JPS5981328A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS5981328A JPS5981328A JP19165882A JP19165882A JPS5981328A JP S5981328 A JPS5981328 A JP S5981328A JP 19165882 A JP19165882 A JP 19165882A JP 19165882 A JP19165882 A JP 19165882A JP S5981328 A JPS5981328 A JP S5981328A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin
- silicone oil
- resin composition
- moisture resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置を封止するためのエポキシ樹脂組
成物に関し、その目的とするところは耐湿性にすぐれた
樹脂封止半導体装置を提供することにある。
成物に関し、その目的とするところは耐湿性にすぐれた
樹脂封止半導体装置を提供することにある。
最近の半導体装置、たとえばｊＣ，ＬＳＩ、トランジス
タ、ダイオードなどは、セラミック、キャン封止タイプ
に比べ生産性、価格などの優位性から樹脂封止方式で生
産されている。しかしながら、樹脂封止半導体装置は、
セラミック、キャン封止タイプに比べ耐湿性に劣り半導
体素子の信頼性を低下させることに問題があった。
タ、ダイオードなどは、セラミック、キャン封止タイプ
に比べ生産性、価格などの優位性から樹脂封止方式で生
産されている。しかしながら、樹脂封止半導体装置は、
セラミック、キャン封止タイプに比べ耐湿性に劣り半導
体素子の信頼性を低下させることに問題があった。
そこで、樹脂封止半導体装置の耐湿性の不良を防ぐため
の種々の改良検討がなされている。これらの改良法につ
き２．３の例を挙ければ、半導体素子そのものをポリイ
ミド樹脂、シリコーン樹脂などの有機化合物でアンダー
コートしてから樹脂封止する方法、耐湿性の不良原因の
１つとして考えられている封止樹脂中のイオン性不純物
を除去したりあるいは封止樹脂と半導体装置のフレーム
もしくは半導体素子との界面からの水の浸入を防止する
方法などがある。
の種々の改良検討がなされている。これらの改良法につ
き２．３の例を挙ければ、半導体素子そのものをポリイ
ミド樹脂、シリコーン樹脂などの有機化合物でアンダー
コートしてから樹脂封止する方法、耐湿性の不良原因の
１つとして考えられている封止樹脂中のイオン性不純物
を除去したりあるいは封止樹脂と半導体装置のフレーム
もしくは半導体素子との界面からの水の浸入を防止する
方法などがある。
この発明者らは、耐湿性良好な樹脂封止半導体装置を得
るために封止材料であるエポキシ樹脂組酸物について耐
湿性改良のための検問を行なった結果、特定のエポキシ
樹脂と特定の硬化剤と特定の充填剤とさらに特定のシリ
コーンオイルとを含むものか耐湿特性の改善に非常に好
結果を与えるものであることを見い出し、この発明をな
すに至った。
るために封止材料であるエポキシ樹脂組酸物について耐
湿性改良のための検問を行なった結果、特定のエポキシ
樹脂と特定の硬化剤と特定の充填剤とさらに特定のシリ
コーンオイルとを含むものか耐湿特性の改善に非常に好
結果を与えるものであることを見い出し、この発明をな
すに至った。
すなわち、この発明は、ａ）エポキシ当量２５０以下で
かつ軟化点が１００℃以下のエポキシ樹脂１０〜２５重
量％と、ｂ）フェノールノボラック樹脂５〜１５重量％
と、Ｃ）煮沸抽出水の電気伝導度が５μΩ／ｃｍ以下て
かつｐ Ｉ−１が６．０〜７．５の範囲となるシリカ粉
末６５〜７５重量％と、ｄ）粘度５００〜５０，０００
センスストークスのシリコーンオイル０５〜５重量％と
を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物に係るものである。
かつ軟化点が１００℃以下のエポキシ樹脂１０〜２５重
量％と、ｂ）フェノールノボラック樹脂５〜１５重量％
と、Ｃ）煮沸抽出水の電気伝導度が５μΩ／ｃｍ以下て
かつｐ Ｉ−１が６．０〜７．５の範囲となるシリカ粉
末６５〜７５重量％と、ｄ）粘度５００〜５０，０００
センスストークスのシリコーンオイル０５〜５重量％と
を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物に係るものである。
この発明においては、上述した３〜ｄ成分を必須成分と
することによって耐湿性良好でしかも封止作業性にすぐ
れるエポキシ樹脂組成物を得ることができるが、−１−
記成分のなかでもとくに重要な成分はｄ成分つまり前記
特定の粘度を有するシリコーンオイルである。
することによって耐湿性良好でしかも封止作業性にすぐ
れるエポキシ樹脂組成物を得ることができるが、−１−
記成分のなかでもとくに重要な成分はｄ成分つまり前記
特定の粘度を有するシリコーンオイルである。
