KR102534679B1 - 에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법 및 해당 조성물의 용도 - Google Patents

에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법 및 해당 조성물의 용도 Download PDF

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가츠마사 야마모토
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Abstract

본 발명에 의해, 그 경화물이 우수한 유전 특성(저유전율 및 저유전 정접)을 유지하면서 금속으로의 높은 접착 강도를 가지는 에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법, 해당 에폭시 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물 및 그 용도가 제공된다. 본 발명은 식(1):
Figure 112018000818493-pct00015

(식 중, X는 탄화수소환으로부터 2개의 수소 원자를 제거하고 얻어지는 2가의 기, 또는 식(2):
Figure 112018000818493-pct00016

(식 중, Y는 결합수, C1~6의 알킬렌기 등)로 나타나는 2가의 기이고, R1은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기 등이고, R2는 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬렌기 등이고, R3은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기 등이고, n은 동일 또는 다르고, 0~3의 정수이다.)로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법, 해당 에폭시 수지 조성물을 경화한 물건 및 그 용도를 포함한다.

Description

에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법 및 해당 조성물의 용도
본 발명은 에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법 및 해당 조성물의 용도에 관한 것이다.
열경화성 수지의 일종인 에폭시 수지는, 그 경화물이 우수한 내열성, 전기 절연성 등의 특성을 가지고 있기 때문에 전기 및 전자 재료, 도료, 접착제, 복합 재료 등, 여러 가지 분야에 이용되고 있다. 특히, 전기 및 전자 재료 분야에 있어서, 에폭시 수지는 반도체 밀봉재나 프린트 기판 재료 등에 이용되고 있다.
근래, 전자 디바이스의 고성능화 및 경박 단소화에 동반하여, 전송 신호의 고주파화가 진행되고 있다. 이 고주파화에 동반하여, 프린트 배선판 및 반도체 밀봉재에 사용하는 재료에 대하여 고주파 영역에서의 저유전율화가 강하게 요구되고 있다.
에폭시 수지는 전기 절연성 및 내열성에 관해서는 요구 성능을 충족하고 있지만, 에폭시기와 활성 수소의 반응에 의해 극성이 높은 히드록실기가 발생함으로써 비유전율이 높아지기 때문에 만족되는 유전 특성(저유전율 등)이 얻어지고 있지 않다.
그래서 에폭시 수지의 유전 특성을 개량(저유전율화 및 저유전 정접화)할 목적으로, 에폭시 수지와, 페놀 노볼락 수지 등을 조합한 수지 조성물이 보고되어 있다(특허문헌 1~5 등).
또한, 기판 재료에 이용되는 동(銅) 배선에 있어서, 전송 신호의 고주파화에 대응한 저조도 동박이나 동 도금의 개발이 진행되고 있다. 그러나 동 배선의 표면 조도가 낮으면 동과 에폭시 수지의 앵커 효과가 저하하여 접착 강도를 확보하기 어려워진다. 그 때문에, 표면 조도가 낮고 앵커 효과가 작은 동 배선에 대하여, 충분한 접착성을 가지는 에폭시 수지가 요구되고 있다.
그런데 특허문헌 6에는, 규소 원자를 포함하는 에폭시 수지를 포함하는 광경화성 조성물이 보고되어 있다. 또한, 특허문헌 7에는, 규소 원자를 포함하는 에폭시 수지와 경화제로부터 경화물이 얻어지는 것이 보고되어 있다.
특허문헌 1: 일본국 특허공개 제1995-157540호 공보 특허문헌 2: 일본국 특허공개 제2005-187800호 공보 특허문헌 3: 일본국 특허공개 제2009-227992호 공보 특허문헌 4: 일본국 특허공개 제1994-192393호 공보 특허문헌 5: 일본국 특허공개 제1996-325355호 공보 특허문헌 6: 일본국 특허공개 제2012-1668호 공보 특허문헌 7: 영국 특허 제123960호 공보
특허문헌 1~5에 기재된 조성물에서는 에폭시 수지와 페놀 노볼락 수지 등의 다른 성분을 조합하여 에폭시 수지의 함유 비율을 저하시킴으로써, 그 경화물의 유전 특성을 향상(저유전율화 및 저유전 정접화)시킬 수 있지만, 동이나 알루미늄 등의 금속에 대한 충분한 접착 강도를 실현할 수 없다는 문제가 있었다.
그래서 본 발명은, 그 경화물이 우수한 유전 특성(저유전율 및 저유전 정접)을 유지하면서 금속으로의 높은 접착 강도를 가지는 에폭시 수지 조성물 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
또한, 본 발명은 해당 에폭시 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물, 그 용도(예를 들면, 반도체 밀봉체, 프린트 기판 재료, 복합 재료 등)를 제공하는 것도 과제로 한다.
