JP2576726B2

JP2576726B2 - エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number: JP2576726B2
Application number: JP3244485A
Authority: JP
Inventors: 利夫塩原; 浩二二ッ森; 和俊富吉; 賢一戸塚
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1991-08-29
Filing date: 1991-08-29
Publication date: 1997-01-29
Anticipated expiration: 2012-01-29
Also published as: JPH0559150A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に半導体装置封止用
として好適なエポキシ樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂成形材料は、一般に他の熱
硬化性樹脂に比べて、電気特性、機械特性、接着性、耐
湿性等に優れており、かつ、成形時低圧でも充分な流動
性を有しており、インサート物を変形させたり、傷付け
ることがないなどの特性を保持しているため、信頼性の
高い電気絶縁材料として、ＩＣ、ＬＳＩ、ダイオード、
トランジスター、抵抗器等の電子部品の封止や含浸など
に巾広く利用されている。

【０００３】従来、このエポキシ樹脂成形材料の代表的
な硬化剤として、酸無水物、芳香族アミン、ノボラック
型フェノール樹脂等が挙げられ、これらのうちでも、ノ
ボラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂
成形材料は、他の硬化剤を使用したエポキシ樹脂成形材
料に比べて、耐湿性、信頼性、成形性などの点において
最も優れ、かつ、毒性がなく安価であるという特徴を有
しているために、ＩＣ、ＬＳＩ、ダイオード、トランジ
スター等の半導体装置の樹脂封止材料として広く用いら
れている。

【０００４】しかしながら、ノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤としたエポキシ樹脂成形材料は高温での電気
特性が悪いため、これを用いて動作温度が８０℃以上に
なるＭＯＳ型半導体装置を封止した場合、この封止装置
は電極間にリーク電流が流れ、正常な半導体特性を示さ
なくなるとか、また、ＩＣを樹脂封止し、高温高湿下で
の劣化試験を行なうとチップの配線に使用しているアル
ミニウム線が短時間で腐食し、断線が発生する等の欠点
を有している。

【０００５】このため、エポキシ樹脂組成物を構成する
エポキシ樹脂、硬化剤は勿論のこと、その他の各種成分
についても種々検討され、硬化促進剤として有機ホスフ
ィン化合物を使用したエポキシ樹脂組成物が、他の触
媒、例えばイミダゾール、第３級アミン等を使用した場
合に比べて、高温高湿時の耐湿特性及び高温時の電気特
性が改良されるなどの理由のため、半導体封止用などの
エポキシ樹脂組成物の成分として多く使用されている
が、更に耐湿性、高温電気特性に優れたエポキシ樹脂組
成物が望まれる。

【０００６】本出願人は、上記事情に鑑み、先に特公昭
６３−２５０１０号公報において、エポキシ樹脂と、硬
化剤としてフェノール樹脂と、硬化促進剤と、無機充填
剤とを含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ
樹脂として有機酸の含有量が１００ｐｐｍ以下、塩素イ
オンの含有量が２ｐｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量
が５００ｐｐｍ以下、エポキシ当量が１８０〜２３０の
クレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用し、フェノー
ル樹脂として軟化点が８０〜１２０℃、有機酸の含有量
が１００ｐｐｍ以下、遊離のＮａ，Ｃｌが２ｐｐｍ以
下、フリーのフェノールが１％以下のノボラック型フェ
ノール樹脂を使用すると共に、該エポキシ樹脂のエポキ
シ基（ａ）と、該フェノール樹脂のフェノール性水酸基
（ｂ）とのモル比（ａ／ｂ）を０．８〜１．５の範囲に
調整し、更に硬化促進剤として、カルボキシル基、メチ
ロール基、アルコキシ基、ヒドロキシル基から選ばれる
官能基を分子中に少なくとも１個有する第３級有機ホス
フィン化合物、具体的には下記式（Ｉ）で示される化合
物を該エポキシ樹脂と該フェノール樹脂との合計量１０
０重量部当り０．４〜５重量部使用することを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物を提案した。

【０００７】

【化２】（但し、式中Ｒ¹〜Ｒ⁵はそれぞれ水素原子、カルボキシ
ル基、メチロール基、アルコキシ基、ヒドロキシル基の
いずれかにより構成されるが、Ｒ¹〜Ｒ⁵の少なくとも１
個はカルボキシル基、メチロール基、アルコキシ基、ヒ
ドロキシル基から選ばれたものであり、ｎは１〜３の整
数である。）

