JPS627723A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS627723A
JPS627723A JP14692885A JP14692885A JPS627723A JP S627723 A JPS627723 A JP S627723A JP 14692885 A JP14692885 A JP 14692885A JP 14692885 A JP14692885 A JP 14692885A JP S627723 A JPS627723 A JP S627723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
weight
less
resin
novolac type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14692885A
Other languages
English (en)
Inventor
Iehiro Kodama
小玉 家弘
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Tetsuo Yoshida
哲夫 吉田
Kazutoshi Tomiyoshi
富吉 和俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP14692885A priority Critical patent/JPS627723A/ja
Priority to CN 85106543 priority patent/CN1011413B/zh
Publication of JPS627723A publication Critical patent/JPS627723A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は特に半導体装置封止用あるいはプリン    
  ニド配線板製造用として好適に用いられるエポキシ
樹脂組成物に関するものである。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点エポキシ
樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べて電気特
性、接着性等に優れているため、従来より半導体装置の
封止やプリント基板用含浸剤として広く利用されている
。しかるに、最近は電子機器の軽薄短小化の社会的ニー
ズに応えるため、半導体素子の集積度アップ、プリント
基板への実装密度アップが高速度で進められているが、
電子機器は社会の制御システムに組み入れられるように
なったため、故障時における社会的影響が大きく、電子
機器の高信頼性が益々要求されている。封止材も、この
ような電子部品の高密度化に伴い、その肉厚を薄くする
ことが要求され、またアッセンブリ工程では従来より高
温にさらされる。
しかも、高信頼性を保証するため、過酷な耐湿性、熱衝
撃テストも実施される。このため、従来の封止材として
用いられているエポキシ樹脂組成物では樹脂クラックや
チップクラックが発生し、更にはチップのパッシベーシ
ョンクラックの発生によって半導体素子の耐湿性が悪く
なり、チップの配線に使用しているアルミニウム線が短
時間で腐食し、断線が発生する等の問題が生じる。
このため、従来よりエポキシ樹脂組成物を構成するエポ
キシ樹脂成分やフェノールノボラック樹脂成分につき種
々検討されている(特開昭56−130953号公報、
同58−21417号公報、特公昭57−60779号
公報)が、更に耐湿性。
高温電気特性に優れたエポキシ樹脂組成物が望まれる。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、優れた耐湿性
、高温電気特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するための手段及び作用 本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行なっ
た結果、エポキシ樹脂、フェノール樹脂。
硬化促進剤、無機充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物
において、エポキシ樹脂の有機酸、全塩素量を少なくす
ること、更にフェノール樹脂においても150℃・1時
間の加熱減量に加えて有機酸、種々のイオン性不純物量
を少なくすることが優れた耐湿性、高温電気特性を有す
るエポキシ樹脂組成物を得るために重要であり、エポキ
シ樹脂として有機酸の含有量が1100pp以下、全塩
素量が11000pp以下、エポキシ当量が平均150
〜270のノボラック型エポキシ樹脂を使用すると共に
、ノボラック型フェノール樹脂として有機酸の含有量が
1100pp以下、抽出水の電気伝導度が30μΦ/c
m以下、150℃・1時間の加熱減量が1重量%以下の
ノボラック型フェノール樹脂を使用することにより、特
に半導体装置の樹脂封止用として優れた耐湿性、高温電
気特性を有するエポキシ樹脂組成物が得られることを知
見し1本発明を完成するに至ったものである。
従って、本発明は、 (1)有機酸の含有量が1100pp以下、全塩素量が
11000pp以下、エポキシ当量が平均150〜27
0のノボラック型エポキシ樹脂、(2)有機酸の含有量
が1100pp以下、抽出水の電気伝導度が30/Ai
d/cm以下、150℃・1時間の加熱減量が1重量%
以下のノボラック型フェノール樹脂。
(3)硬化促進剤。
(4)無機充填剤、 を含有するエポキシ樹脂組成物を提供するものである。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
まず、本発明に使用する(1)のエポキシ樹脂としては
、上述したように有機酸の含有量が1100pp以下、
好ましくは5oρpm以下、全塩素量が1000ppI
11以下、好ましくは500ppm以下であり、かつエ
ポキシ当量が平均150〜270、好ましくは180〜
250のノボラック型エポキシ樹脂を使用するものであ
り、この種のエポキシ樹脂を用いることにより、耐湿性
、高温電気特性に優れ、半導体装置封止用として高信頼
性を有するエポキシ樹脂組成物が得られる。これに対し
、有機酸含有量が100ppHを超えるもの、全塩素量
が11000ppを超えるものは耐湿性、高温電気特性
が劣り1本発明の目的を達成し得ない。即ち、エポキシ
樹脂として塩素イオンの含有量をIQppm以下、加水
分解性塩素の含有量を0.1重量%以下にすることは知
られている(特公昭57−60779号公報)が、本発
明者らの検討によれば、特に厳しい使用条件下では単に
塩素イオン量、加水分解性塩素量を規制するのみではな
く、有機酸の含有量、全塩素量を少なくすることが必要
であることを見い出したものである。
また、上述した(1)のノボラック型エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、これらのハロゲン化ノボ
ラック型エポキシ樹脂、オルガノポリシロキサンで変性
したノボラック型エポキシ樹脂などの1種を単独で又は
2種以上を組み合わせて使用できる。
これらの中では、特にオルガノポリシロキサン変性ノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましく、これは単独で又は他
のノボラック型エポキシ樹脂と併用して用いることがで
きる。
この場合、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型エ
ポキシ樹脂は下記式(1) %式%(1) (但し、式中Rは水素原子又は1価の有機基、aは平均
値として1.8〜2.3をとる正数である。)で示され
るオルガノポリシロキサンを共重合させたものが好適に
使用でき、特に下記式(2)(但し、R1は水素原子、
又は−価の非置換有機基、R2は二価の炭化水素基、R
3及びR4はそれぞれ水素原子又は−価の有機基、Aは −NH−、−〇−、−S−、−C−O−又はH3 −N−を示し、nは1〜6、特に3である。)で示され
る単位を有するものが好ましい。
ここで、R1としては特に水素原子又はメチル基、t−
ブチル基、n−ブチル基等の低級アルキル基が好ましく
、R2としては−CH,−等が挙げられ、R3及びR4
としてはそれぞれ水素原子、又はメチル基、エチル基、
プロピル基等の低級アルキル基、オクチル基、ビニル基
、アリル(allyl)基、低級アルコキシ基、3−ク
ロルプロピル基、3.3.3−トリフルオロプロピル基
、フェニル基等のアリール(aryl)基などの置換も
しくは非置換の一価炭化水素基が好ましい。
なお、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型エポキ
シ樹脂中のシロキサン含有量は5〜80%、特に20〜
50%とすることが好適である。
また、フリーのシロキサン量は1重量%以下、特に0.