본 발명자는 상기의 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 실시한 결과, 사전에 결정된 지환식 에폭시기를 가지는 규소 원자를 함유하는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물이 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 이 지견에 기초하여 더욱 연구를 거듭한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 하기에 나타내는 사전에 결정된 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물, 그 제조 방법 및 그 용도를 포함한다.
항 1. 식(1):
Figure 112018000818493-pct00001
(식 중, X는 탄화수소환으로부터 2개의 수소 원자를 제거하고 얻어지는 2가의 기, 또는 식(2):
Figure 112018000818493-pct00002
(식 중, Y는 결합수(bond), C1~6의 알킬렌기, 산소 원자(-O-) 또는 식: -S(O)m-(식 중, m은 0, 1 또는 2를 나타낸다.)으로 나타나는 2가의 기이고,
R1은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
R2는 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬렌기이고, 이 기는 규소 원자에 직접 결합한 탄소 원자를 제외한 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
R3은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
n은 동일 또는 다르고, 0~3의 정수이다.)
로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물.
항 2. 상기 경화 촉진제가 함질소계 경화 촉진제인 항 1에 기재된 에폭시 수지 조성물.
항 3. 상기 함질소계 경화 촉진제가 제 3급 아민 화합물 또는 이미다졸 화합물인 항 2에 기재된 에폭시 수지 조성물.
항 4. 상기 함질소계 경화 촉진제가 이미다졸 화합물인 항 2 또는 3에 기재된 에폭시 수지 조성물.
항 5. 상기 함질소계 경화 촉진제가 제 3급 아민 화합물인 항 2 또는 3에 기재된 에폭시 수지 조성물.
항 6. 상기 항 1에 기재된 에폭시 수지 조성물의 제조 방법으로서, 상기 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 혼합하는 공정을 포함하는 제조 방법.
항 7. 상기 항 1~5 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물을 경화한 물건.
항 8. 상기 항 1~5 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물 또는 그 경화물(상기 항 7에 기재된 에폭시 수지 조성물을 경화한 물건)이 이용되고 있는 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 또는 복합 재료.
항 9. 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 또는 복합 재료의 용도로 이용되는 상기 항 1~5 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물.
항 10. 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 또는 복합 재료를 제조하기 위한 상기 항 1~5 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물의 사용.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 그 경화물이 우수한 유전 특성(저유전율 및 저유전 정접)을 유지하면서 금속으로의 높은 접착 강도를 가지고 있다. 그 때문에, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 예를 들면, 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료, 복합 재료 등의 용도에 적합하게 이용할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 어떤 성분을 "을 포함하는" 또는 "을 함유하는"이라는 표현에는 해당 성분을 포함하고, 또다른 성분을 포함하고 있어도 좋은 의미 외에, 해당 성분만을 포함하는 의미의 "만으로 이루어지는" 및 해당 성분을 필수로서 포함하는 의미의 "로부터 필수로서 이루어지는"의 개념도 포함된다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 이용하는 에폭시 수지는 식(1)로 나타나는 구조를 가지고 있다. 식(1)에 있어서, R1은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋다. 해당 일부의 탄소 원자는 규소 원자에 직접 결합해 있지 않은 탄소 원자인 것이 바람직하다. 또한, 해당 치환되어 있어도 좋은 일부의 탄소 원자는 1 또는 복수(예를 들면, 2, 3, 4, 5, 또는 6)개의 탄소 원자일 수 있고, 바람직하게는 1개의 탄소 원자이다. 또한, 합성의 간편함의 관점에서, 동일 규소 원자에 결합한 R1은 동일한 것이 바람직하고, 모든 R1이 동일한 것이 보다 바람직하다.
R1로 나타나는 C1~18의 알킬기로서는, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, 2, 2, 4-트리메틸펜틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-도데실기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 C1~10의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 C1~6의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 C1~3의 알킬기이고, 특히 바람직하게는 메틸기이다.
R1로 나타나는 C2~9의 알케닐기로서는, 직쇄 또는 분기쇄상의 알케닐기이고, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 2-프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 C2~4의 알케닐기이다.
R1로 나타나는 시클로알킬기로서는, 3~8원환의 시클로알킬기를 들 수 있고, 예를 들면, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 메틸시클로헥실기 등을 들 수 있다.
R1로 나타나는 아릴기로서는, 단환 또는 2환의 아릴기를 들 수 있고, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 에틸페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 페닐기가 바람직하다.
