JPS5948942A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5948942A JPS5948942A JP57158882A JP15888282A JPS5948942A JP S5948942 A JPS5948942 A JP S5948942A JP 57158882 A JP57158882 A JP 57158882A JP 15888282 A JP15888282 A JP 15888282A JP S5948942 A JPS5948942 A JP S5948942A
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体
装置に関し、更に詳しくは、耐湿性および高温電気特性
に優れたエポキシｔｒｄ脂組成物おＪ：び樹脂封止型半
導体装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 （伺１１ｔ：Ｉ封止型半導体装置は、例えば、集積回路
（ＩＣ） 、大規模集積回路（ＬＳＩ）、トランジスタ
、ダイオード等の半導体素子を、外部雰囲気や機械的衝
撃から保磯するために、熱硬化性樹脂を用いて封止して
成るものである。 半導体素子の封止技術として、従来は、金属やセラミッ
クス等を用いるノ・−メチツク制止が採用されていたが
、最近では、経済的に有利であるという理由から、樹脂
封止が主流を占めている。 かかる半導体封止用樹脂としては、犬脅生産に適する低
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹
脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ
樹脂組成物を、トランスファ成形して得られる従来の樹
脂封止型半導体装造には次のような欠点がある。即ち、
（１）耐湿性が劣るために、アルミニウム４極などが腐
食劣化すること、 （２）高温時における電気特性が劣り、特に、リークＴ
ＪＬ流がノｔｌ加するために、半導体素子の機能が低下
すること、 である。これらのうち（１）について、説明すると、樹
脂封止型半導体装置は高温高湿雰囲気下で使用または保
イＴすることがあるので、そのような条件下においても
品質を保証しなければならない。耐湿性の品質保証のだ
めの信・槙性評価試験としては、８５ ’Ｃ１たは１２
０’Ｏの飽オロ水蒸気中に暴露する加速計画法が行なわ
れている。最近では成圧を印加して更に加速性を高めた
バイアス印加型の評価試験も実施されている。 しかしエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置では、＋ｔｉＩヒ樹脂が吸湿性を有するために、水分
が外部＋メ囲気から封止樹脂を介して、或いは封止もメ
、１脂とリードフレームの界面を通って内部に浸入し、
半導体素子の表面にまで到達するこの水分と封止樹脂中
に存在する不純物等の作用の結果として（σｊ脂制止型
半導体装置はアルミニウム’ｐｒ？極、配線等の腐食に
よる不良を発生する。またバイアス昼圧を印加しまた鳴
合には、その１に気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。 次に（２）について説明すると、 、Ｍｊ脂封止型半導
体装置は尚温命件下で使用することがあるので、そのよ
うな条件においても品質を保証しなければならない。そ
のだめの評価試験メしては８０（ト１５０ ”（’）で
バイアス［ｄ圧を印加して信頼性を評価する加速試験が
一般的である。 このような試験において例えば、半４体表面が外部′電
荷に鋭敏なＭＯ８構造を有する素子セ、逆）くイアスが
印加されたＰＮ接合を有するよ（を子神に１１Ｆに著し
く多発する不良として、チャネリングによるリーク電流
の増加する現象がある。この現象は直圧が印加された素
子の表面に接している封止樹脂層に電界が作用すること
により発生するものと考えられる。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記欠点を有するもので
あるために、その改良が求められていた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、このような従来の樹脂封止型半導体装
置およびエポキシ樹脂組成物の欠点を改良することにあ
り、優れた耐湿性と高温電気特性を有する高信頼性の樹
脂封止型半導体装置およびエポキシ樹脂組成物を提供す
ることにある。 〔発明の桓吸〕 上記目的を達成するために本発明者が鋭意研究を重ねた
結果、次に示すエポキシ樹脂組成物が半導体用封止樹脂
として、従来のエポキシ樹脂組成物に軸べ優れた特性を
有することを見出し、これを用いることによって耐湿性
および高温電気特性に優れた樹脂封止型半導体装置が得
られることを見出した。すなわち本発明は （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂の硬化剤 （Ｃ）有機ホスフィン化合物および （ｄ）アルコキシル基、アリールオキシ７に基およびア
シルオキシル基から選ばれる少くともひとつの基がケイ
素原子に直結している有機ケイ素化合物であって、かつ
、該化合物の他のすべての有機基がアルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基およびアルアルキル基から選ば
れる少くともひとつから成る有機ケイ素化合物 を必須成分として成ることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物であり、また本発明は該エポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体を封止して成ることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置である。 さらに本発明は、 （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂の硬化剤 （Ｃ）有機ホスフィン化合物および （ｄ）エポキシ基を有し、かつ分子内のすべてのケイ素
の共−１有給合がケイ素−炭素結合（Ｓｉ−ｃ）あるい
はシロキサン結合（Ｓｉ−０−８ｉ）である有機ケイ素
化合物 を必須成分として成ることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物であシ、また本発明は上記エポキシ樹脂組成物を用
いて、半導体を封止して成ることを特嶺とするゼト１脂
封正型半導体装置である。 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、一般にエポ
キシ樹脂として使用されているものであれば、いかなる
ものでもよ１バー、かかるエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂。 。クレゾールノボラックノボラック型エポキシ樹脂等の
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂；グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシｆ’ｉ
’ｌＪ脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；脂環式エポキシ槓
ｊ脂；複素環型エポキシ価脂；ハロゲン化エポキシ樹脂
等の一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ耐
脂が挙げられ、これらから成る群より週ばれる１種もし
くは２種以上のものが用いられる。上記エポキシ樹脂は
、塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下で加水分解性塩
素の含有量が０．１ 取量％以下のものであることが好
ｌしい。 またエポキシ樹脂としては、グリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂を用いることが好ましく、とりわけ、エポキシ
当量１７０〜３００を有するノボラック型エポキシ樹脂
を用いることが、優れた特性を有する硬化物が得られる
ことから最も好′ましい。 本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤とケま、フ
ェノール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノ
ール化合物で／Ｉ）って、具体的に例示すると、フェノ
ールノボラックモｂｊ脂、クレゾールノボラック樹脂、
ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフ
℃ノールノボラックィｔ７４脂などのノボラック型フェ
ノール樹脂、レゾール型フェノール４１１ｔ脂、ポリパ
ラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェ
ノールＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化合物等で
ある。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂およ
びポリオキシスチレンが最も好ましい。またこれらの１
ｉ１ｉ１ヒ剤は１種Ｉ、シ〈は２種以上の混合系で使用
することができる１、 エポキシ＋／、１脂と北記硬化剤の配合比については、
硬化剤のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキ
シ基数の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が
０．５〜１．５の範囲内にあるように配合することが望
ましい。その理由は上記１１！囲外では反応が充分にお
こシに＜＜２
装置に関し、更に詳しくは、耐湿性および高温電気特性
に優れたエポキシｔｒｄ脂組成物おＪ：び樹脂封止型半
導体装置に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 （伺１１ｔ：Ｉ封止型半導体装置は、例えば、集積回路
（ＩＣ） 、大規模集積回路（ＬＳＩ）、トランジスタ
、ダイオード等の半導体素子を、外部雰囲気や機械的衝
撃から保磯するために、熱硬化性樹脂を用いて封止して
成るものである。 半導体素子の封止技術として、従来は、金属やセラミッ
クス等を用いるノ・−メチツク制止が採用されていたが
、最近では、経済的に有利であるという理由から、樹脂
封止が主流を占めている。 かかる半導体封止用樹脂としては、犬脅生産に適する低
圧トランスファ成形法に使用可能な、低圧成形用エポキ
シ樹脂組成物が一般に広く使用されている。しかしなが
ら、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹
脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ
樹脂組成物を、トランスファ成形して得られる従来の樹
脂封止型半導体装造には次のような欠点がある。即ち、
（１）耐湿性が劣るために、アルミニウム４極などが腐
食劣化すること、 （２）高温時における電気特性が劣り、特に、リークＴ
ＪＬ流がノｔｌ加するために、半導体素子の機能が低下
すること、 である。これらのうち（１）について、説明すると、樹
脂封止型半導体装置は高温高湿雰囲気下で使用または保
イＴすることがあるので、そのような条件下においても
品質を保証しなければならない。耐湿性の品質保証のだ
めの信・槙性評価試験としては、８５ ’Ｃ１たは１２
０’Ｏの飽オロ水蒸気中に暴露する加速計画法が行なわ
れている。最近では成圧を印加して更に加速性を高めた
バイアス印加型の評価試験も実施されている。 しかしエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置では、＋ｔｉＩヒ樹脂が吸湿性を有するために、水分
が外部＋メ囲気から封止樹脂を介して、或いは封止もメ
、１脂とリードフレームの界面を通って内部に浸入し、
半導体素子の表面にまで到達するこの水分と封止樹脂中
に存在する不純物等の作用の結果として（σｊ脂制止型
半導体装置はアルミニウム’ｐｒ？極、配線等の腐食に
よる不良を発生する。またバイアス昼圧を印加しまた鳴
合には、その１に気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。 次に（２）について説明すると、 、Ｍｊ脂封止型半導
体装置は尚温命件下で使用することがあるので、そのよ
うな条件においても品質を保証しなければならない。そ
のだめの評価試験メしては８０（ト１５０ ”（’）で
バイアス［ｄ圧を印加して信頼性を評価する加速試験が
一般的である。 このような試験において例えば、半４体表面が外部′電
荷に鋭敏なＭＯ８構造を有する素子セ、逆）くイアスが
印加されたＰＮ接合を有するよ（を子神に１１Ｆに著し
く多発する不良として、チャネリングによるリーク電流
の増加する現象がある。この現象は直圧が印加された素
子の表面に接している封止樹脂層に電界が作用すること
により発生するものと考えられる。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記欠点を有するもので
あるために、その改良が求められていた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、このような従来の樹脂封止型半導体装
置およびエポキシ樹脂組成物の欠点を改良することにあ
り、優れた耐湿性と高温電気特性を有する高信頼性の樹
脂封止型半導体装置およびエポキシ樹脂組成物を提供す
ることにある。 〔発明の桓吸〕 上記目的を達成するために本発明者が鋭意研究を重ねた
結果、次に示すエポキシ樹脂組成物が半導体用封止樹脂
として、従来のエポキシ樹脂組成物に軸べ優れた特性を
有することを見出し、これを用いることによって耐湿性
および高温電気特性に優れた樹脂封止型半導体装置が得
られることを見出した。すなわち本発明は （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂の硬化剤 （Ｃ）有機ホスフィン化合物および （ｄ）アルコキシル基、アリールオキシ７に基およびア
シルオキシル基から選ばれる少くともひとつの基がケイ
素原子に直結している有機ケイ素化合物であって、かつ
、該化合物の他のすべての有機基がアルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基およびアルアルキル基から選ば
れる少くともひとつから成る有機ケイ素化合物 を必須成分として成ることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物であり、また本発明は該エポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体を封止して成ることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置である。 さらに本発明は、 （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂の硬化剤 （Ｃ）有機ホスフィン化合物および （ｄ）エポキシ基を有し、かつ分子内のすべてのケイ素
の共−１有給合がケイ素−炭素結合（Ｓｉ−ｃ）あるい
はシロキサン結合（Ｓｉ−０−８ｉ）である有機ケイ素
化合物 を必須成分として成ることを特徴とするエポキシ樹脂組
成物であシ、また本発明は上記エポキシ樹脂組成物を用
いて、半導体を封止して成ることを特嶺とするゼト１脂
封正型半導体装置である。 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、一般にエポ
キシ樹脂として使用されているものであれば、いかなる
ものでもよ１バー、かかるエポキシ樹脂としては、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂。 。クレゾールノボラックノボラック型エポキシ樹脂等の
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂；グリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシｆ’ｉ
’ｌＪ脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；脂環式エポキシ槓
ｊ脂；複素環型エポキシ価脂；ハロゲン化エポキシ樹脂
等の一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ耐
脂が挙げられ、これらから成る群より週ばれる１種もし
くは２種以上のものが用いられる。上記エポキシ樹脂は
、塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下で加水分解性塩
素の含有量が０．１ 取量％以下のものであることが好
ｌしい。 またエポキシ樹脂としては、グリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂を用いることが好ましく、とりわけ、エポキシ
当量１７０〜３００を有するノボラック型エポキシ樹脂
を用いることが、優れた特性を有する硬化物が得られる