5重量%以下とすることが好ましい。
なお、上述したノボラック型エポキシ樹脂は必要により
他のエポキシ樹脂1例えばグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂。
脂環式エポキシ樹脂、これらのハロゲン化エポキシ樹脂
などと併用することができる。この場合、これら他のエ
ポキシ樹脂もその有機酸量、全塩素量を少なくすること
が好ましい。また、これら他のエポキシ樹脂の使用量は
ノボラック型エポキシ樹脂100重量部に対し50重量
部以下とすることが好ましい。
なおまた、上述した(1)成分の使用にあたって、モノ
エポキシ化合物を適宜併用することは差支えなく、この
モノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、シクロ
ヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチルグリシ
ジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェニルグ
リシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、オクチ
レンオキシド、ドデセンオキシドなどが例示される。
次に1本発明は硬化剤としてフェノール樹脂を使用する
ものであるが、フェノール樹脂としては有機酸の含有量
が1100pp以下、好ましくは50ppm以下、抽出
水の電気伝導度が30μΦ/cIa以下、好ましくは2
0μ0/am以下、150℃・1時間の加熱減量が1重
量%以下、好ましくは0.5重量%以下のノボラック型
フェノール樹脂を用いるものであり、この種のフェノー
ル樹脂を上述した(1)のエポキシ樹脂の硬化剤とする
ことにより、優れた耐湿性、高温電気特性を達成し得る
ものである。即ち、本発明者らは、耐湿性、高温電気特
性の点で高信頼性を有するエポキシ樹脂組成物にとって
、フェノール樹脂においても150℃・1時間の加熱減
量に加えて有機酸量、イオン性不純物量を少なくするこ
とが必要であることを明らかにしたものであって、有機
酸含有量、抽出水の電気伝導度、150℃・1時間の加
熱減量が上記範囲を超える場合は耐温性、高温電気特性
が低下し、本発明の目的が達成されない。
なお、抽出水の電気伝導度は、フェノール樹脂8gを純
水80g中に95℃で2時間振とうした後のP液につい
て′電気伝導度を測定した場合の値である。
また、有機酸の含有量は試料(エポキシ樹脂又はフェノ
ール樹脂)5gを純水50gで120℃。
2時間の条件で抽出した後の抽出液中の蟻酸、酢酸、蓚
酸等の合計量である。
ここで1本発明に用いるノボラック型フェノール樹脂と
しては、酸触媒を用いてフェノール、クレゾール、キシ
レノールなどのフェノール類とホルムアルデヒド又はパ
ラホルムアルデヒドを反応させて得られる未変性ノボラ
ック型フェノール樹脂及びその一部又は全部を可撓性の
ある化合物で変性した樹脂1例えばオルガノポリシロキ
サン変性ノボラック型フェノール樹脂やエポキシ化もし
くはブチル化ノボラック型フェノール樹脂などの1種を
単独で又は2種以上を組み合わせて使用し得る。なお、
これらのフェノール樹脂としては、軟化点が80〜12
0℃のものが好ましい。80℃より低いと耐熱性が低下
し、120℃より高いと組成物の溶融粘度が高くなり、
作業性に劣る場合が生じる。
これらの中では、特にオルガノポリシロキサン変性ノボ
ラック型フェノール樹脂が好ましく、このオルガノポリ
シロキサン変性ノボラック型フェノール樹脂は単独で又
は他のノボラック型フェノール樹脂と併用して用いるこ
とができる。オルガノポリシロキサン変性ノボラック型
フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂
に下記式(1) %式%(1) (但し、式中Rは水素原子又は1価の有機基、aは平均
値として1.8〜2.3をとる正数である。)で示され
るオルガノポリシロキサンを共重合させることにより得
られたもの、特に下記式(但し、R5は水素原子又は−
価の非置換有機基。
RGは二価の炭化水素基、R7及びR6はそれぞれ水素
原子又は−価の有機基、Bは2価の有機基で反応性の○
Hを有していてもよい。mはO又は1である。) で示される単位を有するものが好適であり、これらオル
ガノポリシロキサン変性ノボラック型フェノール樹脂を
使用することにより、組成物の耐クラツク性を向上させ
ることができる。
ここで、R5としては特に水素原子又はメチル基、t−
ブチル基、n−ブチル基等の低級アルキル基が好ましく
、RGとしては−CH2−等が挙げられ、R7及びR8
としてはそれぞれ水素原子、又はメチル基、エチル基、
プロピル基等の低級アルキル基、オクチル基、ビニル基
、アリル(allyl)基、低級アルコキシ基、3−ク
ロルプロピル基。
3.3.3−トリフルオロプロピル基、フェニル基等の
アリール(aryL)基などの置換もしくは非置換の一
価炭化水素基が好ましい。
また、Bとしては、+CR’□←−(ここにR9は水素
原子又は炭素原子数1〜6の置換もしくは非置換の一価
の有機基、Qは1〜6の整数であ−0−C−、−NH−
C−。
ζ しくは非置換の一価の有機基、又はハロゲン原子、PP