R1로 나타나는 아랄킬기로서는, 아릴기(특히, 페닐기)로 치환된 C1~4알킬기를 들 수 있고, 예를 들면, 벤질기, α-페네틸기, β-페네틸기, β-메틸페네틸기 등을 들 수 있다.
R1로서, 바람직하게는 C1~3의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 메틸기이다.
식(1)에 있어서, R3은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋다. 해당 치환되어 있어도 좋은 일부의 탄소 원자는 1 또는 복수(예를 들면, 2, 3, 4, 5, 또는 6)개의 탄소 원자일 수 있고, 바람직하게는 1개의 탄소 원자이다. R3이 옥실란환과 직접 결합하는 경우, 해당 일부의 탄소 원자는 옥실란환에 직접 결합해 있지 않은 탄소 원자인 것이 바람직하다.
R3으로 나타나는 C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 및 아랄킬기는 각각 상기 R1로 나타나는 대응하는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.
R3으로서, 바람직하게는 C1~3의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 메틸기이다.
식(1)에 있어서, n은 동일 또는 다르고, 0~3의 정수(0, 1, 2, 또는 3)이다. 바람직하게는 0 또는 1이고, 보다 바람직하게는 0이다. n은 식(1)에 포함되는 1개의 지환식 에폭시기에 결합하는 R3의 수를 나타낸다.
식(1)에는 R2와 결합해 있는 지환식 에폭시기:
Figure 112018000818493-pct00003
가 2개 포함되어 있고, 한쪽의 해당 지환식 에폭시기에 결합하는 R3을 R3a, 또 한쪽의 해당 지환식 에폭시기에 결합하는 R3을 R3b로 하는 경우, 즉, 식(1)이 하기 식(1'):
Figure 112018000818493-pct00004
인 경우(R1 및 R2, X 및 n은 식(1)과 같음), n개의 R3a는 각각 동일 또는 달라도 좋고, n개의 R3b도 각각 동일 또는 달라도 좋고, R3a와 R3b도 각각 동일 또는 달라도 좋다. 또한, 여기에서의 (R3a)n의 n과 (R3b)n의 n도 동일 또는 달라도 좋다. 또한, 식(1)은 해당 식(1')의 양태도 포함하고 있다.
해당 지환식 에폭시기는,
Figure 112018000818493-pct00005
인 것이 바람직하고, 해당 기에 있어서 특히 n이 1 또는 0인 것이 바람직하고, 그 중에서도,
Figure 112018000818493-pct00006
Figure 112018000818493-pct00007
Figure 112018000818493-pct00008
또는
Figure 112018000818493-pct00009
인 것이 보다 바람직하고, n이 0인 것이 더욱 바람직하다.
식(1)에 있어서, R2는 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬렌기이고, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬렌기이고, 예를 들면, 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 에틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 디에틸메틸렌기, 디메틸렌기(-CH2CH2-), 트리메틸렌기(-CH2CH2CH2-), 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 헵타메틸렌기, 옥타메틸렌기, 노나메틸렌기, 데카메틸렌기, 운데카메틸렌기, 도데카메틸렌기, 트리데카메틸렌기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 C2~10의 알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 C2~4의 알킬렌기이고, 더욱 바람직하게는 C2 또는 3의 알킬렌기(특히, 디메틸렌기 또는 트리메틸렌기)이고, 특히 바람직하게는 C2의 알킬렌기(특히, 디메틸렌기)이다.
이 C1~18의 알킬렌기는 규소 원자에 직접 결합한 탄소 원자를 제외한 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋다. 해당 일부의 탄소 원자는 R2가 옥실란환과 직접 결합하는 경우, 옥실란환에 직접 결합해 있지 않은 탄소 원자인 것이 바람직하다.
또한, R2와 R3은 지환식 에폭시기에서의 다른 탄소 원자에 결합하는 것이 바람직하다.
식(1)에 있어서, X로 나타나는 탄화수소환으로부터 2개의 수소 원자를 제거하고 얻어지는 2가의 기의 "탄화수소환"으로서는, 단환 또는 다환(특히, 2 또는 3환)의 지방족 탄화수소환 또는 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소환을 들 수 있다. 예를 들면, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 테트라린환, 데카히드로나프탈렌환, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8-옥타히드로나프탈렌환, 노르보넨환, 아다만탄환, 벤젠환, 톨루엔환, 크실렌환, 나프탈렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 피렌환, 트리페닐렌환 등을 들 수 있다. 바람직하게는 시클로헥산환, 벤젠환이다. X로 나타나는 2가의 기로서, 바람직하게는 시클로헥산-1, 4-디일기, 1, 4-페닐렌기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 1, 4-페닐렌기이다.