ことから最も好′ましい。 本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤とケま、フ
ェノール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノ
ール化合物で／Ｉ）って、具体的に例示すると、フェノ
ールノボラックモｂｊ脂、クレゾールノボラック樹脂、
ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフ
℃ノールノボラックィｔ７４脂などのノボラック型フェ
ノール樹脂、レゾール型フェノール４１１ｔ脂、ポリパ
ラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビスフェ
ノールＡ等およびこれらの化合物のハロゲン化合物等で
ある。これらの中でもノボラック型フェノール樹脂およ
びポリオキシスチレンが最も好ましい。またこれらの１
ｉ１ｉ１ヒ剤は１種Ｉ、シ〈は２種以上の混合系で使用
することができる１、 エポキシ＋／、１脂と北記硬化剤の配合比については、
硬化剤のフェノール性水酸基数とエポキシ樹脂のエポキ
シ基数の比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が
０．５〜１．５の範囲内にあるように配合することが望
ましい。その理由は上記１１！囲外では反応が充分にお
こシに＜＜２
【す、硬化物の特性が劣化しやすくなるた
めである。 本発明において用いられる酸無水物は、脂肪族、脂ｈａ
族または芳香族の無水カルボン酸もしくはこれらの置換
無水カルボン酸であれば１い；がなる）ものでも使用ｉ
］能である。かかる酸無水物としては、例えば、無水マ
Ｌ、−イン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テト
ラヒドロフタル酸、無水へキサヒト四フタル酸、無水ト
リメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（
３，６−ニンドメテレンー１．２，３．６−テトラヒド
ロ無水）＊＃Ｉ９）、無水メチルナジック酸、３．３’
、４．４’−ベンゾフェノ／テトラカルボン酸無水物、
無水テトラブロムフタル酸、無水クロレンディック酸秀
がイ・】げられ、これらから成る群より選（はれ６１種
もしくは２種以上のものが用いられる。 酸無水物の配合量はエポキシ個脂硬化剤総量の５０世量
係以下であることが好ましい。その理由は５０重−一％
ｒ超えて配合するとエポキシ樹脂組成物の耐湿性が劣化
するためである。また酸無水物の配合量は、硬化剤のフ
ェノール性酸基と無水カルボキシル基の総数とエポキシ
樹脂のエポキシ基叡の比、 〔（フェノール性水酸基数＋無水カルボ・Ｖシル基数）
／エポキシ基数〕 が０．５〜１．５の１６α四同にあるように配合するこ
とが好ましいっその理由は上記範囲外でｔまエポキシＩ
ＧＪ脂組成物の耐湿性が劣化するためである。 本発明において使用される有機ホスフィン化合物は、硬
化促進剤としての機能を有するものであり、かかる化合
物を配合せしめることにより、樹脂封止型半導体装置の
耐湿性および高温電気特性の向上−ｌ！、；もたらされ
る。 このような有機ホスフィン化合物は、次記一般式〔１〕 Ｉ Ｒ２−Ｐ（１） ３ 〔式中％ Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、同一でも異なって
いてもよく、水素原子、アルキル基、フェニル基、トリ
ル基等のアリール基、シクロヘキシル基等のシクロアル
キル基等で示される基を表わす。また式 （式中、Ｒはアルカンを表わし、 Ｒ，’およびビは、
同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、
フェニル基、トリル基等のアリール基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基を表わす。 ただし、ｌζ′およびＲ″が水素原子の場合を除く。）
で示される基のように有機ホスフィンを含む有機基であ
ってもよい。ただし、Ｒ１，Ｒｚおよび１１：うがすべ
て水嵩原子である場合を除く。〕 で示されるものであり、例えば、トリフェニルホスフィ
ン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフ
ィン、メチルジフェニルホスフィン等の第３ホスフィン
化合物、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホスフ
ィン等の第２ボスフィン化合物、フェニルホスフィン、
オクチルホスフィン等の′？Ａ１ホスフィン化合物、お
よびビス（ジフェニルホスフィン）メタン、】、２−ビ
ス（ジフェニルホスフィン）エタン等の第３ビスホスフ
ィン化合物が挙げられ、これらから成る群上り選ばれる
１種もしくは２種以上のものが使用される。 −これらの中でも、アリールホスフィン化合物を使用す
ることが好ましく、とりわけ、トリフェニルホスフィン
などのトリアリールホスフィンが最も好すしい。 かかる有機ホスフィン化合物は、エポキシ（樹脂および
硬化剤の総量に対して（’１．００１〜２０東に嶺の鼠
で配合することが好ましく、特に好塘しくけ、０．０１
〜５ｊｔＴｊＪ係である。 本発明において、アルコキシ基、アリールオキシ基およ
びアシルオキシル基から選ばれる少くともひとつの基が
ケイ素原子に直結している有機ケイ素化合物で２Ｌ）っ
て、かつ、該化合物の他のすべての有機基がアルキル基
、シクロアルキル基、アリール基およびアルアルキル基
から選ばれる少くともひとつから成る有機ケイ累化合物
を用いることにより、該有様ケイ素化合物と有機ホスフ
ィン化合物の相互作用によって、有機ホスフィン化合物
まだは該冶４灸ケイ素化合物をそれぞれ単独で用いた場
合に較べ、エポキシ樹脂組成物および該組成物を酸物を
用いて４１止した樹脂封止°型半導体装置の特性を著し
く改善することができる。 本発明において用いられる有機ケイ素化合物は、アルコ
キシ基、アリールオキシル基およびアシルオキシル基か
ら選ばれる少くともひとつの基がケイ素原子に直結して
いる有機ケイ素化合物であって、〃・つ該化合物の他の
すべての有機基がメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル。 ｔｅｒｔブチル等のアルキル基；シクロヘキシル等の７
クロアルキル基；フェニル、トリル等のアリール基；ベ
ンジル等のアルアルキル基から選ばれる少くともひとつ
から成るオルガノシラン化合物、オルガノボリア０キザ
ン化合物であって、ポリシロキサンの骨格は直知状、分
校状、環状、多環状でぬってよい。 具体的に例示すると、テトラメトキシシラン、テトラエ
トキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキ
シシラン、テトラトリルオキシシラン、テトラアセトキ
シ７ラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、
メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン
、ブチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシ
ラン、オクタデシルトリメトキシシラン、シクロヘキシ
ルトリメトキンシラン、ベンジルトリメトキシ７ラン、
フェニルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、プロピルトリエトキシシラン、オクタデシルトリエ
トキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルト
リプロポキシラン、フィニルトリプロポキシシラン、メ
チルトリフエノキシシラン、エチルトリフエノキシシラ
ン、フェニルトリフエノキシシラン、メチルトリアセト
キシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリ
ス（トリフ戸口アセトキシ）シラン、フェニルジメトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメト
キシシラン、メチルプナルジメトギシシラン、メチルオ
クタデゾルジメトキンシラン、ジフェニルジメトキシシ
ラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメチルジェ
トキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルフェ
ニルジエトキシシラン、メチルベンジルジェトキシシラ
ン、ジエチルジフェノキシシラン、ジフェニルジフェノ
キシシラン、メチルジアセトキシシラン、ジメチルジア