’Tはそれぞれ0〜4の整数である。但し、p+q=o
〜4である。)が好ましい。
また、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型フェノ
ール樹脂中のシロキサン含有量は5〜80%、特に20
〜50%とすることが好適である。
なお、上述したオルガノポリシロキサン変性ノボラック
型フェノール樹脂を使用する場合、有機酸の含有量を1
100pp以下、抽出水の電気伝導度を30μ737c
m以下、150℃・1時間の加熱減量を1重量%以下に
することに加えて、フリーのシロキサン量を1重量%以
下、特に0.5重量%以下にすることが好ましく、これ
によりエポキシ櫂脂組成物の耐クラツク性をより向上さ
せることができる。
上述した(2)のフェノール樹脂の使用量は、エポキシ
樹脂のエポキシ基(a)とノボラック型フェノール樹脂
のフェノール性水酸基(b)とのモル比(a / b 
)が0.5〜4.特に0.8〜2、最適には1〜1.2
の範囲となる量とすることが好ましく、このモル比が0
.5より小さいと組成物の硬化特性、成形作業性および
硬化物の高温時における電気特性が悪くなるし、一方4
より大きいと組成物の成形作業性が悪くなるほか硬化物
の電気特性も悪くなる場合が生じる。
本発明においては、更に硬化促進剤を配合するが、硬化
促進剤としてはイミダゾール或いはその誘導体、三級ア
ミン系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミジン誘
導体、1,8−ジアザ−ビシクロ[5,4,0]ウンデ
セン−7或いはその誘導体などが挙げられ、これらの1
種又は2種以上が使用し得る。これらの中では、オルガ
ノホスフィン化合物が好ましい。オルガノホスフィン化
合物としては、第一ホスフィン、第二ホスフィン。
第三ホスフィンが包含され、これにはエチルホスフィン
、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、長鎖アルキ
ルホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィ
ン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、シア
ミルホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基であ
るジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチ
ルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、ト
リメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチ
ルホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基である
トリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ア
ルキルジフェニルホスフィン、ジアルキルフェニルホス
フィンなどが例示される。
上記したオルガノホスフィン化合物のうちでも特に第三
ホスフィン、とりわけトリフェニルホスフィンが好まし
い。なお、上記オルガノホスフィン化合物の2種以上を
併用することは差支えない。
ここで、オルガノホスフィン化合物としては、純度99
.5%以上、抽出水の電気伝導度が5μΦ/cII+以
下、特に1μQ/cm以下のものを使用することにより
、エポキシ樹脂組成物の高温高湿時の耐湿特性、高温時
での電気特性を著るしく向上させることができる。なお
、抽出水の電気伝導度は試料8gを純水80g中に室温
で1時間振とうした後のP液について電気伝導度を測定
した場合の値である。即ち、本発明者らは、オルガノホ
スフィン化合物は使用量が少ないにもかかわらず、意外
にもそれがエポキシ樹脂組成物の特性に大きな影響を与
えることを見い出し、オルガノホスフィン化合物中に微
量台まれるホスフィンオキシト、Mg、ハロゲン等の不
純物を可及的に少なくし、純度を99.5%以上にし、
かつ抽出水電気伝導度を5μΦ/cm以下にした場合、
エポキシ樹脂組成物の特性が数段向上することを知見し
たものである。
なお、高純度のオルガノホスフィン化合物は、グリニヤ
ール反応などを利用して合成するとき、副反応が生じな
いように注意深く合成する必要がある。また、製造した
オルガノホスフィン化合物をベンゼン、トリエン等の溶
剤に溶解させ、蒸留水で良く水洗し、溶剤を減圧蒸留し
、エチルアルコールで再結晶するなどの精製を行なうこ
とができる。この場合、水洗は洗浄した蒸留水の電気伝
導度が5μ■/cm以下、より好ましくは1μ?37c
m以下になるまで洗浄することが好適である。
このようなオルガノホスフィン化合物を前記(2)成分
であるノボラック型フェノール樹脂と共に使用すること
により、組成物の硬化特性、保存安定性、高温時の電気
特性および耐湿性が共に改善されるという効果がもたら
される。この効果が有利に達成されるためには、このホ
スフィン化合物を前記した(1)成分および(2)成分
の合計量100重量部当り、りん原子の重量割合が0.