今日まで、撥水性を有するシリコーン化合物としてシラ
ンカップリン剤を封止樹脂中に混入して、充填剤とエポ
キシ樹脂との親和性や半導体素子に対する密着性の向−
Ｌを図り、耐湿特性に好結果を得ることはすてに知られ
ている。しかるに、上記のシランカップリンク剤は分子
内に特定の官能基を持った常温で液状のものが（はとん
どであり、このためこれを多量用いると成形時に封止樹
脂の表面に滲出してマーキンクなどの印刷性を損なうな
どの問題かあることから、一般には封止材料全体の約０
２〜０．３重量％程度の使用量に抑える必要かあった。
ンカップリン剤を封止樹脂中に混入して、充填剤とエポ
キシ樹脂との親和性や半導体素子に対する密着性の向−
Ｌを図り、耐湿特性に好結果を得ることはすてに知られ
ている。しかるに、上記のシランカップリンク剤は分子
内に特定の官能基を持った常温で液状のものが（はとん
どであり、このためこれを多量用いると成形時に封止樹
脂の表面に滲出してマーキンクなどの印刷性を損なうな
どの問題かあることから、一般には封止材料全体の約０
２〜０．３重量％程度の使用量に抑える必要かあった。
このため、前記耐湿特性の向上もそれほど期待できるも
のとはいえなかった。
のとはいえなかった。
これに対し−この発明では、前記ｄ成分とし７て上記シ
ランカップリンク剤に較へてはるかに粘度の高いシリコ
ーンオイルを用いることを特徴と［。
ランカップリンク剤に較へてはるかに粘度の高いシリコ
ーンオイルを用いることを特徴と［。
たものであるため、このシリコーンオイルは成形時の表
面滲出性が低く、したがってシランカップリング剤に較
べて前記多量の添加量とすることができる。そして、か
かるシリコーンオイルにあっても従来公知のシランカッ
プリング剤とそれほど変らないすぐれた密着性向上機能
を有し、上記添加量を多くしうることによってこれ単独
の使用でまた上記シランカップリング剤との併用系で半
導体装置の耐湿特性を大きく改善する。
面滲出性が低く、したがってシランカップリング剤に較
べて前記多量の添加量とすることができる。そして、か
かるシリコーンオイルにあっても従来公知のシランカッ
プリング剤とそれほど変らないすぐれた密着性向上機能
を有し、上記添加量を多くしうることによってこれ単独
の使用でまた上記シランカップリング剤との併用系で半
導体装置の耐湿特性を大きく改善する。
この発明のａ成分としてのエポキシ樹脂としては一１分
子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、
たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹１指などのなかから、そ
のエポキシ当量が２５０以下でかつ軟化点が１００°Ｃ
以下のもので好適にはＮａ、Ｃｚその他の不純物をでき
うる限り除いたものが用いられる。
子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、
たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹１指などのなかから、そ
のエポキシ当量が２５０以下でかつ軟化点が１００°Ｃ
以下のもので好適にはＮａ、Ｃｚその他の不純物をでき
うる限り除いたものが用いられる。
エポキシ当量が２５０を超えると架橋密度が小さくなり
充分な耐熱性や強度などが得られず、また軟化点が１０
０°Ｃより高くなると流れ性が悪くなって成形性に劣り
、これら欠点は結果的に半導体装置の耐湿特性の低下に
もつながるものである。
充分な耐熱性や強度などが得られず、また軟化点が１０
０°Ｃより高くなると流れ性が悪くなって成形性に劣り
、これら欠点は結果的に半導体装置の耐湿特性の低下に
もつながるものである。
この発明のｂ成分としてのフェノールノボラック樹脂は
、ａ成分としてのエポキシ樹脂の硬化剤として作用する
ものである。これ以外の硬化剤としてたとえば酸無水物
などが知られているか、かかる硬化剤では離型性に劣り
半導体に対する密着性や表面外観にすぐれる樹脂封止を
困難とするから、この発明の目的には不適当である。
、ａ成分としてのエポキシ樹脂の硬化剤として作用する
ものである。これ以外の硬化剤としてたとえば酸無水物
などが知られているか、かかる硬化剤では離型性に劣り
半導体に対する密着性や表面外観にすぐれる樹脂封止を
困難とするから、この発明の目的には不適当である。
上記フェノールノボラック樹脂は、一般に一フェノール
、クレゾール、キシレノール、クロルフェノール、フェ
ニルフェノール、ビスフェノールＡなどの一種または二
種以上の混合物とホルムアルテヒトナいしパラホルムア
ルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを触媒として反
応させて得られるものであり、この反応物は半導体素子
に悪影響を与える未反応のモノマーができるだけ除かれ
ていることが望ましい。
、クレゾール、キシレノール、クロルフェノール、フェ
ニルフェノール、ビスフェノールＡなどの一種または二