【０００８】かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化特性、
高温時の電気特性、耐熱性（高ガラス転移温度Ｔｇ）、
耐湿特性に優れ、その結果、高温高湿下で長時間にわた
って放置してもアルミニウム線が腐食せず、断線も起ら
ず、しかも成型作業性に優れ、長期の保存安定性が高い
ものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者が特公昭６３−２５０１０号公報で提案したエポキシ
樹脂組成物について更に検討した結果、該エポキシ樹脂
組成物で成形したＩＣに電圧を印加した状態で高温高湿
中に放置した場合、アルミニウム配線に断線が生じるこ
とが多いという問題があることを知見し、従ってこの点
の解決が望まれた。

【００１０】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
上述した特公昭６３−２５０１０号公報で提案したエポ
キシ樹脂組成物の優れた特徴を維持しながら、電圧を印
加した状態における耐湿性に劣る欠点を改良したエポキ
シ樹脂組成物及び該組成物の硬化物を提供することを目
的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、上記特公
昭６３−２５０１０号公報提案のエポキシ樹脂組成物の
成分のうち、硬化促進剤として使用する第三級有機ホス
フィン化合物として、トリフェニルホスフィンのフェニ
ル基の２位、４位及び６位にメトキシ基が導入されたも
の、即ち下記式（１）で示される有機リン化合物を硬化
促進剤として配合し、更に無機充填剤としてシリカ粉末
を配合した場合、かかるエポキシ樹脂組成物で封止した
ＩＣに電圧を印加した状態で高温高湿中に晒してもアル
ミニウムの配線に断線が生じ難いという顕著な効果が生
じることを知見した。

【００１２】

【化３】

【００１３】また、この場合、アルケニル基含有エポキ
シ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニ
ル基に下記一般式（２）Ｈ_aＲ¹ _bＳｉＯ_2-(a+b)/2 …（２）（但し、式中Ｒ¹は置換もしくは非置換の一価炭化水素
基を示し、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１
≦ａ＋ｂ＜４を満足する正数である。また、１分子中の
けい素原子の数は２０〜４００の整数であり、１分子中
のけい素原子に直結した水素原子の数は１以上の整数で
ある。）で表わされる有機けい素化合物のＳｉＨ基が付
加されてなる重合体であるシリコーン変性エポキシ樹脂
又はシリコーン変性フェノール樹脂を配合することによ
り、上記効果を発現しながら、なおかつ、低応力性に優
れたものにすることができることを知見し、本発明をな
すに至ったものである。

【００１４】従って、本発明は、（１）エポキシ樹脂、（２）フェノール系硬化剤、（３）上記式（１）で示される硬化促進剤、（４）シリカ粉末を必須成分として配合してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物、特に上記（１）、（２）成分として上記
のシリコーン変性エポキシ樹脂又はシリコーン変性フェ
ノール樹脂を配合したエポキシ樹脂組成物を提供する。

【００１５】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明のエポキシ樹脂組成物に使用する第１必須成
分のエポキシ樹脂は、１分子中に１個以上、特に２個以
上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、
例えばビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型
エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、アラル
キル基含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらの１種を
単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

【００１６】本発明で使用するエポキシ樹脂としては、
その中に含まれる有機酸含有量が１００ｐｐｍ以下、よ
り好ましくは２０ｐｐｍ以下、塩素イオンが２ｐｐｍ以
下、より好ましくは１ｐｐｍ以下、加水分解性の塩素の
含有量が５００ｐｐｍ以下、より好ましくは３００ｐｐ
ｍ以下であるものを用いることが好ましく、これらの条
件が１つでも満足しないと耐湿性が劣悪となる場合が生
じる。

【００１７】次に、第２必須成分のフェノール系硬化剤
（フェノール樹脂）は、１分子中に２個以上のフェノー
ル性水酸基を有すればその構造に特に制限はなく、例え
ばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、ナフトール樹脂、アラルキルフェノール樹脂、トリ
フェノール樹脂等が好適に使用される。上記エポキシ樹
脂と同様に、半導体の耐湿性の点からこのフェノール樹
脂中の遊離のＮａ，Ｃｌを２ｐｐｍ以下とすることが好
ましい。また、これに含まれるモノマーのフェノール、
即ちフリーのフェノールの量が１％を越えると、上記耐
湿性に悪影響を及ぼすほかに、この組成物で成形品を作
る時、成形品にボイド、未充填、ひけ等の欠陥が発生し
易いため、上記フリーのフェノールの量は１％以下にす
ることが好ましい。更に、フェノール樹脂製造時に残存
している微量のホルムアルデヒドのカニツァロ反応によ
って生じる蟻酸などの有機酸の量も半導体の耐湿性の点
から１００ｐｐｍ以下とすることが有効である。

