와 상기 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 중합비율이 5:95∼80:20인 혼합물로 이루어지는 투명 도전성 적층체.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방의 상기 가교중합체가 열경화성 수지 또는 방사선 경화형 수지인 투명 도전성 적층체.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 고굴절율층과 저굴절율층의 굴절율차가 0.2 이상인 투명 도전성 적층체.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고굴절율층과 상기 저굴절율층의 적어도 일방에 평균 1차 입자경이 이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이고 또한 평균 1차 입자경이 1.2㎛ 이하인 제2 미립자를 함유하고, 상기 제2 미립자의 함유량은 이 제2 미립자를 함유하는 고굴절율층 및/또는 저굴절율층을 형성하는 가교중합체 성분의 0.5중량% 이하로 한 투명 도전성 적층체.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 고분자 필름과 상기 광학간섭층 사이에 경화수지층을 갖는 투명 도전성 적층체.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화수지층은 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지로 이루어지고 또한 막두께가 2∼5㎛인 투명 도전성 적층체.
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 경화수지층은 제3 미립자를 함유하는 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서, 상기 고굴절율층은 상기 초미립자와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속알콕시드를 주성분으로 하는 것이고, 저굴절율층은 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 초미립자는 TiO₂이고, 상기 제3 미립자가 실리카입자인 투명 도전성 적층체.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 고분자 필름의 상기 광학간섭층과 반대측의 면에, 이 유기 고분자 필름보다 영률이 작은 투명 탄성층을 통해, 투명기재가 적층되어 있는 투명 도전성 적층체.
유기 고분자 필름에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체에 있어서,

유기 고분자 필름의 적어도 편면에 광학간섭층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고,

광학간섭층은 고굴절율층과 저굴절율층으로 이루어지고 또한 이 저굴절율층이 투명 도전층과 접하고,

상기 광학간섭층은 가교중합체로 구성되고, 상기 고굴절율층과 상기 저굴절율층의 적어도 일방에 평균 1차 입자경이 이 광학간섭층의 막두께의 1.1배 이상이고 또한 평균 1차 입자경이 1.2㎛ 이하의 미립자 B를 함유하고, 상기 미립자 B의 함유량은 이 미립자 B를 함유하는 고굴절율층 및/또는 저굴절율층을 형성하는 가교중합체 성분의 0.5중량% 이하로 한 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
제 16 항에 있어서, 가교중합체는 금속알콕시드를 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것 또는 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지인 투명 도전성 적층체.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서, 고굴절율층 및 저굴절율층의 적어도 일방이 평균 1차 입자경이 100㎚ 이하의 초미립자 A를 (초미립자 A) : (가교중합체) 의 중량비율 0:100∼80:20으로 함유하는 투명 도전성 적층체.
제 18 항에 있어서, 상기 고굴절율층이, 상기 초미립자 A와 상기 열경화성 수지 또는 방사선 경화성 수지의 중합비율이 5:95∼80:20인 혼합물로 이루어지는 투명 도전성 적층체.
제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 고분자 필름과 상기 광학간섭층 사이에 경화수지층을 갖는 투명 도전성 적층체.
제 20 항에 있어서, 상기 경화수지층은 열경화형 수지 또는 방사선 경화형 수지로 이루어지고 또한 막두께가 2∼5㎛인 투명 도전성 적층체.
제 20 항 또는 제 21 항에 있어서, 상기 경화수지층은 이 경화수지층의 두께보다 큰 미립자를 함유하지 않은 투명 도전성 적층체.
제 16 항에 있어서, 상기 고굴절율층은 상기 미립자 B와 금속알콕시드로 이루어지는 혼합물을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 금속알콕시드는 알콕시실란 이외의 금속알콕시드를 주성분으로 하는 것이고, 저굴절율층은 알콕시실란을 가수분해 및 축합중합하여 형성된 것으로, 상기 미립자 B는 실리카인 투명 도전성 적층체.
제 16 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 고분자 필름의 상기 광학간섭층과 반대측의 면에, 이 유기 고분자 필름보다 영률이 작은 투명 탄성층을 통해, 투명기재가 적층되어 있는 투명 도전성 적층체.
적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2장의 투명전극기판이 상호 투명 도전층끼리 대향하도록 배치되어 구성된 터치패널에 있어서, 적어도 일방의 투명전극기판으로서 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 투명 터치패널.
제 25 항에 있어서, 가동전극기판 및 고정전극기판의 양방에 상기 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 투명 터치패널.