KR19990044514A - 플라즈마 디스플레이 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기판상에 격벽을 갖는 플라즈마 디스플레이. 각 격벽의 상면폭 (Lt), 1/2 높이폭 (Lh), 하면폭 (Lb)의 비는 Lt/Lh=0.65 ∼ 1이고 Lb/Lh=1 ∼ 2이되 Lt=Lh=Lb인 경우를 제외하는 범위에 든다. 이러한 구조로서, 강도, 기판과의 밀착성을 높이고, 격벽의 굴곡, 붕괴 및 박리, 및 단선이 적은 고해상도 플라즈마 디스플레이가 제공된다. 또한, 형광체의 도포 균일성이 좋고, 휘도 얼룩이 적은 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이가 제공된다. 나아가 발광 특성이 우수한 고휘도, 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이가 제공된다.

Description

플라즈마 디스플레이 및 그의 제조 방법
플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)는 액정 패널에 비해 고속 표시가 가능하며 대형화가 용이하기 때문에, OA 기기 및 홍보 표시 장치 등의 분야에 사용되고 있다. 또 고품위 텔리비젼 분야 등으로의 응용이 상당히 기대되고 있다.
이와 같은 용도의 확대에 따라 섬세하고 다수의 표시 셀을 갖는 칼라 PDP가 주목되고 있다. PDP는 전면 유리 기판과 배면 유리 기판 사이에 구비된 방전 공간내에서 대향하는 음극 및 양극의 전극 사이에 플라즈마 방전을 발생시켜 상기 방전 공간내에 봉입되어 있는 가스로부터 발생한 자외선을 방전 공간내에 설치한 형광체에 조사함으로써 표시를 행하는 것이다. AC 방식 PDP의 간단한 구성도를 도 1에 니타낸다. 이 경우, 방전의 확장을 일정 영역으로 억제하고, 규정된 셀 내에서 표시를 행하게 하며, 균일한 방전 공간을 확보하기 위하여 격벽 (장벽, 리브라고도 함)이 설치되어 있다. AC 방식 PDP의 경우, 이 격벽은 줄무늬상으로 형성된다.
상기 격벽의 형상은 대략 폭 30 내지 80 ㎛, 높이 100 내지 200 ㎛이다. 통상, 격벽은 전면 유리 기판 또는 배면 유리 기판에 유리 분말을 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄법으로 줄무늬상으로 인쇄, 건조하고, 이 인쇄, 건조 공정을 10 내지 20회 반복하여 소정의 높이로 만든 후, 소성시켜 형성하고 있다. 그러나, 스크린 인쇄법에서는 특히 패널 사이즈가 대형화되었을 경우에 사전에 전면 투명 평면판상에 형성된 방전 전극과 유리 페이스트 인쇄 장소와의 위치 맞추기가 어렵고, 위치 정밀도가 얻어지기 어렵다는 문제가 있다. 또한, 10 내지 20회 유리 페이스트의 중첩 인쇄를 행하기 때문에 격벽의 주름 또는 끝부분의 흐트러짐이 발생하여 높이의 정밀도를 얻을 수 없기 때문에 표시 품질이 나빠지고, 작업성이 나빠 수율이 낮다는 문제가 있다. 특히 패턴 폭이 50 ㎛, 핏치가 100 ㎛ 이하가 되면 격벽 기저부가 페이스트의 틱소트로피 (thixotropy)성에 의해 스며들기 쉬워, 빈틈없고 잔사가 없는 격벽 형성이 어렵게 된다는 문제가 있다.
PDP의 대면적화, 고해상도화에 따라, 이와 같은 스크린 인쇄에 의한 방법으로는 고아스펙트비, 고정밀 미세 격벽의 제조가 점점 기술적으로 곤란해지며, 비용적으로 불리해지고 있다.
이러한 문제를 개선하는 방법으로서, 미국 특허 제 4885963호, 미국 특허 제 5209688호, 일본 특허 공개 제93-342992호 공보 및 일본 특허 공개 제94-295676호 공보에는 격벽을 감광성 페이스트를 사용하여 사진 석판 기술로 형성하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 방법으로는 감광성 페이스트의 유리 함유량이 적기 때문에 소성 후에 치밀한 격벽을 얻을 수 없거나, 감광성 페이스트의 감도나 해상도가 낮다는 문제가 있었다. 이 때문에 감광성 페이스트의 도포, 노광, 현상을 반복함으로써 고아스펙트비의 격벽을 얻을 필요가 있었다. 그러나, 도포, 노광, 현상 공정을 반복하여 행하므로 위치 맞추기의 문제가 생기거나, 저비용화에 한계가 있었다.
일본 특허 공개 제96-50811호 공보에서는 감광성 유리 페이스트법을 사용하여 격벽을 1회의 노광으로 형성하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이러한 방법에서는 선폭을 좁게 한 패턴을 형성하면 노광, 형상 후에 패턴의 굴곡, 붕괴, 박리가 발생하거나, 형성된 패턴을 소성하여 격벽을 얻을 때에 단선, 박리가 발생하는 문제가 있었다. 또한 격벽의 단선 형성에 의해서는 형광체의 도포 균일성이 나빠진다는 문제가 있었다.
<발명의 개시>
본 발명은 격벽의 강도, 기판과의 밀착성을 높여, 격벽의 굴곡, 붕괴, 박리, 단선이 적은 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은 형광체의 도포 균일성이 좋고, 휘도 얼룩이 적은 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은 발광 특성이 우수한 고휘도, 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명에서의 플라즈마 디스플레이란 격벽으로 구획된 방전 공간내에서 방전함으로써 표시를 행하는 디스플레이를 가리키며, 상기의 AC 방식 PDP 이외에도 플라즈마 어드레스 액정 디스플레이를 비롯한 각종 디스플레이에 사용할 수가 있다.
본 발명의 목적은 기판상에 격벽을 형성한 플라즈마 디스플레이로서, 이 격벽의 상면폭 (Lt), 1/2 높이폭 (Lh), 하면폭 (Lb)의 비가 하기에 나타내는 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이에 의해 달성된다.
Lt/Lh = 0.65 ∼ 1
Lb/Lh = 1 ∼ 2
단, Lt=Lh=Lb인 경우를 제외한다.
또한, 본 발명의 목적은 기판상에 격벽을 형성한 플라즈마 디스플레이로서, 이 격벽의 90% 높이폭 (L9.0), 1/2 높이폭 (Lh), 10% 높이폭 (L10)의 비가 하기에 니타내는 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이에 의해 달성된다.
L90/Lh = 0.65 ∼ 1
L10/Lh = 1 ∼ 2
단, L90=Lh=L10인 경우를 제외한다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 플라즈마 디스플레이는 대형 텔레비젼 또는 컴퓨터 모니터에 사용할 수가 있다.
도 1은 플라즈마 디스플레이의 간단한 구성도이다. 또한, 도 2 내지 4, 도 6 내지 8은 본 발명의 격벽 형상을 나타내는 간단한 격벽 단면도이며, 도 5는 본 발명의 격벽 형상을 나타내는 상부에서 본 간략도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 플라즈마 디스플레이에서 격벽은 측면에 테이퍼 형상을 갖고 있으므로 강도가 높아 붕괴를 방지할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이용 격벽은 하면폭을 Lb, 1/2 높이폭을 Lh, 상면폭을 Lt로 했을 때,
Lt/Lh = 0.65 ∼ 1
Lb/Lh = 1 ∼ 2
의 범위에 있다. 본 발명의 예를 도 2에 나타낸다.
또한, Lb는 격벽 기저부의 폭, Lh는 1/2 높이폭(격벽 높이를 100으로 했을 때 저면에서 50인 높이의 선폭), Lt는 격벽 상부의 폭을 나타낸다.
Lt/Lh가 1보다 크면 격벽 중앙에 잘록함이 발생하는 형상이 되어 격벽의 핏치에 대한 방전 공간의 비율, 즉 개구율이 작아지기 때문에 휘도가 저하된다. 또한 형광체 형성시에 도포 얼룩, 즉 두께 얼룩 또는 불균일이 발생한다. 또한 0.65 미만이면 상면이 너무 좁아져 패널 형성시에 가해지는 대기압에 견디는 강도가 부족하여 선단의 망가짐이 발생하기 쉬워진다.
Lb/Lh가 1 미만이면 강도가 낮아져 격벽의 붕괴, 굴곡의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 2보다 크면 방전 공간이 감소함으로써 휘도가 저하된다.
보다 바람직하게는 Lt/Lh=0.8 ∼ 1, Lb/Lh=1 ∼ 1.5의 범위가 개구율의 확보라는 점에서 우수하기 때문에 바람직하다.
단, Lt=Lh=Lb인 경우는 강도가 약해져 붕괴가 발생하기 쉬우므로 바람직하지 않다.
형상으로서는 격벽 하면에 잘록함 등이 없는 사다리형 또는 직사각형 형상이 강도의 점에서 바람직하다.
격벽 정상부가 둥그스름하거나, 격벽 기저부에 헤밍 (hemming) 현상이 나타나거나 하여, 격벽의 상면폭, 하면폭의 정의가 곤란한 경우는 상면폭 대신에 90% 높이폭 (L90), 하면폭 대신에 10% 높이폭 (L10)을 측정한다. 본 발명의 플라즈마 디스플레이용 격벽은 L10, Lh 및 L90이
L90/Lh=0.65 ∼ 1
L10/Lh=1 ∼ 2
의 범위에 있다. 본 발명의 예를 도 3에 나타낸다.
또한 L90은 격벽 높이를 100으로 했을 때, 기저면에서 90인 높이의 선폭, L10은 마찬가지로 기저면에서 10인 높이의 선폭이다.
단, L90=Lh=L10인 경우는 Lt=Lh=Lb의 경우와 같은 이유에 의해 바람직하지 않다.
본 발명에서 특히 핏치 230 ㎛ 이하, 선폭 50 ㎛ 이하의 고정밀 미세 격벽을 32 인치 이상의 대형 패널에 형성하는 경우에 상기 형상으로 함으로써 소성 후의 격벽의 굴곡, 진동, 단선을 방지할 수가 있다.
또 소성 전의 격벽 패턴을 상기 형상으로 함으로써, 특히 기판 유리나 유전체층과의 접촉 면적이 넓어져 형상 유지 특성이나 안정성이 향상된다. 그 결과, 소성 후의 박리, 단선이 해소된다.
격벽 선폭의 측정 방법은 특히 제한되는 것은 아니지만, 광학 현미경, 주사 전자 현미경 또는 레이저 현미경을 사용하여 측정하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 주사 전자 현미경 (예를 들면, HITACHI S-2400)을 사용하는 경우는 다음과 같은 방법이 바람직하다. 격벽 단면이 도 2와 같이 정확히 나오도록 절단하여 관찰이 가능한 사이즈로 가공한다. 그 때, 단면이 기울어지면 정확한 평가를 할 수 없기 때문에, 단면이 격벽인 줄무늬 방향과 직각이 되도록 한다. 측정 배율은 격벽 단면이 2 내지 5개 정도 시야에 들어오는 것을 선택한다. 예를 들면, 핏치 150 ㎛의 경우는 200 내지 300 배의 배율을 사용한다. 그리고 격벽 선폭과 동등한 크기의 표준 시료로 축척을 교정한 후에 사진을 촬영하고 축척에서 선폭을 산출한다.
또한, 비파괴로 측정을 행하고자 하는 경우는 레이저 포커스 변위계 (예를 들면, 주식회사 키엔스사 제품 LT-8010)를 사용하여도 좋다. 이 경우도 마찬가지로 표준 시료로 교정을 행한 후, 측정을 하는 것이 바람직하다. 이 때, 레이저의 측정면이 격벽의 스트라이프 방향과 직각이 되어 있는 것을 확인하는 것이 정확한 측정을 하기 위하여 바람직하다.
경사면은 평면 구조로 한정하지 않고, 곡면 형상을 하고 있어도 좋다. 특히, 도 4에서 예시한 바와 같이, 격벽 높이 중앙부에서 기저면에 걸쳐 곡면 형상을 가지면, Lb/Lh를 크게 하여도 방전 공간을 크게 잡을 수가 있고, 휘도가 저하되므로 바람직하다. 곡면 형상은 격벽의 곡면 형상의 곡률 반경을 R, 1/2 높이폭을 Lh로 했을 때, 하기와 같은 관계에 있는 것이 효과가 높아 특히 바람직하다.
R≤Lh/2
또한, 본 발명에서는 격벽의 선폭 (L)과 그 진동량 (Lb)과의 관계가 하기의 범위에 있는 것이 바람직하다.
Ld/L=1 ∼ 1.5
더욱 바람직하게는 Ld/L=1 ∼ 1.2이다.
Ld/L가 1일 때는, 격벽의 진동이 전혀 없는 이상적인 형상에 해당한다.
Ld/L가 1.5보다 크면, 형광체를 도포할 때, 두께 얼룩이 발생하여 도포 오류가 생기기 쉽고 수율이 떨어져 바람직하지 않다. 또한, 격벽 핏치가 불균일에 의한 휘도 얼룩이 현저해진다.
상기 범위는 소성 후 격벽의 진동량을 나타내고 있다. 소성에 의해 진동이 약 20% 저감되기 때문에, 소성 전의 격벽 패턴의 진동은 Ld/L=1 ∼ 1.7의 범위가 바람직하다.
여기에서 말하는 선폭이란 격벽 단면에서의 상면폭, 1/2 높이폭, 하면폭 중 어느 것을 측정하여도 좋은데, 측정의 용이함에서, 도 2에 나타내는 바와 같이 격벽의 상면폭을 측정하는 것이 바람직하다. 또한 격벽 상면부가 둥그스름하며, 상면폭의 정의가 곤란한 경우는 상기와 같이 90% 높이 부분의 선폭 L90을 사용하는 것이 바람직하다.
진동량의 측정 방법도 특히 제한되는 것은 아니지만, 선폭과 동일 조건하에서의 측정이 바람직하고, 상면폭의 진동량을 계측하는 것이 바람직하다. 구체적인 계측법으로서는 도 5에 나타내는 바와 같이 격벽의 굴곡폭을 계측한다.