セトキシシラン、ジフェニルアセトキシシラン ジフェニルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン
、）・リエチルメトキシシラン、トリブチルメトキシン
ラン、ジメチルオクタデシルメトキシシラン、トリフェ
ニルメトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン
、トリメチルエトキシシラン、トリエチルアトキシシラ
ン、トリメチルフェノキシシラン、トリエチルフェノキ
シシラン、ジメチルメクチルフエノキシシラン、トリエ
チルアセトキシシラン、メチルジフェニルフェノキシシ
ラン、ジメチルフェニルフェノキ７シラン、トリメチル
アセトキシシラン、トリエチルアセトキシシラン、トリ
フェニルアセトキシシラン、メチルジフェニルアセトキ
シシラン、ジメチルフェニルアセトキシシラン、トリメ
チル（トリフロロアセトキシ）７ラン、トリフェニルプ
ロピオニルオキシシラン、トリフェニルベンゾイルオキ
シシラン、トリエトキシモノフェノキシシラン、ジメト
キシジフェノキシシラン、トリメトキシモノアセトキシ
シラン、エトキシトリアセトキシシランブチルジメトキ
シモノフェノキシシラン、フェニルメトキシジフェノキ
シシラン、フェニルエトキ７ジアセトキシシラン、ジメ
チルメトキシフＪツキジシラン、ジフェニルエトキシフ
ェノキシ７ラン、ビス（トリメチルシリル）アジピン酸
、１，１，１，３゜３−ペンタメチル−３−メトキシジ
シロキサン、１゜１．１，３．３−−＜フタフェニル−
３−エトキシジシロキサン、ｉｔ、ｉ、］、］３．３−
ペンタメチルー３−アセトキシジロキザン１，１，３．
３−テトラメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、
１，３−ジフェニルｌ 、 １．３ ＋ ３−テトラメ
トキシジシロキサン、１．１．３，３，５．５−へキサ
メチル−１，５−ジメトキフトリ／ロキサン、および ＫＲ１２１３（商品名、信越シリコーン社製）ＤＣ３０
３７（１ｔｆｉ品名、東しシリコーン社製）のようなメ
トキシ基含有メチルフェニルポリシロキサンなどが挙げ
られる。これらの化合物は１種もしくは多種組み合わせ
て用いることができる。 これらの化合物の中でもシラン化合物が好ましく、トＩ
Ｉ）わけ、アルコキシル基、アリールオキシル基および
アシルオキシル基から選ばれるひとつの基とケイ素原子
との結合を１個だけ有する化合物が好ましい。これらの
化合物の配合量は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤）に
対し０．０１〜１（）重量％の範囲内が好ブしい。その
理由は（１，ｏ １市、Ｒ％未満では添加の効果が認め
ｙ＋ｒ＜、−ｚだ１０ルーｉ１チを超えると樹脂組成物
に悪影猟：を与、するためである。 きらに上記有機ケイ素化合物に代えてエポキシ基を有し
、かつ分子内のすべてのケイ素の共有結合がケイ素−炭
素結合あるいはシロキサン結合である有機ケイ素化合物
を用いることにより、同様に該有機ケイ素化合物と有機
ホスフィン化合物の相互作用によって、該有機ケイ素化
合物または有機ホスフィン化合物を単独で用いた場合に
較べ、エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂制止
型半導体装置の特性を著しく改善することができる。 本発明において用いられる、エポキシ基を有し、かつ分
子内のすべてのケイ素の共有結合がケイ素−炭素結合（
Ｓｉ−ｃ）あるいはシロキサン結合（Ｓｉ −（ｆ−８
ｉ ）である有機ケイ素化合物は、分子内のすべてのケ
イ素が式（Ｉｆ）、（ｉｌｌ）で示される構造単位から
成る有機ケイ素化合物であって、分子内に少くとも１個
の構成単位〔１］〕で示される４８ｉ造を有していなけ
ればならない。 式中Ｖはエポキシ基、グリシドキシ基、エポキシクロヘ
キシル基などのエポキシ基単位を示す。Ｒは炭素（まだ
は炭素釦）、５ｉ−Ｒ’はケイ素−炭素結合一まノζは
シロキサン結合を示す。ｎは１−４の整数を示−Ｊ−６ 具体的に例示すると、たとえば ２．３−エボＷジプロピルトリメチルシラン、２．３−
エホキ／プロピルトリフェニルシラン、・、３−エボキ
ノグロビルメナルジノエニルシラン、 ；３−クリシトキシプロピルトルメチルシラン、３−グ
リシトキシクロビルトリフェニルシラン、３−グリシド
キシプロビルジメチルフェニルシラン、 ２−（：３．４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
メチルシラン、 １−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３゜
３−ペンタメチルジシロキサン、 １−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３，
５゜５．５−ベプタメチルトリシロキサン、ビス（３−
グリシドキシプロピル）ジメチルシラン、 ビス（３−グリシドキシプロピル）ジフェニル７ラン、 １．３−ビス（３−グリシドキンプロピル）−１，ｉ。 ３．３−テトラメナルジシロギザン、 １．３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１゜
３．３−ナト５フエニルジシロキーリ゛ン、５Ｆ８０１
１（商品名、東しシリコーン社製エポキシ化シリコーン
オイル） などが挙げられる１、これらの化合物の配合量は樹脂成
分（エポキシ樹脂と硬化剤）に対し０．０１〜１０重量
係の範囲内が好ましい。その理由は０．０１月（＠修未
満では、添加の効果が認めケ１（＜、まだ１０庫Ｎ％を
超えると樹脂組成物に悪影響を与えるためであ４）。 上記有機ケイ素化合物とエポキシ樹脂の溶融混合物およ
び／まだは上記有機ケイ素化合物と硬化剤の溶融混合物
をあらかじめつくっておき、これらの溶融混合物を用い
てエポキシ樹脂組成物を構成することもできる。 本発明において必要に応じて用いられる無機質充てん剤
としては、石英ガラン粉末、結晶性シリが粉本、ガラス
偵維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、
炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉
末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結、
品性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好
ましい。 しかしてこれら魚機質充てん剤の配合量はエボキ世・ｊ
脂、硬化剤および無機質充てん剤の種類によっても異る
が、たとえばトランスファ成形に用いる場合忙はエポキ
シ樹脂と硬化剤の総量に対し重琶比で１．５倍〜４倍程
度でよい。無機質充てん剤の粒度分布については、粗い
粒子と細い粒子を組み合せて分布を均一にすることによ
って成形性を改善することができる。 本発明に係るエポキシ胡脂組成物は必要に応じて、例え
、ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル頑もしくはパラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
ザブロムベンゼン、三酸化アンチモノなどの難燃剤、カ
ーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤な
どを適宜添加配合しても差しつかえない。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料としてＡ製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成に選んだ
原料組成分を例えばミギサーによって充分混合後、さら
に熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−などに
よる混合処理を加えることにより容易にエポキシも″目
脂成形材料を得ることができる。 本発明の（ロ）ｌ脂封止型半導体装置は、−上記エポキ
シ樹脂組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止す
ることにより容易に製造することができる。 封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型、
ディッピング、コーティングなどによる封止も可能であ
る。 エポキシ樹脂組成物乃至成形１料は封止の際に加熱して
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止されだ樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。硬化に際しては１５０ ’Ｃ以上に加熱するこ