04〜0.5重量部、特に0.05〜0.3重量部とな
る量で使用することが好ましい。この使用量が少なすぎ
ると硬化特性が悪く、また多すぎると組成物の保存安定
性、高温時の電気特性、耐湿特性が悪くなる場合が生ず
る。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物には、更に無機充填剤
を配合する。この場合、無機充填剤としてはシリカ粉末
、三酸化アンチモン、アルミナ。
ガラス繊維、ガラスピーズ、アスベスト、マイカ。
クレー、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他
従来エポキシ樹脂組成物に配合使用されているものが例
示されるが、特にはシリカ粉末、三酸化アンチモン、高
純度アルミナ、ガラス繊維等が望ましく、また粉状充填
剤は平均粒子径100μm以下のものが好ましい。
これらの充填剤の配合量は前記(1)成分および(2)
成分の合計量100重量部当り50〜600重量部、よ
り好ましくは150〜600重量部とされる。
この場合、無機充填剤としては、 (i)9()重量%以上が粒径20μm以下のものであ
り、85重量%以上が粒径1μm以上のものである粉末
状もしくは球形シリカ粉末がエポキシ樹脂とフェノール
樹脂との合計量100重量部当り150〜500重量部
と。
(i)平均粒径が10μm以下の三酸化アンチモンがエ
ポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量100重量部当
たり1〜50重量部と からなり、かつ前記シリカ粉末及び三酸化アンチモンの
抽出水の電気伝導度がいずれも30μ07cm以下であ
るものを使用することが好ましく、これによりチップ上
のパッシベーションクラックの発生をより確実に防止し
、耐湿性をより向上させたエポキシ樹脂組成物を得るこ
とができる。即ち、本発明者らは、上述した特定のエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂を用いることに加えて、特定
の粒度分布を有し、かつイオン性不純物量(抽出水電気
伝導度)を上記範囲以下としたシリカ粉末、三酸化アン
チモンを使用してエポキシ樹脂組成物を製造し、これを
半導体装置の封正に用いた場合、チップ上の機械的スト
レス、パッシベーションクラックの発生を抑えて耐湿性
を総合的により著るしく改善し得ることを見い出したも
のである。
ここで、前記シリカ粉末は非結晶性、結晶性のいずれで
あっても、これらの混合物であってもよく、また天然1
合成のいずれであってもよいが、エポキシ樹脂組成物を
VLSIメモリ用の半導体装置についてα線対策を行な
う場合には、ウラン、トリウムなどの含有量の少ない粉
末状や球形の合成石英を用いることが好ましい。
シリカ粉末の粒径は、20μmを超えるものが多くなる
と、これがチップのパッシベーション膜を傷つける場合
があり、このためエポキシ樹脂組成物で封止した半導体
装置の耐湿性が特に過酷な使用条件下では低下するおそ
れがあり、また1μmより小さいものが多くなると、エ
ポキシ樹脂組成物にクラックが発生し易くなるため、上
述したように20μm以下の粒径のものが90重量%以
上、特に98重量%以上含有し、かつ1μm以上の粒径
のものが85重量%以上、特に90重量%以上含有する
シリカ粉末を用いることが好ましい。また、その平均粒
径は5〜10μmとすることが好ましい。
このような粒度分布を有するシリカ粉末は、珪石又は珪
石を溶融したものを粉砕し1分級することによって得る
ことができ1球形シリカは珪石又は合成石英を粉砕した
ものを酸水素炎中で処理することにより得ることができ
、必要に応じて分級を行ない粒度調製することが、でき
る。
このシリカ粉末の配合量は、(1)のエポキシ樹脂と(
2)のフェノ−・ル樹脂との合計量100重量部に対し
、150〜500重量部、特に200〜350重量部の
範囲とすることが好ましい。150重量部より少ないと
、得られるエポキシ樹脂組成物が線膨張係数の大きいも
のとなって耐クラツク性などの特性が低下する場合があ
り、また500重量部より多くなると、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂への分散が困難となる場合が生じ。
流動性の低下によって加工性が低下し、金線変形も大き
くなる場合が生じる。
また、三酸化アンチモンは難燃助剤として効果があるも
のであるが、これは平均粒径が10μmを超えるとチッ
プのパッシベーション膜を傷つけるおそれがあるので、
平均粒径10μm以下、特に0.1〜5μmのものを使
用することが好ましい。その配合量はエポキシ樹脂とフ
ェノール樹脂との合計量100重量部に対し、1〜50
重量部、特に5〜20重量部とすることが好ましく、1
重量部より少ないと難燃助剤としての効果が少なく、5
0重量部より多いとエポキシ樹脂組成物の流動性が低下
する場合がある。
前記シリカ粉末と三酸化アンチモンとしては、上述した
ようにそれらの抽出水の電気伝導度が30μO/cm以
下のものを使用することが好ましく、これによりエポキ
シ樹脂組成物の耐湿性をより向上させることができる。
なお、この抽出水の電気伝導度は、試料8gを純水80
g中に室温で1時間振とうした後のP液について電気伝
導度を測定した場合の値である。
本発明の組成物には、更に必要によりその目的、用途な
どに応じ、各種の添加剤を配合することができる。例え
ば、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪酸及びその金
属塩等の離型剤、カーボンブラック等の顔料、染料、難
燃化剤、表面処理剤(γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン等)、老化防止剤、その他の添加剤を配合
することは差支えない。なお、この表面処理剤(γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン等)は全塩素量
IQppm以下、特に5ppm以下のものを用いること
が好ましい。
また、本発明の組成物は、特に半導体の封正に用いる場
合、Na”、に十等のアルカリ金属イオンを全体として
5ppm以下にすることが好ましく、これにより半導体
の特性の低下を確実に防止することができる。
本発明の組成物は、上述した成分の所用量を均一に攪拌