진동량의 측정 범위는 격벽을 따라 적어도 격벽 핏치의 10배 이상의 길이인 것이 바람직하며, 그 범위에서의 최대 진동폭을 진동량으로 정의한다.
본 발명에서의 격벽의 선폭은 15 내지 50 ㎛인 것이 높은 개구율, 고휘도가 얻어지므로 바람직하다. 50 ㎛보다 크면 개구율이 낮아짐으로써 충분한 휘도가 얻어지지 않고, 15 ㎛보다 작으면 휘도가 부족하여 봉착시에 격벽이 파괴되기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 격벽의 핏치는 100 내지 250 ㎛인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 100 내지 160 ㎛인 것이 좋다. 이 범위를 만족시킴으로써, 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이가 얻어진다.
또한, 격벽의 높이는 60 내지 170 ㎛인 것이 방전 안정성, 휘도의 점에서 유리하므로 바람직하다. 보다 바람직하게는 100 내지 170 ㎛인 것이 좋다. 이 범위밖이면 오방전이 일어나거나 휘도가 낮은 등 부적합성이 발생하여 바람직하지 않다.
본 발명의 격벽 각 부분의 형상은 핏치를 P, 선폭을 L, 높이를 H로 하면, 다음과 같은 관계에 있다는 것이 패털의 휘도, 방전 수명의 점에서 우수하다는 점에서 보다 바람직하다.
·P=100 ∼ 140 ㎛일 때
L=15 ∼ 40 ㎛, H=100 ∼ 140 ㎛
·P=140 ∼ 160 ㎛일 때
L=20 ∼ 50 ㎛, H=120 ∼ 170 ㎛
선폭에 대해서는 상기 하한보다 작으면 패턴 형상시의 박리, 붕괴, 또한 소성 후에 단선, 박리가 발생하기 쉬워진다. 상기 상한보다 크면 개구율이 작아짐에 의한 휘도의 저하가 일어나 바람직하지 않다.
높이에 대해서는 상기 하한보다 작으면 방전 공간이 좁아져 플라즈마 영역이 형광체층에 가까워져 형광체층이 스팩터 (specter)되기 때문에 수명의 관점에서 바람직하지 않다. 상기 상한보다 크면 방전에 의해 발생한 자외선이 형광체층에 도달할때까지 흡수되어 버리기 때문에 휘도가 내려가 바람직하지 않다.
본 발명에서의 격벽의 기공률은 격벽의 붕괴를 방지하고, 기판과의 밀착성이 우수하다는 점에서 10% 이하가 바람직하고, 3% 이하가 보다 바람직하다. 기공률(P)은 격벽 재질의 참비중을 dth, 격벽의 실측 밀도를 dex로 했을 때,
P=(dth-dex)/dth×100
으로 정의한다.
격벽 재질의 참비중은 다음과 같은 이른바 아르키메데스법을 사용하여 산출하는 것이 바람직하다. 유발 (乳鉢)을 사용하여 격벽 재질을 손가락 끝에 느껴지지 않을 정도인 325 메쉬 이하 정도까지 분쇄한다. 그리고 JIS-R2205에 기재된 바와 같이 참비중을 구한다.
이어서, 실측 밀도의 측정은 격벽 부분을 망가뜨리지 않도록 깎아내어 분쇄를 행하지 않는 것 이외는 상기와 동일하게 하고 아르키메데스법을 사용하여 계측을 행한다.
기공률이 10%보다 크면, 밀착 강도가 저하되는데 더하여 강도의 부족, 또 방전시에 기공에서 배출되는 가스, 수분의 흡착에 의한 휘도 저하 등의 발광 특성 저하의 원인이 된다. 패널의 방전 수명, 휘도 안정성 등의 발광 특성을 고려하면, 더욱 바람직하게는 1% 이하가 좋다.
본 발명의 격벽 제작 방법은 특히 제한되는 것은 아니지만, 공정이 적고 미세한 패턴 형성이 가능한 감광성 페이스트법으로 제작하는 것이 바람직하다. 샌드블러스트법에서는 모래를 내뿜어 깎음으로써 격벽 패턴을 형성하기 때문에 제어가 어렵고, 깎음 부족으로 헤밍 현상이 커지거나 반대로 너무 깎아 하면쪽이 상면보다 좁아지기 쉽다. 또한, 스크린 인쇄법에서는 인쇄를 10 내지 20회 거듭하기 때문에, 격벽 기저부가 망가지고 격벽 상부가 아래로 늘어져 도 8과 같은 형상이 되기 쉽다.
감광성 페이스트법은 주로 유리 분말로 이루어지는 무기 성분과 감광성을 갖는 유기 성분으로 이루어지는 감광성 페이스트를 사용하여 포토마스크의 패턴을 노광에 의해 점착, 현상에 의해 격벽 패턴을 형성하고, 그 후 소성하여 격벽을 얻는 방법이다.
플라즈마 디스플레이나 플라즈마 어드레스 액정 디스플레이의 격벽에 사용하는 경우는 유리 전이점, 연화점이 낮은 유리 기판상에서 패턴을 형성하기 때문에 격벽 재질로서 유리 전이점이 430 내지 500℃, 연화점이 470 내지 580℃의 유리 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 유리 전이점이 500℃, 연화점이 580℃보다 높으면 고온에서 소성해야 하므로 소성시에 기판에 변형이 발생한다. 또한, 유리 전이점이 430℃, 연화점이 470℃보다 낮은 재료는 치밀한 격벽층을 얻을 수 없어 격벽의 박리, 단선, 굴곡의 원인이 된다.
유리 전이점, 연화점의 측정은 다음과 같이 하는 것이 바람직하다. 시차 열분석 (DTA)법을 사용하여 유리 시료 약 100 ㎎를 20 ℃/분으로 공기 중에서 가열하고, 횡축에 온도, 종축에 열량을 플롯하여 DTA 곡선을 그린다. DTA 곡선에 의해 유리 전이점과 연화점을 판독한다.
또한, 기판 유리에 사용되는 일반적인 높은 변형점 유리의 열 팽창 계수가 80 내지 90×10-7이므로, 기판의 휨, 패널 봉착시의 균열 방지를 위해서는 50 내지 400℃의 열팽창 계수 (α50∼400)가 50 내지 90×10-7, 나아가 60 내지 90×10-7의 유리 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 상기의 특성을 갖는 유리 재료를 사용함으로써 격벽의 박리나 단선을 방지할 수가 있다.
감광성 페이스트법에 사용하는 유리 분말의 양은 유리 분말과 유기 성분의 합에 대하여 65 내지 85 중량%인 것이 바람직하다.
65 중량%보다 작으면 소성시의 수축율이 커지거나, 격벽의 단선, 박리의 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다. 또한 페이스트로서 건조가 어려워져 끈적거림이 발생하여 인쇄 특성이 저하된다. 또한 패턴 두꺼움, 현상시의 잔막 발생이 일어나기 쉽다. 이 때문에 Ld/Lh가 2보다 커지기 쉽다. 85 중량%보다 크면 감광성 성분이 적음으로써 격벽 패턴 기저부까지 광경화되지 않는다. 이 때문에 Ld/Lh가 1보다 작아지기 쉽다.
격벽 재질의 조성으로서, 산화 규소는 유리 중에 3 내지 60 중량%의 범위에서 배합하는 것이 바람직하다. 3 중량% 미만인 경우는 유리층의 치밀성, 강도 또는 안정성이 저하되며, 열팽창 계수가 목적으로 하는 값에서 벗어나 유리 기판과의 부조화가 일어나기 쉽다. 또한 60 중량 이하로 함으로써 연화점이 낮아져 유리 기판으로의 점착이 가능해지는 등의 이점이 있다.
산화 붕소는 유리 중에 5 내지 50 중량%의 범위에서 배합함으로써 전기 절연성, 강도, 열팽창 계수, 절연층의 치밀성 등의 전기, 기계 및 열적 특성을 향상할 수가 있다. 50 중량%를 초과하면 유리의 안정성이 저하된다.
산화 비스무스, 산화납, 산화 아연 중 적어도 1종류를 유리 중에 5 내지 50 중량% 함유하는 유리 분말을 사용함으로써 유리 기판상에 패턴 가공할 수 있는 온도 특성을 갖는 감광성 페이스트를 얻을 수가 있다. 50 중량%를 초과하면 유리의 내열 온도가 너무 낮아져 유리 기판상으로의 점착이 어려워진다. 특히 산화 비스무스를 5 내지 50 중량% 함유하는 유리를 사용하는 것은 페이스트의 포트 수명이 길다는 등의 이점이 있다.
산화 비스무스를 함유하는 유리 조성으로서는 산화물 환산 표기로,
산화 비스무스 10 내지 40 중량부
산화 규소 3 내지 50 중량부
산화 붕소 10 내지 40 중량부
산화 바륨 8 내지 20 중량부
산화 알루미늄 10 내지 30 중량부
의 조성을 함유하는 것을 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
산화 리튬, 산화 나트륨, 산화 칼륨 중 적어도 1종류를 2 내지 20 중량% 함유하는 유리 분말을 사용함으로써도 유리 기판상에 패턴 가공할 수 있는 온도 특성을 갖는 감광성 페이스트를 얻을 수가 있다. 리튬, 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속의 산화물은 첨가량으로서는 20 중량% 이하, 바람직하게는 15 중량% 이하로 함으로써 페이스트의 안정성을 향상할 수가 있다.
산화 리튬을 함유하는 유리 성분으로서는 산화물 환산 표기로,
산화 리튬 2 내지 15 중량부
산화 규소 15 내지 50 중량부
산화 붕소 15 내지 40 중량부
산화 바륨 2 내지 15 중량부
산화 알루미늄 6 내지 25 중량부
의 조성을 함유하는 것을 70 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 조성에서 산화 리튬 대신에 산화 나트륨, 산화 칼륨을 사용해도 좋지만, 페이스트의 안정성이라는 점에서 산화 리튬이 바람직하다.
또한, 산화납, 산화 비스무스, 산화 아연과 같은 금속 산화물과 산화 리튬, 산화 나트륨, 산화 칼륨과 같은 알칼리 금속 산화물의 양쪽을 함유하는 유리에 의해 보다 낮은 알칼리 함유량으로 연화점이나 선열 팽창 계수의 조정이 용이해진다.
또한, 유리 분말 중에 산화 알루미늄, 산화 바륨, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 아연, 산화 지르코늄 등, 특히 산화 알미늄, 산화 바륨, 산화 아연을 첨가함으로써 고도하게 가공성을 개량할 수 있는데, 연화점, 열팽창 계수, 굴절률 제어라는 점에서는 그 함유량은 40 중량% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 25 중량% 이하이다.
또한, 일반적으로 절연체로서 사용되는 유리는 1.5 내지 1.9 정도의 굴절률을 가지고 있는데, 감광성 페이스트법을 사용하는 경우, 유기 성분의 평균 굴절률이 유리 분말의 평균 굴절률과 크게 다른 경우는 유리 분말과 유기 성분의 계면에서의 반사, 산란이 커져 정밀 미세 패턴이 얻어지지 않는다. 일반적인 유기 성분의 굴절률은 1.45 내지 1.7이기 때문에 유리 분말과 유기 성분의 굴절률을 정합시키기 위해서는 유리 분말의 평균 굴절률을 1.5 내지 1.7로 하는 것이 바람직하다. 보다 더욱 바람직하게는 1.5 내지 1.65로 하는 것이 좋다.
산화 나트륨, 산화 리튬, 산화 칼륨 등의 알칼리 금속의 산화물을 합계 2 내지 20 중량% 함유하는 유리를 사용함으로써 연화점, 열팽창 계수의 조정이 용이해질 뿐만 아니라, 유리의 평균 굴절률을 낮게 할 수가 있기 때문에 유기물과의 굴절률차를 작게 하기가 용이해진다. 2%보다 작을 때는 연화점의 제어가 어려워진다. 20%보다 클 때는 방전시에 알칼리 금속 산화물의 증발에 의해 휘도 저하를 초래한다. 또한, 알칼리 금속 산화물의 첨가량은 페이스트의 안정성을 향상시키기 위해서도 10 중량%보다 작은 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 8 중량% 이하이다.
특히 알칼리 금속 중에서는 산화 리튬을 사용하는 것이 비교적 페이스트의 안정성을 높게 할 수가 있으므로 바람직하다. 또한, 산화 리튬을 사용했을 경우는 비교적 소량의 첨가에서도 굴절률을 제거할 수 있는 잇점이 있다.
그 결과, 유리 기판상에 점착 가능한 연화점을 가지며, 평균 굴절률을 1.5 내지 1.7로 할 수가 있어 유기 성분과의 굴절률차를 작게 하는 것이 용이해진다.
산화 비스무스를 함유하는 유리는 연화점이나 내수성 향상의 점에서 바람직한데, 산화 비스무스를 10 중량% 이상 함유하는 유리는 굴절률이 1.6 이상이 되는 것이 많다. 이 때문에 산화 나트륨, 산화 리튬, 산화 칼륨 등의 알칼리 금속의 산화물과 산화 비스무스를 병용함으로써 연화점, 열팽창 계수, 내수성, 굴절률의 조정이 용이해진다.
본 발명에서의 유리 재질의 굴절률 측정은 감광성 유리 페이스트법으로 노광하는 광 파장으로 측정하는 것이 효과를 확인하는 데에 정확하다. 특히 350 내지 650 nm 범위의 파장 광으로 측정하는 것이 바람직하다. 나아가 I선 (365 nm) 또는 g선 (436 nm)에서의 굴절률 측정이 바람직하다.
본 발명의 격벽은 콘트라스트를 높이기 위하여 흑색으로 착색되어 있어도 좋다. 감광성 페이스트 중에 여러 가지 금속 산화물을 첨가함으로써 소성 후의 격벽을 착색할 수가 있다. 예를 들면, 감광성 페이스트 중에 흑색의 금속 산화물을 1 내지 10 중량% 함유함으로써 흑색의 패턴을 형성할 수가 있다.