種以上の混合物とホルムアルテヒトナいしパラホルムア
ルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを触媒として反
応させて得られるものであり、この反応物は半導体素子
に悪影響を与える未反応のモノマーができるだけ除かれ
ていることが望ましい。
この発明のＣ成分としての充填剤は、封止材料の熱膨張
係数を大きくして封止樹脂とリードフレームなどとの剥
がれ現象を防出し以って耐湿性を向上させるためのもの
であり、この観点から煮沸抽出水の電気伝導度が５μ０
７を以下でかっｐ Ｉ−１が６．０〜７５の範囲となる
シリカ粉末を使用する。
係数を大きくして封止樹脂とリードフレームなどとの剥
がれ現象を防出し以って耐湿性を向上させるためのもの
であり、この観点から煮沸抽出水の電気伝導度が５μ０
７を以下でかっｐ Ｉ−１が６．０〜７５の範囲となる
シリカ粉末を使用する。
このようなシリカ粉末は不純物の少ない高純度品である
ため不純物に起因した耐湿性の低下をきたすことがない
。
ため不純物に起因した耐湿性の低下をきたすことがない
。
なお、煮沸抽出水の電気伝導度およびｐＨとは、一般に
、水ｉ ｏ ｏ ｍｅに対してシリカ粉末２０ｙを加え
てこれを１２ ］、 ’Ｃ５２０時間煮沸したのちの抽
出水の電気伝導度およびｐＩ−１を実Ｉ′１１）１する
ことによって求められるものである。
、水ｉ ｏ ｏ ｍｅに対してシリカ粉末２０ｙを加え
てこれを１２ ］、 ’Ｃ５２０時間煮沸したのちの抽
出水の電気伝導度およびｐＩ−１を実Ｉ′１１）１する
ことによって求められるものである。
この発明のｄ成分としてのシリコーンオイルは、その粘
度が５００〜５０，０００センデストークス、好適には
１０，０００〜３０，０００ セ７チスト−クスの範囲
のものが用いられる。粘度が５００センチストークスよ
り低いものでは封止樹脂の外観や表面印刷性を損ない、
逆に５０，０００センチストークスより高くなると取扱
い性に劣り、いずれも不適当である。
度が５００〜５０，０００センデストークス、好適には
１０，０００〜３０，０００ セ７チスト−クスの範囲
のものが用いられる。粘度が５００センチストークスよ
り低いものでは封止樹脂の外観や表面印刷性を損ない、
逆に５０，０００センチストークスより高くなると取扱
い性に劣り、いずれも不適当である。
このようなシリコーンオイルとしては、っぎの一般式；
（式中、ｋは水素またはフェニル基、ｌηは０または１
以上の整数、ｎは整数でｎ）ｍである）で表わされるジ
メチルシロキサンが好ましく用いられる。
以上の整数、ｎは整数でｎ）ｍである）で表わされるジ
メチルシロキサンが好ましく用いられる。
この発明において、上述したａ −ｄ成分の使用割合は
、組成物全体中ａ成分て１０〜２５重量％、ｌ〕酸成分
５〜１５重量％、Ｃ成分て６５〜７５重量％、ｄ成分て
０．５〜５重量％とするのが好適である。このうち、と
くにＣ成分の使用量が６５重量％未満になると耐湿性を
大きく損ないまた７５重量％を超えると組成物の流れ性
が悪くなる。また、ｄ成分の使用量が０．５重量％未満
ではＣ成分の場合と同様に耐湿性の改善効果が充分に得
られず一逆に多くなりすきると封止樹脂表面の印刷性を
損なう。ｄ成分の最適使用量は１０〜３．０重量％であ
る。
、組成物全体中ａ成分て１０〜２５重量％、ｌ〕酸成分
５〜１５重量％、Ｃ成分て６５〜７５重量％、ｄ成分て
０．５〜５重量％とするのが好適である。このうち、と
くにＣ成分の使用量が６５重量％未満になると耐湿性を
大きく損ないまた７５重量％を超えると組成物の流れ性
が悪くなる。また、ｄ成分の使用量が０．５重量％未満
ではＣ成分の場合と同様に耐湿性の改善効果が充分に得
られず一逆に多くなりすきると封止樹脂表面の印刷性を
損なう。ｄ成分の最適使用量は１０〜３．０重量％であ
る。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、以上
のａ 、 ｄ成分のほか、一般に各種アミン、フッ化ホ
ウ素のアミン舵体、イミダゾール類などの硬化促進剤や
カルナバワックス、モンタンワックス、ステアリン酸な
どの離型剤が用いられる。
のａ 、 ｄ成分のほか、一般に各種アミン、フッ化ホ
ウ素のアミン舵体、イミダゾール類などの硬化促進剤や
カルナバワックス、モンタンワックス、ステアリン酸な
どの離型剤が用いられる。
硬化促進剤および離型剤の使用量はそれぞれ組成物全体
のＯ］〜１．０重量％程度である。また、必要に応じて
ブロム化エポキシ樹脂の如き有機系難燃剤、各種の無機
系難燃剤、顔料、シランカップリンク剤、変性剤などの
公知の添加剤を配合しても差し支えない。
のＯ］〜１．０重量％程度である。また、必要に応じて
ブロム化エポキシ樹脂の如き有機系難燃剤、各種の無機
系難燃剤、顔料、シランカップリンク剤、変性剤などの
公知の添加剤を配合しても差し支えない。
この発明においては、上述の如き各種の成分を加熱ロー
ルもしくは押出機によって溶融混練するか、あるいは各
成分を微粉砕したのち混合するなどの任意の手段で混純