とが特に望“ましい。 本発明でいう半導体装置とは東禎回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ１．ダイオードなどであっ
て特に限定されるものではない。 〔発明の効果〕 上記本発明の目的、概要の記載および下記実施し１］に
おいて明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物お
よび該エポキシ樹脂組成物をノ１ノいて半導体装置を封
止して成る樹脂封止型半導体装置は、バイアスＰＣＴに
おいて水分によるアルミニ・ツム配線の腐食が著しく低
いことに示されるように耐湿（４−に優れ、また１νｔ
Ｏ８−ＢＴ試験において、リークｔＪＮ流の発生が著し
く低いことに示されるように高温電気特性に殴れている
。従って本発明によって高信頼性の樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。 上記ｑＪ：うに本発明のエポキシ０月脂力′且成物は。 最も高品質、高信頼性が要求されるといイクれる半導ｔ
−１−の封止樹脂として用いた場合に、最大の発揮する
のであるが、半導体はどの高品質が要求されない一般の
１ル子部品や眠気部品の封止１．彼覆、絶縁などに＞Ｍ
用した場合でも殴れた効果が得られる。 Ｌ本発明の実施例〕 次に本発明の詳細な説明する。 実施例１〜４ エポキシ当量２２０のタレゾールノボラック型エボギシ
８４脂（エポキシｍｌ Ｉ指Ａ ） 、エポキシ当量２
９０の臭素化エポキシノボラック柾１脂（エポキシ−Ｊ
］旨Ｂ）、分子量８００のフェノールノボラック樹脂硬
化剤、７無水テトラヒドロフタル酸、トリフェニルホス
フィン、＋−リフェニルメトキシシラン、トリフェニル
フェノキ７７ラン、トリンエニルアセトキシシラン、２
−メチルイミダゾール、石英ガラス粉末、三１ソ化アン
チモン、〃ルナバワノクス、カーボンブラック、７ラン
カツプリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン）を♂て−１に示す組成（重量部）に選び、各
組成物をミキサーによる混合、加熱ロールによる混線を
行うことによって、比較例を含め１０錘のトランスファ
成形材料を調製した。 このようにして得た成形材料を用いてトランスノ′γ成
形することによυ、Δ／ＤＳ型集積回路を樹脂側止した
。封止は高周波予熱器′で９０゛Ｃに加熱した成形材料
を１７５°Ｃで２分間モールドし、更に１８０゛Ｃで３
時間アフタキュアすることによシ行った。 比較例６は硬化ぜず成形できなかった。上記樹脂封、止
型半導体装置各１００個について次の試験を行った１、 （１１１２０’Ｃ，２気圧の水蒸気中で１０ｖ印加して
アルミニウム配線の腐食による）１７ｒ ＭＡ不良を調
べる耐湿試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を
表−２に示した。 ＋２） ｌ ＯＯ’Ｏのオーブン中でオノセットゲート
ＭＯ８ＦＥＴ回路にドレイン屯田５■、オフセットゲー
ト４圧５■を印加して電気特性の劣化によるリーク電流
不良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リーク
実流が初期値の１００倍以上に増加した場合を不良と判
だしてその結果を表−３に示しだ。 以下余白 表−１ 表 −２ 表−３ 実施例５〜９ エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ
ｔｊＩｊＪｌｉ （エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２
９０の臭素化エボキシノボラソクｍｌ脂（エポキシ樹脂
Ｂ）、分子量８００のフェノール）ボラック樹脂硬化剤
、無水ナジック酸、３−グリシドキシプロビルトリフェ
ニルシラン（Ｏ８−Ｉ）、＝（ａ 、 ４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメチルシラ／（Ｏ８−ＩＴ）
、■、３−ビス（３−グリシドキシプロビル）−１，１
，３，３−テトラメチルジシロキサン（Ｏ８−Ｉｌｌ）
、トリフェニルホスフィン、２−メチルイミダゾール、
ジメチルアミノメチルフェノール、石英ガラス粉末、三
酸化アンチモン、カルナバワックス、゛カーボンフ゛ラ
ック、シ入ンヵッブリング剤（γ−グリシドキシクロビ
ルトリメトキシシラン）を表−４に示す組成（重量部）
に選び、各組成物をミキサーによる混合、加熱ロールに
よる混練を行うことによって、比較例を含め１Ｑ７１の
トランスファ成形材料を１ｉｌＨｔ４！したっこのよう
処して得た成形材料を用いてトランスファ成形すること
により、 ＦｙＫ）Ｓ型集積回路を位１脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０’（＋に加熱した成形材料を１
７５０で２分間モールドし、更に１・８０ ’Ｏで３時
間アンタキュアすることにより行−）だ。上記樹脂封止
型半導体装置各１００個について次の試験を行った。 （１１１２０’（３，２気圧の水蒸気中でｉｏｖ印加し
てアルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスｐｃ’ｒ ）を行い、七〇拮果を表−５
に示した。 ＋２） ｌ ０００のオープン中でオフセットゲートｂ
ｌＯ８ＦＥＴ回路にドレイン直圧５Ｖ、 オフセラト
ゲ−トイ圧５ｖを印加して′電気特性の劣化によるリー
ク′１に流不良調べる試＃ （ｒｌ幻５−ＢＴ試験）を
行い、リーク川流が初期値の１００倍以上に請訓した機
付を不良と判定してその結果を衣−６に示した。 以下余白 表 −４
めである。 本発明において用いられる酸無水物は、脂肪族、脂ｈａ
族または芳香族の無水カルボン酸もしくはこれらの置換
無水カルボン酸であれば１い；がなる）ものでも使用ｉ
］能である。かかる酸無水物としては、例えば、無水マ
Ｌ、−イン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、無水テト
ラヒドロフタル酸、無水へキサヒト四フタル酸、無水ト
リメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（
３，６−ニンドメテレンー１．２，３．６−テトラヒド
ロ無水）＊＃Ｉ９）、無水メチルナジック酸、３．３’
、４．４’−ベンゾフェノ／テトラカルボン酸無水物、
無水テトラブロムフタル酸、無水クロレンディック酸秀
がイ・】げられ、これらから成る群より選（はれ６１種
もしくは２種以上のものが用いられる。 酸無水物の配合量はエポキシ個脂硬化剤総量の５０世量
係以下であることが好ましい。その理由は５０重−一％
ｒ超えて配合するとエポキシ樹脂組成物の耐湿性が劣化
するためである。また酸無水物の配合量は、硬化剤のフ
ェノール性酸基と無水カルボキシル基の総数とエポキシ
樹脂のエポキシ基叡の比、 〔（フェノール性水酸基数＋無水カルボ・Ｖシル基数）
／エポキシ基数〕 が０．５〜１．５の１６α四同にあるように配合するこ
とが好ましいっその理由は上記範囲外でｔまエポキシＩ
ＧＪ脂組成物の耐湿性が劣化するためである。 本発明において使用される有機ホスフィン化合物は、硬
化促進剤としての機能を有するものであり、かかる化合
物を配合せしめることにより、樹脂封止型半導体装置の
耐湿性および高温電気特性の向上−ｌ！、；もたらされ
る。 このような有機ホスフィン化合物は、次記一般式〔１〕 Ｉ Ｒ２−Ｐ（１） ３ 〔式中％ Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は、同一でも異なって
いてもよく、水素原子、アルキル基、フェニル基、トリ
ル基等のアリール基、シクロヘキシル基等のシクロアル
キル基等で示される基を表わす。また式 （式中、Ｒはアルカンを表わし、 Ｒ，’およびビは、
同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、
フェニル基、トリル基等のアリール基、シクロヘキシル
基等のシクロアルキル基を表わす。 ただし、ｌζ′およびＲ″が水素原子の場合を除く。）
で示される基のように有機ホスフィンを含む有機基であ
ってもよい。ただし、Ｒ１，Ｒｚおよび１１：うがすべ
て水嵩原子である場合を除く。〕 で示されるものであり、例えば、トリフェニルホスフィ
ン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフ
ィン、メチルジフェニルホスフィン等の第３ホスフィン
化合物、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニルホスフ
ィン等の第２ボスフィン化合物、フェニルホスフィン、
