JP3510698B2 - 透明導電性積層体および透明タブレット - Google Patents
透明導電性積層体および透明タブレットInfo
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- JP3510698B2 JP3510698B2 JP05577195A JP5577195A JP3510698B2 JP 3510698 B2 JP3510698 B2 JP 3510698B2 JP 05577195 A JP05577195 A JP 05577195A JP 5577195 A JP5577195 A JP 5577195A JP 3510698 B2 JP3510698 B2 JP 3510698B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電性積層体およ
びこの透明導電性積層体を用いて得られる透明タブレッ
トに関する。
びこの透明導電性積層体を用いて得られる透明タブレッ
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近種々の機器にマイクロコンピュータ
ーが利用されるようになり、同機器には情報の入力部で
あるタブレット（タッチスイッチ、タッチパネル、フラ
ットスイッチとも称される）と出力部であるディスプレ
ーが搭載されている。タブレットとしては、従来の机上
に置くタイプの他にディスプレー上に取り付けられる透
明タブレットがある。透明タブレットは、ディスプレー
の表示画面を見ながらタブレット表面を指またはペン等
で押すことにより入力できるため、入力操作が簡単であ
り、またディスプレーとタブレットを一体型にできるた
め省スペースにもなり、利用が増えつつある。
ーが利用されるようになり、同機器には情報の入力部で
あるタブレット（タッチスイッチ、タッチパネル、フラ
ットスイッチとも称される）と出力部であるディスプレ
ーが搭載されている。タブレットとしては、従来の机上
に置くタイプの他にディスプレー上に取り付けられる透
明タブレットがある。透明タブレットは、ディスプレー
の表示画面を見ながらタブレット表面を指またはペン等
で押すことにより入力できるため、入力操作が簡単であ
り、またディスプレーとタブレットを一体型にできるた
め省スペースにもなり、利用が増えつつある。
【０００３】透明タブレットは、少なくとも片面に透明
導電膜が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導
電膜同士が向かい合うように配置されてなり、透明電極
基板に外力を加えた部分でのみ透明導電膜同士が接触し
てスイッチとして動作するものであり、例えばディスプ
レー画面上のメニューの選択あるいは図形、手書き文字
の入力等を行なうことができる。
導電膜が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導
電膜同士が向かい合うように配置されてなり、透明電極
基板に外力を加えた部分でのみ透明導電膜同士が接触し
てスイッチとして動作するものであり、例えばディスプ
レー画面上のメニューの選択あるいは図形、手書き文字
の入力等を行なうことができる。
【０００４】従来の透明タブレットの構成例を図３に示
す。透明タブレットは、ガラス基板１の上面に透明導電
膜２、ドットスペーサ３を設けてなる下部電極基板、お
よびポリエステルフィルム４の上面にハードコート層
５、下面に透明導電膜６を設けてなる上部電極基板を、
互いの透明導電膜同士が向かい合うように配置し、周囲
で２枚の電極基板が貼り合わされて構成される。なお、
本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部
への引き出し回路は省略してある。
す。透明タブレットは、ガラス基板１の上面に透明導電
膜２、ドットスペーサ３を設けてなる下部電極基板、お
よびポリエステルフィルム４の上面にハードコート層
５、下面に透明導電膜６を設けてなる上部電極基板を、
互いの透明導電膜同士が向かい合うように配置し、周囲
で２枚の電極基板が貼り合わされて構成される。なお、
本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、粘着層、外部
への引き出し回路は省略してある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】透明タブレットの主要
な利用分野には携帯情報端末があるが、携帯情報端末に
は消費電力の点で反射型ＬＣＤが用いられており、同Ｌ
ＣＤ上に取り付けられる透明タブレットには視認性が良
いことが要求される。ところが、従来の透明タブレット
では環境変化により上部電極基板に弛みが生じ、その結
果両電極基板間で干渉縞が発生して視認性が損なわれる
課題があった。
な利用分野には携帯情報端末があるが、携帯情報端末に
は消費電力の点で反射型ＬＣＤが用いられており、同Ｌ
ＣＤ上に取り付けられる透明タブレットには視認性が良
いことが要求される。ところが、従来の透明タブレット
では環境変化により上部電極基板に弛みが生じ、その結
果両電極基板間で干渉縞が発生して視認性が損なわれる
課題があった。
【０００６】本発明はかかる課題を解決して、干渉縞が
防止できかつ視認性に優れた透明導電性積層体、そして
さらには透明タブレットを得ることを目的とする。
防止できかつ視認性に優れた透明導電性積層体、そして
さらには透明タブレットを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電性積層
体は、透明有機高分子成形物よりなる基板上に透明導電
膜を形成して構成された透明導電性積層体において、少
なくとも一方の透明導電膜を形成した側の基板面が、中
心面平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５〜０．４０μｍの範
囲に粗面化され（ただしエンボス加工又はエッチング加
工によるものは除く）、該粗面化された基板面上の透明
導電膜との間に、主として酸化チタンおよび／または酸
化ジルコニウムを含む層と、有機ケイ素化合物の加水分
解により生成された層を、この順に設け、かつ透明導電
膜が、主として結晶質の酸化インジウムよりなることを
特徴とする。
体は、透明有機高分子成形物よりなる基板上に透明導電
膜を形成して構成された透明導電性積層体において、少
なくとも一方の透明導電膜を形成した側の基板面が、中
心面平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５〜０．４０μｍの範
囲に粗面化され（ただしエンボス加工又はエッチング加
工によるものは除く）、該粗面化された基板面上の透明
導電膜との間に、主として酸化チタンおよび／または酸
化ジルコニウムを含む層と、有機ケイ素化合物の加水分
解により生成された層を、この順に設け、かつ透明導電
膜が、主として結晶質の酸化インジウムよりなることを
特徴とする。
【０００８】また本発明の透明タブレットは、少なくと
も片面に透明導電膜が設けられた２枚の透明電極基板
が、互いの透明導電膜同士が向かい合うように配置され
て構成された透明タブレットにおいて、透明電極基板と
して本発明の透明導電性積層体を用いたことを特徴とす
る。
も片面に透明導電膜が設けられた２枚の透明電極基板
が、互いの透明導電膜同士が向かい合うように配置され
て構成された透明タブレットにおいて、透明電極基板と
して本発明の透明導電性積層体を用いたことを特徴とす
る。