【００１８】また、フェノール樹脂は、その軟化点が８
０℃未満になるとＴｇが低くなり、このため耐熱性が悪
くなる場合があり、また軟化点が１２０℃を越えるとエ
ポキシ樹脂組成物の溶融粘度が高くなって作業性に劣る
場合があり、いずれの場合も耐湿性が悪くなるおそれが
あるため、フェノール樹脂の軟化点は８０〜１２０℃と
することが好ましい。

【００１９】なお、フェノール樹脂中のフリーのフェノ
ールの量のより好ましい範囲は０．３％以下、有機酸の
量のより好ましい範囲は３０ｐｐｍ以下、フェノール樹
脂の軟化点のより好ましい範囲は９０〜１１０℃であ
り、上記範囲に調整することにより本発明の目的をより
確実に発揮することができる。

【００２０】更に、本発明組成物には、シリコーン変性
フェノール樹脂及び／又はシリコーン変性エポキシ樹脂
を配合することが好ましく、これによって電圧を印加し
た状態における耐湿性がより顕著に増大し、低線膨張
率、低弾性率を有する硬化物を与える組成物を得ること
ができる。

【００２１】このシリコーン変性フェノール樹脂又はシ
リコーン変性エポキシ樹脂は、アルケニル基含有エポキ
シ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニ
ル基に下記一般式（２）で表わされる有機けい素化合物
のＳｉＨ基が付加されてなる重合体である。

【００２２】Ｈ_aＲ¹ _bＳｉＯ_2-(a+b)/2 …（２）

【００２３】

【化４】

【００２４】この場合、アルケニル基含有エポキシ樹脂
又はアルケニル基含有フェノール樹脂としては、より好
適には下記式（３）で示されるアルケニル基含有エポキ
シ樹脂又はフェノール樹脂が好適に用いられ、これと上
記式（２）で表わされる有機けい素化合物との付加重合
体が有効である。

【００２５】

【化５】

【００２６】またこの場合、上述のシリコーン変性エポ
キシ樹脂又はフェノール樹脂は、加水分解性塩素の含有
量が５００ｐｐｍ以下で、遊離のＮａ，Ｃｌイオンが各
々２ｐｐｍ以下、有機酸含有量が１００ｐｐｍ以下であ
ることが好ましく、加水分解性塩素、遊離のＮａ，Ｃｌ
イオン、有機酸の含有量が上記値を越えると、封止した
半導体装置の耐熱性が悪くなることがある。

【００２７】上記シリコーン変性エポキシ樹脂又はフェ
ノール樹脂は単独でもあるいは２種以上を混合して配合
してもよく、さらに配合量は、組成物に配合するエポキ
シ樹脂と硬化剤との合計量１００部（重量部、以下同
様）当り５〜７０部、特に８〜５０部とすることが好ま
しい。シリコーン変性エポキシ樹脂又はフェノール樹脂
の配合量が５部より少ないと十分な低応力性を得にく
く、７０部を越えると成形品の機械的強度が低下する場
合がある。

【００２８】本発明においては、これらのシリコーン変
性エポキシ樹脂又はフェノール樹脂を含めたエポキシ樹
脂とフェノール樹脂とを、エポキシ樹脂のエポキシ基
（ａ）とフェノール樹脂のフェノール性水酸基（ｂ）と
のモル比（ａ／ｂ）を０．８〜１．５、好ましくは０．
９〜１．５の範囲に調整することが好ましい。両基のモ
ル比が０．８より小さくなると組成物の硬化特性や成形
品のガラス転移温度（Ｔｇ）が悪くなって耐熱性が低下
する場合があり、一方１．５より大きくなると成形品の
ガラス転移温度や電気特性が悪くなる場合が生じる。

【００２９】次に、本発明組成物は、硬化促進剤とし
て、下記一般式（１）で示される有機リン化合物を使用
する。

【００３０】

【化６】

【００３１】即ち、トリフェニルホスフィンの２位、４
位及び６位にメトキシ基が導入された第３級有機ホスフ
ィン化合物を硬化促進剤として使用するもので、他の化
合物、例えばメトキシ基が導入されていないトリフェニ
ルホスフィンやメトキシ基が４位だけに導入されたトリ
フェニルホスフィンでは、後述する実施例で示されるよ
うに本発明の目的を達成することができない。