オクチルホスフィン等の′？Ａ１ホスフィン化合物、お
よびビス（ジフェニルホスフィン）メタン、】、２−ビ
ス（ジフェニルホスフィン）エタン等の第３ビスホスフ
ィン化合物が挙げられ、これらから成る群上り選ばれる
１種もしくは２種以上のものが使用される。 −これらの中でも、アリールホスフィン化合物を使用す
ることが好ましく、とりわけ、トリフェニルホスフィン
などのトリアリールホスフィンが最も好すしい。 かかる有機ホスフィン化合物は、エポキシ（樹脂および
硬化剤の総量に対して（’１．００１〜２０東に嶺の鼠
で配合することが好ましく、特に好塘しくけ、０．０１
〜５ｊｔＴｊＪ係である。 本発明において、アルコキシ基、アリールオキシ基およ
びアシルオキシル基から選ばれる少くともひとつの基が
ケイ素原子に直結している有機ケイ素化合物で２Ｌ）っ
て、かつ、該化合物の他のすべての有機基がアルキル基
、シクロアルキル基、アリール基およびアルアルキル基
から選ばれる少くともひとつから成る有機ケイ累化合物
を用いることにより、該有様ケイ素化合物と有機ホスフ
ィン化合物の相互作用によって、有機ホスフィン化合物
まだは該冶４灸ケイ素化合物をそれぞれ単独で用いた場
合に較べ、エポキシ樹脂組成物および該組成物を酸物を
用いて４１止した樹脂封止°型半導体装置の特性を著し
く改善することができる。 本発明において用いられる有機ケイ素化合物は、アルコ
キシ基、アリールオキシル基およびアシルオキシル基か
ら選ばれる少くともひとつの基がケイ素原子に直結して
いる有機ケイ素化合物であって、〃・つ該化合物の他の
すべての有機基がメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル。 ｔｅｒｔブチル等のアルキル基；シクロヘキシル等の７
クロアルキル基；フェニル、トリル等のアリール基；ベ
ンジル等のアルアルキル基から選ばれる少くともひとつ
から成るオルガノシラン化合物、オルガノボリア０キザ
ン化合物であって、ポリシロキサンの骨格は直知状、分
校状、環状、多環状でぬってよい。 具体的に例示すると、テトラメトキシシラン、テトラエ
トキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラフェノキ
シシラン、テトラトリルオキシシラン、テトラアセトキ
シ７ラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、
メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン
、ブチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシ
ラン、オクタデシルトリメトキシシラン、シクロヘキシ
ルトリメトキンシラン、ベンジルトリメトキシ７ラン、
フェニルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラ
ン、プロピルトリエトキシシラン、オクタデシルトリエ
トキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルト
リプロポキシラン、フィニルトリプロポキシシラン、メ
チルトリフエノキシシラン、エチルトリフエノキシシラ
ン、フェニルトリフエノキシシラン、メチルトリアセト
キシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリ
ス（トリフ戸口アセトキシ）シラン、フェニルジメトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジメト
キシシラン、メチルプナルジメトギシシラン、メチルオ
クタデゾルジメトキンシラン、ジフェニルジメトキシシ
ラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメチルジェ
トキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルフェ
ニルジエトキシシラン、メチルベンジルジェトキシシラ
ン、ジエチルジフェノキシシラン、ジフェニルジフェノ
キシシラン、メチルジアセトキシシラン、ジメチルジア
セトキシシラン、ジフェニルアセトキシシラン ジフェニルメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン
、）・リエチルメトキシシラン、トリブチルメトキシン
ラン、ジメチルオクタデシルメトキシシラン、トリフェ
ニルメトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン
、トリメチルエトキシシラン、トリエチルアトキシシラ
ン、トリメチルフェノキシシラン、トリエチルフェノキ
シシラン、ジメチルメクチルフエノキシシラン、トリエ
チルアセトキシシラン、メチルジフェニルフェノキシシ
ラン、ジメチルフェニルフェノキ７シラン、トリメチル
アセトキシシラン、トリエチルアセトキシシラン、トリ
フェニルアセトキシシラン、メチルジフェニルアセトキ
シシラン、ジメチルフェニルアセトキシシラン、トリメ
チル（トリフロロアセトキシ）７ラン、トリフェニルプ
ロピオニルオキシシラン、トリフェニルベンゾイルオキ
シシラン、トリエトキシモノフェノキシシラン、ジメト
キシジフェノキシシラン、トリメトキシモノアセトキシ
シラン、エトキシトリアセトキシシランブチルジメトキ
シモノフェノキシシラン、フェニルメトキシジフェノキ
シシラン、フェニルエトキ７ジアセトキシシラン、ジメ
チルメトキシフＪツキジシラン、ジフェニルエトキシフ
ェノキシ７ラン、ビス（トリメチルシリル）アジピン酸
、１，１，１，３゜３−ペンタメチル−３−メトキシジ
シロキサン、１゜１．１，３．３−−＜フタフェニル−
３−エトキシジシロキサン、ｉｔ、ｉ、］、］３．３−
ペンタメチルー３−アセトキシジロキザン１，１，３．
３−テトラメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、
１，３−ジフェニルｌ 、 １．３ ＋ ３−テトラメ
トキシジシロキサン、１．１．３，３，５．５−へキサ
メチル−１，５−ジメトキフトリ／ロキサン、および ＫＲ１２１３（商品名、信越シリコーン社製）ＤＣ３０
３７（１ｔｆｉ品名、東しシリコーン社製）のようなメ
トキシ基含有メチルフェニルポリシロキサンなどが挙げ
られる。これらの化合物は１種もしくは多種組み合わせ
て用いることができる。 これらの化合物の中でもシラン化合物が好ましく、トＩ
Ｉ）わけ、アルコキシル基、アリールオキシル基および
アシルオキシル基から選ばれるひとつの基とケイ素原子
との結合を１個だけ有する化合物が好ましい。これらの
化合物の配合量は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤）に
対し０．０１〜１（）重量％の範囲内が好ブしい。その
理由は（１，ｏ １市、Ｒ％未満では添加の効果が認め
ｙ＋ｒ＜、−ｚだ１０ルーｉ１チを超えると樹脂組成物
に悪影猟：を与、するためである。 きらに上記有機ケイ素化合物に代えてエポキシ基を有し
、かつ分子内のすべてのケイ素の共有結合がケイ素−炭
素結合あるいはシロキサン結合である有機ケイ素化合物
を用いることにより、同様に該有機ケイ素化合物と有機
ホスフィン化合物の相互作用によって、該有機ケイ素化
合物または有機ホスフィン化合物を単独で用いた場合に
較べ、エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた樹脂制止
型半導体装置の特性を著しく改善することができる。 本発明において用いられる、エポキシ基を有し、かつ分
子内のすべてのケイ素の共有結合がケイ素−炭素結合（
Ｓｉ−ｃ）あるいはシロキサン結合（Ｓｉ −（ｆ−８
ｉ ）である有機ケイ素化合物は、分子内のすべてのケ
イ素が式（Ｉｆ）、（ｉｌｌ）で示される構造単位から
成る有機ケイ素化合物であって、分子内に少くとも１個
の構成単位〔１］〕で示される４８ｉ造を有していなけ
ればならない。 式中Ｖはエポキシ基、グリシドキシ基、エポキシクロヘ
キシル基などのエポキシ基単位を示す。Ｒは炭素（まだ
は炭素釦）、５ｉ−Ｒ’はケイ素−炭素結合一まノζは
シロキサン結合を示す。ｎは１−４の整数を示−Ｊ−６ 具体的に例示すると、たとえば ２．３−エボＷジプロピルトリメチルシラン、２．３−
エホキ／プロピルトリフェニルシラン、・、３−エボキ
ノグロビルメナルジノエニルシラン、 ；３−クリシトキシプロピルトルメチルシラン、３−グ
リシトキシクロビルトリフェニルシラン、３−グリシド
キシプロビルジメチルフェニルシラン、 ２−（：３．４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