【０００９】すなわち、干渉縞防止効果には３次元的な
表面粗さが影響する。そして、粗面化された面の中心面
平均粗さ（ＳＲａ）を制御した有機高分子成形物基板上
に透明導電膜を設けたものを上下いずれかの電極基板に
用いることにより、干渉縞が防止できかつ視認性に優れ
た透明タブレットが得られる。
表面粗さが影響する。そして、粗面化された面の中心面
平均粗さ（ＳＲａ）を制御した有機高分子成形物基板上
に透明導電膜を設けたものを上下いずれかの電極基板に
用いることにより、干渉縞が防止できかつ視認性に優れ
た透明タブレットが得られる。
【００１０】ここで、中心面平均粗さ（ＳＲａ）とは、
ＪＩＳ Ｂ ０６０１の中心線平均粗さ（Ｒａ）を、３
次元に拡張したものであり、次のように定義する。まず
粗さ曲面から、その中心面上に面積Ｓｍの部分を抜き取
る。そしてこの抜き取り部分の中心面上に、直交座標軸
として、Ｘ軸とＹ軸を置く。さらに中心面に直交する軸
をＺ軸とし、粗さ曲面をｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表す。そし
てこのときに、次の式によって求められる値ＳＲａ（μ
ｍ）を、中心面平均粗さと呼ぶ。但し、Ｌｘ・Ｌｙ＝Ｓ
ｍ。
ＪＩＳ Ｂ ０６０１の中心線平均粗さ（Ｒａ）を、３
次元に拡張したものであり、次のように定義する。まず
粗さ曲面から、その中心面上に面積Ｓｍの部分を抜き取
る。そしてこの抜き取り部分の中心面上に、直交座標軸
として、Ｘ軸とＹ軸を置く。さらに中心面に直交する軸
をＺ軸とし、粗さ曲面をｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表す。そし
てこのときに、次の式によって求められる値ＳＲａ（μ
ｍ）を、中心面平均粗さと呼ぶ。但し、Ｌｘ・Ｌｙ＝Ｓ
ｍ。
【００１１】
【数１】
【００１２】本発明に用いられる透明有機高分子成形物
を構成する有機高分子化合物としては、耐熱性に優れた
透明な有機高分子であれば特に限定しない。例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレート、ポリジアリルフタレート等のポリエステル
系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、ア
クリル樹脂、セルローストリアセテート樹脂等が挙げら
れる。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとし
て、あるいは単独またはブレンドとしても使用し得る。
を構成する有機高分子化合物としては、耐熱性に優れた
透明な有機高分子であれば特に限定しない。例えば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレート、ポリジアリルフタレート等のポリエステル
系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、ア
クリル樹脂、セルローストリアセテート樹脂等が挙げら
れる。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとし
て、あるいは単独またはブレンドとしても使用し得る。
【００１３】かかる有機高分子成形物の形状は特に限定
しないが、通常シート状、フィルム状のものが好まし
い。また、２枚以上のフィルムおよびまたはシートを積
層した構成であっても良い。透明タブレットの上部電極
基板として用いられる場合には、透明タブレットをスイ
ッチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つため
の強度の点から、基板形状として厚さ７５〜４００μｍ
のフィルム状のものが好ましい。下部電極基板に用いら
れる場合には、平坦性を保つための強度の点から、厚さ
０．４〜２ｍｍのシート状のものが好ましいが、厚さ７
５〜４００μｍのフィルム状のものを他のシートと貼り
合わせ、全体の厚さが０．４〜２ｍｍになるような構成
にして用いても良い。
しないが、通常シート状、フィルム状のものが好まし
い。また、２枚以上のフィルムおよびまたはシートを積
層した構成であっても良い。透明タブレットの上部電極
基板として用いられる場合には、透明タブレットをスイ
ッチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つため
の強度の点から、基板形状として厚さ７５〜４００μｍ
のフィルム状のものが好ましい。下部電極基板に用いら
れる場合には、平坦性を保つための強度の点から、厚さ
０．４〜２ｍｍのシート状のものが好ましいが、厚さ７
５〜４００μｍのフィルム状のものを他のシートと貼り
合わせ、全体の厚さが０．４〜２ｍｍになるような構成
にして用いても良い。
【００１４】本発明の透明導電性積層体を透明タブレッ
トの上部電極基板として用いた場合には、下部電極基板
には前記有機高分子成形物基板、ガラス基板あるいはこ
れらの積層体基板上に透明導電膜を形成したものを用い
ても良い。透明タブレットの強度、重量の点から、単層
または積層体よりなる基板の厚さは０．４〜２ｍｍが好
ましい。
トの上部電極基板として用いた場合には、下部電極基板
には前記有機高分子成形物基板、ガラス基板あるいはこ
れらの積層体基板上に透明導電膜を形成したものを用い
ても良い。透明タブレットの強度、重量の点から、単層
または積層体よりなる基板の厚さは０．４〜２ｍｍが好
ましい。
【００１５】本発明の透明導電性積層体を上部電極基板
として用いた場合には、透明タブレットで外力が加わる
方の面には、ハードコート層を設けることが好ましい。
ハードコート層を形成するための材料としては、メチル
トリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等の
オルガノシラン系熱硬化型樹脂やエーテル化メチロール
メラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアク
リレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート
系紫外線硬化型樹脂等があり、必要に応じて、シリカ微
粒子を混合したものを用いることができる。ハードコー
ト層の厚さは、可撓性、耐摩耗性の点から２〜５μｍが
好ましい。
として用いた場合には、透明タブレットで外力が加わる
方の面には、ハードコート層を設けることが好ましい。
ハードコート層を形成するための材料としては、メチル
トリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等の
オルガノシラン系熱硬化型樹脂やエーテル化メチロール
メラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアク
リレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート
系紫外線硬化型樹脂等があり、必要に応じて、シリカ微
粒子を混合したものを用いることができる。ハードコー
ト層の厚さは、可撓性、耐摩耗性の点から２〜５μｍが
好ましい。
【００１６】本発明の粗面化層を形成する方法には、サ
ンドブラスト法等の物理的方法、エッチング法等の化学
的方法あるいはシリカ等の微粒子を分散した樹脂を塗工
する方法がある。中でも表面粗さを制御し易い点では塗
工法が好ましい。
ンドブラスト法等の物理的方法、エッチング法等の化学
的方法あるいはシリカ等の微粒子を分散した樹脂を塗工
する方法がある。中でも表面粗さを制御し易い点では塗
工法が好ましい。