식(2)에 있어서, Y로 나타나는 C1~6의 알킬렌기로서는, 쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기이고, 예를 들면, 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 에틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 디에틸메틸렌기, 디메틸렌기(-CH2CH2-), 트리메틸렌기(-CH2CH2CH2-) 등을 들 수 있다.
식(2)에 있어서, m은 0, 1 또는 2이고, 바람직하게는 0 또는 2이다.
Y는 바람직하게는 결합수, 산소 원자, 메틸렌기, 디메틸메틸렌기, -S-, -SO2-이고, 보다 바람직하게는 결합수, 디메틸메틸렌기, 산소 원자, -SO2-이다.
식(2)로 나타나는 2가의 기 중, 바람직하게는 식(2a):
Figure 112018000818493-pct00010
(식 중, Y는 상기와 같음.)
으로 나타나는 기이다.
식(2a)에 있어서, Y가 결합수, 디메틸메틸렌기, 산소 원자, -SO2-인 것이 바람직하다.
상기 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지 중, 바람직하게는 식(1a):
Figure 112018000818493-pct00011
(식 중, 각 기호는 상기와 같음.)
로 나타나는 화합물이다.
식(1a)에 있어서, R1이 모두 C1~3알킬기(특히, 메틸기)이고, n이 함께 0이고, R2가 함께 디메틸렌기이고, X가 1, 4-페닐렌기인 것이 바람직하다.
식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지(식(1') 및 (1a)로 나타내어지는 에폭시 수지를 포함한다)는 공지의 방법, 예를 들면, 특허문헌 6 및 7 등의 기재에 기초하여 또는 준하여 제조할 수 있다. 구체예의 하나로서, 다음의 반응식에 의해 제조할 수 있다.
Figure 112018000818493-pct00012
(식 중, R2A는 C1~18의 알킬리덴기 또는 C2~18의 알케닐기이고, 다른 기호는 상기와 같음.)
R2A로 나타나는 C1~18의 알킬리덴기로서는, 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬리덴기이고, 예를 들면, 메틸리덴기, 프로필리덴기, 이소프로필리덴기, 부틸리덴기, 이소부틸리덴기, sec-부틸리덴기, 펜틸리덴기, 이소펜틸리덴기, 옥틸리덴기, 이소옥틸리덴기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 C1~10의 알킬리덴기이고, 보다 바람직하게는 C1~4의 알킬리덴기이고, 더욱 바람직하게는 C1~3의 알킬리덴기이고, 특히 바람직하게는 메틸리덴기 또는 에틸리덴기이다.
R2A로 나타나는 C2~18의 알케닐기로서는, 직쇄 또는 분기쇄상의 알케닐기이고, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노르보네닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 바람직하게는 C2~10의 알케닐기이고, 보다 바람직하게는 C2~4의 알케닐기이고, 더욱 바람직하게는 C2 또는 3의 알케닐기이고, 특히 바람직하게는 비닐기 또는 알릴기이다.
식(3)으로 나타나는 화합물과 식(4)로 나타나는 화합물을 히드로실릴화 반응시켜서 제조할 수 있다. 히드로실릴화 반응은 통상, 촉매의 존재 하, 용매의 존재 하 또는 비존재 하에서 실시할 수 있다.
히드로실릴화 반응에 이용되는 촉매는 공지의 촉매로 좋고, 예를 들면, 백금 카본, 염화 백금산, 백금의 올레핀 착체, 백금의 알케닐실록산 착체, 백금의 카르보닐 착체 등의 백금계 촉매; 트리스(트리페닐포스핀)로듐 등의 로듐계 촉매; 비스(시클로옥타디에닐)디클로로이리듐 등의 이리듐계 촉매를 들 수 있다. 상기의 촉매는 용매화물(예를 들면, 수화물, 알코올화물 등)의 형태이어도 좋고, 또한, 사용에 있어서 촉매를 알코올(예를 들면, 에탄올 등)에 용해하여 용액의 형태로 이용할 수도 있다.
촉매의 사용량은 촉매로서의 유효량으로 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 상기 식(3)으로 나타나는 화합물과 식(4)로 나타나는 화합물의 합계량 100질량부에 대하여, 0.00001~20질량부, 바람직하게는 0.0005~5질량부이다.
상기 히드로실릴화 반응은 용매를 이용하지 않아도 진행되지만, 용매를 이용함으로써 온화한 조건으로 반응을 실시할 수 있다. 용매로서는 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용매; 헥산, 옥탄 등의 지방족 탄화수소 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올계 용매 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합해도 좋다.