、混合し、予め70〜95℃に加熱しであるロール、ニ
ーダ−などにより混線、冷却し、粉砕するなどの方法で
得ることができる。なお、成分の配合順序に特に制限は
ない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、IC,LSI。
トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置
の封止用、プリント回路板の製造などに使用される。な
お、半導体装置の封止を行なう場合は、従来より採用さ
れている成形法、例えばトランスファ成形、インジェク
ション成形、注型法などを採用して行なうことができる
。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜
180℃、ポストキュアーは150〜180℃で2〜1
6時間行なうことが好ましい。
見匪夏羞果 以上説明したように1本発明はエポキシ樹脂と、硬化剤
としてフェノール樹脂と、硬化促進剤と、無機充填剤と
を含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂
として有機酸の含有量が1100pp以下、全塩素量が
11000pp以下、エポキシ当量が平均150〜27
0のノボラック型エポキシ樹脂を使用すると共に、ノボ
ラック型フェノール樹脂として有機酸の含有量が110
0pp以下、抽出水の電気伝導度が30μ0/am以下
、150℃・1時間の加熱減量が1重量%以下のノボラ
ック型フェノール樹脂を使用したことにより、耐湿性、
高温電気特性に優れ、半導体装置封止用等として好適に
用いられるエポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明す
るが1本発明は下記の実施例に制限されるものではない
[実施例1〜6.比較例1〜4コ 第1表に示す性状のフェノールノボラック型エポキシ樹
脂(A1−As )及びフェノールノボラック樹脂(B
S〜B5)を含む下記各成分を第2表に示す割合で予め
70〜95℃に加熱しである8インチロールにより10
分間混練した後、冷却し。
粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
成分A (A□〜A、): 平均エポキシ当量が230のフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂(エポキシ基をaモルとする) 成分B (B、〜B5): フェノール当量が110のフェノールノボラック樹脂(
フェノール性水酸基をbモルとする) 成分Cニトリフェニルホスフィン (純度99.7%、抽出水電気伝導度3μΦ/cm) 成分D:平均粒子径10μの溶融シリカ粉末(抽出水電
気伝導度18μΦ/cm) 成分E:平均粒子径5μmの三酸化アンチモン(抽出水
電気伝導度6μG/cm) 成分F:カルナバワックス 成分G: γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン (全塩素量1 ppm) 成分H:カーボンブラック なお、得られたエポキシ樹脂組成物のアルカリ・金属イ
オン量は5ppm以下であった。
第1表 (注):抽出水電気伝導度は、フェノールノボラック樹
脂8gと純水80’gを密閉容器に入れて95℃で24
時間放置した後、定性P紙N002で一過することによ
って得られたP液について測定した結果である。
次に、表面に厚さ1μmのSi○2パッシベーション膜
を施した41m×6rrn×0.41mの耐湿試験用シ
リコンチップ(アルミニウム配線:膜厚1μm、線巾5
μm、線間隔5μm)を18ピンDIP用ICフレーム
にマウントしてワイヤーボンドした後、上記エポキシ樹
脂組成物を用い。
180℃、90秒の条件で成形、封止し、更に180℃
、4時間のボストキュアを行なった後、それぞれ下記の
耐湿性テストを行なってエポキシ樹脂組成物の性能を評
価した。結果を第3表に示す。
耐湿性テスト[11 150℃のプレッシャークツカーテストを行ない、アル
ミニウム配線の断線不良の発生時間を調べた。
耐湿性テスト[II] 300℃のハンダ浴に完全に10秒間浸漬した後、13
0℃、100%RHで電圧15Vを印加して、アルミニ
ウム配線の断線不良の発生時間を調べた。
[実験例7〜12.比較例5〜8] 第4表に示した性状のフェノールノボラック型エポキシ
樹脂(A、〜A5)、フェノールノボラック樹脂(B1
−B5)、及び下記方法により製造されたポリオルガノ
シロキサン変性フェノールノボラック樹脂(B′)を含
む下記各成分を第5表に示す割合で予め70〜95℃に
加熱しである8インチロールにより10分間混練した後
、冷却し。
粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た6 成分A (A工〜A5): 平均エポキシ当量が230のフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂 成分B (B工〜B、): フェノール当量が110のフェノールノボラック樹脂 成分B′ : 第6表に示す性状のオルガノポリシロキサン変性フェノ
ールノボラック樹脂 成分Cニトリフェニルホスフィン (純度99.7%、抽出水電気伝導度3μΦ/Cm) 成分D (D□、D、): 粒径20μm以下のものが99%2粒径1μm以上のも
のが88%、平均粒径が3.0μmである溶融シリカ粉
末 D工:抽出水電気伝導度  40μ0/cmD、:  
   ’      17μQ/c+a成分E (E工
、EZ): 平均粒径が10μmである三酸化アンチモンE工:抽出
水電気伝導度10μΦ/cBE、 :     ’  
   5 μΦ/cm成分F:カルナバワックス 成分G: γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン (全塩素量1 ppm) 成分H:カーボンブラック なお、得られたエポキシ樹脂組成物のアルカリ金属イオ
ン量は5 ppm以下であった。
第4表 、コ オルガツボ1シロキサン゛性フエノールノボラツリフラ
ツクスコンデンサー、温度計、攪拌機。
および滴下ロートを備えた内容積500m12の4ツロ
フラスコに下記の第6表の(ロ)に示すような割合でア
リルフェノールを含むフェノールノボラック樹脂50g
、2−エチルヘキサノール変性塩化白金酸溶液(白金!