이 때에 사용하는 흑색의 금속 산화물로서 Cr, Fe, Co, Mn, Cu의 산화물 중 적어도 1종, 바람직하게는 3종 이상을 함유함으로써 흑색화가 가능해진다. 특히 Fe와 Mn의 산화물을 각각 0.5 중량% 이상 함유함으로써 흑색 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 흑색 이외에 적, 청, 녹색으로 발색하는 무기 안료를 첨가한 페이스트를 사용함으로써 각색의 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 착색 패턴은 플라즈마 디스플레이의 칼라 필터 등에 적합하게 사용할 수가 있다.
격벽 유리 부재의 유전율은 패널의 소비 전력, 방전 수명이 우수하다는 점에서 주파수 1 MHz, 온도 20℃일 때 4 내지 10인 것이 바람직하다. 4 이하로 하기 위해서는 유전율이 3.8 정도인 산화 규소를 많이 함유하여야 하므로 유리 전이점이 높아지고 소성 온도가 높아지므로, 기판 변형의 원인이 되어 바람직하지 않다. 10 이상이면 대전량의 증가에 의한 전력 손실이 발생하여 소비 전력의 증가를 불러 일으키기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 본 발명의 격벽 비중은 2 내지 3.3인 것이 바람직하다. 2 이하로 하기 위해서는 유리 재료에 산화 나트륨이나 산화 칼륨 등의 알칼리 금속의 산화물을 많이 함유하여야 하고, 방전 중에 증발되어 발광 특성을 향상시키는 원인이 되기 때문에 바람직하지 않다. 3.3 이상이 되면 대화면화되었을 때, 디스플레이가 무거워지거나 자체 중량에 의해 기판에 변형이 발생하기 때문에 바람직하지 않다.
상기에서 사용되는 유리 분말 입경은 제작하고자 하는 격벽의 선폭이나 높이를 고려하여 선택되는데, 50 체적% 입경 (평균 입경 D50)이 1 내지 6 ㎛, 최대 입경 사이즈가 30 ㎛ 이하, 비표면적 1.5 내지 4 ㎡/g인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 10 체적% 입경 (D10) 0.4 내지 2 ㎛, 50 체적% 입경 (D50) 1.5 내지 6 ㎛, 90 체적% (D90): 4 내지 15 ㎛, 최대 입경 사이즈가 25 ㎛ 이하, 비표면적 1.5 내지 3.5 ㎡/g를 갖고 있는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 D50이 2 내지 3.5 ㎛, 비표면적 1.5 내지 3 ㎡/g이다.
여기에서 D10, D50 및 D90은 각각 입경이 작은 유리 분말에서 10 체적%, 50 체적% 및 90 체적%의 유리 입경이다.
상기와 같은 입도 분포를 가진 유리 분말을 사용함으로써 분말의 충전성을 향상하고 감광성 페이스트 중의 분말 비율을 증가시켜도 기포를 끌어들이는 일이 적어지고, 여분의 광산란이 작기 때문에 바람직한 패턴 형상을 형성할 수가 있다. 유리 분말의 입도가 상기 범위보다 작으면 비표면적이 증가하기 때문에 분말의 응집성이 올라가고, 유기 성분내로의 분산성이 내려가기 때문에 기포를 끌어들이기 쉬워진다. 그 때문에 광산란이 증가하고, 격벽 중앙부의 두꺼워짐, 저부의 경화 부족이 발생하여 Lb/Lh가 1보다 작아지기 쉽다. 또 유리 분말의 입도가 상기 범위보다 커도 분말의 부피 밀도가 내려가기 때문에 충전성이 내려가고, 감광성 유기 성분의 양이 부족하여 기포를 끌어들이기 쉬워져 역시 광산란을 일으키기 쉬워진다. 또한 유리 분말의 입도 분포가 상기 범위에 있으면 분말 충전 비율이 높으므로 소성 수축율이 낮아지고 소성시에 패턴 형상이 망가지지 않아 본 발명의 격벽 형상이 안정되게 얻어진다.
입경의 측정 방법은 특히 제한되는 것은 아니지만, 레이저 회절·산란법을 사용하는 것이 간편하게 측정할 수 있으므로 바람직하다. 예를 들면 마이크로 트랙사 제품, 입도 분포계 HRA 9320-X100을 사용했을 경우의 측정 조건은 하기와 같다.
시료량: 1 g
분산 조건: 정제수 중에서 1 내지 1.5 분간 초음파 분산, 분산하기 어려운 경우는 0.2 % 헥사메타인산 나트륨 수용액 중에서 행한다.
입자 굴절률: 유리 종류에 따라 변경(리튬계 1.6, 비스무스계 1.88)
용매 굴절률: 1.33
측정수: 2회
본 발명의 격벽에 연화점이 550 내지 1200℃, 더욱 바람직하게는 650 내지 800℃인 충진재를 3 내지 60 중량% 함유시켜도 좋다. 이에 따라 감광성 페이스트법에서 패턴 형성 후 소성시의 수축율이 작아지고 패턴 형성이 용이해져, 소성시의 형상 유지성이 향상된다.
충진재로서는 티타니아, 알루미나, 티탄산 바륨, 지르코니아 등의 세라믹스나 산화 규소, 산화 알루미늄을 15 중량% 이상 함유하는 고융점 유리 분말이 바람직하다. 일례로서는 이하의 조성을 함유하는 유리 분말을 사용하는 것이 바람직하다.
산화 규소 25 내지 50 중량부
산화 붕소 5 내지 20 중량부
산화 알루미늄 25 내지 50 중량부
산화 바륨 2 내지 10 중량부
고융점 유리 분말을 충진재로서 사용할 때, 모유리 재료 (저융점 유리)와의 굴절률 차이가 크면 유기 성분과의 정합이 곤란해져 패턴 형성성이 나빠진다.
그래서, 저융점 유리 분말의 평균 굴절률 N1, 고융점 유리 분말의 평균 굴절률 N2가 다음의 범위에 있음으로써 유기 성분과의 굴절률 정합이 용이해진다.
-0.05≤N1-N2≤0.05
무기 분말 굴절률의 오차가 작은 것도 광산란 저감에는 중요한 것이다. 굴절률의 오차가 ±0.05인 (무기 분말의 95 체적% 이상이 평균 굴절률 N1±0.05의 범위에 들어 있다) 것이 광산란 저감에는 바람직하다.
사용하는 충진재의 입경으로서는 평균 입경 1 내지 6 ㎛인 것이 바람직하다. 또 D10 (10 체적% 입경) 0.4 내지 2 ㎛, D50 (50 체적% 입경): 1 내지 3 ㎛, D90(90 체적% 입경): 3 내지 8 ㎛, 최대 입자 사이즈: 10 ㎛ 이하의 입도 분포를 갖는 것을 사용하는 것이 패턴 형성을 행하는 데에 바람직하다.
보다 더욱 바람직하게는 D90은 3 내지 5 ㎛, 최대 입자 사이즈 5 ㎛ 이하가 바람직하다. D90이 3 내지 5 ㎛의 미세한 분말인 것이 소성 수축율을 낮게 할 수가 있으며, 기공률이 낮은 격벽을 제작하는 점에서 우수하므로 바람직하다. 또한, 격벽 상부의 길이 방향의 요철을 ±2 ㎛ 이하로 하는 것이 가능해진다. 충진재에 큰 입경의 분말을 사용하면 기공률이 상승할 뿐만 아니라, 격벽 상부의 요철이 커져 오방전을 불러일으키므로 바람직하지 않다.
유기 성분은 감광성 단량체, 감광성 올리고머, 감광성 중합체 중 적어도 1종류에서 선택되는 감광성 성분을 함유하며, 다시 필요에 따라 결합제, 광중합 개시제, 자외선 흡수제, 증감제, 증감 보조제, 중합 금지제, 가소제, 증점제, 유기 용매, 산화 방지제, 분산제, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 첨가제 성분을 첨가하는 것도 행해진다.
감광성 성분으로서는, 광불용화형인 것과 광가용화형인 것이 있으며, 광불용화형의 것으로서,
(A) 분자내에 불포화기 등을 하나 이상 갖는 관능성의 단량체, 올리고머, 중합체를 함유하는 것,
(B) 방향족 디아조 화합물, 방향족 아지드 화합물, 유기 할로겐 화합물 등의 감광성 화합물을 함유하는 것,
(C) 디아조계 아민과 포름알데히드와의 축합물 등 이른바 디아조 수지라는 것 등이 있다.
또한, 광가용형의 것으로서는,
(D) 디아조 화합물의 무기염 또는 유기산과의 복합체, 퀴논디아조류를 함유하는 것,
(E) 퀴논디아조류를 적당한 중합체 결합제로 축합시킨, 예를 들면 페놀, 노볼락 수지의 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산 에스테르 등이 있다.
본 발명에 사용하는 감광성 성분은 상기의 모든 것을 사용할 수가 있다. 감광성 페이스트로서 무기 분말과 혼합하여 간편하게 사용할 수가 있는 감광성 성분은 (A)의 것이 바람직하다.
감광성 단량체로서는, 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 화합물로, 그 구체적인 예로서 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, sec-부틸아크릴레이트, 이소-부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 부톡시에틸아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 글리세롤아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트, 비스페놀A-에틸렌옥시드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀A-프로필렌옥시드 부가물의 디아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질머캅탄아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 또한 이러한 방향족 고리의 수소 원자 중 1 내지 5개를 염소 또는 브롬 원자로 치환한 단량체 또는 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, 염화스티렌, 브롬화스티렌, α-메틸스티렌, 염화α-메틸스티렌, 브롬화α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, 카르복시메틸스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 비닐카르바졸 및 상기 화합물의 분자내의 아크릴레이트를 일부 또는 전부 메타크릴레이트로 치환한 것, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈 등을 들 수가 있다. 본 발명에서는 이들을 1종 또는 2종 이상 사용할 수가 있다.
이들 이외에 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 첨가함으로써 감광 후의 현상성을 향상시킬 수가 있다. 불포화 카르복실산의 구체적인 예로서는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레인산, 푸말산, 비닐아세트산 또는 이들의 산 무수물 등을 들 수가 있다.
이들 단량체의 함유율은 유리 분말과 감광성 성분의 합량에 대하여 5 내지 30 중량%가 바람직하다. 이 이외의 범위에서는 패턴 형성성의 악화, 경화후의 경도 부족이 발생하기 때문에 바람직하지 않다.
결합제로서는 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 메타크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르-메타크릴산 에스테르 공중합체, α-메틸스티렌 중합체, 부틸메타크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.
또한, 상술한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 중 적어도 1종류를 중합하여 얻어진 올리고머 또는 중합체를 사용할 수가 있다. 중합시에, 이들 광반응성 단량체의 함유율이 10 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 35 중량% 이상이 되도록 다른 감광성 단량체와 중합할 수가 있다.
공중합하는 단량체로서는 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 공중합함으로써 감광 후의 현상성을 향상시킬 수가 있다. 불포화 카르복실산의 구체적인 예로서는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레인산, 푸말산, 비닐아세트산 또는 이들의 산 무수물 등을 들 수 있다.
이렇게 하여 얻어진 측쇄에 카르복실기 등의 산성기를 갖는 중합체 또는 올리고머의 산가 (AV)는 50 내지 180, 나아가 70 내지 140의 범위가 바람직하다. 산가가 50 미만이면 미노광부의 현상액에 대한 용해성이 저하되기 때문에 현상액 농도를 짙게 하면 노광부까지 박리가 발생하여 고정밀 미세 패턴이 얻어지기 어렵다. 또한, 산가가 180을 초과하면 현상 허용폭이 좁아진다.
현상성을 불포화산 등의 단량체로 부여하는 경우는 중합체의 산가는 50 이하로 하여 유리 분말과 중합체의 반응에 의한 겔화를 억제할 수가 있으므로 바람직하다.
이상 나타낸 중합체 또는 올리고머에 대하여 광반응성기를 측쇄 또는 분자 말단에 부가시킴으로써, 감광성을 가진 감광성 중합체 또는 감광성 올리고머로서 사용할 수가 있다. 바람직한 광반응성기는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 것이다. 에틸렌성 불포화기로서는 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타크릴기 등을 들 수가 있다.
이와 같은 측쇄를 올리고머 또는 중합체에 부가시키는 방법은, 중합체 중의 머캅토기, 아미노기, 수산기 또는 카르복실기에 대하여 글리시딜기 또는 이소시아네이트기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물 또는 아크릴산클로라이드, 메타크릴산클로라이드 또는 알릴클로라이드를 부가 반응시켜 만드는 방법이 있다.
글리시딜기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물로서는 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 알릴글리시딜에테르, 에틸아크릴산 글리시딜, 크로토닐글리시딜에테르, 크로톤산 글리시딜에테르, 이소크로톤산 글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
이소시아네이트기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물로서는 (메타)아크릴로일이소시아네이트, (메타)아크릴로일에틸이소시아네이트 등이 있다.
또, 글리시딜기 또는 이소시네이트기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물 또는 아크릴산 클로라이드, 메타크릴산 클로라이드 또는 알릴클로라이드는 중합체 중의 머캅토기, 아미노기, 수산기 또는 카르복실기에 대하여 0.05 내지 1 몰당량을 부가시키는 것이 바람직하다.
감광성 페이스트 중의 감광성 중합체, 감광성 올리고머 및 결합제로 이루어지는 중합체 성분의 양으로서는 패턴 형성성, 소성 후의 수축률의 점에서 우수하므로 유리 분말과 감광성 성분의 합량에 대히여 5 내지 30 중량%인 것이 바람직하다. 이 범위 밖이면 패턴 형성이 불가능하거나 패턴의 두꺼워짐이 발생하므로 바람직하지 않다.
광중합 개시제의 구체적인 예로서 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질, 벤질디메틸케탄올, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로르안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논, 2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미히라케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐포르핀, 캄파퀴논, 사브롬화탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화벤조인 및 에오신, 메틸렌블루 등의 광환원성의 색소와 아스코르빈산, 트리에탄올아민등의 환원제 조합등을 들 수 있다. 본 발명에서는 이것들을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
광중합 개시제는 감광성 성분에 대하여 0.05 내지 10 중량%의 범위에서 첨가되며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 15 중량%이다. 중합 개시제의 양이 너무 적으면, 광감도가 불량해지고, 광중합 개시제의 양이 너무 많으면, 노광부의 잔존율이 너무 작아질 우려가 있다.