【００３２】この第３級有機ホスフィン化合物の配合量
は、第１成分としてのエポキシ樹脂と第２成分としての
フェノール系硬化剤（フェノール樹脂）との合計量１０
０部当り０．４〜５部、より好ましくは０．８〜２部と
することが好ましく、この配合量において本発明の目的
に対し優れた効果が発揮される。しかしながら、本発明
に係る有機ホスフィン化合物の配合量が上記範囲から外
れると目的とする物性が得難い。即ち、配合量が少なす
ぎると硬化性が悪く、また多すぎると組成物の保存安定
性、高温時の電気特性、耐湿特性が悪くなる場合が生じ
る。

【００３３】なお、本発明においては、上記第３級有機
ホスフィン化合物に加え、他の硬化促進剤、例えば、従
来から使用されているトリフェニルホスフィン、トリシ
クロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタ
ンなどの有機ホスフィン化合物、１，８−ジアザビシク
ロ（５．４．０）ウンデセン−７などの第３級アミン
類、イミダゾール類などを本発明の効果を損なわない範
囲で添加して差し支えない。この場合、耐湿性の点から
特に１，８−ジアザビシクロウンデセンとの併用が好ま
しく、（１）式の化合物１部に対し０．０２〜２部の割
合で併用することが好ましい。

【００３４】更に、本発明の組成物には無機充填剤とし
てシリカ粉末を用いる。シリカ粉末としては溶融及び結
晶シリカが挙げられるが、得られる硬化物の線膨張係数
を小さくするため、溶融シリカを用いることがより好ま
しい。特に低線膨張でかつ組成物の溶融粘度を小さなも
のとするため、粒度分布の広い溶融シリカをエポキシ樹
脂とフェノール樹脂の合計量１００部当り２００〜９０
０部、特に３００〜７００部用いることが好ましい。な
お、シリカ粉末はシランカップリング剤等で処理したも
のを用いることができる。

【００３５】本発明の組成物には、更に必要によりその
目的、用途などに応じ、各種の添加剤を配合することが
できる。例えば、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪
酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラック等の顔
料、染料、難燃化剤、表面処理剤（γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン等）、老化防止剤、その他の
添加剤を配合することは差し支えない。

【００３６】本発明の組成物は、上述した成分の所用量
を均一に撹拌、混合し、予め６０〜９５℃に加熱してあ
るロール、二ーダーなどにより混練、冷却し、粉砕する
などの方法で得ることができる。なお、成分の配合順序
に特に制限はない。

【００３７】本発明のエポキシ樹脂組成物は、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ，トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導
体装置の封止用、プリント回路板の製造などに好適に使
用される。なお、半導体装置の封止を行なう場合は、従
来より採用されている成形法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行な
うことができる。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形
温度は１５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１
８０℃で２〜１６時間行なうことが好ましい。

【００３８】

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。なお、以下の例において部は重量部を示す。

【００３９】〔実施例１、比較例１，２〕エポキシ当量１９６のクレゾールノボラックエポキシ樹
脂（塩素イオン１ｐｐｍ、加水分解性塩素３００ｐｐ
ｍ、有機酸含有量２０ｐｐｍ）５９．０部、軟化点１０
０℃のフェノール型ノボラック樹脂（有機酸含有率１０
ｐｐｍ、Ｎａイオン、Ｃｌイオン各々１ｐｐｍ、フリー
のフェノール０．１％）３３．０部、ブロム化フェノー
ルノボラック樹脂（日本化薬製、ＢＲＥＮ−Ｓ）８．０
部、三酸化アンチモン１０部、溶融シリカ４００部、カ
ルナバワックス１部、カーボンブラック１部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン１部、更に表１に
示した種類、量の有機リン化合物を添加した組成物を十
分に混合した後、加熱ロールで混練し、次いで冷却し、
粉砕してエポキシ樹脂組成物（実施例１、比較例１，
２）を得た。なお、エポキシ基／フェノール基の割合は
全て１．１（モル比）とした。

【００４０】これらのエポキシ樹脂組成物につき、二次
転移温度Ｔｇを測定すると共に、組成物を強制的に加湿
して吸水率０．２重量％になったときのＴｇを吸湿時Ｔ
ｇとして測定した。また、以下のＡ〜Ｃの諸試験を行な
った。以上の結果を表１に併記する。Ａ．体積抵抗率の測定成形温度１６０℃、成形圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時
間２分の条件で成形して直径９ｃｍ、厚さ２ｍｍの円板
を作り、これを１８０℃で４時間ポストキュアーしたテ
ストピースについて、１５０℃の加熱時における値をＪ
ＩＳ−Ｋ６９１１に準じて測定した。Ｂ．耐湿特性の測定上記Ａと同様にして得たテストピースを１２０℃の水蒸
気中に５００時間保持した後、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準
じて誘電正接（１ｋＨｚ）を測定した。Ｃ．アルミニウム腐食テストチップにアルミニウム配線を行なっている１４ピンＩＣ
をトランスファー成形機にて１００個成形し、成形品を
１８０℃、４時間ポストキュアーし、その後２０Ｖの電
圧を印加した状態で１３０℃８５％ＲＨの試験槽中に１
００時間放置し、アルミニウム配線の断線を検出して不
良判定を行なった（ｎ＝２０）。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【化７】