【００１７】該塗工法に用いられる樹脂として、メチル
トリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等の
オルガノシラン系熱硬化型樹脂やエーテル化メチロール
メラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアク
リレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート
系紫外線硬化型樹脂等がある。
トリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等の
オルガノシラン系熱硬化型樹脂やエーテル化メチロール
メラミン等のメラミン系熱硬化型樹脂、ポリオールアク
リレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート
系紫外線硬化型樹脂等がある。
【００１８】樹脂とシリカ等の微粒子との混合比率や塗
工膜厚等により、表面粗さを、中心面平均粗さ（ＳＲ
ａ）が０．０５〜０．４０μｍの範囲になるように制御
することができる。中心面平均粗さが０．０５μｍ未満
では十分な干渉縞防止効果は得られない。また、０．４
０μｍを越えるとヘーズが増加して視認性が悪くなる。
工膜厚等により、表面粗さを、中心面平均粗さ（ＳＲ
ａ）が０．０５〜０．４０μｍの範囲になるように制御
することができる。中心面平均粗さが０．０５μｍ未満
では十分な干渉縞防止効果は得られない。また、０．４
０μｍを越えるとヘーズが増加して視認性が悪くなる。
【００１９】本発明の透明導電膜としては、酸化錫を２
〜２０重量％含むＩＴＯ膜やアンチモンまたはフッ素等
をドープした酸化錫膜がある。透明導電膜の形成方法と
しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法等のＰＶＤ法あるいは塗工法、印刷法、ＣＶ
Ｄ法があるが、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が好ましい。Ｐ
ＶＤ法またはＣＶＤ法の場合、透明導電膜の厚さは、透
明性と導電性の点から５〜５０ｎｍが好ましい。
〜２０重量％含むＩＴＯ膜やアンチモンまたはフッ素等
をドープした酸化錫膜がある。透明導電膜の形成方法と
しては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法等のＰＶＤ法あるいは塗工法、印刷法、ＣＶ
Ｄ法があるが、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が好ましい。Ｐ
ＶＤ法またはＣＶＤ法の場合、透明導電膜の厚さは、透
明性と導電性の点から５〜５０ｎｍが好ましい。
【００２０】本発明の透明導電性積層体を用いたマトリ
クス型透明タブレットは、十分な打鍵耐久性を有してい
るが、アナログ型透明タブレットの場合には、筆記耐久
性が若干低下する傾向がある。
クス型透明タブレットは、十分な打鍵耐久性を有してい
るが、アナログ型透明タブレットの場合には、筆記耐久
性が若干低下する傾向がある。
【００２１】この課題を解決するために、透明有機高分
子成形物基板上に形成された粗面化層と透明導電膜間
に、中間層として有機ケイ素化合物の加水分解により生
成された層を設ける方法を検討した。しかし、有機ケイ
素化合物の加水分解により生成された層は、粗面化層上
では不均一な膜になり、白濁することが分かった。これ
は粗面化層と有機ケイ素化合物の相互作用が原因と推定
された。
子成形物基板上に形成された粗面化層と透明導電膜間
に、中間層として有機ケイ素化合物の加水分解により生
成された層を設ける方法を検討した。しかし、有機ケイ
素化合物の加水分解により生成された層は、粗面化層上
では不均一な膜になり、白濁することが分かった。これ
は粗面化層と有機ケイ素化合物の相互作用が原因と推定
された。
【００２２】そこで、先ず、粗面化層上に、酸化チタン
およびまたは酸化ジルコニウムを含む層を形成した後、
有機ケイ素化合物の加水分解により生成された層を設け
た所、均一で透明な膜となった。さらに、この上に透明
導電膜を形成し、透明導電性積層体を得た。このような
２層からなる中間層を設けた透明導電性積層体を用いた
アナログ型透明タブレットは優れた筆記耐久性を示し
た。
およびまたは酸化ジルコニウムを含む層を形成した後、
有機ケイ素化合物の加水分解により生成された層を設け
た所、均一で透明な膜となった。さらに、この上に透明
導電膜を形成し、透明導電性積層体を得た。このような
２層からなる中間層を設けた透明導電性積層体を用いた
アナログ型透明タブレットは優れた筆記耐久性を示し
た。
【００２３】さらに、酸化チタンおよび酸化ジルコニウ
ムの厚さを２０〜６０ｎｍかつ有機ケイ素化合物の加水
分解により生成された層の厚さを２０〜６０ｎｍとする
ことにより透明タブレットの透明性が向上することが分
かった。どちらか一方の層の厚さが上記範囲外では中間
層を設けない場合より透明性が低下して好ましくないこ
とが分かった。
ムの厚さを２０〜６０ｎｍかつ有機ケイ素化合物の加水
分解により生成された層の厚さを２０〜６０ｎｍとする
ことにより透明タブレットの透明性が向上することが分
かった。どちらか一方の層の厚さが上記範囲外では中間
層を設けない場合より透明性が低下して好ましくないこ
とが分かった。
【００２４】一方、透明導電膜として主として結晶質の
酸化インジウムよりなる膜を設けた透明導電性積層体を
用いる方法でも、アナログ型透明タブレットの筆記耐久
性が向上することが分かった。
酸化インジウムよりなる膜を設けた透明導電性積層体を
用いる方法でも、アナログ型透明タブレットの筆記耐久
性が向上することが分かった。
【００２５】酸化チタンおよびまたは酸化ジルコニウム
を含む層は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法等のＰＶＤ法で形成するか、あるいは主
としてＴｉおよび／またはＺｒを含むアルキルエステル
の加水分解により形成することができる。これらの中で
も、Ｔｉおよび／またはＺｒを含むアルキルエステルの
加水分解による方法が、密着性および製膜の容易さの点
で好ましい。
を含む層は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法等のＰＶＤ法で形成するか、あるいは主
としてＴｉおよび／またはＺｒを含むアルキルエステル
の加水分解により形成することができる。これらの中で
も、Ｔｉおよび／またはＺｒを含むアルキルエステルの
加水分解による方法が、密着性および製膜の容易さの点
で好ましい。
【００２６】Ｔｉおよび／またはＺｒを含むアルキルエ
ステルとは、一般式ＴｉsＯt（Ｒ1）u で表されるアル
キルチタネート、および／またはＺｒＸp（ＯＲ2）4-p
で表されるアルキルジルコネートである。
ステルとは、一般式ＴｉsＯt（Ｒ1）u で表されるアル
キルチタネート、および／またはＺｒＸp（ＯＲ2）4-p
で表されるアルキルジルコネートである。
【００２７】ここで、Ｒ1はアルキル基、ｓ、ｔ、ｕは
正の整数である。そして上記一般式で表されるアルキル
チタネートの内、とりわけｔ＝４＋（ｓ−１）×３、ｕ
＝４＋（ｓ−１）×２、ｓ＝１〜３０のものが塗工の容
易さや特性の点で好ましく用いられる。ｓの値は、単一
でなく分布をもっていても良いが、特にｓの値の分布が
１５以下に最大値を有するアルキルチタネートは塗工溶
液粘度および加水分解において好ましい。
正の整数である。そして上記一般式で表されるアルキル