メチルシラン、 １−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３゜
３−ペンタメチルジシロキサン、 １−（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３，
５゜５．５−ベプタメチルトリシロキサン、ビス（３−
グリシドキシプロピル）ジメチルシラン、 ビス（３−グリシドキシプロピル）ジフェニル７ラン、 １．３−ビス（３−グリシドキンプロピル）−１，ｉ。 ３．３−テトラメナルジシロギザン、 １．３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１゜
３．３−ナト５フエニルジシロキーリ゛ン、５Ｆ８０１
１（商品名、東しシリコーン社製エポキシ化シリコーン
オイル） などが挙げられる１、これらの化合物の配合量は樹脂成
分（エポキシ樹脂と硬化剤）に対し０．０１〜１０重量
係の範囲内が好ましい。その理由は０．０１月（＠修未
満では、添加の効果が認めケ１（＜、まだ１０庫Ｎ％を
超えると樹脂組成物に悪影響を与えるためであ４）。 上記有機ケイ素化合物とエポキシ樹脂の溶融混合物およ
び／まだは上記有機ケイ素化合物と硬化剤の溶融混合物
をあらかじめつくっておき、これらの溶融混合物を用い
てエポキシ樹脂組成物を構成することもできる。 本発明において必要に応じて用いられる無機質充てん剤
としては、石英ガラン粉末、結晶性シリが粉本、ガラス
偵維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、
炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシア粉
末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結、
品性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好
ましい。 しかしてこれら魚機質充てん剤の配合量はエボキ世・ｊ
脂、硬化剤および無機質充てん剤の種類によっても異る
が、たとえばトランスファ成形に用いる場合忙はエポキ
シ樹脂と硬化剤の総量に対し重琶比で１．５倍〜４倍程
度でよい。無機質充てん剤の粒度分布については、粗い
粒子と細い粒子を組み合せて分布を均一にすることによ
って成形性を改善することができる。 本発明に係るエポキシ胡脂組成物は必要に応じて、例え
、ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル頑もしくはパラフィン類な
どの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
ザブロムベンゼン、三酸化アンチモノなどの難燃剤、カ
ーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤な
どを適宜添加配合しても差しつかえない。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料としてＡ製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成に選んだ
原料組成分を例えばミギサーによって充分混合後、さら
に熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−などに
よる混合処理を加えることにより容易にエポキシも″目
脂成形材料を得ることができる。 本発明の（ロ）ｌ脂封止型半導体装置は、−上記エポキ
シ樹脂組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止す
ることにより容易に製造することができる。 封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型、
ディッピング、コーティングなどによる封止も可能であ
る。 エポキシ樹脂組成物乃至成形１料は封止の際に加熱して
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止されだ樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。硬化に際しては１５０ ’Ｃ以上に加熱するこ
とが特に望“ましい。 本発明でいう半導体装置とは東禎回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ１．ダイオードなどであっ
て特に限定されるものではない。 〔発明の効果〕 上記本発明の目的、概要の記載および下記実施し１］に
おいて明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物お
よび該エポキシ樹脂組成物をノ１ノいて半導体装置を封
止して成る樹脂封止型半導体装置は、バイアスＰＣＴに
おいて水分によるアルミニ・ツム配線の腐食が著しく低
いことに示されるように耐湿（４−に優れ、また１νｔ
Ｏ８−ＢＴ試験において、リークｔＪＮ流の発生が著し
く低いことに示されるように高温電気特性に殴れている
。従って本発明によって高信頼性の樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。 上記ｑＪ：うに本発明のエポキシ０月脂力′且成物は。 最も高品質、高信頼性が要求されるといイクれる半導ｔ
−１−の封止樹脂として用いた場合に、最大の発揮する
のであるが、半導体はどの高品質が要求されない一般の
１ル子部品や眠気部品の封止１．彼覆、絶縁などに＞Ｍ
用した場合でも殴れた効果が得られる。 Ｌ本発明の実施例〕 次に本発明の詳細な説明する。 実施例１〜４ エポキシ当量２２０のタレゾールノボラック型エボギシ
８４脂（エポキシｍｌ Ｉ指Ａ ） 、エポキシ当量２
９０の臭素化エポキシノボラック柾１脂（エポキシ−Ｊ
］旨Ｂ）、分子量８００のフェノールノボラック樹脂硬
化剤、７無水テトラヒドロフタル酸、トリフェニルホス
フィン、＋−リフェニルメトキシシラン、トリフェニル
フェノキ７７ラン、トリンエニルアセトキシシラン、２
−メチルイミダゾール、石英ガラス粉末、三１ソ化アン
チモン、〃ルナバワノクス、カーボンブラック、７ラン
カツプリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン）を♂て−１に示す組成（重量部）に選び、各
組成物をミキサーによる混合、加熱ロールによる混線を
行うことによって、比較例を含め１０錘のトランスファ
成形材料を調製した。 このようにして得た成形材料を用いてトランスノ′γ成
形することによυ、Δ／ＤＳ型集積回路を樹脂側止した
。封止は高周波予熱器′で９０゛Ｃに加熱した成形材料
を１７５°Ｃで２分間モールドし、更に１８０゛Ｃで３
時間アフタキュアすることによシ行った。 比較例６は硬化ぜず成形できなかった。上記樹脂封、止
型半導体装置各１００個について次の試験を行った１、 （１１１２０’Ｃ，２気圧の水蒸気中で１０ｖ印加して
アルミニウム配線の腐食による）１７ｒ ＭＡ不良を調
べる耐湿試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を
表−２に示した。 ＋２） ｌ ＯＯ’Ｏのオーブン中でオノセットゲート
ＭＯ８ＦＥＴ回路にドレイン屯田５■、オフセットゲー
ト４圧５■を印加して電気特性の劣化によるリーク電流
不良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リーク
実流が初期値の１００倍以上に増加した場合を不良と判
だしてその結果を表−３に示しだ。 以下余白 表−１ 表 −２ 表−３ 実施例５〜９ エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ
ｔｊＩｊＪｌｉ （エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２
９０の臭素化エボキシノボラソクｍｌ脂（エポキシ樹脂
Ｂ）、分子量８００のフェノール）ボラック樹脂硬化剤
、無水ナジック酸、３−グリシドキシプロビルトリフェ
ニルシラン（Ｏ８−Ｉ）、＝（ａ 、 ４−エポキシシ
クロヘキシル）エチルトリメチルシラ／（Ｏ８−ＩＴ）
、■、３−ビス（３−グリシドキシプロビル）−１，１
，３，３−テトラメチルジシロキサン（Ｏ８−Ｉｌｌ）
、トリフェニルホスフィン、２−メチルイミダゾール、
ジメチルアミノメチルフェノール、石英ガラス粉末、三
酸化アンチモン、カルナバワックス、゛カーボンフ゛ラ
ック、シ入ンヵッブリング剤（γ−グリシドキシクロビ
ルトリメトキシシラン）を表−４に示す組成（重量部）
に選び、各組成物をミキサーによる混合、加熱ロールに
よる混練を行うことによって、比較例を含め１Ｑ７１の