【００４３】〔実施例２、比較例３，４〕下記に示すエポキシ樹脂Ｉ４２．３部、ブロム化フェ
ノールノボラックエポキシ樹脂（日本化薬製、ＢＲＥＮ
−Ｓ）８部、トリフェノールメタン（フェノール当量：
９４）２８．７部、下記に示すシリコーン変性エポキシ
樹脂Ｉ２１部、表２に示した有機リン化合物、溶融シ
リカ（比表面積１．０ｍ^２／ｇ、平均粒径３０μｍで７
５μｍ以上の粗粒０．１％の球状シリカと、比表面積
３．２ｍ^２／ｇ、平均粒径８μｍで７５μｍ以上の粗粒
０．１％の破砕シリカと、比表面積１０ｍ^２／ｇ）平均
粒径１．０μｍの球状シリカとを７０：２０：１０部の
割合で混合したもの１００部をγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン０．６０部で表面処理したもの）
６００部、Ｓｂ_２Ｏ_３８部、カーボンブラック１．５
部、カルナバワックス１部及びγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン３部を十分に混合した後、加熱ロ
ールで混練し、次いで冷却し、粉砕してエポキシ樹脂組
成物を得た。なお、エポキシ基／フェノール基の割合は
全て１．０（モル比）とした。

【００４４】

【化８】

【００４５】これらの組成物につき、実施例１と同様に
二次転移温度Ｔｇ、吸湿時Ｔｇ、体積抵抗率、耐湿特
性、アルミニウム腐食テストを行なった。結果を表２に
併記する。

【００４６】

【表２】

【００４７】表１及び表２の結果より、従来より使用さ
れている触媒であるトリフェニルホスフィンを用いた場
合（両表において比較例２，４）、初期のＴｇが低いば
かりでなく、吸湿時のＴｇが大幅に低下してしまい、耐
熱性が悪い。また、本発明範囲外のトリス（４−メトキ
シフェニル）ホスフィンを用いた場合（両表において比
較例１，３）、バイアスを印加したアルミニウム腐食性
において、不良が非常に発生し易い。

【００４８】これに対して、式（１）で示される有機リ
ン化合物を配合した本発明の組成物（実施例）は、高い
ガラス転移温度を有し、しかも吸湿時のＴｇの低下がな
く、かつ優れた電気特性を有し、バイアスを印加したア
ルミニウム腐食テストにおいて優れた耐腐食性を有して
いることが確認された。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のエポキシ
樹脂組成物は、上述した構成としたことにより、耐湿
性、耐熱性（高ガラス転移温度）、高温電気特性に優
れ、特に電圧を印加した状態における耐湿性に優れ、半
導体装置封止用等として好適に用いることができるもの
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０８Ｋ 5/53 ＮＬＢＣ０８Ｋ 5/53 ＮＬＢＣ０８Ｌ 63/00 ＮＫＢＣ０８Ｌ 63/00 ＮＫＢＨ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者富吉和俊群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内 (72)発明者戸塚賢一群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料技術研究所内 (56)参考文献特開平３−239718（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（１）エポキシ樹脂、（２）フェノール系硬化剤、（３）下記一般式（１）で示される硬化促進剤、【化１】（４）シリカ粉末を必須成分として配合してなることを特徴とするエポキ
シ樹脂組成物。
【請求項２】アルケニル基含有エポキシ樹脂又はアル
ケニル基含有フェノール樹脂のアルケニル基に下記一般
式（２）（但し、式中Ｒ^１は置換もしくは非置換の一価炭化水素
基を示し、ａ，ｂは０．０１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１
≦ａ＋ｂ＜４を満足する正数である。また、１分子中の
けい素原子の数は２０〜４００の整数であり、１分子中
のけい素原子に直結した水素原子の数は１以上の整数で
ある。）で表わされる有機けい素化合物のＳｉＨ基が付
加されてなる重合体であるシリコーン変性エポキシ樹脂
又はシリコーン変性フェノール樹脂が配合された請求項
１記載のエポキシ樹脂組成物。