2重量%)を0.05g及びメチルイソブチルケトン2
00gを入れ、完全にノボラック樹脂を溶解させ、1時
間共沸脱水をした後、還流温度にて 50gを滴下ロートより20分を要して滴下した。
滴下終了後、更に2時間反応を行ない、次いで水洗を行
なったのち溶剤を留去することにより目的とする生成物
を得た。その性状を第6表に示す。
第6表 次に、下記方法により得られたエポキシ樹脂組成物の特
性を評価した。即ち1表面に厚さ1μmの5in2パツ
シベーシヨン膜を施した4 m X 6 mX0.4m
の耐湿試験用シリコンチップ(アルミニウム配線:膜厚
1μm、線巾5μm、線間隔5μm)を18ピンDIP
用ICフレームにマウントしてワイヤーボンドした後、
上記エポキシ樹脂組成物を用い、175℃、2分、70
kg/afの条件でトランスファー成形し、更に175
℃で5時間ポストキュアーを行ない、封止した。
これに温度サイクル(1サイクルニ一65℃で30分間
放置し、次いで150℃で30分間放置する工程を1サ
イクルとする)を100サイクルかけた後、130℃の
プレッシャークツカー中に放置し、アルミニウム配線の
断続不良の発生時間を調べた(耐湿テスト[I[[] 
) 。
また、パッシベーションなしの同形のシリコンチップを
上記同様にエポキシ樹脂組成物で成形、封止したものに
ついて、300℃のハンダ俗に10秒完全浸漬した後、
130℃のプレッシャークツカーに放置し、アルミニウ
ム配線の断続不良の発生時間を調べた(耐湿テスト[I
V] ) 。
以上の結果を第7表に示す。
[実施例13〜22] ノボラック型エポキシ樹脂(有機酸含有量S。
PPII v全塩素量5 Q Oppm、 zポキシ当
量230)、ノボラック型フェノール樹脂(有機酸含有
量50ppm +抽出水電気伝導度10μ◇/Cm、加
熱減量0.4%、フェノール当量110)及び実施例7
〜12で用いたオルガノポリシロキサン変性フェノール
ノボラック型樹脂を第8表に示す割合で使用し、かつ第
8表に示す粒径の溶融シリカ粉末250重量部と三酸化
アンチモン5重量部とを用い、更にトリフェニルホスフ
ィン0.8重量部、カルナバワックス1重量部、γ−グ
リシドキシプロビルトリメトキシシラン1重量部、カー
ボンブラック1重量部を使用し、前記実施例と同様にし
てエポキシ樹脂組成物を製造した。
なお、溶融シリカ粉末及び三酸化アンチモンは抽出水電
気伝導度が17〜20μσ/cmのものを使用した。ま
た、トリフェニルホスフィンの純度は99.7%、抽出
水電気伝導度は3μ07cI11であり、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランの全塩素量はlpp−
m、得られたエポキシ樹脂組成物のアルカリ金属イオン
量は5 ppm以下であった。
次に、表面に厚さ1μmのSio、パッシベーション膜
を施した4mmX 6waX 0 、4++n+の耐湿
試験用シリコンチップ(アルミニウム配線:膜厚1μm
、線巾5μm、線間隔5μm)を18ピンDIP用IC
フレームにマウントしてワイヤーボンドした後、上記エ
ポキシ樹脂組成物を用い。
175°C,2分、70kg/cdの条件でトランスフ
ァー成形し、更に175℃で5時間ポストキュアーを行
ない、封止した。
これに温度サイクル(1サイクルニ一65℃で30分間
放置し、次いで150℃で30分間放置する工程を1サ
イクルとする)を100サイクルかけた後、130℃の
プレッシャークツカー中に放置、アルミニウム配線の断
続不良の発生時間を調べた。結果を第9表に示す。
第  9  表 なお、パッシベーションなしの同形のシリコンチップを
実施例15のエポキシ樹脂組成物で成形、封止したもの
について、上記と同じ条件で温度サイクルを300サイ
クルかけた後、封止樹脂を除き、チップに施したアルミ
ニウム配線を電子顕微鏡で観察したところ、アルミニウ
ム配線に殆ど損傷がないことが認められた。
[実施例21〜27コ 下記成分を第10表に示す割合で混合した後、加熱ロー
ルで混練し、次いで冷却し、粉砕してエポキシ樹脂組成
物を得た。
次に、エポキシ樹脂組成物の各種特性を下記方法により
測定した。その結果を第10表に併記する。
成分A: エポキシ当量196のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(エポキシ基をaモルとする) 有機酸含有量     20ppm 全塩素量      400ppm 塩素イオン       1 ppm 加水分解性塩素   300ppm 成分B: フェノール当量110.軟化点100 ’Cのフェノー
ルノボラック樹脂 (フェノール性水酸基をbモルとする)有機酸含有量 
    10ppn+ 抽出水電気伝導度   55μΦ/c11加熱減量  
     0.4重量% 成分C(C□、C,): トリフェニルホスフィンC工
:純度99.9%、抽出水電気伝導度   1μΦ/c
m C2:純度95.0%、抽出水電気伝導度   20μ
Φ/cm 成分D=・平均粒径7.8μmの溶融石英(抽出水電気
伝導度18μ■/cm) 成分F:カルナバワックス 成分G: γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン (全塩素量1 ppm) 成分H:カーボンブラック なお、得られたエポキシ樹脂組成物のアルカリ金属イオ
ン量は5 ppm以下であった。
五隻立夾定条庄 スパイラルフロー(インチ): E、MMI規格に準じた金型を使用し、成形温度160
℃、成形圧カフ0kg/a+tで測定パーコール硬度: 成形温度160℃、成形圧カフ0kg/cJ、成形時間
2分で成形し、パーコール硬度935にて成形時に硬度
を測定 体積抵抗率(オーム・a=): 成形温度160℃、成形圧力’lokg/cd、成形時
間2分の条件で成形して、直径6−1厚さ2Iff11
の円板を作り、これを180℃、4時間アフターキュア
ーしたテストピースについて、150℃の加熱時におけ
る体積抵抗率をJ I S  K  6911 ニ準シ
テ測定耐湿特性: 上記と同様にして得たテストピースを120℃の水蒸気
中に500時間保持した後、JIS  K  6911
に準じてIKHzによる誘電正接を測定 AQ腐食テスト: 表面に厚さ1μmのSi○2パッシベーション膜を施し
た4mmX6mmX0.4msの耐湿試験用シリコンチ
ップ(アルミニウム配線:膜厚1μm、線巾5μm、線
間隔5μm)を18ピンD I’ P用ICフレームに
マウントしてワイヤーボンドした後、上記エポキシ樹脂
組成物を用い、180℃、90秒の条件でトランスファ
ー成形して封止し、更に180’C。
4時間のポストキュアを行なった後、120℃の水蒸気
中に500時間放置した。不良判定はアルミニウム配線
の断線を検出し、100個の成形品中における不良率を
判定した。
口実施例28〜33] 実施例21〜27で使用したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂59.4部、フェノールノボラック樹脂32
.6部、臭素化ノボラック型エポキシ樹脂(有機酸含有
量50PpHt全塩素量500 ppm +塩素イオン
2ρPI11+加水分解性塩素量400 ppm +エ
ポキシ当量280)8.0部、平均粒径7.8μmの溶
融石英250部、○Pワックス1,0部、カーボンブラ
ック1.0部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン(全塩素量1ppm) 1.0部、及び第11表
に示すトリフェニルホスフィン1.0部の配合で上述し
た実施例と同様にエポキシ樹脂組成物(アルカリ金属イ
オン量5 ppm以下)を製造し、その特性を実施例2
1〜27と同様にして評価した。結果を第11表に示す

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、エポキシ樹脂と、硬化剤としてフェノール樹脂と、
    硬化促進剤と、無機充填剤とを含有するエポキシ樹脂組
    成物において、エポキシ樹脂として有機酸の含有量が1
    00ppm以下、全塩素量が1000ppm以下、エポ
    キシ当量が平均150〜270のノボラック型エポキシ
    樹脂を使用すると共に、ノボラック型フェノール樹脂と
    して有機酸の含有量が100ppm以下、抽出水の電気
    伝導度が30μ■/cm以下、150℃・1時間の加熱
    減量が1重量%以下のノボラック型フェノール樹脂を使
    用することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 2、ノボラック型エポキシ樹脂の一部又は全部としてオ
    ルガノポリシロキサン変性ノボラック型エポキシ樹脂を
    使用した特許請求の範囲第1項記載の組成物。 3、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型エポキシ
    樹脂がノボラック型エポキシ樹脂に下記式(1) RaSiO_4_−_a_/_2・・・(1)(但し、
    式中Rは水素原子又は1価の有機基、aは平均値として
    1.8〜2.3をとる正数である。)で示されるオルガ