チタネートの内、とりわけｔ＝４＋（ｓ−１）×３、ｕ
＝４＋（ｓ−１）×２、ｓ＝１〜３０のものが塗工の容
易さや特性の点で好ましく用いられる。ｓの値は、単一
でなく分布をもっていても良いが、特にｓの値の分布が
１５以下に最大値を有するアルキルチタネートは塗工溶
液粘度および加水分解において好ましい。
【００２８】また上記の一般式において、アルキル置換
基Ｒ1は炭素数１〜２０のものが好ましく用いられる。
特に炭素数が２〜１１のアルキル置換基のものは、被膜
形成操作、例えば塗工の容易さ、さらには加水分解速
度、得られた膜の機械的特性および透明性の点で好まし
く用いられる。
基Ｒ1は炭素数１〜２０のものが好ましく用いられる。
特に炭素数が２〜１１のアルキル置換基のものは、被膜
形成操作、例えば塗工の容易さ、さらには加水分解速
度、得られた膜の機械的特性および透明性の点で好まし
く用いられる。
【００２９】なお、上記アルキルチタネートの２種以上
の混合物を用いても良い。該アルキルチタネートを有機
溶剤に溶解せしめた溶液は、塗工されると加水分解さ
れ、それに続く縮合反応により脱アルキルハイドロオキ
サイド化し、編み目構造を形成する。塗工の条件を選ぶ
ことにより、アルキルチタネートは酸化チタンに近づ
く。
の混合物を用いても良い。該アルキルチタネートを有機
溶剤に溶解せしめた溶液は、塗工されると加水分解さ
れ、それに続く縮合反応により脱アルキルハイドロオキ
サイド化し、編み目構造を形成する。塗工の条件を選ぶ
ことにより、アルキルチタネートは酸化チタンに近づ
く。
【００３０】本発明に用いられるアルキルチタネートと
しては、例えばテトラブチルチタネート、テトラエチル
チタネート、テトラプロピルチタネート、テトラステア
リルチタネート、テトラ−２−エチルヘキシルチタネー
ト、ジイソプロポキシチタニウムビスアセチルアセトネ
ート等が挙げられ、とりわけテトラブチルチタネート、
テトラプロピルチタネートが好ましく用いられる。これ
らのアルキルチタネートはそのまま用いても良く、また
２量体、４量体、１０量体等の予備縮合したものも好ま
しく使用できる。さらにまたこれらのアルキルチタネー
トをアセチルアセトンのようなもので安定化させて使用
しても良い。
しては、例えばテトラブチルチタネート、テトラエチル
チタネート、テトラプロピルチタネート、テトラステア
リルチタネート、テトラ−２−エチルヘキシルチタネー
ト、ジイソプロポキシチタニウムビスアセチルアセトネ
ート等が挙げられ、とりわけテトラブチルチタネート、
テトラプロピルチタネートが好ましく用いられる。これ
らのアルキルチタネートはそのまま用いても良く、また
２量体、４量体、１０量体等の予備縮合したものも好ま
しく使用できる。さらにまたこれらのアルキルチタネー
トをアセチルアセトンのようなもので安定化させて使用
しても良い。
【００３１】また、上記の一般式で表されるアルキルジ
ルコネートにおいて、Ｘは炭素数１〜６のアルキル基、
もしくは、ハロゲン化アルキル基、フェニル基、ビニル
基、あるいはβ−ジケトン系化合物もしくはβ−ケトエ
ステル系化合物の残基である。また、Ｒ2は炭素数１〜
６のアルキル基であり、ｐは、０〜４の整数である。
ルコネートにおいて、Ｘは炭素数１〜６のアルキル基、
もしくは、ハロゲン化アルキル基、フェニル基、ビニル
基、あるいはβ−ジケトン系化合物もしくはβ−ケトエ
ステル系化合物の残基である。また、Ｒ2は炭素数１〜
６のアルキル基であり、ｐは、０〜４の整数である。
【００３２】ジルコニウム化合物としては、例えば、ア
セチルアセトンジルコニウム塩（トリブトキシジルコニ
ウムアセチルアセトネート、ジブトキシジルコニウムジ
アセチルアセトネート、モノブトキシジルコニウムトリ
アセチルアセトネート等）、ジルコニウムテトラアルコ
キシド（テトラブチルジルコネート、テトラプロピルジ
ルコネート等）、ジルコニウム−トリアルコキシ−モノ
アルキルアセトアセテート（ジルコニウム−トリブトキ
シ−モノエチルアセトアセテート等）、ジルコニウム−
ジアルコキシ−ジアルキルアセトアセテート（ジルコニ
ウム−ジブトキシ−ジエチルアセトアセテート等）ジル
コニウム−モノアルコキシ−トリアルキルアセトアセテ
ート（ジルコニウム−モノブトキシ−トリエチルアセト
アセテート等）等がある。
セチルアセトンジルコニウム塩（トリブトキシジルコニ
ウムアセチルアセトネート、ジブトキシジルコニウムジ
アセチルアセトネート、モノブトキシジルコニウムトリ
アセチルアセトネート等）、ジルコニウムテトラアルコ
キシド（テトラブチルジルコネート、テトラプロピルジ
ルコネート等）、ジルコニウム−トリアルコキシ−モノ
アルキルアセトアセテート（ジルコニウム−トリブトキ
シ−モノエチルアセトアセテート等）、ジルコニウム−
ジアルコキシ−ジアルキルアセトアセテート（ジルコニ
ウム−ジブトキシ−ジエチルアセトアセテート等）ジル
コニウム−モノアルコキシ−トリアルキルアセトアセテ
ート（ジルコニウム−モノブトキシ−トリエチルアセト
アセテート等）等がある。
【００３３】本発明に用いられる有機ケイ素化合物は、
次の一般式（１）で表される化合物およびまたはこれら
の加水分解により生成したオリゴマーからなる群から選
ばれる１種または２種の化合物である。但し、一般式
（１）において、Ｒ3は水素原子、または炭素数１〜２
のアルキル基、または次の一般式（２）で表される基で
ある。
次の一般式（１）で表される化合物およびまたはこれら
の加水分解により生成したオリゴマーからなる群から選
ばれる１種または２種の化合物である。但し、一般式
（１）において、Ｒ3は水素原子、または炭素数１〜２
のアルキル基、または次の一般式（２）で表される基で
ある。
【００３４】
【化１】
【００３５】
【化２】
【００３６】また、Ｒ4は水素原子、または炭素数１〜
２のアルキル基を、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に炭素
原子数１〜２のアルキル基を、ｘおよびｙはそれぞれ独
立に１〜３の整数を、ｗは０または１〜２の整数を、ｚ
は１〜３の整数をそれぞれ表し、ｗ＋ｚ＝３である。ま
た一般式（２）中Ｒ7、Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、
または炭素原子数１〜２のアルキル基からなる群から選
ばれる基である。
２のアルキル基を、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に炭素
原子数１〜２のアルキル基を、ｘおよびｙはそれぞれ独
立に１〜３の整数を、ｗは０または１〜２の整数を、ｚ
は１〜３の整数をそれぞれ表し、ｗ＋ｚ＝３である。ま
た一般式（２）中Ｒ7、Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、
または炭素原子数１〜２のアルキル基からなる群から選
ばれる基である。
【００３７】この中で特に筆記耐久性の点で、官能基と
してアミノ基（−ＮＨ２ ）を含むものが好ましく、例
えばＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、および
／またはＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、お
よび／または、ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3
−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、および／またはＮＨ2−（Ｃ