식(4)로 나타나는 화합물의 사용량은 식(3)으로 나타나는 화합물 중의 Si-H기 1몰에 대하여, 통상, 0.5~2몰, 바람직하게는 0.6~1.5몰, 더욱 바람직하게는 0.8~1.2몰이다.
반응 온도는 20℃~150℃, 바람직하게는 50℃~120℃이고, 반응 시간은 1시간~24시간 정도이다.
반응 종료 후, 반응액으로부터 용매를 증류 제거하는 등으로 하여, 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지를 얻을 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서, 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지를 함유시킬 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 함질소환 에폭시 수지인 트리글리시딜이소시아누레이트나 히단토인형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀A형 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 이용할 수 있다. 이들의 에폭시 수지는 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
본 발명에서 이용하는 산무수물계 경화제는 공지의 산무수물계 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 환상 지방족 산무수물, 방향족 산무수물, 지방족 산무수물 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 헥사히드로프탈 산무수물, 3-메틸헥사히드로프탈 산무수물, 4-메틸헥사히드로프탈 산무수물, 1-메틸노르보르난-2, 3-디카르복시 산무수물, 5-메틸노르보르난-2, 3-디카르복시 산무수물, 노르보르난-2, 3-디카르복시 산무수물, 1-메틸나딕 산무수물, 5-메틸나딕 산무수물, 나딕 산무수물, 프탈 산무수물, 테트라히드로프탈 산무수물, 3-메틸테트라히드로프탈 산무수물 및 4-메틸테트라히드로프탈 산무수물 및 도데세닐석신 산무수물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 헥사히드로프탈 산무수물, 3-메틸헥사히드로프탈 산무수물, 4-메틸헥사히드로프탈 산무수물 등의 환상 지방족 산무수물이다. 이들의 경화제는 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
산무수물계 경화제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지 조성물 중의 에폭시기 1당량에 대하여, 해당 경화제에서의 에폭시기와 반응 가능한 활성기(산무수물기)가 0.5~1.5당량으로 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 0.7~1.2당량으로 되도록 배합하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 산무수물계 경화제 이외의 경화제를 함유할 수 있다. 예를 들면, 트리에틸렌테트라민 등의 지방족 폴리아민; 폴리아미노아미드; 폴리메르캅탄류; 디아미노디페닐메탄 등의 방향족 폴리아민; 페놀노볼락 수지; 디시안디아미드 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에서 사용하는 산무수물계 경화제는 포트 수명(pot life)이 길고 독성이 작지만, 경화 반응이 비교적 완만하게 진행되어, 경화에 고온 및 장시간을 요하는 일이 있다. 그 때문에, 경화 촉진제를 병용하는 것이 바람직하다.
상기 경화 촉진제로서는 예를 들면, 벤질디메틸아민, 시클로헥실디메틸아민, 피리딘, 트리에탄올아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 디메틸피페라진, 1, 8-디아자비시클로[5, 4, 0]운데크-7-엔(DBU), 1, 5-디아자비시클로[4. 3. 0]노나-5-엔(DBN), 1, 4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄(DABCO), 2, 4, 6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제 3급 아민 화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-n-헵틸이미다졸, 2-n-운데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1, 2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-메틸이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-n-운데실이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4, 5-디(히드록시메틸)이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-페닐-4, 5-디((2'-시아노에톡시)메틸)이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-n-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-(2-시아노에틸)-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸륨트리멜리테이트, 2, 4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))에틸-s-트리아진, 2, 4-디아미노-6-(2'-n-운데실이미다졸릴)에틸-s-트리아진, 2, 4-디아미노-6-(2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1'))에틸-s-트리아진, 2-메틸이미다졸의 이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸의 이소시아눌산 부가물, 2, 4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1')에틸-s-트리아진의 이소시아눌산 부가물 등의 이미다졸 화합물; 트리페닐포스핀 등의 포스핀 화합물이나 테트라페닐포스포늄ㆍ테트라페닐보레이트 등의 포스포늄염; 옥틸산 주석 등의 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
이들 중에서도 질소 원자를 포함하는 경화 촉진제를 이용하는 것이 바람직하다. 함질소계 경화 촉진제를 이용함으로써 보다 금속 접착성이 우수한 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.
더욱 바람직하게는, 제 3급 아민 화합물, 이미다졸 화합물을 경화 촉진제로서 이용함으로써 우수한 내열성이나 금속 접착성에 뛰어난 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다.