자외선 흡수제를 첨가하는 것도 유효하다. 자외선 흡수 효과가 높은 화합물을 첨가함으로써 고아스펙트비, 고정밀 미세, 고해상도를 얻을 수 있다. 자외선 흡수제로서는 유기 염료로 이루어지는 것, 그 중에서도 350 내지 450 nm의 파장 범위에서 고UV 흡수 계수를 갖는 유기 염료가 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 아조계 염료, 아미노케톤계 염료, 크산텐계 염료, 퀴놀린계 염료, 아미노케톤계 염료, 안트라퀴논계, 벤조페논계, 디페닐시아노아크릴레이트계, 트리아진계, p-아미노벤조산계 염료등을 사용할 수 있다. 유기 염료는 흡광제로서 첨가했을 경우에도, 소성 후의 절연막 중에 잔존하지 않고 흡광제에 의한 절연막 특성의 저하를 적게할 수 있으므로 바람직하다. 이들 중에서도 아조계 및 벤조페논계 염료가 바람직하다.
유기 염료의 첨가량은 유리 분말에 대하여 0.05 내지 1 중량부가 바람직하다. 0.05중량% 이하이면 자외선 흡광제의 첨가 효과가 낮고, 1 중량%를 초과하면 감광도가 불량해지거나 소성후의 절연막 특성이 저하되므로 바람직하지 않다. 보다 바람직하게는 0.05 내지 0.15 중량%이다.
유기 염료로 이루어지는 자외선 흡광제의 첨가 방법의 일례를 든다. 유기 염료를 미리 유기 용매에 용해한 용액을 제조하고, 이를 페이스트 제조시에 혼련시킨다. 또는, 이 유기 염료 용매 중에 유리 분말을 혼합 후, 건조하는 방법도 있다. 이 방법에 의해 유리 분말의 개개의 입자 표면에 유기 염료막을 코팅한 이른바 캡슐상의 분말을 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서, 무기 분말에 포함되는 Pb, Fe, Cd, Mn, Co, Mg 등의 금속 및 산화물이 페이스트 중에 함유된 감광성 성분과 반응하여 페이스트가 단시간에 겔화되어 도포할 수 없게 되는 경우가 있다. 이와 같은 반응을 방지하기 위하여 안정화제를 첨가하여 겔화를 방지하는 것이 바람직하다. 사용하는 안정화제로서는, 트리아졸 화합물이 바람직하게 사용된다. 트리아졸 화합물로서는 벤조트리아졸 유도체가 바람직하게 사용된다. 그 중에서도 특히 벤조트리아졸이 유효하게 작용한다. 본 발명에서 사용되는 벤조트리아졸에 의한 유리 분말의 표면 처리의 일례를 든다. 무기 분말에 대하여 소정량의 벤조트리아졸을 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 에틸알코올, 메틸알코올 등의 유기 용매에 용해한 후, 무기 분말을 용액 중에 1 내지 24시간 침지한다. 침지후, 바람직하게는 20 내지 30℃에서 자연 건조하여 용매를 증발시키고 트리아졸 처리된 분말을 제조한다. 사용되는 안정화제의 비율 (안정화제/무기 분말)은 0.05 내지 5 중량%가 바람직하다.
증감제는 감도를 향상시키기 위하여 첨가된다. 증감제의 구체예로서는, 2, 4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜타논, 2,6-비스(4-디메틸아미니벤잘)시클로헥사논, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥사논, 미히라케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)-벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)카르콘, 4,4-비스(디에틸아미노)카르콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)-이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐-비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐-비스(7-디에틸아미노쿠말린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, N-페닐에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸, 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 이들을 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 한편, 증감제 중에는 광중합 개시제로서도 사용할 수 있는 것이 있다. 증감제를 본 발명의 감광성 페이스트에 첨가하는 경우, 그 첨가량은 감광성 성분에 대하여 통상 0.05 내지 10 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%이다. 증감제의 양이 너무 적으면 광감도를 향상시키는 효과가 발휘되지 않고, 증감제의 양이 너무 많으면 노광부의 잔존율이 너무 작아질 우려가 있다.
또한, 증감제는 노광 파장에 흡수되는 것이 사용된다. 이 경우, 흡수 파장 근방에서는 굴절률이 극단적으로 높아지기 때문에 증감제를 다량으로 첨가함으로써 유기 성분의 굴절률을 향상시킬 수가 있다. 이 경우 증감제의 첨가량은 3 내지 10 중량% 첨가할 수가 있다.
중합 금지제는 보존시의 열안정성을 향상시키기 위하여 첨가된다. 중합 금지제의 구체적인 예로서는, 히드로퀴논, 히드로퀴논의 모노에스테르화물, N-니트로소디페닐아민, 페노티아진, p-t-부틸카테콜, N-페닐나프틸아민, 2, 6-디-t-부틸-p-메틸페놀, 클로라닐, 피로가롤 등을 들 수 있다. 중합 금지제를 첨가하는 경우, 그 첨가량은 감광성 페이스트중에 통상 0.001 내지 1 중량%이다.
가소제의 구체적인 예로서는, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등을 들 수 있다.
산화 방지제는 보존시에 아크릴계 공중합체의 산화를 방지하기 위하여 첨가된다. 산화 방지제의 구체적인 예로서 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 부틸화 히드록시아니솔, 2,6-디-t-에틸페놀, 2,2-메틸렌-비스-(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2-메틸렌-비스-(4-에틸-6-t-부틸페놀), 4,4-비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스-(2-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스-(2-메틸-4-히드록시-t-부틸페닐)부탄, 비스[3,3-비스-(4-히드록시-3-t-부틸페닐)부티르산 아미드]글리콜에스테르, 디라우릴티오디프로피오네이트, 트리페닐포스파이트 등을 들 수 있다. 산화 방지제를 첨가하는 경우, 그 첨가량은 통상 페이스트중에 0.001 내지 1 중량%이다.
본 발명의 감광성 페이스트에는 용액의 점도를 조정하고자 하는 경우, 유기 용매를 첨가하여도 좋다. 이 때 사용되는 유기 용매로서는 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알코올, 이소프로필알코올, 테트라히드로푸란, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 브로모벤젠, 클로로벤젠, 디브로모벤젠, 디클로로벤젠, 브로모벤조산, 클로로벤조산 등, 또는 이들 중의 1종 이상을 함유하는 유기 용매 혼합물이 사용된다.
유기 성분의 굴절률이란 노광에 의해 감광성 성분을 감광시키는 시점에서의 페이스트 중의 유기 성분의 굴절률이다. 즉, 페이스트를 도포하고, 건조 공정 후에 노광을 행하는 경우는, 건조 공정 후의 페이스트 중의 유기 성분의 굴절률을 말한다. 예를 들면, 페이스트를 유리 기판상에 도포한 후, 50 내지 100℃에서 1 내지 30분 건조하여 굴절률을 측정하는 방법 등이 있다.
본 발명에 있어서, 굴절률의 측정은 일반적으로 행해지는 에립소메트리법과 V블럭법이 바람직하며, 측정은 노광하는 광의 파장으로 행하는 것이 효과를 확인하기에 정확하다. 특히 350 내지 650nm 범위 중의 파장광으로 측정하는 것이 바람직하다. 나아가, i선 (365nm) 또는 g선 (436nm)에서의 굴절률 측정이 바람직하다.
또한, 유기 성분이 광조사에 의해 중합된 후의 굴절률을 측정하기 위해서는, 페이스트 중에 대하여 광조사하는 경우와 같은 빛을 유기 성분에만 조사함으로써 측정할 수 있다.
감광성 페이스트는 통상 무기 분말, 자외선 흡광제, 감광성 중합체, 감광성 단량체, 광중합 개시제 및 용매 등의 각종 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 3축 롤러와 혼련기로 균질하게 혼합 분산하여 제조한다.
페이스트의 점도는 무기 분말, 증점제, 유기 용매, 가소제 및 침전 방지제등의 첨가 비율에 따라 적절히 조정되는데, 그 범위는 2000 내지 20만 cps (센티포이즈)이다. 예를 들면 유리 기판으로의 도포를 스핀코팅법으로 행하는 경우는, 200 내지 5000 cps가 바람직하다. 스크린 인쇄법으로 1회 도포로 10 내지 20μm의 막 두께를 얻기 위해서 5만 내지 20만 cps가 바람직하다.
이어서, 감광성 페이스트를 이용하여 패턴 가공을 하는 일례에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
유리 기판과 세라믹스 기판 또는 중합체로 이루어진 필름 위에 감광성 페이스트를 전면 도포 또는 부분적으로 도포한다. 도포 방법으로서는, 스크린 인쇄, 바 코터, 롤 코터, 다이 코터, 블레이드 코터 등의 방법을 사용할 수 있다. 도포 두께는 도포 회수, 스크린의 메쉬, 페이스트의 점도를 선택함으로써 조정할 수 있다.
여기서 페이스트를 기판상에 도포하는 경우, 기판과 도포막과의 밀착성을 높이기 위하여 기판의 표면 처리를 할 수 있다. 표면 처리액으로서는 실란커플링제, 예를들면 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 트리스-(2-메톡시에톡시)비닐실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-(메타크릴로옥시프로필)트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등, 또는 유기 금속, 예를 들면 유기 티탄, 유기 알루미늄, 유기 지르코늄 등이다. 실란커플링제 또는 유기 금속을 유기 용매, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올 등으로 0.1 내지 5%의 농도로 희석한 것을 사용한다. 이어서, 이 표면 처리액을 스피너 등으로 기판상에 균일하게 도포한 후에 80 내지 140℃에서 10 내지 60분간 건조시킴으로써 표면 처리를 할 수 있다.
또한, 필름상에 도포한 경우, 필름상에서 건조를 행한 후 다음의 노광 공정을 행하는 경우와, 유리 또는 세라믹의 기판상에 붙인 후 노광 공정을 행하는 방법이 있다.
도포한 후, 노광 장치를 사용하여 노광을 행한다. 노광은 통상의 사진 석판으로 이루어지도록, 포토마스크를 사용하여 마스크 노광하는 방법이 일반적이다. 사용하는 마스크는, 감광성 유기 성분의 종류에 따라 네가티브형 또는 포지티브형 중의 어느쪽을 선정한다.
또한, 포토마스크를 사용하지 않고 적색 또는 청색의 레이저광 등으로 직접 묘화하는 방법을 사용하여도 좋다.
노광 장치로서는, 스테퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등을 사용할 수 있다. 또한, 큰 면적의 노광을 행하는 경우는, 유리 기판 등의 기판상에 감광성 페이스트를 도포한 후에, 반송하면서 노광을 행함으로써 작은 노광 면적의 노광기로 커다란 면적을 노광할 수가 있다.
이 때 사용되는 활성 광원은, 예를 들면 가시 광선, 근적외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등을 들 수 있는데, 이들 중에서 자외선이 바람직하며, 그 광원으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 초고압 수은등이 적합하다. 노광 조건은 도포 두께에 따라 다른데, 1 내지 100 mW/cm2출력의 초고압 수은등을 사용하여 0.5 내지 30분간 노광을 한다.
도포한 감광성 페이스트 표면에 산소 차폐막을 마련함으로써 페턴 형상을 향상시킬 수가 있다. 산소 차폐막의 일례로서는 폴리비닐알코올(PVA) 또는 셀룰로오즈 등의 막 또는 폴리에스테르 등의 필름을 들 수 있다.
PVA막을 형성하기 위해서는 농도가 0.5 내지 5 중량%의 PVA 수용액을 스피너 등의 방법으로 기판상에 균일하게 도포한 후에 70 내지 90℃에서 10 내지 60분간 건조함으로써 수분을 증발시켜 행한다. 또 수용액 중에 알코올을 소량 첨가하면 절연막과의 도포성이 좋아져 증발이 용이해지므로 바람직하다. 더욱 바람직한 PVA의 용액 농도는 1 내지 3 중량%이다. 이 범위에 있으면 감도가 한층 향상된다. 산소 차폐막에 의해 감도가 향상되는 것은 다음과 같은 이유라고 추정된다. 즉, 감광성 성분이 광반응할 때에 공기 중의 산소가 있으면 광경화의 감도를 방해한다고 생각되지만, 산소 차폐막이 있으면 여분의 산소를 차단할 수 있으므로 노광시에 감도가 향상된다고 생각된다.
폴리에스테르 또는 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 투명한 필름을 도포 후의 감광성 페이스트 상에 부착하여 사용하는 방법도 있다.
노광 후, 감광 부분과 비감광 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 이용하여 현상을 행한다. 현상은 침지법, 샤워법, 스프레이법, 브러쉬법으로 행할 수 있다.
사용하는 현상액은 감광성 페이스트 중의 유기 성분이 용해 가능한 유기 용매를 사용할 수 있다. 또한, 이 유기 용매에 그 용해력이 손상되지 않는 범위에서 물을 첨가하여도 좋다. 감광성 페이스트 중에 카르복실기 등의 산성기를 갖는 화합물이 존재하는 경우, 알칼리 수용액으로 현상할 수 있다. 알칼리 수용액으로서 수산화나트륨 또는 탄산나트륨, 수산화칼슘 수용액 등과 같은 금속 알칼리 수용액도 사용할 수 있는데, 유기 알칼리 수용액을 사용하는 것이 소성시에 알칼리 성분을 제거하기 쉬우므로 바람직하다.
유기 알칼리로서는 일반적인 아민 화합물을 사용할 수가 있다. 구체적으로는 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸벤질암모늄히드록시드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액의 농도는 통상 0.01 내지 5중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%이다. 알칼리 농도가 너무 낮으면 가용부가 제거되지 않고, 알칼리 농도가 너무 높으면 패턴부를 박리시키며 비가용부를 부식시킬 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한, 현상시의 현상 온도는 20 내지 50℃에서 행하는 것이 공정 관리상 바람직하다.