Ｈ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、お
よび／またはＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−
Ｓｉ（ＣＨ3）−（ＯＣＨ3）2、および／またはＮＨ2−
（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−Ｓｉ（ＣＨ3）−（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）2、の単量体および／またはこれらの加水分解
により生成した会合度１０以下のオリゴマーからなる群
から選ばれる１種または２種以上の化合物であることが
特に好ましい。
してアミノ基（−ＮＨ２ ）を含むものが好ましく、例
えばＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、および
／またはＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、お
よび／または、ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3
−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、および／またはＮＨ2−（Ｃ
Ｈ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、お
よび／またはＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−
Ｓｉ（ＣＨ3）−（ＯＣＨ3）2、および／またはＮＨ2−
（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）3−Ｓｉ（ＣＨ3）−（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）2、の単量体および／またはこれらの加水分解
により生成した会合度１０以下のオリゴマーからなる群
から選ばれる１種または２種以上の化合物であることが
特に好ましい。
【００３８】上記アルキルチタネート、アルキルジルコ
ネート、有機ケイ素化合物は通常有機溶剤に溶かした塗
工液を用いて、塗工後乾燥し、加熱、イオンボンバー
ド、あるいは紫外線、β線、γ線等の放射線により硬化
させる。必要に応じて硬化触媒、接着促進剤、塗れ性改
良剤、可塑剤、各種安定剤、難燃剤、酸化防止剤、滑
剤、消泡剤およびまたは増粘剤等と混合して用いること
もできる。
ネート、有機ケイ素化合物は通常有機溶剤に溶かした塗
工液を用いて、塗工後乾燥し、加熱、イオンボンバー
ド、あるいは紫外線、β線、γ線等の放射線により硬化
させる。必要に応じて硬化触媒、接着促進剤、塗れ性改
良剤、可塑剤、各種安定剤、難燃剤、酸化防止剤、滑
剤、消泡剤およびまたは増粘剤等と混合して用いること
もできる。
【００３９】また塗工には、ドクターナイフ、バーコー
ター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナ
イフコーター等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレ
ー法、浸漬法等が用いられる。
ター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナ
イフコーター等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレ
ー法、浸漬法等が用いられる。
【００４０】主として結晶質の酸化インジウムよりなる
透明導電膜の厚さは、透明性と導電性の点から５〜５０
ｎｍが好ましい。透明導電膜の形成方法としては、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法が好ましい。
透明導電膜の厚さは、透明性と導電性の点から５〜５０
ｎｍが好ましい。透明導電膜の形成方法としては、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法が好ましい。
【００４１】筆記耐久性の向上対策として、前述の２層
からなる中間層を設ける方法および主として結晶質の酸
化インジウムよりなる透明導電膜を設ける方法を併用し
ても良い。
からなる中間層を設ける方法および主として結晶質の酸
化インジウムよりなる透明導電膜を設ける方法を併用し
ても良い。
【００４２】
【実施例、（比較例１〜４）】
図１は本発明の一実施例
を示す透明タブレットである。図中の１はガラス基板、
２と６は透明導電膜、３はドットスペーサ、４はポリエ
チレンテレフタレートフィルム、５はハードコート層、
７は粗面化層を示す。そしてガラス基板１と透明導電膜
２とドットスペーサ３とによって下部電極基板が構成さ
れ、透明導電膜６とポリエステルフィルム４と粗面化層
７とハードコート層５とによって上部電極基板が構成さ
れている。
を示す透明タブレットである。図中の１はガラス基板、
２と６は透明導電膜、３はドットスペーサ、４はポリエ
チレンテレフタレートフィルム、５はハードコート層、
７は粗面化層を示す。そしてガラス基板１と透明導電膜
２とドットスペーサ３とによって下部電極基板が構成さ
れ、透明導電膜６とポリエステルフィルム４と粗面化層
７とハードコート層５とによって上部電極基板が構成さ
れている。
【００４３】こうした透明タブレットを作製するため
に、まずは厚さ１．１ｍｍのガラス板１の両面にＳｉＯ
２ ディップコートを行なった後、スパッタリング法に
より、厚さ１８ｎｍのＩＴＯ膜を透明導電膜２として形
成した。次に、ＩＴＯ膜上に高さ７μｍ、直径７０μ
ｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサ３を形成するこ
とにより、下部電極基板を作製した。
に、まずは厚さ１．１ｍｍのガラス板１の両面にＳｉＯ
２ ディップコートを行なった後、スパッタリング法に
より、厚さ１８ｎｍのＩＴＯ膜を透明導電膜２として形
成した。次に、ＩＴＯ膜上に高さ７μｍ、直径７０μ
ｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサ３を形成するこ
とにより、下部電極基板を作製した。
【００４４】一方、透明有機高分子成形物基板としての
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）の片面にシリカ
粒子を混合した紫外線硬化型ウレタンアクリレート樹脂
塗料を用いて厚さ３μｍのハードコート層５を形成し
た。次に反対面側に、シリカ粒子と紫外線硬化型ウレタ
ンアクリレート樹脂との混合比を変えた塗料を用いて、
厚さ１μｍの表面粗さの異なった粗面化層７を形成した
（比較例１〜４）。粗面化層を形成した面に、スパッタ
リング法により、厚さ１８ｎｍの非晶質のＩＴＯ膜を透
明導電膜６として形成することにより、上部電極基板を
作製した。
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）の片面にシリカ
粒子を混合した紫外線硬化型ウレタンアクリレート樹脂
塗料を用いて厚さ３μｍのハードコート層５を形成し
た。次に反対面側に、シリカ粒子と紫外線硬化型ウレタ
ンアクリレート樹脂との混合比を変えた塗料を用いて、
厚さ１μｍの表面粗さの異なった粗面化層７を形成した
（比較例１〜４）。粗面化層を形成した面に、スパッタ
リング法により、厚さ１８ｎｍの非晶質のＩＴＯ膜を透