함질소계 경화 촉진제의 배합량은 한정되지 않지만, 경화물의 내열성이나 금속 접착성에 뛰어난 에폭시 수지 조성물이 얻어지는 이유에서, 에폭시 수지 조성물 중의 에폭시 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1~5질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5~2질량부이다.
또한, 상기한 구체적인 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제를 각각 임의로 조합하여 이용할 수 있다. 특별히 제한되지 않지만, 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지(식(1') 및 (1a)로 나타내어지는 에폭시 수지를 포함한다)에, 산무수물계 경화제로서 환상 지방족 산무수물 및 경화 촉진제(함질소계 경화 촉진제)로서 제 3급 아민 화합물 또는 이미다졸 화합물을 조합하는 것이 바람직하고, 나아가서는, 헥사히드로프탈 산무수물, 3-메틸헥사히드로프탈 산무수물 및 4-메틸헥사히드로프탈 산무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 산무수물계 경화제 및 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2, 4, 6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1, 4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 및 1, 8-디아자비시클로[5.4.0]운데크-7-엔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 경화 촉진제를 조합하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적이나 효과를 손상하지 않는 범위에서 필요에 따라서 첨가제를 함유해도 좋다. 첨가제로서는 예를 들면, 무기 필러, 섬유상 강화제, 산화 방지제, 무기 형광체, 활제, 자외선 흡수제, 열광 안정제, 분산제, 대전 방지제, 중합 금지제, 소포제, 용제, 노화 방지제, 래디컬 금지제, 접착성 개량제, 난연제, 계면 활성제, 보존 안정성 개량제, 오존 노화 방지제, 증점제, 가소제, 방사선 차단제, 핵제, 커플링제, 도전성 부여제, 인계 과산화물 분해제, 안료, 금속 불활성화제, 물성 조정제 등을 들 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 경화 촉진제, 또한, 필요에 따라서 다른 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합 방법은 균일하게 혼합할 수 있는 방법이면 특별히 한정은 없다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 경화함으로써 경화물을 얻을 수 있다. 경화의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 해당 조성물을 가열 경화함으로써 실시할 수 있다. 또한, 에폭시 수지 조성물을 용제(예를 들면, 톨루엔, 아세톤 등)에 용해시켜서 니스(varnish)를 조제하고, 해당 니스를 기재(예를 들면, 동박, 알루미늄박, 폴리이미드 필름 등) 상에 도포하여 가열함으로써 필름상의 경화물을 얻을 수 있다. 경화 온도는 통상, 실온~200℃이고, 경화 시간은 조성액에 따라서 다르고, 통상, 30분~1주일까지 폭넓게 설정할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 경화 후의 경화물이 우수한 유전 특성(저유전율 및 저유전 정접)을 가지고, 동이나 알루미늄 등의 금속에 대해 높은 접착 강도를 가지기 때문에, 예를 들면, 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료, 복합 재료 등의 용도에 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 본 발명에는 해당 에폭시 수지 조성물 또는 그 경화물이 이용된 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 및 복합재도 포함된다.
(실시예)
이하에, 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예만에 한정되지 않는다.
제조예 1(에폭시 수지 A의 제조)
교반기, 온도계 및 냉각기를 구비한 500mL 용적의 4구 플라스크에 질소 분위기 하에서 1, 2-에폭시-4-비닐시클로헥산 25g, 헥사클로로 백금산 6수화물의 2wt％ 에탄올 용액 0.25g, 톨루엔 250g을 넣고, 70℃까지 승온시킨 후, 1, 4-비스(디메틸실릴)벤젠 20g을 천천히 적하하고, 그 후, 90℃에서 4시간 교반했다. 톨루엔을 농축 후, 미(微)황색 액체(에폭시 수지 A: 1, 4-디[2-(3, 4-에폭시시클로헥실에틸)디메틸실릴]벤젠) 42g을 취득했다.
실시예 1~4 및 비교예 1~2
표 1에 기재한 배합량(질량비)의 각 성분을 균일하게 혼합하고, 그 후, 충분히 탈기함으로써 에폭시 수지 조성물을 조제했다.
표 1 중의 각 성분은 이하와 같다.