トランスファ成形材料を１ｉｌＨｔ４！したっこのよう
処して得た成形材料を用いてトランスファ成形すること
により、 ＦｙＫ）Ｓ型集積回路を位１脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０’（＋に加熱した成形材料を１
７５０で２分間モールドし、更に１・８０ ’Ｏで３時
間アンタキュアすることにより行−）だ。上記樹脂封止
型半導体装置各１００個について次の試験を行った。 （１１１２０’（３，２気圧の水蒸気中でｉｏｖ印加し
てアルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスｐｃ’ｒ ）を行い、七〇拮果を表−５
に示した。 ＋２） ｌ ０００のオープン中でオフセットゲートｂ
ｌＯ８ＦＥＴ回路にドレイン直圧５Ｖ、 オフセラト
ゲ−トイ圧５ｖを印加して′電気特性の劣化によるリー
ク′１に流不良調べる試＃ （ｒｌ幻５−ＢＴ試験）を
行い、リーク川流が初期値の１００倍以上に請訓した機
付を不良と判定してその結果を衣−６に示した。 以下余白 表 −４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｉｔ半導体装置をエポキシ樹脂組成物で封止して成る
樹脂封止型半導体装置において、該エポキシ樹脂組成物
が、 ａ）エポキシ樹脂 ｂ） １分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂の硬化剤 ｃ）有機ボスフィン化合物および ｄ）アルコキシ基、アリールオキシル基およびアシルオ
キシル基から選ばれる少くともひとつの基がケイ素原子
に直結し−Ｃいる有機ケイ素化合物であって、かつ該化
合物の他のすべての有機基がアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基およびアルキル基から選ばれる少くと
もひとつから成る有機ケイ素化合物を含むことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 （２）エポキシ拵１脂が、エポキシ当量１７０〜３００
のノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１
項記載の樹脂封止型半導体装置。 ・、３）有機ケイ素化合物が有機シラ／化合物である特
許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装＊、。 （４）有機ケイ素化合物が、アルコキシル基、アリール
オキシル基およびアシルオキシル基かう選ハれるひとつ
の基とケイ素原子との結合を１個だけ有する有機ケイ素
化合物である特許請求の範囲第１項またはｒａ’ｒ ３
項記載の樹脂封止型半導体装置。 （５）エポキシ樹脂の硬化剤として更に酸無水物硬ｆヒ
剤を含む特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体
装置、。 （６）更に無機質光てん剤を含む唱許請求の範囲第１項
記載の樹脂封止型半導体装置。 （７）半導体装置をエポキシそ目脂組成物で封止して成
る樹脂封止型半導体装置において、該エポキシ樹脂組成
物が、 ａ）エポキシ樹脂 ｂ） １分子中に少くとも２個Ｑ）フェノール性水酸基
を有するエポキシ樹脂の硬化剤 Ｃ）有様ホスフィン化合物および ｄ）エポキシ基會廂し、かつ分子内のすべてのケイ素の
共有結合がケイ素−酸素結合（Ｓｉ−ｃ）めるいはシロ
キサン結合（Ｓｔ−０−８ｔ）である有機ケイ素化合物 を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装ｆ６゜（８
）エポキシ樹脂が、エポキシ当域１７０〜３０００ノボ
ラツク型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第７項記載
の樹脂封止型半導体装置。 （９）エポキシ樹脂の硬化剤として、更に酸無水物硬化
剤を含む特許請求の範囲第７項記載の樹脂封止型半導体
装置。 （ＩＯ）更に無機質冗てん剤を含む特許請求の範囲第７
項記載の樹脂封止型半導体装置。 （１１）エボキ７基を有し、かつ分子内のすべてのケイ
素の共有結合がケイ素−炭素結合あるいはシロキサン結
合である有機ケイ素化合物とエポキシ樹脂の溶融混合物
および／または該有機ケイ素化合物とエポキシ樹脂の硬
化剤の浴融混合物を７４１いる特許請求の範囲第７項記
載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158882A JPS5948942A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158882A JPS5948942A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948942A true JPS5948942A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH0520447B2 JPH0520447B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=15681442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158882A Granted JPS5948942A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948942A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903119A (en) * | 1986-05-01 | 1990-02-20 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Semi-conductor device |
| JPH02110126A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
| JPH0680861A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-03-22 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| US20160102226A1 (en) * | 2013-05-17 | 2016-04-14 | Dow Corning Corporation | Curable Composition, Method Of Preparing Cured Article, And Cured Article Formed Thereby |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2018131571A1 (ja) | 2017-01-10 | 2018-07-19 | 住友精化株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| CN110191921B (zh) | 2017-01-10 | 2022-04-26 | 住友精化株式会社 | 环氧树脂组合物 |
| JP6530574B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2019-06-12 | 住友精化株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| CN110177820B (zh) | 2017-01-10 | 2022-03-01 | 住友精化株式会社 | 环氧树脂组合物 |
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-
1982
- 1982-09-14 JP JP57158882A patent/JPS5948942A/ja active Granted
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| US10435585B2 (en) * | 2013-05-17 | 2019-10-08 | Dow Corning Corporation | Curable composition, method of preparing cured article, and cured article formed thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520447B2 (ja) | 1993-03-19 |
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