明導電膜６として形成することにより、上部電極基板を
作製した。
【００４５】そしてこれら上部電極基板および下部電極
基板を用いて、図１に示すアナログ型透明タブレットを
作製した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁
層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。
基板を用いて、図１に示すアナログ型透明タブレットを
作製した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁
層、粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。
【００４６】上部電極基板、下部電極基板の中心面平均
粗さ（ＳＲａ）および透明タブレットの全光線透過率、
ヘーズの測定結果、透明タブレットの干渉縞の観察結
果、筆記耐久性の評価結果を表１に示す。
粗さ（ＳＲａ）および透明タブレットの全光線透過率、
ヘーズの測定結果、透明タブレットの干渉縞の観察結
果、筆記耐久性の評価結果を表１に示す。
【００４７】なお、筆記耐久性試験方法は、次の通りで
ある。まず先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを
用いて、透明タブレット上部電極のハードコート面の中
央２０ｍｍ角の範囲に、カタカナ文字を５０音順に筆記
する。荷重は、２５０ｇ。３万文字毎にペン交換とリニ
アリティの測定を行なう。リニアリティが１．５％を越
えるまでの筆記回数を筆記耐久性とする。
ある。まず先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを
用いて、透明タブレット上部電極のハードコート面の中
央２０ｍｍ角の範囲に、カタカナ文字を５０音順に筆記
する。荷重は、２５０ｇ。３万文字毎にペン交換とリニ
アリティの測定を行なう。リニアリティが１．５％を越
えるまでの筆記回数を筆記耐久性とする。
【００４８】
【比較例５】粗面化層７を設けない以外は比較例１と同
じ条件で、図３に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。
じ条件で、図３に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。
【００４９】そのためにまずは厚さ１．１ｍｍのガラス
板１を用いて、実施例１と同じ条件で下部電極基板を作
製した。一方、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）
の片面にシリカ粒子を混合した紫外線硬化型ウレタンア
クリレート樹脂塗料を用いて、厚さ３μｍのハードコー
ト層５を形成した。次に反対面に、粗面化層を形成せず
にスパッタリング法により、厚さ１８ｎｍの非晶質のＩ
ＴＯ膜を透明導電膜６として形成することにより、上部
電極基板を作製した。
板１を用いて、実施例１と同じ条件で下部電極基板を作
製した。一方、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）
の片面にシリカ粒子を混合した紫外線硬化型ウレタンア
クリレート樹脂塗料を用いて、厚さ３μｍのハードコー
ト層５を形成した。次に反対面に、粗面化層を形成せず
にスパッタリング法により、厚さ１８ｎｍの非晶質のＩ
ＴＯ膜を透明導電膜６として形成することにより、上部
電極基板を作製した。
【００５０】そしてこれら上部電極基板と下部電極基板
を用いて、図３に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、
粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。そして
比較例１と同じ条件で評価を行い、その結果を表１に示
す。
を用いて、図３に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、
粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。そして
比較例１と同じ条件で評価を行い、その結果を表１に示
す。
【００５１】
【実施例１〜２】まずは厚さ１．１ｍｍのガラス板１を
用いて、比較例１と同じ条件で下部電極基板を作製し
た。
用いて、比較例１と同じ条件で下部電極基板を作製し
た。
【００５２】一方、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬ
Ｗ」）を用いて、比較例１と同じ条件で片面にハードコ
ート層５、反対面に粗面化層７を形成した。
フタレートフィルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬ
Ｗ」）を用いて、比較例１と同じ条件で片面にハードコ
ート層５、反対面に粗面化層７を形成した。
【００５３】そして実施例１としては、粗面化層７上
に、スパッタリング法により先ずインジウム錫低級酸化
物膜を形成後、１５０℃で１５時間熱処理し、厚さ１８
ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜を透明導電膜６として形成する
ことにより、上部電極基板を作製した。
に、スパッタリング法により先ずインジウム錫低級酸化
物膜を形成後、１５０℃で１５時間熱処理し、厚さ１８
ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜を透明導電膜６として形成する
ことにより、上部電極基板を作製した。
【００５４】また実施例２としては、粗面化層７上に、
テトラブチルチタネート（日本曹達（株）製）を７．５
重量％含有のリグロイン・ブタノール溶液をバーコータ
ーで塗布後、１３０℃で５分間乾燥し、酸化チタンを含
む層としての中間層８を形成した。中間層８の乾燥後の
膜厚は３０ｎｍである。引き続いて、分子式ＮＨ2−
（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3で表される化合物の
加水分解により生成した会合度５のオリゴマーを１．０
重量％含有するリグロイン・ブタノール・エタノール・
エチルセロソルブ溶液をバーコーターで塗布後、１３０
℃で５分間乾燥し、有機ケイ素化合物の加水分解により
生成された層としての中間層９を形成した。中間層９の
乾燥後の膜厚は３０ｎｍである。
テトラブチルチタネート（日本曹達（株）製）を７．５
重量％含有のリグロイン・ブタノール溶液をバーコータ
ーで塗布後、１３０℃で５分間乾燥し、酸化チタンを含
む層としての中間層８を形成した。中間層８の乾燥後の
膜厚は３０ｎｍである。引き続いて、分子式ＮＨ2−
（ＣＨ2）3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3で表される化合物の
加水分解により生成した会合度５のオリゴマーを１．０
重量％含有するリグロイン・ブタノール・エタノール・
エチルセロソルブ溶液をバーコーターで塗布後、１３０
℃で５分間乾燥し、有機ケイ素化合物の加水分解により
生成された層としての中間層９を形成した。中間層９の
乾燥後の膜厚は３０ｎｍである。
【００５５】実施例２では次に、スパッタリング法によ
り、先ずインジウム錫低級酸化物膜を形成後、１５０℃
で１５時間熱処理し、厚さ１８ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜
を透明導電膜６として形成することにより、上部電極基