- 에폭시 수지 B: Bis-A형 에폭시 수지(JER그레이드828, 미츠비시 화학(주)제)
- 산무수물계 경화제: 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산/헥사히드로 무수 프탈산=70/30(리카시드 MH-700, 신니혼리카(주)제)
- 경화 촉진제 A: 2-에틸-4-메틸이미다졸(2E4MZ, 미츠비시 화학(주)제)
- 경화 촉진제 B: 2, 4, 6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀(DMP, 도쿄 가세이 공업(주)제)
- 경화 촉진제 C: 1, 4-디아자비시클로[2. 2. 2]옥탄(DABCO)2, 도쿄 가세이 공업(주)제)
- 경화 촉진제 D: 1, 8-디아자비시클로[5. 4. 0]운데크-7-엔(DBU, 도쿄 가세이 공업(주)제)
시험예 1
(1) 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을, 접착부가 12.5×25㎜의 직사각형으로 되도록 알루미늄판(JIS A1050P)(사이즈 2×25×100㎜)에 도포하고, 또 1장의 알루미늄판을 부착하여, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 인장 전단 접착 시험편으로 했다.
얻어진 접착 시험편에 대하여, 인장 시험기(AGS-X, 시마즈 제작소(주)제)를 이용하여 클램프 간 거리 100㎜, 시험 속도 5㎜/min의 조건으로 인장 전단 접착 시험을 실시하고, 최대 파단 강도의 측정값과 접착 면적으로부터 인장 전단 접착 강도를 산출했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(2) 고온 고습 시험 후의 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을, 접착부가 12.5×25㎜의 직사각형으로 되도록 알루미늄판(JIS A1050P)(사이즈 2×25×100㎜)에 도포하고, 또 1장의 알루미늄판을 부착하여, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 인장 전단 접착 시험편으로 했다.
얻어진 접착 시험편에 대하여, 85℃, 85％ RH의 분위기 하에 168시간 방치하고, 그 후, 인장 시험기(AGS-X, 시마즈 제작소(주)제)를 이용하여 클램프 간 거리 100㎜, 시험 속도 5㎜/min의 조건으로 인장 전단 접착 시험을 실시하고, 최대 파단 강도의 측정값과 접착 면적으로부터 인장 전단 접착 강도를 산출했다.
고온 고습 시험 후의 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율(％)은 고온 고습 시험 후의 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도를 고온 고습 시험 전의 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도로 나눔으로써 산출했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(3) 동에 대한 인장 전단 접착 강도
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을, 접착부가 12.5×25㎜의 직사각형으로 되도록 무산소 동판(JIS C1020P)(사이즈 2×25×100㎜)에 도포하고, 또 1장의 무산소 동판을 부착하여, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 인장 전단 접착 시험편으로 했다.
얻어진 접착 시험편에 대하여, 인장 시험기(AGS-X, 시마즈 제작소(주)제)를 이용하여 클램프 간 거리 100㎜, 시험 속도 5㎜/min의 조건으로 인장 전단 접착 시험을 실시하고, 최대 파단 강도의 측정값과 접착 면적으로부터 인장 전단 접착 강도를 산출했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(4) 고온 고습 시험 후의 동에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을, 접착부가 12.5×25㎜의 직사각형으로 되도록 무산소 동판(JIS C1020P)(사이즈 2×25×100㎜)에 도포하고, 또 1장의 무산소 동판을 부착하여, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 인장 전단 접착 시험편으로 했다.
얻어진 접착 시험편에 대하여, 85℃, 85％ RH의 분위기 하에 168시간 방치하고, 그 후, 인장 시험기(AGS-X, 시마즈 제작소(주)제)를 이용하여 클램프 간 거리 100㎜, 시험 속도 5㎜/min의 조건으로 인장 전단 접착 시험을 실시하고, 최대 파단 강도의 측정값과 접착 면적으로부터 인장 전단 접착 강도를 산출했다.
고온 고습 시험 후의 동에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율(％)은 고온 고습 시험 후의 동에 대한 인장 전단 접착 강도를 고온 고습 시험 전의 동에 대한 인장 전단 접착 강도로 나눔으로써 산출했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(5) 전기 특성(유전 특성)
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을 수지제 몰드(두께 2㎜)에 흘려 넣고, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 유전율 측정용 시험편으로 했다.
얻어진 시험편에 대하여, 유전율 측정 장치(임피던스 애널라이저, 애질런트(주)제)를 이용하여 PTEE로 교정한 후, 비유전율(1GHz) 및 유전 정접(1GHz)을 측정했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(6) 유리 전이 온도
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을 수지제 몰드에 흘려 넣고, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시키고, 유리 전이 온도 측정용 시험편으로 했다.