이어서, 소성로에서 소성을 한다. 소성 분위기나 온도는 페이스트 또는 기판의 종류에 따라 다른데 공기 중, 질소, 수소 등의 분위기 중에서 소성한다. 소성로로서는 배치식의 소성로 또는 밸트식의 연속형 소성로를 사용할 수가 있다.
유리 기판상에 패턴 가공하는 경우는 승온 속도 200 내지 400 ℃/시간으로 540 내지 610℃의 온도에서 10 내지 60분간 유지하여 소성을 행한다. 또한, 소성 온도는 사용하는 유리 분말에 의해 결정되는데, 패턴 형성 후의 형태가 망가지지 않으며, 유리 분말의 형상이 남지 않는 적정한 온도에서 소성하는 것이 바람직하다.
적정 온도보다 낮으면 기공률, 격벽 상부의 요철이 커져 방전 수명이 짧아지거나 오방전을 일으키기 쉽기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 적정 온도보다 높으면 패턴 형상시의 형상이 망가져 격벽 상부가 둥그스름해지거나 높이가 극히 낮아져 목적으로 하는 높이를 얻을 수 없기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 이상의 도포 또는 노광, 현상, 소성의 각 공정 중에 건조, 예비 반응의 목적으로 50 내지 300℃ 가열 공정을 도입하여도 좋다.
본 발명의 격벽을 형성할 때, 기판과 격벽 사이에 완충층을 마련하면, 유리 기판상에 직접 형성하는 경우에 비해 격벽이 밀착성이 증대하여 박리가 억제되기 때문에 바람직하다.
완충층은 유리를 주성분으로 하는 분말 및 유기 성분으로 이루어지는 페이스트를 유리 기판상에 도포한 후 건조하여 완충층용 도포막을 형성한 후, 이것을 소성하여 형성한다.
완충층용 페이스트에 사용하는 유기 성분으로는 유기 결합제, 가소제, 용매 및 필요에 따라 분산제나 균염제 등을 첨가할 수 있다. 유기 결합제의 구체적인 예로서는 폴리비닐알코올, 셀룰로오즈계 중합체, 실리콘 중합체, 폴리에틸렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리스티렌, 폴리아미드, 고분자량 폴리에테르, 폴리비닐부티랄, 메타크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르 중합체, 아크릴산 에스테르메타크릴산 에스테르 공중합체, α-메틸스티렌 중합체, 부틸메타크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.
완충층용 페이스트의 점도를 조정할 때는 결합제 성분의 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알코올, 이소프로필알코올, 테트라히드로푸란, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 브로모벤젠, 클로로벤젠, 디브로모벤젠, 디클로로벤젠, 브로모벤조산, 클로로벤조산 등, 또는 이들 중의 1종 이상을 함유하는 유기 용매 혼합물이 사용된다.
또한, 페이스트 중에 가소제를 포함할 수도 있다. 가소제의 구체적인 예로서는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린 등을 들 수가 있다.
완충층용 페이스트에 사용하는 유리 분말의 양은 유리 분말과 유기 성분의 합량에 대하여 50 내지 85 중량%인 것이 바람직하다. 50 중량% 미만이면, 완충층의 치밀성, 표면의 평탄성이 결여되기 때문에 반사율이 저하하여 휘도를 얻을 수 없다. 85 중량%를 초과하면 소성 수축에 기인하는 완충층의 균열이 발생하기 쉬워진다.
완충층의 두께는 3 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 6 내지 15 ㎛인 것이 균일한 완충층의 형성을 위하여 바람직하다. 두께가 20 ㎛을 초과하면 소성시에 탈매가 곤란하여 균열이 발생하기 쉬우며, 유리 기판에 가해지는 응력이 크기 때문에 기판이 휘는 등의 문제가 생긴다. 또한, 3 ㎛ 미만이면 두께의 균일성을 유지하는 것이 곤란하다.
완충층은 소성 후에 유전체 층으로서의 역할을 하는 것이 통상이다. 유전체층은 발광 특성과의 관계에서 최적인 두께의 범위가 한정된다. 따라서, 필요에 따라 적절한 두께가 되도록 완충층 아래에 유전체층을 미리 마련해 두는 것도 유효하다.
완충층용 페이스트에 격벽 형성에서 상술한 자외선 흡수제, 특히 350 내지 450 nm의 파장 범위에서 높은 UV 흡수 계수를 갖는 유기 염료를 첨가하는 것도 유효하다. 격벽을 감광성 페이스트로 제작할 때, 밑바닥의 광반사의 영향은 패턴 형성성에 크게 영향을 준다. 그래서 자외선 흡수제를 첨가함으로써 완충층에서의 광반사의 영향을 적게 하여 본 발명의 격벽 형상을 얻을 수가 있기 때문에 바람직하다.
유기 염료의 첨가량은 완충층에 사용하는 유리 분말에 대하여 0.05 내지 1 중량부가 바람직하다. 0.05 중량% 미만이면 격벽 패턴 하부에 잔막이 발생하기 쉬워지거나, 1 중량%를 초과하면 완충층의 광경화에 필요한 노광량이 많아지기 때문에 소성시에 박리를 발생시키기 때문에 바람직하지 않다.
완충층은 50 내지 400 ℃ 범위의 열팽창 계수 (α50∼400)가 70 내지 85×10-7/K, 보다 바람직하게는 72 내지 83×10-7/K인 유리로 이루어지는 것이 기판 유리의 열팽창 계수와 정합하여 소성시에 유리 기판에 가해지는 응력을 줄이므로 바람직하다. 85 ×10-7/K를 초과하면 완충층의 형성면측으로 기판이 휘는 응력이 가해지고, 70×10-7/K 미만이면 완충층이 없는 면측으로 기판이 휘는 응력이 가해진다. 이 때문에 기판의 가열, 냉각을 반복하면 기판이 갈라지는 경우가 있다. 또한, 전면 기판과의 봉착시에 기판의 휨 때문에 양쪽 기판이 평행이 되지 않아 봉착할 수 없는 경우도 있다.
또한, 완충층에 포함되는 유리에는 유리 전이점 Tg가 430 내지 500℃, 연화점 Ts가 470 내지 580℃인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 완충층을 형성할 때 유리 전이점이 500℃, 연화점이 580℃보다 높으면 고온에서 소성해야만 하므로, 소성시에 유리 기판에 변형이 발생한다. 또 유리 전이점이 430℃, 연회점이 470℃보다 낮은 재료는 그 후의 공정에서 형광체를 도포, 소성할 때에 완충층에 변형이 발생하여 막 두께 정밀도가 유지되지 않으므로 바람직하지 않다.
산화 비스무스, 산화납, 산화 아연 중 적어도 1종류를 유리 중에 10 내지 85 중량% 함유하는 유리를 사용함으로써 연화점, 열팽창 계수의 조정이 용이해진다.
산화 비스무스, 산화납, 산화 아연의 첨가량은 85 중량%를 초과하면 유리의 내열 온도가 너무 낮아져 유리 기판상으로의 점착이 어려워진다.
상기 유리 중 특히 산화 비스무스를 10 내지 85 중량% 함유하는 유리를 사용하는 것은 페이스트의 포트 수명이 길다는 등의 이점이 있다.
산화 비스무스를 포함하는 유리 조성으로서는 산화물 환산 표기로
산화 비스무스 10 내지 70 중량부
산화규소 3 내지 50 중량부
산화 붕소 5 내지 40 중량부
산화 아연 2 내지 30 중량부
산화 지르코늄 3 내지 10 중량부
의 조성을 포함하는 것을 50 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
완충층에 사용하는 분말의 입경은 D10 (10 체적% 입경) 0.4 내지 2 ㎛, D50 (50 체적% 입경) 1 내지 3 ㎛, D90 (90 체적% 입경) 3 내지 8 ㎛, 최대 입자 사이즈 10 ㎛ 이하의 입도 분포를 갖는 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 D90은 3 내지 5 ㎛, 최대 입자 사이즈 5 ㎛ 이하가 바람직하다. 입도 분포가 이 범위에 있으면 소성 후의 완충층 표면이 평탄해져 치밀한 유리층이 되고, 격벽의 박리, 단선, 굴곡을 방지할 수가 있다.
완충층용 도포막 위에 격벽 패턴을 형성한 후, 격벽 패턴과 완충층을 동시에 소성하면 완충층과 격벽의 탈결합이 동시에 일어나기 때문에 격벽의 탈결합에 의한 수축 응력이 완화되어 박리 또는 단선을 방지할 수 있다. 이에 대하여, 우선 완충층만을 소성한 후 이 위에 격벽 패턴을 형성하여 소성하는 경우, 격벽과 완충 층간의 밀착 부족에 의한 소성시의 박리나 단선을 일으키기 쉽다. 또한, 격벽과 완충층을 동시에 소성하면 공정 수가 적어지는 이점이 있다.
동시 소성법인 경우, 완충층용 도포막을 형성한 후 막의 경화를 행하면 격벽 패턴 형성 공정에서 완충층용 도포막이 현상액에 침식되지 않기 때문에 바람직하다. 완충층용 도포막을 경화하기 위해서는 완충층용 페이스트에 감광성을 부여하여 유리 기판상에 도포하고, 건조를 행한 후 노광을 행하여 광경화하는 방법이 간단하여 적합하게 사용된다.
완충층용 페이스트 중에 감광성 단량체, 감광성 올리고머, 감광성 중합체 중 적어도 1종류에서 선택되는 감광성 성분을 함유하고, 다시 필요에 따라 광중합 개시제, 자외선 흡수제, 증감제, 증감 조제, 중합 금지제 등의 첨가제 성분을 첨가하는 것으로 감광성이 부여된다.
노광 조건은 사용되는 감광성 성분의 종류나 양, 도포 두께에 따라 다르지만, 1 내지 100 mW/cm2출력의 초고압 수은등을 사용하여 20초에서 30분간 노광을 행한다. 이 때 광경화가 불충분하면 경화 불균일에 의해 소성시에 박리가 발생할 수 있다. 또한, 사용하는 중합체에 따라서는 격벽 패턴 형성의 현상시에 현상액에 침해되어 박리가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 충분한 노광량을 부여하여 광경화시키는 것이 중요하다.
또한, 열중합에 의해서도 완충충용 도포막을 경화시킬 수가 있다. 이 경우는 완충층용 페이스트 중에 라디칼 중합성 단량체 및 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 페이스트를 도포한 후, 가열하는 방법 등이 있다. 라디칼 중합성 단량체의 구체적인 예로서는 에틸렌, 스티렌, 부타디엔, 염화비닐, 아세트산 비닐, 아크릴산, 아크릴산 메틸, 메틸비닐케톤, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등이 있다. 라디칼 개시제로서는 과산화 벤조일, 과산화 라우로일, 과황산 칼륨, 아조비스이소부티로니트릴, 과산화 벤조일-디메틸아닐린 둥을 들 수 있다.
완충층용 도포의 경화를 행하지 않을 수도 있는데, 경화를 행했을 경우에 비해 격벽 패턴 형성 공정에서 현상액에 의한 침식을 받아 완충층에 균열이 발생하기 쉽다. 따라서, 현상액으로 비용해성의 중합체를 선택하여야 한다.
이하, 실시예를 사용하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한 실시예, 비교예 중의 농도 (%)는 특별히 언급이 없는 한 중량%이다.
본 발명의 실시예에 사용한 재료를 이하에 나타낸다.
(격벽용 유리 분말)
유리 ①;
조성: Li2O 9%, SiO220%, B2O331%, BaO 4%, Al2O324%, ZnO 2%, MgO 6%, CaO 4%
열물성: 유리 전이점 474℃, 연화점 515℃,
열팽창 계수 83×10-7/K
입경: D10 0.9 ㎛
D50 2.5 ㎛
D90 6.5 ㎛
최대 입경 18.5 ㎛
비표면적: 2.56 ㎡/g
굴절률: 1.59 (g선 436 nm)
비중: 2.55
유리 ②;
조성, 열물성, 굴절률, 비중은 유리 ①과 동일하다.
입경: D10 0.7 ㎛
D50 1.6 ㎛
D90 2.4 ㎛
최대 입경 5.2 ㎛
비표면적: 5.8 ㎡/g
유리 ③;
조성: Li2O 7%, SiO222%, B2O332%, BaO 4%, Al2O322%, ZnO 2%, MgO 6%, CaO 4%
열물성: 유리 전이점 491℃, 연화점 528℃,
열팽창 계수 74×10-7/K
입경: D10 0.9 ㎛
D50 2.6 ㎛
D90 7.5 ㎛
최대 입경 22.0 ㎛
비표면적: 1.92 ㎡/g
굴절률: 1.59 (g선 436 nm)
비중: 2.54
유리 ④;
조성, 열물성은 유리 ③과 동일하다.