板を作製した。
り、先ずインジウム錫低級酸化物膜を形成後、１５０℃
で１５時間熱処理し、厚さ１８ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜
を透明導電膜６として形成することにより、上部電極基
板を作製した。
【００５６】そしてこれら上部電極基板と下部電極基板
を用いて、比較例１と同様にして図１（実施例１）と図
２（実施例２）に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、
粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。そして
比較例１と同じ条件で評価を行い、その結果を表１に示
す。
を用いて、比較例１と同様にして図１（実施例１）と図
２（実施例２）に示すアナログ型透明タブレットを作製
した。なお、本図は構成の一部であり、周囲の絶縁層、
粘着層、外部への引き出し回路は省略してある。そして
比較例１と同じ条件で評価を行い、その結果を表１に示
す。
【００５７】
【実施例３〜１０】厚さ１．１ｍｍのガラス板１を用い
て、比較例１と同じ条件で下部電極基板を作製した。一
方、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）を用いて、
比較例１と同じ条件で片面にハードコート層５、反対面
に粗面化層７を形成した。ここで得られた上部電極基板
側と下部電極基板側の、それぞれの中心面平均粗さ（Ｓ
Ｒａ）は、それぞれ０．０７μｍ、０．００５μｍであ
った。
て、比較例１と同じ条件で下部電極基板を作製した。一
方、厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム４（帝人（株）製の商品名「ＨＬＷ」）を用いて、
比較例１と同じ条件で片面にハードコート層５、反対面
に粗面化層７を形成した。ここで得られた上部電極基板
側と下部電極基板側の、それぞれの中心面平均粗さ（Ｓ
Ｒａ）は、それぞれ０．０７μｍ、０．００５μｍであ
った。
【００５８】次に、粗面化層７上に、テトラブチルチタ
ネート（日本曹達（株）製）の含有量を変えたリグロイ
ン・ブタノール溶液をバーコーターで塗布後、１３０℃
で５分間乾燥し、酸化チタンを含む層としての中間層８
を形成した。引き続いて分子式ＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓ
ｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3で表される化合物の加水分解により
生成した会合度５のオリゴマーの含有量を変えたリグロ
イン・ブタノール・エタノール・エチルセロソルブ溶液
をバーコーターで塗布後、１３０℃で５分間乾燥し、有
機ケイ素化合物の加水分解により生成された層としての
中間層９を形成した。そしてここでは中間層８と９の厚
さを各種変えて、実施例３〜１０とした。
ネート（日本曹達（株）製）の含有量を変えたリグロイ
ン・ブタノール溶液をバーコーターで塗布後、１３０℃
で５分間乾燥し、酸化チタンを含む層としての中間層８
を形成した。引き続いて分子式ＮＨ2−（ＣＨ2）3−Ｓ
ｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3で表される化合物の加水分解により
生成した会合度５のオリゴマーの含有量を変えたリグロ
イン・ブタノール・エタノール・エチルセロソルブ溶液
をバーコーターで塗布後、１３０℃で５分間乾燥し、有
機ケイ素化合物の加水分解により生成された層としての
中間層９を形成した。そしてここでは中間層８と９の厚
さを各種変えて、実施例３〜１０とした。
【００５９】そしてスパッタリング法により、先ずイン
ジウム錫低級酸化物膜を形成後、１５０℃で１５時間熱
処理し、厚さ１８ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜を透明導電膜
６として形成することにより、上部電極基板を作製し
た。
ジウム錫低級酸化物膜を形成後、１５０℃で１５時間熱
処理し、厚さ１８ｎｍの結晶質のＩＴＯ膜を透明導電膜
６として形成することにより、上部電極基板を作製し
た。
【００６０】そしてこれら上部電極基板と下部電極基板
を用いて、実施例２と同様にして図２に示すアナログ型
透明タブレットを作製した。なお、本図は構成の一部で
あり、周囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は
省略してある。こうして得られた透明タブレットを比較
例１と同様にして評価し、その結果を表２に示す。
を用いて、実施例２と同様にして図２に示すアナログ型
透明タブレットを作製した。なお、本図は構成の一部で
あり、周囲の絶縁層、粘着層、外部への引き出し回路は
省略してある。こうして得られた透明タブレットを比較
例１と同様にして評価し、その結果を表２に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】
【発明の効果】本発明の透明導電性積層体を用いた透明
タブレットは、干渉縞の発生がなく、かつヘーズが小で
視認性に優れている。表面粗さが本発明の範囲未満のも
のは干渉縞防止効果がなく、また、表面粗さが本発明の
範囲を越えたものはヘーズが高く視認性が悪くなる。
タブレットは、干渉縞の発生がなく、かつヘーズが小で
視認性に優れている。表面粗さが本発明の範囲未満のも
のは干渉縞防止効果がなく、また、表面粗さが本発明の
範囲を越えたものはヘーズが高く視認性が悪くなる。
【００６４】また、粗面化層と透明導電膜間に中間層を
形成する方法、および／または透明導電膜として主とし
て結晶質の酸化インジウムよりなる膜を用いる方法によ
り、干渉縞の発生がなく視認性が優れかつ筆記耐久性が
極めて良好な透明タブレットが得られる。さらに、該中
間層において酸化チタンおよび酸化ジルコニウムの厚さ
を２０〜６０ｎｍかつ有機ケイ素化合物の加水分解によ
り生成された層の厚さを２０〜６０ｎｍとすることによ
り透明タブレットの透明性を向上させることができる。
本発明は、実施例に示したアナログ型透明タブレットに
限定されることなく、マトリクス型透明タブレットにも
実施し得るものである。
形成する方法、および／または透明導電膜として主とし
て結晶質の酸化インジウムよりなる膜を用いる方法によ
り、干渉縞の発生がなく視認性が優れかつ筆記耐久性が
極めて良好な透明タブレットが得られる。さらに、該中
間層において酸化チタンおよび酸化ジルコニウムの厚さ
を２０〜６０ｎｍかつ有機ケイ素化合物の加水分解によ
り生成された層の厚さを２０〜６０ｎｍとすることによ
り透明タブレットの透明性を向上させることができる。
本発明は、実施例に示したアナログ型透明タブレットに
限定されることなく、マトリクス型透明タブレットにも
実施し得るものである。
【００６５】以上説明したように、少なくとも片面が粗
面化された有機高分子成形物において、中心面平均粗さ
（ＳＲａ）が、０．０５〜０．４０μｍの範囲にある面
に透明導電膜を形成してなる透明導電性積層体を用いた
透明タブレットは、干渉縞の発生がなく視認性が優れて
いる。また、粗面化層と透明導電膜間に中間層を形成す
る方法、および／または透明導電膜として主として結晶
質の酸化インジウムよりなる膜を用いる方法により、筆
記耐久性が極めて良好な透明タブレットが得られる。ま
た、中間層膜厚の最適化により透明性の良い透明タブレ
ットが得られ、実用上の意義は極めて大きい。
面化された有機高分子成形物において、中心面平均粗さ