얻어진 시험편에 대하여, 열기계 분석 장치(SSC5200, 에스아이아이ㆍ나노테크놀로지(주)제)를 이용하여 압축 모드, 하중 50mN, 5℃/min으로 유리 전이 온도를 측정했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(7) 내열 시험 후의 시험편 변화
실시예 1~4 및 비교예 1~2에서 얻어진 각 에폭시 수지 조성물을 수지제 몰드에 흘려 넣고, 100℃에서 1시간, 120℃에서 2시간, 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화한 시험편의 유리 전이 온도를 측정한 후, 측정 후의 시험편을 관찰하고, 외관으로부터 크랙의 유무를 평가했다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 1 비교예 2
에폭시 수지 A 100 100 100 100 0 0
에폭시 수지 B 0 0 0 0 100 100
산무수물계 경화제 76 76 76 76 88 88
경화 촉진제 A 1 0 0 0 1 0
경화 촉진제 B 0 1 0 0 0 0
경화 촉진제 C 0 0 1 0 0 0
경화 촉진제 D 0 0 0 1 0 1
알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도(MPa) 5.0 4.8 4.0 4.5 4.4 4.2
고온 고습 시험 후의 알루미늄에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율(％) 96 92 92 93 27 25
동에 대한 인장 전단 접착 강도(MPa) 8.0 7.7 6.9 7.5 4.9 7.0
고온 고습 시험 후의 동에 대한 인장 전단 접착 강도의 유지율(％) 99 100 98 99 65 54
비유전율(1GHz) 2.6 2.6 2.6 2.6 2.8 2.9
유전 정접(1GHz) 0.005 0.006 0.006 0.005 0.010 0.010
유리 전이 온도(℃) 162 160 160 161 162 159
내열성 시험 후의 크랙 없음 없음 없음 없음 있음 있음
실시예 1~4에서 얻어진 에폭시 수지 조성물은 금속에 대한 접착 강도가 높고, 특히, 고온 고습 후이어도 접착 강도를 높게 유지할 수 있으며, 접착 신뢰성을 가지고 있다. 또한, 유전 특성 및 내열성에도 뛰어나 있다.
한편, 비교예 1~2에서 얻어진 에폭시 수지 조성물은 금속에 대한 초기의 접착 강도는 어느 정도는 가지고 있지만, 고온 고습 시험 후에 있어서는 접착력이 급격히 저하하고 있다. 또한, 유전 특성 및 내열성에 있어서도 실시예 1~4에서 얻어진 에폭시 수지 조성물과 비교하여 뒤떨어져 있는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (10)

  1. 식(1):
    Figure 112022127084921-pct00013

    (식 중, X는 탄화수소환으로부터 2개의 수소 원자를 제거하고 얻어지는 2가의 기, 또는 식(2):
    Figure 112022127084921-pct00014

    (식 중, Y는 결합수, C1~6의 알킬렌기, 산소 원자(-O-) 또는 식: -S(O)m-(식 중, m은 0, 1 또는 2를 나타낸다.)으로 나타나는 기이다.)로 나타나는 2가의 기이고,
    R1은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
    R2는 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬렌기이고, 이 기는 규소 원자에 직접 결합한 탄소 원자를 제외한 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
    R3은 동일 또는 다르고, C1~18의 알킬기, C2~9의 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, 이들의 기는 일부의 탄소 원자가 산소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원자로 치환되어 있어도 좋고,
    n은 동일 또는 다르고, 0~3의 정수이다.)
    로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 제 3급 아민 화합물 또는 이미다졸 화합물인 함질소계 경화 촉진제를 함유하는
    에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 함질소계 경화 촉진제가 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2, 4, 6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1, 4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 및 1, 8-디아자비시클로[5.4.0]운데크-7-엔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 경화 촉진제인
    에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 산무수물계 경화제가 환상 지방족 산무수물인
    에폭시 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 환상 지방족 산무수물이 헥사히드로프탈 산무수물, 3-메틸헥사히드로프탈 산무수물 및 4-메틸헥사히드로프탈 산무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인
    에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지가 다음 식(1a):
    Figure 112022127084921-pct00017

    (식 중, 각 기호는 상기와 같음.)
    로 나타나는 화합물인
    에폭시 수지 조성물.
  6. 상기 제1항에 기재된 에폭시 수지 조성물의 제조 방법으로서, 식(1)로 나타내어지는 에폭시 수지, 산무수물계 경화제 및 제 3급 아민 화합물 또는 이미다졸 화합물인 함질소계 경화 촉진제를 혼합하는 공정을 포함하는 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 에폭시 수지 조성물을 경화한 물건.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 에폭시 수지 조성물 또는 그 경화물이 이용되고 있는, 재료.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 재료가 반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 또는 복합 재료인
    재료.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반도체 밀봉체, 액상 밀봉재, 포팅재, 시일재, 프린트 기판 재료 또는 복합 재료의 용도로 이용되는
    에폭시 수지 조성물.
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