입경: D10 0.8 ㎛
D50 1.5 ㎛
D90 2.5 ㎛
최대 입경 4.6 ㎛
비표면적: 5.9 ㎡/g
굴절률: 1.59 (g선 436 nm)
비중: 2.54
유리 ⑤;
조성: Li2O 4%, K2O 5%, SiO215%, B2O333%, BaO 4%, Al2O320%, ZnO 13%, MgO 1%, CaO 5%
열물성: 유리 전이점 470℃, 연화점 511℃,
열팽창 계수 76×10-7/K
입경: D10 0.9 ㎛
D50 2.7 ㎛
D90 6.0 ㎛
최대 입경 13.1 ㎛
비표면적: 2.29 ㎡/g
굴절률: 1.58 (g선 436 nm)
비중: 2.67
유리 ⑥;
조성: Bi2O327%, SiO214%, B2O318%, Na2O 2%, BaO 14%, Al2O34%, ZnO 21%
열물성: 유리 전이점 483℃, 연화점 523℃,
열팽창 계수 79×10-7/K
입경: D10 1.4 ㎛
D50 3.4 ㎛
D90 7.4 ㎛
최대 입경 22.0 ㎛
비표면적: 3.26 ㎡/g
굴절률: 1.73 (g선 436 nm)
비중: 4.13
(완충층용 유리 분말)
유리 ⑦;
조성: Bi2O338 , SiO27%, B2O319%, BaO 12%, Al2O34%, ZnO 20%
열물성: 유리 전이점 475 ℃, 연화점 515 ℃,
열팽창 계수 75×10-7/K
입경: D10 0.9 ㎛
D50 2.5 ㎛
D90 3.9 ㎛
최대 입경 6.5 ㎛
비중: 4.61
유리 ⑧;
조성: Bi2O367%, SiO210%, B2O312%, Al2O33%, ZnO 3%, ZrO25%
열물성: 유리 전이점 455℃, 연화점 484℃,
열팽창 계수 77×10-7/K
입경: D10 0.4 ㎛
D50 2.0 ㎛
D90 5.2 ㎛
최대 입경 9.5 ㎛
비중: 5.35
(충진재)
충진재 ①; 고융점 유리 분말
조성: SiO238%, B2O310%, BaO 5%, CaO 4%, Al2O336%, ZnO 2%, MgO 5%
열물성: 유리 전이점 652 ℃, 연화점 746 ℃,
열팽창 계수 43×10-7/K
입경: D10 1.0 ㎛
D50 2.4 ㎛
D90 4.7 ㎛
최대 입경 10.0 ㎛
비표면적: 4.17 ㎡/g
굴절률: 1.59 (g선 436 nm)
비중: 2.53
티타니아: 이시하라 산교주식회사 상품명 TIPAQUE R550,
평균 입경 0.24 ㎛의 분말
티탄산 바륨: 미쓰이 고산주식회사 프로덕트 코드 No. 219-9,
평균 입경 1.5 ㎛의 분말
(중합체)
중합체 ①: 40%의 메타크릴산 (MAA), 30%의 메틸메타크릴레이트 (MMA) 및 30%의 스티렌 (St)으로 이루어지는 공중합체의 카르복실기에 대하여 0.4 당량의 글리시딜메타크릴레이트(GMA)를 부가 반응시킨 중량 평균 분자량 43000, 산가 95의 감광성 중합체의 40% γ-부티로락톤 용액
중합체 ②: 구조는 중합체 ①과 동일하며 중량 평균 분자량이 18000, 산가가 100인 감광성 중합체의 40% γ-부티로락톤 용액
중합체 ③: 40%의 메타크릴산 (MAA), 30 %의 메틸메타크릴레이트 (MMA) 및 30%의 스티렌 (St)으로 이루어지는 공중합체의 카르복실기에 대하여 0.8 당량의 글리시딜메타크릴레이트 (GMA)를 부가 반응시킨 중량 평균 분자량 30000, 산가 50의 감광성 중합체의 40% γ-부티로락톤 용액
EC: 치환도 1.5, 중량 평균 분자량 50000의 에틸셀룰로오즈의 6% 테르피네올 용액
(단량체)
단량체 ①: X2-N-CH2-Ph-CH2-N-X2
X: -CH2-CH(OH)-CH2O-CO-C(CH3)=CH2
단량체 ②: X2-N-CH(CH3)-CH2-(O-CH2-CH(CH3))n-N-X2
X: -CH2-CH(OH)-CH2O-CO-C(CH3)=CH2
n=2 ∼ 10
단량체 ③: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트·모디파이드 PO
(광중합 개시제)
IC-369: Irgacure-369 (시바 가이기 제품)
2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페놀)부타논-1
IC-907: Irgacure-907 (시바 가이기 제품)
2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐-2-모르폴리노프로파논
(증감제)
DETX-S: 2,4-디에틸티오크산톤
(증감 보조제)
EPA: p-디메틸아미노벤조산 에틸에스테르
(가소제)
DBP: 디부틸프탈레이트(DBP)
(증점제)
SiO: SiO2의 아세트산 2-(2-부톡시에톡시)에틸 15% 용액
(유기 염료)
수단: 아조계 유기 염료, 화학식 C24H20N4O, 분자량 380.45
<실시예 1>
표 1에 나타내는 조성으로 이루어지는 격벽용 감광성 페이스트를 제조하였다. 유리 분말 (유리 ①) 70 중량부에 대하여 유기 염료 (수단) 0.08 중량부의 비율로 칭량하였다. 수단을 아세톤에 용해시키고, 분산제를 첨가하여 균질화기로 균질하게 교반하였다. 이 용액중에 유리 분말을 첨가하여 균질하게 분산, 혼합한 후 로터리 에버폴레이터를 사용하여 100℃의 온도에서 건조하여 아세톤을 증발시켰다. 이렇게 하여 유기 염료의 막에서 유리 분말의 표면이 균질하게 코팅된 분말을 제조하였다.
중합체, 단량체, 광중합 개시제, 증감제를 표 1에 나타내는 비율로 혼합하여, 균질하게 용해시켰다. 그 후, 이 용액을 400 메쉬의 필터를 사용하여 여과하여 유기 비히클을 제조하였다.
상기 유기 비히클과 상기 유리 분말을 표 1에 나타내는 조성이 되도록 첨가하여 3축 롤러로 혼합, 분산하여 격벽 형성용의 감광성 페이스트를 조제하였다. 유기 성분의 굴절률은 1.59, 유리 분말의 굴절률은 1.59이었다.
이어서, 동일한 조작으로 표 2에 나타내는 조성으로 이루어지는 완충층용 감광성 페이스트를 제조하였다.
이 완충층용 페이스트를 전극, 유전체층을 미리 형성한 A4 사이즈의 아사히 가라스사 제품의 PD-200 기판 위에 325 메쉬의 스크린을 사용하여 스크린 인쇄로 균일하게 도포하였다. 그 후 80℃에서 40분간 유지하여 건조하였다. 건조 후의 두께는 15 ㎛이었다.
이어서, 상면에서 50 mJ/cm2출력의 초고압 수은등으로 자외선 노광하였다. 노광량은 4 mJ/cm2이었다.
완충층용 도포막의 위에 상기 격벽용 감광성 페이스트를 325 메쉬의 스크린을 사용하여 스크린 인쇄로 균일하게 도포하였다. 도포막에 핀 홀 등의 발생을 회피하기 위하여 도포, 건조를 반복하여 막 두께의 조정을 행하였다. 도중의 건조는 80℃에서 10분간 행하였다. 그 후, 80℃에서 1시간 유지하여 건조하였다. 건조 후의 두께는 170 ㎛이었다.
이어서, 140 ㎛ 핏치의 네가티브형 크롬마스크를 통하여 상면에서 50 mJ/cm2출력의 초고압 수은등으로 자외선 조사하였다. 노광량은 0.7 mJ/cm2이었다.
이어서, 35℃로 유지한 모노에탄올아민의 0.2 중량% 수용액을 샤워로 170초 동안 뿌림으로써 현상하고, 그 후 샤워 스프레이를 사용하여 물로 세정하였다. 이에 따라 광경화되어 있지 않은 부분이 제거되고, 유리 기판상에 줄무늬상의 격벽 패턴이 형성되었다.
이와 같이 하여 격벽 패턴이 형성된 유리 기판을 공기중에서 560℃에서 15분 동안 소성하여 격벽을 형성하였다.
격벽을 형성한 유리 기판의 격벽내의 소정의 홈에 감광성 페이스트법으로 형광체층을 형성하였다. 즉, 적(R), 녹(G), 청(B) 3종류의 감광성 형광체 페이스트를 제작하여 1종류씩 인쇄, 건조, 포토마스크에 의한 노광, 현상을 반복함으로써 소정의 개소에 형광체 패턴을 형성하였다. 이 조작을 각 색에 대하여 행한 후, 500℃에서 20분 동안 일괄 소성하여 형광체층을 형성하였다. 이에 따라 PDP용 배면판이 얻어졌다.
형성한 격벽의 단면 형상을 주사형 전자 현미경 (HITACHI 제품 S-2400)으로 관찰하였다. 도 2, 도 4, 도 6, 도 7과 같은 형상의 경우는 상면폭, 1/2 높이폭, 하면폭을, 도 3 및 도 8과 같이 상면부, 하면부의 측정이 곤란한 경우는 상면폭, 하면폭 대신에 L90, L10을 측정하였다. 또 도 4와 같이 기저면에 R자 형상을 가진 경우는 곡률 반경도 측정하였다. 각 값은 3개 샘플의 평균값에 의해 산출하였다. 본 실시예의 형상은 도 4였다.
또한, 격벽을 따라 1 ㎜ 길이에서의 격벽의 진동량을 측정하였다. 역시 3개 샘플의 평균값에 의해 산출하였다. 상기 SEM 관찰에서 완충층의 두께를 측정하였다. 격벽 재질의 참밀도 및 격벽의 실측 밀도를 아르키메데스법으로 측정하여 기공률을 산출하였다.
격벽 및 형광체층의 결함에 대해서는 (1) 소성전의 격벽의 붕괴, 박리의 유무, (2) 소성 후의 격벽의 박리, 단선의 유무, (3) 형광체층의 도포 균일성을 평가하였다. 각각 결함이 없는 경우는 ○으로 하였다. 또한 각 격벽의 개구율을 1-(1/2 높이폭/핏치)라고 정의하여 산출하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 소성 전후 모두 박리, 붕괴, 단선이 없으며 형광체의 도포 균일성도 양호한 우수한 것이었다.
이어서, 전극, 유전체, 보호층을 미리 배치한 전면판과 상기 배면판에 밀봉제가 되는 저융점 유리 페이스트를 마련하고, 소정의 배치가 되도록 위치를 맞추어 대향 배치하고 450℃에서 30분 동안 처리하여 밀봉하였다. 그 후, 표시 영역 내부를 배기하여 He 99%, Xe 1%의 혼합 가스의 봉입을 행하고 플라즈마 디스플레이 패널을 완성시켜 형광 특성을 조사하였다. 휘도 얼룩, 휘도에 문제가 없는 경우는 ○으로 하였다. 결과를 표 3에 나타냈다. 휘도 얼룩이 적고, 고휘도로 우수한 특성을 가지고 있었다.
<실시예 2>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1에 나타내는 바와 같이 바꾸고, 노광량을 1 J/cm2로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 3>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1에 나타내는 바와 같이 바꾸고, 노광량을 1 J/cm2로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 4>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1에 나타내는 바와 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 노광량을 0.3 J/cm2, 현상 시간을 150초로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 5>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1에 나타내는 바와 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 150초로 바꾼 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 6>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1에 나타내는 바와 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛, 그 노광량을 5 J/cm2로 하고, 격벽용 페이스트를 150 ㎛ 도포하고, 노광량을 1.5 J/cm2, 현상 시간을 150초로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 7>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 조성을 표 2와 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛, 그 노광량을 5 J/cm2로 하고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 노광량을 1.2 J/cm2, 현상 시간을 150초로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 8>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 조성을 표 2와 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛, 그 노광량을 5 J/cm2로 하고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 190 ㎛로 하고, 현상 시간을 200초로 하고, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 9>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 조성을 표 2와 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛, 그 노광량을 4 J/cm2로 하고, 격벽 패턴의 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 10>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 조성을 표 2와 같이 바꾸어 비감광성 페이스트로 하고, 그 도포 두께를 36 ㎛로 하고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 230 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 현상 시간을 230초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 11>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 36 ㎛로 하고, 그 노광량 10 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 140 ㎛로 하고, 그 노광량 10 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 140 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 1.2 J/cm2, 현상 시간을 150초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 12>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트 도포 두께를 36 ㎛로 하고, 그 노광량 10 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 230 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.5 J/cm2, 현상 시간을 230초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 13>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 100 ㎛, 노광 파장을 g선 (436 nm)만으로 노광량을 0.8 J/cm2, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 14>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 구께를 200 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.7 J/cm2, 현상 시간을 200초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 15>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 230 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 230 ㎛, 노광량을 1.2 J/cm2, 현상 시간을 230초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 16>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 포토마스크의 도포 두께를 210 ㎛로 하고, 격벽용 패턴의 노광량을 0.9 J/cm2, 현상 시간을 200초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 17>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 패턴의 노광량을 0.7 J/cm2, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 18>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 200 ㎛로 하고, 그 노광량을 0.9 J/cm2, 현상 시간을 200초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 19>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트를 130 ㎛ 도포하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 100초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 20>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.7 J/cm2, 소성 온도를 570℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 21>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트를 150 ㎛ 도포하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량은 0.6 J/cm2, 현상 시간을 150초, 소성 온도를 570℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 22>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 160 ㎛ 도포하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.7 J/cm2, 현상 시간을 160초, 소성 온도를 570℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 23>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 230 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 230 ㎛, 노광량을 1.3 J/cm2, 현상 시간을 230초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<실시예 24>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 36 ㎛로 하고, 그 노광량을 10 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 150초, 소성 온도를 560℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다. 결과를 표 3에 나타냈다.
<비교예 1>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 36 ㎛으로 하고, 그 노광량을 10 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 150초, 소성 온도를 560℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 격벽용 유리 분말의 입도가 작았기 때문에 격벽 저부까지 노광되지 않고 Lt/Lh>1, Lb/Lh<1이 되어 격벽의 붕괴, 박리가 현저하였다.
<비교예 2>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 10 ㎛로 하고, 그 노광량을 3 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 190 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.1 J/cm2, 현상 시간을 200초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 이 조성의 격벽용 페이스트에서는 L90/Lh>1, L10/Lh>2의 격벽밖에 얻어지지 않아 격벽의 굴곡도 크고, 휘도 얼룩이 컸다.
<비교예 3>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 130 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.2 J/cm2, 현상 시간을 120초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 유기 염료의 첨가량을 적게 했더니, Lb/Lh>2가 되어 발광 휘도가 낮아졌다.
<비교예 4>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 현상 시간을 160초로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 격벽용 페이스트 중의 유리 분말의 함량이 많았기 때문에 격벽기저부까지 노광되지 않고, Lt/Lh<0.65, Lb/Lh<1이 되어, 격벽의 붕괴가 일어나 휘도가 낮아졌다.
<비교예 5>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 20 ㎛로 하고, 그 노광량을 5 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 75 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 50초로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 격벽용 페이스트 중의 유리 분말의 함량이 적었기 때문에 L10/Lh>2가 되어 발광 휘도가 낮아졌다.