（ＳＲａ）が、０．０５〜０．４０μｍの範囲にある面
に透明導電膜を形成してなる透明導電性積層体を用いた
透明タブレットは、干渉縞の発生がなく視認性が優れて
いる。また、粗面化層と透明導電膜間に中間層を形成す
る方法、および／または透明導電膜として主として結晶
質の酸化インジウムよりなる膜を用いる方法により、筆
記耐久性が極めて良好な透明タブレットが得られる。ま
た、中間層膜厚の最適化により透明性の良い透明タブレ
ットが得られ、実用上の意義は極めて大きい。
【図１】粗面化層を設けた透明タブレット。
【図２】中間層を設けた透明タブレット。
【図３】粗面化層の無い透明タブレット。
１ ガラス基板
２、６ 透明導電膜
３ ドットスペーサ
４ ポリエチレンテレフタレートフィルム
５ ハードコート層
７ 粗面化層
８、９ 中間層
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B32B 9/00
B32B 7/02 103
G06F 3/03
H01B 5/14
Claims (4)
- 【請求項１】 透明有機高分子成形物よりなる基板上に
透明導電膜を形成して構成された透明導電性積層体にお
いて、少なくとも一方の透明導電膜を形成した側の基板
面が、 中心面平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５〜０．４０μｍの
範囲に粗面化され（ただしエンボス加工又はエッチング
加工によるものは除く）、該粗面化された基板面上の透
明導電膜との間に、主として酸化チタンおよび／または
酸化ジルコニウムを含む層と、有機ケイ素化合物の加水
分解により生成された層を、この順に設け、かつ透明導
電膜が、主として結晶質の酸化インジウムよりなること
を特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項２】 基板面の粗面化が、基板上に粗面化層を
形成することによってなされたものであって、かつ粗面
化層は熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂にシリカ微
粒子を混合した層からなることを特徴とする請求項１記
載の透明導電性積層体。 - 【請求項３】 酸化チタンおよび／または酸化ジルコニ
ウムを含む層の厚さが２０〜６０ｎｍ、かつ有機ケイ素
化合物の加水分解により生成された層の厚さが２０〜６
０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の透明導電
性積層体。 - 【請求項４】 少なくとも片面に透明導電膜が設けられ
た２枚の透明電極基板が、互いの透明導電膜同士が向か
い合うように配置されて構成されたアナログ式透明タブ
レットであって、透明電極基板として請求項１〜３のい
ずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴と
する透明タブレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05577195A JP3510698B2 (ja) | 1994-12-12 | 1995-03-15 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30760994 | 1994-12-12 | ||
| JP6-307609 | 1994-12-12 | ||
| JP05577195A JP3510698B2 (ja) | 1994-12-12 | 1995-03-15 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08216327A JPH08216327A (ja) | 1996-08-27 |
| JP3510698B2 true JP3510698B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=26396674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05577195A Expired - Fee Related JP3510698B2 (ja) | 1994-12-12 | 1995-03-15 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3510698B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4647048B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2011-03-09 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
| DE60045758D1 (de) * | 1999-08-31 | 2011-05-05 | Teijin Ltd | Transparenten leitender mehrschichtkörper und damit versehener berührungsempfindlicher bildschirm |
| JP4497782B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2010-07-07 | 日本製紙株式会社 | ニュートンリングが防止されたタッチパネル及び該タッチパネル用透明電極 |
| JP2002287906A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | タッチパネル |
| CN101544075B (zh) | 2001-09-03 | 2012-12-05 | 帝人株式会社 | 透明导电性叠层体及使用该叠层体的透明触摸面板 |
| KR100796489B1 (ko) | 2001-12-28 | 2008-01-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 터치패널장치 및 그의 제조방법 |
| KR101067310B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-09-23 | 데이진 가부시키가이샤 | 투명 도전성 적층체 및 그것을 사용한 투명 터치 패널 |
| JP5320930B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-10-23 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
| WO2013125408A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | 日油株式会社 | 色調補正フィルム及びそれを用いた透明導電性フィルム |
| JP5541402B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2014-07-09 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP05577195A patent/JP3510698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08216327A (ja) | 1996-08-27 |
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