ないし混合することにより、Ｉ」的とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物とするが、この組成物は−・般的に
は粉末状のものとして使用に供される。
ルもしくは押出機によって溶融混練するか、あるいは各
成分を微粉砕したのち混合するなどの任意の手段で混純
ないし混合することにより、Ｉ」的とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物とするが、この組成物は−・般的に
は粉末状のものとして使用に供される。
すなわち、樹脂封止に当たって、」１記粉末状の組成物
を半導体素子やフレーム上にトランスファー成形するこ
とににす、耐湿性にすぐれまた表面性や機械的強度、耐
熱性などにすぐれる樹脂封止半導体装置を得ることがで
きる。
を半導体素子やフレーム上にトランスファー成形するこ
とににす、耐湿性にすぐれまた表面性や機械的強度、耐
熱性などにすぐれる樹脂封止半導体装置を得ることがで
きる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例
エポキシ当量２１５、軟化点７５°Ｃのオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（以下、エポキシ樹脂Ａと
いう）、エポキシ当量２７０の難燃性エポキシ樹脂（以
下、エポキシ樹脂Ｂという）、フェノール当量１０５の
フェノールノボラック樹脂、イミダゾール系硬化促進剤
（以下、硬化促進剤Ａという）、第三級アミン促進剤（
以下、硬化促進剤Ｂという）、カルナバワックス（離型
剤）、二酸化アンチモン（Ｍ燃剤）、シランカップリン
ク剤、カーボンブラック、煮沸抽出水の電気伝導度が２
．０μΩ／ａでかつＰＦｌか６．２であるシリカ粉末−
ｔｏ、ｏｏｏセンチストークスのシリコーンオイル（以
下、シリコーンオイルＡという）および３０．０００セ
ンチストークスのシリコーンオイル（以下、シリコーン
オイルＢという）を用いて、下記の第１表に示される配
合割合（重量％）で比較例を含め７種の半導体刺止用エ
ポキシ樹脂組成物を得た。
ルノボラック型エポキシ樹脂（以下、エポキシ樹脂Ａと
いう）、エポキシ当量２７０の難燃性エポキシ樹脂（以
下、エポキシ樹脂Ｂという）、フェノール当量１０５の
フェノールノボラック樹脂、イミダゾール系硬化促進剤
（以下、硬化促進剤Ａという）、第三級アミン促進剤（
以下、硬化促進剤Ｂという）、カルナバワックス（離型
剤）、二酸化アンチモン（Ｍ燃剤）、シランカップリン
ク剤、カーボンブラック、煮沸抽出水の電気伝導度が２
．０μΩ／ａでかつＰＦｌか６．２であるシリカ粉末−
ｔｏ、ｏｏｏセンチストークスのシリコーンオイル（以
下、シリコーンオイルＡという）および３０．０００セ
ンチストークスのシリコーンオイル（以下、シリコーン
オイルＢという）を用いて、下記の第１表に示される配
合割合（重量％）で比較例を含め７種の半導体刺止用エ
ポキシ樹脂組成物を得た。
なお、上記組成物の調製は、まず充てん剤、難燃剤、カ
ーボンブラックおよび硬化促進剤を混合したのちカップ
リンク剤やシリコーンオイルを加えて混合し、さらに残
りの成分（粉砕したもの）を加え、７０〜９０℃の加熱
ロールで混練し、冷却後粉砕する方法で行なった。
ーボンブラックおよび硬化促進剤を混合したのちカップ
リンク剤やシリコーンオイルを加えて混合し、さらに残
りの成分（粉砕したもの）を加え、７０〜９０℃の加熱
ロールで混練し、冷却後粉砕する方法で行なった。
」−記の各組成物を用いて低圧トランスファー成形法に
よりＭＯ５型ＩＣ素子を樹脂封止し、得られた樹脂封止
半導体装置についてプレッシャークツカーテスト（２気
圧の水蒸気中でのテスト）を行ない、アルミ電極の腐食
による耐湿性を評価した。結果は、つきの第２表に示さ
れるとおりであった。なお、表中の数値は、試験個数４
８個中の腐食か生したものの不良個数である。
よりＭＯ５型ＩＣ素子を樹脂封止し、得られた樹脂封止
半導体装置についてプレッシャークツカーテスト（２気
圧の水蒸気中でのテスト）を行ない、アルミ電極の腐食
による耐湿性を評価した。結果は、つきの第２表に示さ
れるとおりであった。なお、表中の数値は、試験個数４
８個中の腐食か生したものの不良個数である。
第２表
上記の結果から明らかなように、この発明のエポキシ樹
脂組成物によれば、長時間に亘って安定した特性を示す
高信頼性の樹脂封止半導体装置が得られるものであるこ
とがわかる。
脂組成物によれば、長時間に亘って安定した特性を示す
高信頼性の樹脂封止半導体装置が得られるものであるこ
とがわかる。
Claims (1)
- （１）ａ）エポキシ当量２５０以下でかつ軟化点が１０
０℃以下のエポキシ樹脂１０〜２５重量％と、 ｂ）フェノールノボラック樹脂５〜１５重量％と、 Ｃ）煮沸抽出水の電気伝導度が５μΩ７を以下でかつｐ
Ｈか６．０〜７，５の範囲となるシリカ粉末６５〜７５
重量％と、 ｄ）粘度５００〜５０，０００センチストークスのシリ