<비교예 6>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 30 ㎛로 하고, 그 노광량을 8 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 90 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 70초, 소성 온도를 570℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 격벽용 페이스트 중의 유리 분말의 굴절률이 1.73, 유기 성분의 굴절률이 1.59이며, 굴절률의 정합이 나빠 노광이 잘 되지 않고, Lt/Lh>1의 격벽밖에 얻어지지 않아 격벽의 굴곡도 크고, 휘도 얼룩이 컸다.
<비교예 7>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 100 ㎛로 하고, 노광량을 0.6 J/cm2, 현상 시간을 90초로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 격벽용 유리 분말의 입도가 낮았기 때문에 격벽 기저부까지 노광되지 않고, Lb/Lh>1이 되어 격벽의 붕괴, 박리가 현저하였다.
<비교예 8>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 100 ㎛로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 150 ㎛, 노광량을 3 J/cm2, 현상 시간을 100초, 소성 온도를 570℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 유기 염료의 첨가량을 많게 했더니, Lb/Lh<1이 되어 격벽의 붕괴가 일어나고 휘도가 낮아졌다.
<비교예 9>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층을 설치하지 않고, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 150 ㎛로 하고, 노광량을 0.7 J/cm2, 소성 온도를 500℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 완충충이 없기 때문에 박리가 현저하였다. 또한, 소성 온도가 낮았기 때문에 Lb/Lh>2가 되었다.
<비교예 10>
격벽용 페이스트의 조성을 표 1과 같이 바꾸고, 완충층용 페이스트의 도포 두께를 10 ㎛로 하고, 그 노광량을 3 J/cm2, 격벽용 페이스트의 도포 두께를 180 ㎛ 로 하고, 격벽용 포토마스크의 핏치를 230 ㎛, 현상 시간을 190초, 소성 온도를 580℃로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 검토를 행하였다.
결과를 표 3에 나타냈다. 광중합 개시제, 증감제의 첨가량을 줄였기 때문에 노광이 잘 되지 않고, Lt/Lh<0.65, Lb/Lh<1이 되어 격벽의 붕괴가 일어나고 휘도 얼룩이 컸다.
격벽용 감광성 페이스트의 조성
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6
유리 분말 유리① 70 70 70 70 70 70
유기 염료 수단 0.08 0.08 0.08 0.05 0.1 0.13
중합체 중합체① 37.5 37.5 37.5 37.5 37.5 37.5
단량체 단량체② 12.75 12.75 12.75 12.75 12.75 12.75
개시제 IC-369 4.8 2.4 1.8 4.8 4.8 4.8
증감제 DETX-S 4.8 2.4 3.6 4.8 4.8 4.8
실시예 7 실시예 8 실시예 9 실시예 10 실시예 11 실시예 12
유리 분말 유리① 70 --- --- --- --- ---
유리③ --- 70 70 70 70 70
유기 염료 수단 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08
중합체 중합체① 50 37.5 37.5 37.5 50 25
단량체 단량체① --- --- --- 12 8 16
단량체② 8.5 12.75 12.75 --- --- ---
개시제 IC-369 4.8 2.4 4.8 4.8 4.8 4.8
증감제 DETX-S 4.8 2.4 4.8 4.8 4.8 4.8
실시예 13 실시예 14 실시예 15 실시예 16 실시예 18 실시예 18
유리 분말 유리① --- --- --- --- --- 56
유리③ 70 65 80 70 70 ---
충진재 충진재① --- --- --- --- --- 14
유기 염료 수단 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08
중합체 중합체① 37.5 43.75 25 --- --- 37.5
중합체② --- --- --- --- 37.5 ---
중합체③ --- --- --- 37.5 --- ---
단량체 단량체② 12.75 14.88 8.5 12.75 12.75 12.75
개시제 IC-369 4.8 5.6 3.2 4.8 4.8 4.8
증감제 DETX-S 4.8 5.6 3.2 4.8 4.8 4.8
격벽용 감광성 페이스트의 조성
실시예 13 실시예 14 실시예 15 실시예 16 실시예 18 실시예 18
유리 분말 유리① 56 56 66.5 63 --- ---
유리③ --- --- --- --- 85 ---
유리⑤ --- --- --- --- --- 70
충진재 충진재① --- --- --- --- --- ---
티타니아 14 --- 3.5 7 --- ---
티탄산바륨 --- 14 --- --- --- ---
유기 염료 수단 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08
중합체 중합체① 37.5 37.5 37.5 37.5 18.75 37.5
단량체 단량체② 12.75 12.75 12.75 12.75 6.38 12.75
개시제 IC-369 4.8 4.8 4.8 4.8 2.4 4.8
증감제 DETX-S 4.8 4.8 4.8 4.8 2.4 4.8
비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6
유리 분말 유리① --- 70 --- 90 60 ---
유리③ --- --- 70 --- --- ---
유리④ 70 --- --- --- --- ---
유리⑥ --- --- --- --- --- 70
유기 염료 수단 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08 0.08
중합체 중합체① 37.5 37.5 37.5 12.5 50 37.5
단량체 단량체② 12.75 --- 12.75 4.25 17 12.75
단량체③ --- 12.75 --- --- --- ---
개시제 IC-369 2.4 4.8 4.8 4.8 4.8 2.4
증감제 DETX-S 2.4 0 4.8 4.8 4.8 2.4
비교예 7 비교예 8 비교예 9 비교예10
유리 분말 유리① 70 --- --- ---
유리③ --- 70 70 70
유기 염료 수단 0.08 2 0.08 0.08
중합체 중합체① 37.5 37.5 37.5 37.5
중합체② 12.75 12.75 12.75 12.75
단량체 단량체② 12.75 12.75 12.75 12.75
개시제 IC-369 4.8 4.8 4.8 0.8
증감제 DETX-S 4.8 0 4.8 0.8
완충층용 페이스트의 조성
실시예 1-6 실시예 7 실시예 8 실시예 9 실시예 10 실시예11-20, 비교예1-8,10
유리 분말 유리⑦ 85 58.2 --- 85 58.2 85
유리⑧ --- --- 85 --- --- ---
충진재 티타니아 --- --- --- --- 5.7 ---
티탄산바륨 --- 5.7 --- --- --- ---
유기 염료 수단 0.1 0.1 0.2 0.05 0.15 0.1
중합체 중합체① 25 25 --- 25 --- 25
중합체③ --- --- 25 --- --- ---
EC --- --- --- --- 25.7 ---
단량체 단량체③ 5 5 5 5 --- 5
개시제 IC-369 2 2 2 2 --- 2
증감제 DETX-S 2 2 2 2 --- 2
증감 보조제 EPA 1 1 1 1 --- 1
가소제 DBP 1.7 1.7 1.7 1.7 --- 1.7
증점제 SiO 4 4 4 4 4.1 4
용매 γ-BL 9 9 9 9 6.3 9
결과
실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
형상 도 4 도 3 도 3 도 6 도 4 도 2
피치(㎛) 140 140 140 140 140 140
상면폭 Lt(㎛) 33 --- --- 32 30 30
L90(㎛) --- 21 33 --- --- ---
1/2 높이폭 Lh(㎛) 34 21 35 34 33 32
L10(㎛) --- 33 54 --- --- ---
하면폭 Lb(㎛) 50 --- --- 68 42 35
진동량 Ld(㎛) 35 26 37 35 33 32
Lt/Lh 0.97 --- --- 0.94 0.91 0.94
L90/Lh --- 1.0 0.94 --- --- ---
Lb/Lh 1.47 --- --- 2.0 1.27 1.09
L10/Lh --- 1.57 1.54 --- --- ---
Ld/Lt 1.06 --- --- 1.09 1.1 1.17
Ld/L90 --- 1.23 1.05 --- --- ---
격벽 높이(㎛) 123 117 120 100 102 98
곡률 반경(㎛) 8 --- --- --- 6 ---
Lh/2(㎛) 17 --- --- --- 17 ---
소성전 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
소성후 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
형광체 도포 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
개구율 0.77 0.85 0.75 0.75 0.76 0.78
완충층 두께(㎛) 7 7 7 7 7 10
기공률(%) 1.3 1.7 2.5 1.0 1.5 1.7
발광 특성 ○ ○ ○ ○ ○ ○
결과
실시예7 실시예8 실시예9 실시예10 실시예11 실시예12
형상 도 6 도 6 도 6 도 2 도 6 도 6
핏치(㎛) 140 140 140 150 150 150
상면폭 Lt(㎛) 29 25 23 27 25 25
L90(㎛) --- --- --- --- --- ---
1/2 높이폭Lh(㎛) 33 27 23 30 32 38
L10(㎛) --- --- --- --- --- ---
하면폭 Lb(㎛) 65 50 46 40 50 50
진동량 Ld(㎛) 33 27 23 28 25 30
Lt/Lh 0.88 0.93 1.0 0.9 0.78 0.66
L90/Lh --- --- --- --- --- ---
Lb/Lh 1.97 1.85 2.0 1.33 1.56 1.32
L10/Lh --- --- --- --- --- ---
Ld/Lt 1.14 1.08 1.0 1.04 1.0 1.2
Ld/L90 --- --- --- --- --- ---
격벽 높이(㎛) 103 130 120 165 86 160
곡률 반경(㎛) --- --- --- --- --- ---
Lh/2(㎛) --- --- --- --- --- ---
소성전 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
소성후 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
형광체 도포 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
개구율 0.76 0.81 0.84 0.8 0.79 0.75
완충층 두께(㎛) 10 10 10 18 18 18
기공률(%) 2.7 1.0 1.3 3 3.2 5
발광 특성 ○ ○ ○ ○ ○ ○
결과
실시예13 실시예14 실시예15 실시예16 실시예17 실시예18
형상 도 2 도 3 도 2 도 6 도 6 도 6
피치(㎛) 100 150 230 140 140 140
상면폭 Lt(㎛) 15 --- 35 31 27 25
L90(㎛) --- 25 --- --- --- ---
1/2 높이폭 Lh(㎛) 17 38 47 33 27 27
L10(㎛) --- 57 --- --- --- ---
하면폭 Lb(㎛) 21 --- 58 54 50 50
진동량 Ld(㎛) 16 25 40 34 30 27
Lt/Lh 0.88 --- 0.74 0.94 1 0.93
L90/Lh --- 0.66 --- --- --- ---
Lb/Lh 1.23 --- 1.23 1.64 1.85 1.85
L10/Lh --- 1.5 --- --- --- ---
Ld/Lt 1.07 --- 1.14 1.10 1.11 1.08
Ld/L90 --- 1.0 --- --- --- ---
격벽 높이(㎛) 117 137 165 145 120 130
곡률 반경(㎛) --- --- --- --- --- ---
Lh/2(㎛) --- --- --- --- --- ---
소성전 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
소성후 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
형광체 도포 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
개구율 0.85 0.75 0.82 0.76 0.81 0.81
완충층 두께(㎛) 7 7 7 7 7 7
기공률(%) 2 2.3 2.6 1.7 1.3 1.8
발광 특성 ○ ○ ○ ○ ○ ○
결과
실시예19 실시예20 실시예21 실시예22 실시예23 실시예24
형상 도 2 도 6 도 6 도 6 도 6 도 6
피치(㎛) 150 150 150 150 230 150
상면폭 Lt(㎛) 23 28 25 21 40 37
L90(㎛) --- --- --- --- --- ---
1/2 높이폭 Lh(㎛) 25 28 29 23 45 40
L10(㎛) --- --- --- --- --- ---
하면폭 Lb(㎛) 40 37 44 38 80 72
진동량 Ld(㎛) 24 32 27 24 42 40
Lt/Lh 0.92 1.0 0.86 0.91 0.89 0.93
L90/Lh --- --- --- --- --- ---
Lb/Lh 1.6 1.32 1.52 1.65 1.78 1.8
L10/Lh --- --- --- --- --- ---
Ld/Lt 1.04 1.14 1.08 1.14 1.05 1.08
Ld/L90 --- --- --- --- --- ---
격벽 높이(㎛) 75 115 105 107 160 94
곡률 반경(㎛) --- --- --- --- --- ---
Lh/2(㎛) --- --- --- --- --- ---
소성전 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
소성후 격벽 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
형광체 도포 결함 ○ ○ ○ ○ ○ ○
개구율 0.83 0.81 0.81 0.85 0.80 0.73
완충층 두께(㎛) 10 10 10 10 10 18
기공률(%) 3 4.2 1 4.7 2.6 0.7
발광 특성 ○ ○ ○ ○ ○ ○
결과
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6
형상 도 7 도 8 도 4 도 7 도 3 도 2
핏치(㎛) 150 150 150 150 150 150
상면폭 Lt(㎛) 83 --- 35 21 --- 67
L90(㎛) --- 46 --- --- 45 ---
1/2 높이폭 Lh(㎛) 67 42 35 33 47 66
L10(㎛) --- 90 --- --- 100 ---
하면폭 Lb(㎛) 42 --- 115 21 31 70
진동량 Ld(㎛) 130 80 35 22 47 129
Lt/Lh 1.24 --- 1.0 0.64 --- 1.02
L90/Lh --- 1.10 --- --- 0.96 ---
Lb/Lh 0.63 --- 3.28 0.64 --- 1.06
L10/Lh --- 2.14 --- --- 2.13 ---
Ld/Lt 1.57 --- 1.0 1.05 --- 1.93
Ld/L90 --- 1.74 --- --- 1.04 ---
격벽 높이(㎛) 135 86 80 100 50 64
곡률 반경(㎛) --- --- 40 --- --- ---
Lh/2(㎛) --- --- 17.5 --- --- ---
소성전 격벽 결함 붕괴 붕괴 ○ ○ ○ 굴곡
소성후 격벽 결함 박리 박리 ○ 붕괴 ○ ○
형광체 도포 결함 도포불가 밀려나옴 ○ 기저부도포불가 ○ 밀려 나옴
개구율 0.55 0.72 0.77 0.78 0.77 0.56
완충층 두께(㎛) 5 5 10 10 10 15
기공률(%) 2.2 1.7 3 1.5 3 2.7
발광 특성 --- 휘도 얼룩 휘도 낮음 휘도 낮음 휘도 낮음 휘도 얼룩
결과
비교예7 비교예8 비교예9 비교예10
형상 도 7 도 7 도 6 도 8
피치(㎛) 140 150 140 230
상면폭 Lt(㎛) 48 25 46 42
L90(㎛) --- --- --- ---
1/2 높이폭 Lh(㎛) 50 26 46 66
L10(㎛) --- --- --- ---
하면폭 Lb(㎛) 40 20 100 42
진동량 Ld(㎛) 62 27 79 44
Lt/Lh 0.96 0.96 1.0 0.64
L90/Lh --- --- --- ---
Lb/Lh 0.8 0.77 2.17 0.64
L10/Lh --- --- --- ---
Ld/Lt 1.29 1.08 1.72 1.05
Ld/L90 --- --- --- ---
격벽 높이(㎛) 69 67 120 124
곡률 반경(㎛) --- --- --- ---
Lh/2(㎛) --- --- --- ---
소성전 격벽 결함 붕괴 ○ ○ ○
소성후 격벽 결함 붕괴 붕괴 박리 붕괴
형광체 도포 결함 도포불가 기저부 얼룩 도포불가 측면 얼룩
개구율 0.64 0.83 0.67 0.71
완충층 두께(㎛) 7 7 0 5
기공률(%) 1 2.5 32 1.6
발광 특성 --- 휘도 낮음 --- 휘도얼룩
본 발명의 격벽 형상을 가짐으로써 격벽 패턴 형성 후의 붕괴, 박리, 또한 소성 후의 격벽의 단선, 박리를 없앨 수 있다. 이에 따라 고정밀도의 격벽을 형성할 수 있다. 또 형광체의 피복성을 향상하여 형광체의 도포 얼룩, 단선을 감소함으로써 휘도 얼룩의 저하, 고휘도화가 가능해지며, 고휘도, 고정밀 미세 플라즈마 디스플레이를 제공할 수가 있다.