    ノシロキサンを共重合させることにより得られたもので
    ある特許請求の範囲第2項記載の組成物。 4、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型エポキシ
    樹脂が下記式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) (但し、R^1は水素原子又は一価の非置換有機基、R
    ^2は二価の炭化水素基、R^3及びR^4はそれぞれ
    水素原子又は一価の有機基、Aは −NH−、−O−、−S−、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼を示し、nは1〜6
    である。) で示される単位を有するものである特許請求の範囲第3
    項記載の組成物。 5、ノボラック型フェノール樹脂の一部又は全部として
    オルガノポリシロキサン変性ノボラック型フェノール樹
    脂を使用した特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれ
    か1項に記載の組成物。 6、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型フェノー
    ル樹脂がノボラック型フェノール樹脂に下記式(1) RaSiO_4_−_a_/_2・・・(1)(但し、
    式中Rは水素原子又は1価の有機基、aは平均値として
    1.8〜2.3をとる正数である。)で示されるオルガ
    ノポリシロキサンを共重合させることにより得られたも
    のである特許請求の範囲第5項記載の組成物。 7、オルガノポリシロキサン変性ノボラック型フェノー
    ル樹脂が、下記式(3) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(3) (但し、R^5は水素原子又は一価の非置換有機基、R
    ^6は二価の炭化水素基、R^7及びR^8はそれぞれ
    水素原子又は一価の有機基、Bは2価の有機基で反応性
    のOHを有していてもよい。mは0又は1である。) で示される単位を有するものである特許請求の範囲第6
    項記載の組成物。 8、硬化促進剤としてオルガノホスフィン化合物を用い
    た特許請求の範囲第1項乃至第7項のいずれか1項に記
    載の組成物。 9、オルガノホスフィン化合物が純度99.5%以上、
    抽出水の電気伝導度が5μ■/cm以下のものである特
    許請求の範囲第8項記載の組成物。 10、オルガノホスフィン化合物の配合量がエポキシ樹
    脂とフェノール樹脂との合計量100重量部当りりん原
    子として0.04〜0.5重量部に相当する量である特
    許請求の範囲第8項又は第9項記載の組成物。 11、無機充填剤がエポキシ樹脂とフェノール樹脂との
    合計量100重量部当たり50〜600重量部配合され
    てなる特許請求の範囲第1項乃至第10項のいずれか1
    項に記載の組成物。 12、無機充填材として、 (i)90重量%以上が粒径20μm以下のものであり
    、85重量%以上が粒径1μm以上のものである粉末状
    もしくは球形シリカ粉末がエポキシ樹脂とフェノール樹
    脂との合計量100重量部当り150〜500重量部と
    、 (ii)平均粒径が10μm以下の三酸化アンチモンが
    エポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量100重量部
    当り1〜50重量部と からなり、かつ前記シリカ粉末及び三酸化アンチモンの
    抽出水の電気伝導度がいずれも30μ■/cm以下であ
    るものを使用した特許請求の範囲第1項乃至第11項の
    いずれか1項に記載の組成物。 13、シリカ粉末が合成石英である特許請求の範囲第1
    2項記載の組成物。
JP14692885A 1985-07-03 1985-07-03 エポキシ樹脂組成物 Pending JPS627723A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14692885A JPS627723A (ja) 1985-07-03 1985-07-03 エポキシ樹脂組成物
CN 85106543 CN1011413B (zh) 1985-07-03 1985-08-30 环氧树脂组合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14692885A JPS627723A (ja) 1985-07-03 1985-07-03 エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS627723A true JPS627723A (ja) 1987-01-14

Family

ID=15418741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14692885A Pending JPS627723A (ja) 1985-07-03 1985-07-03 エポキシ樹脂組成物

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS627723A (ja)
CN (1) CN1011413B (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6438426A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin molding material
JPS6440518A (en) * 1987-08-07 1989-02-10 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JPH01145824A (ja) * 1987-10-01 1989-06-07 General Electric Co <Ge> カプセル封止方法、それによって製造された超小形電子装置、および熱硬化性組成物
JPH0234625A (ja) * 1988-07-25 1990-02-05 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
JPH02173025A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd シリコーン変性フェノール樹脂
JPH02208314A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH02251519A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH03719A (ja) * 1989-05-29 1991-01-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物
US5189082A (en) * 1991-09-26 1993-02-23 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resins for sealing semiconductor elements
JPH05125159A (ja) * 1991-11-05 1993-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び半導体装置
US5254605A (en) * 1991-11-30 1993-10-19 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements
US5266612A (en) * 1992-01-18 1993-11-30 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements
JPH08259671A (ja) * 1996-01-29 1996-10-08 Nitto Denko Corp 半導体装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2734392B1 (fr) * 1995-05-19 1997-06-20 Atochem Elf Sa Composition dieletrique reticulable
TW398163B (en) * 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
CN100371376C (zh) * 2000-10-19 2008-02-27 长春人造树脂厂股份有限公司 阻燃性环氧树脂组合物及其应用