コーンオイル０．５〜５重量％とを含むことを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19165882A JPS5981328A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19165882A JPS5981328A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981328A true JPS5981328A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=16278304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19165882A Pending JPS5981328A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981328A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0174510A2 (en) * | 1984-08-23 | 1986-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device |
| JPS6166712A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
| JPS627723A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH01163257A (ja) * | 1987-09-11 | 1989-06-27 | Polyplastics Co | 低応力封止材 |
| JPH08100049A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 半導体封止材料用エポキシ樹脂組成物 |
| EP1149864A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-10-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Polymeric composition for packaging a semiconductor electronic device and packaging obtained therefrom |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP19165882A patent/JPS5981328A/ja active Pending
Cited By (11)
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| JPH0564181B2 (ja) * | 1984-09-11 | 1993-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
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| JPH0689224B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-11-09 | ポリプラスチックス株式会社 | 低応力封止材 |
| JPH08100049A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Dainippon Ink & Chem Inc | 半導体封止材料用エポキシ樹脂組成物 |
| EP1149864A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-10-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Polymeric composition for packaging a semiconductor electronic device and packaging obtained therefrom |
| WO2001083604A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Stmicroelectronics S.R.L. | Polymeric composition for packaging a semiconductor electronic device and packaging obtained therefrom |
| JP2003531938A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | エスティーマイクロエレクトロニクスエス．アール．エル． | 半導体電子装置のパッケージ用重合体組成物及びそれから得られるパッケージ |
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