Claims (18)

  1. 기판상에 격벽을 형성한 플라즈마 디스플레이로서, 상기 격벽의 상면폭 (Lt), 1/2 높이폭 (Lh), 하면폭 (Lb)의 비가 Lt/Lh=0.65 ∼ 1이고 Lb/Lh=1 ∼ 2이되 Lt=Lh=Lb인 경우를 제외하는 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  2. 기판상에 격벽을 형성한 플라즈마 디스플레이로서, 상기 격벽의 90% 높이폭 (L90), 1/2 높이폭 (Lh), 10% 높이폭 (L10)의 비가 L90/Lh=0.65 ∼ 1이고 L10/Lh=1 ∼ 2이되 L90=Lh=L10인 경우를 제외하는 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽의 형상이 줄무늬상이며, 상기 격벽의 선폭 (L)과 진동량 (Ld)가 Ld/L=1 ∼ 1.5인 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  4. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽이 높이 중앙부에서 기저면에 걸쳐 곡면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  5. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽의 선폭이 15 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  6. 제5항에 있어서, 격벽의 핏치가 100 내지 250 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  7. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽의 핏치가 100 내지 160 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  8. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽의 높이가 60 내지 170 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  9. 제8항에 있어서, 격벽의 높이가 100 내지 170 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  10. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽의 기공률이 10% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  11. 제10항에 있어서, 격벽의 기공률이 3% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  12. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽이 유리 전이점이 430 내지 500℃이고, 연화점이 470 내지 580℃이며, 열팽창 계수 (α50-400)가 50 내지 90×10-7/K인 유리 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  13. 제1 또는 2항에 있어서, 격벽 중에 유리 전이점 (Tg)이 500 내지 1200℃이고, 연화점 (Ts)이 550 내지 1200℃인 충진재를 3 내지 60 중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  14. 제1 또는 2항에 있어서, 기판상에 완충층을 설치하고, 상기 완충층상에 격벽을 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  15. 제14항에 있어서, 완충층의 두께가 3 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  16. 제14항에 있어서, 완충층이 열팽창 계수 (α50-400)가 70 내지 85×10-7/K인 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
  17. 기판상에 완충층을 설치하고, 상기 완충층상에 격벽을 형성한 플라즈마 디스플레이의 제조 방법으로서, 기판상에 유리 분말과 유기 성분으로 이루어지는 완충층용 도포막을 형성하고, 이 완충층용 도포막 위에 유리 분말과 유기 성분으로 이루어지는 격벽 패턴을 형성한 후에, 상기 완충층용 도포막 및 상기 격벽 패턴을 동시에 소성하는 것을 특징으로 하는 제14항 기재의 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 완충층용 도포막이 유리 성분과 감광성 유기 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이의 제조 방법.
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6861803B1 (en) * 1992-01-28 2005-03-01 Fujitsu Limited Full color surface discharge type plasma display device
IL121041A0 (en) 1997-06-09 1997-11-20 Yeda Res & Dev Immunogenic compositions for induction of anti-tumor immunity
KR100252990B1 (ko) * 1997-10-24 2000-04-15 구자홍 아크 방전전극을 갖는 칼라 플라즈마 디스플레이패널
EP1281526B1 (en) 1998-02-13 2005-09-14 Seiko Epson Corporation Ink jet droplet ejection capability recovery method
US6439943B1 (en) * 1998-05-12 2002-08-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of plasma display panel that includes adielectric glass layer having small particle sizes
US6140759A (en) * 1998-07-17 2000-10-31 Sarnoff Corporation Embossed plasma display back panel
EP1296347B1 (en) * 1998-07-22 2004-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel, method of manufacturing the same, and display device using the same
US6247986B1 (en) 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6352763B1 (en) 1998-12-23 2002-03-05 3M Innovative Properties Company Curable slurry for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold
US6605834B1 (en) * 1999-02-08 2003-08-12 Lg Electronics Inc. Dielectric for plasma display panel and composition thereof
US6537645B1 (en) 1999-02-22 2003-03-25 3M Innovative Properties Company Photosensitive pastes and substrates for plasma display panel using the same
JP4518215B2 (ja) * 1999-03-17 2010-08-04 東京応化工業株式会社 リブ形成用絶縁性ペースト組成物及びそれを用いたリブパターンの形成方法
FR2797992A1 (fr) * 1999-09-01 2001-03-02 Thomson Plasma Composition pour la realisation d'un reseau noir procede de realisation d'un reseau noir et panneau d'affichage au plasma comprotant un tel reseau noir
US6306948B1 (en) 1999-10-26 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Molding composition containing a debinding catalyst for making ceramic microstructures
TW473759B (en) * 2000-02-18 2002-01-21 Acer Display Tech Inc Fabrication method for ribs of plasma display panel
JP4240733B2 (ja) * 2000-02-22 2009-03-18 三菱重工業株式会社 薄型ディスプレイパネルの隔壁用組成物
US6551720B2 (en) * 2000-05-02 2003-04-22 Sarnoff Corporation Materials to fabricate a high resolution plasma display back panel
US6821178B2 (en) 2000-06-08 2004-11-23 3M Innovative Properties Company Method of producing barrier ribs for plasma display panel substrates
US20020082155A1 (en) * 2000-10-12 2002-06-27 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Barrier rib material for plasma display panel
CN100372042C (zh) * 2001-01-17 2008-02-27 松下电器产业株式会社 等离子体显示屏及其制造方法
US7033534B2 (en) * 2001-10-09 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Method for forming microstructures on a substrate using a mold
US7176492B2 (en) 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method
EP1443029A4 (en) * 2001-11-05 2007-08-01 Asahi Glass Co Ltd GLASS CERAMIC COMPOSITION
US6660184B2 (en) 2001-12-13 2003-12-09 Osram Sylvania Inc. Phosphor paste compositions
JP4043782B2 (ja) * 2001-12-27 2008-02-06 東京応化工業株式会社 プラズマディスプレイパネルの誘電体用組成物、誘電体用積層体、及び誘電体の形成方法
KR100471980B1 (ko) * 2002-06-28 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 격벽이 내장된 플라즈마 디스플레이 패널 및 이 격벽의제조 방법
KR100533720B1 (ko) * 2002-12-09 2005-12-06 엘지마이크론 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판
JP2004272199A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Fuji Xerox Co Ltd 画像表示媒体用リブ及びその製造方法、並びに、それを用いた画像表示媒体
KR100509764B1 (ko) * 2003-04-10 2005-08-25 엘지전자 주식회사 전자파 차폐 필터 및 그 제조 방법
KR100533723B1 (ko) * 2003-04-25 2005-12-06 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP3972022B2 (ja) * 2003-05-28 2007-09-05 東京応化工業株式会社 プラズマディスプレイパネルの凹凸誘電体形成用組成物、凹凸誘電体形成用積層体、及び凹凸誘電体の形成方法
US20050027041A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Toray Industries, Inc. Paste including inorganic powder, method for producing the same and method for producing plasma display panel member
KR100536199B1 (ko) 2003-10-01 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 격벽을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널
US7372202B2 (en) * 2004-04-22 2008-05-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Phase locked microdischarge array and AC, RF or pulse excited microdischarge
US7554270B2 (en) 2004-05-17 2009-06-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Composition for dielectric of plasma display panel, laminate for dielectric, and method for forming the dielectric
KR20050112310A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20060022200A (ko) * 2004-09-06 2006-03-09 엘지전자 주식회사 플라즈마 표시 패널
US7573202B2 (en) * 2004-10-04 2009-08-11 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal/dielectric multilayer microdischarge devices and arrays
KR100658714B1 (ko) * 2004-11-30 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 감광성 조성물, 이를 포함하는 격벽 형성용 감광성페이스트 조성물, 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이패널용 격벽의 제조방법.
JP4428231B2 (ja) * 2004-12-27 2010-03-10 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板、電気光学装置、および電子機器
US7477017B2 (en) 2005-01-25 2009-01-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois AC-excited microcavity discharge device and method
US20060176706A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Chan-Hsing Chou Structure of lamp set
KR20070005126A (ko) * 2005-07-05 2007-01-10 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US20070071948A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 3M Innovative Properties Company Method of making barrier partitions and articles
KR100739056B1 (ko) * 2005-11-23 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR100730044B1 (ko) 2005-12-06 2007-06-20 엘지전자 주식회사 격벽용 슬러리, 그린시트 및 플라즈마 디스플레이 패널의격벽 제조방법
JP5003481B2 (ja) * 2006-01-12 2012-08-15 東レ株式会社 感光性組成物、ディスプレイ部材およびその製造方法
KR100800463B1 (ko) * 2006-08-08 2008-02-04 엘지전자 주식회사 유전체층용 페이스트 조성물, 이를 이용한 플라즈마디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20090104877A (ko) 2007-01-23 2009-10-06 후지필름 가부시키가이샤 옥심 화합물, 감광성 조성물, 컬러 필터, 그 제조방법 및 액정표시소자
EP2144900B1 (en) 2007-05-11 2015-03-18 Basf Se Oxime ester photoinitiators
WO2008138724A1 (en) 2007-05-11 2008-11-20 Basf Se Oxime ester photoinitiators
US20100286353A1 (en) 2007-09-19 2010-11-11 Fujifilm Corporation Acetylene compound, salt thereof, condensate thereof, and composition thereof
EP2625166B1 (en) 2010-10-05 2014-09-24 Basf Se Oxime ester derivatives of benzocarbazole compounds and their use as photoinitiators in photopolymerizable compositions
US9051397B2 (en) 2010-10-05 2015-06-09 Basf Se Oxime ester
RU2628076C2 (ru) 2011-05-25 2017-08-14 Америкэн Дай Сорс, Инк. Соединения с группами сложных эфиров оксима и/или ацильными группами
US9177683B2 (en) * 2011-05-26 2015-11-03 Toray Industries, Inc. Scintillator panel and method for manufacturing scintillator panel
JP6113181B2 (ja) 2011-12-07 2017-04-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ オキシムエステル光開始剤
CN104284888B (zh) 2012-05-09 2017-10-27 巴斯夫欧洲公司 肟酯光敏引发剂
JP6515958B2 (ja) * 2012-06-25 2019-05-22 ソニー株式会社 放射線検出器及びその製造方法
EP2905786B1 (en) * 2012-10-03 2019-07-10 Toray Industries, Inc. Scintillator panel and method for producing scintillator panel
JP6256006B2 (ja) 2012-11-26 2018-01-10 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法
JP5704258B2 (ja) * 2012-11-26 2015-04-22 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法
WO2015004565A1 (en) 2013-07-08 2015-01-15 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP6530410B2 (ja) 2013-09-10 2019-06-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ オキシムエステル光開始剤
KR20170042566A (ko) * 2014-08-08 2017-04-19 도레이 카부시키가이샤 표시 부재의 제조 방법
US20220121113A1 (en) 2019-01-23 2022-04-21 Basf Se Oxime ester photoinitiators having a special aroyl chromophore
JP2023517304A (ja) 2020-03-04 2023-04-25 ベーアーエスエフ・エスエー オキシムエステル光開始剤

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5325474B2 (ko) * 1972-12-21 1978-07-27
JPS62278728A (ja) * 1986-05-27 1987-12-03 Matsushita Electronics Corp 表示用放電管
JPS637426A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Hitachi Constr Mach Co Ltd 作業機の振動抑制装置
DE69318196T2 (de) * 1992-01-28 1998-08-27 Fujitsu Ltd Plasma Farbanzeige-Vorrichtung von Oberflächenentladungs-Typ
JPH0637426A (ja) * 1992-07-13 1994-02-10 Oki Electric Ind Co Ltd 厚膜印刷によるパターンの形成方法
JPH08119725A (ja) * 1994-10-19 1996-05-14 Asahi Glass Co Ltd ガラスセラミックス組成物およびそれを用いたプラズマディスプレイパネル
JPH09173942A (ja) * 1995-12-22 1997-07-08 Dainippon Printing Co Ltd 厚膜パターン形成方法及びそれに使用する塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1197539A (zh) 1998-10-28
KR100508603B1 (ko) 2005-09-26
TW375759B (en) 1999-12-01
CN1476040A (zh) 2004-02-18
WO1998001885A1 (fr) 1998-01-15
EP0855731B1 (en) 2008-09-03
EP0855731A4 (en) 1999-12-29
US6043604A (en) 2000-03-28
ATE407445T1 (de) 2008-09-15
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