CN101967266A (zh) * 2010-09-25 2011-02-09 江苏中鹏新材料股份有限公司 无卤阻燃环氧树脂组合物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS572329A (en) * 1980-06-05 1982-01-07 Toshiba Corp Epoxy resin type composition and semiconductor device of resin sealing type
JPS57212224A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Nitto Electric Ind Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor
JPS5927952A (ja) * 1982-08-06 1984-02-14 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂変性シリコ−ン樹脂組成物
JPS5981328A (ja) * 1982-10-30 1984-05-11 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6053516A (ja) * 1983-09-05 1985-03-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 高純度フエノ−ル樹脂の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS572329A (en) * 1980-06-05 1982-01-07 Toshiba Corp Epoxy resin type composition and semiconductor device of resin sealing type
JPS57212224A (en) * 1981-06-24 1982-12-27 Nitto Electric Ind Co Ltd Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor
JPS5927952A (ja) * 1982-08-06 1984-02-14 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂変性シリコ−ン樹脂組成物
JPS5981328A (ja) * 1982-10-30 1984-05-11 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6053516A (ja) * 1983-09-05 1985-03-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 高純度フエノ−ル樹脂の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6438426A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Matsushita Electric Works Ltd Epoxy resin molding material
JPS6440518A (en) * 1987-08-07 1989-02-10 Nitto Denko Corp Semiconductor device
JPH01145824A (ja) * 1987-10-01 1989-06-07 General Electric Co <Ge> カプセル封止方法、それによって製造された超小形電子装置、および熱硬化性組成物
JPH0234625A (ja) * 1988-07-25 1990-02-05 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
JPH02173025A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd シリコーン変性フェノール樹脂
JPH02208314A (ja) * 1989-02-07 1990-08-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH02251519A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH03719A (ja) * 1989-05-29 1991-01-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物
US5189082A (en) * 1991-09-26 1993-02-23 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resins for sealing semiconductor elements
JPH05125159A (ja) * 1991-11-05 1993-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び半導体装置
US5254605A (en) * 1991-11-30 1993-10-19 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements
US5266612A (en) * 1992-01-18 1993-11-30 Cheil Industries, Inc. Imide epoxy resin composition for sealing semiconductor elements
JPH08259671A (ja) * 1996-01-29 1996-10-08 Nitto Denko Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN85106543A (zh) 1987-02-25
CN1011413B (zh) 1991-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS627723A (ja) エポキシ樹脂組成物
TW559624B (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2000034393A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2019172911A (ja) 樹脂組成物及び半導体装置
KR20150107624A (ko) 반도체 밀봉용 수지 조성물 및 반도체 장치
TWI820067B (zh) 球柵陣列封裝體密封用的環氧樹脂組成物、環氧樹脂硬化物和電子零件裝置
US6297306B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP3573651B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003147050A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2626377B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002060591A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2817474B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JPH07107091B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH07157542A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2000248050A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004027062A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2744493B2 (ja) 樹脂組成物
JP2576726B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2541015B2 (ja) 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001329142A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH01249826A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2004091533A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004244601A (ja) ノンハロゲン難燃化封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2001102498A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2703057B2 (ja) エポキシ樹脂組成物