JPS6166712A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS6166712A
JPS6166712A JP19205984A JP19205984A JPS6166712A JP S6166712 A JPS6166712 A JP S6166712A JP 19205984 A JP19205984 A JP 19205984A JP 19205984 A JP19205984 A JP 19205984A JP S6166712 A JPS6166712 A JP S6166712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin
resin composition
powdered silica
epoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19205984A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0564181B2 (ja
Inventor
Shuichi Kita
喜多 修市
Takamitsu Fujimoto
隆光 藤本
Yuzo Kanegae
鐘ケ江 裕三
Norimoto Moriwaki
森脇 紀元
Torahiko Ando
虎彦 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP19205984A priority Critical patent/JPS6166712A/ja
Publication of JPS6166712A publication Critical patent/JPS6166712A/ja
Publication of JPH0564181B2 publication Critical patent/JPH0564181B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、シリコーン樹脂をエポキシマトリックス中
に分散させた耐クラツク性、高湿耐加水分解性に優れた
新規な半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
〔従来の技術〕
現在、IC,LSIなどの半導体素子をシリコーン樹脂
又はエポキシ樹脂などを用いて封止する樹脂封止法が広
く採用され、これらの中でもエポキシ樹脂は比較的優れ
た気密性を与え、かつ安価であることから半導体封止用
樹脂として汎用されている口 しかし、このエポキシ樹脂により半導体素子を封止した
場合には、硬化する際の収縮によるストレン又は内部素
子とエポキシ樹脂との膨張係数の差によって生じるスト
レスなどにより素子のボンディングワイアの変形、断線
が生じ内部素子を損傷する欠点がある。そのため、これ
らのストレスを低減せしめるために、エポキシマトリッ
クス中に可撓性付与剤を添加したり、エポキシ樹脂にシ
リコーン樹脂側鎖を導入したり、又は膨張係数を小さく
するために無機充填剤の添加量を増大させるなどの方法
により検討されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の可撓性付与剤の添加や工はキシ樹脂にシリコーン
樹脂側鎖を導入する方法に対しては、工lキシ樹脂のガ
ラス転移点の低下をきたし、高温における電気的、機械
的特性、耐湿性が低下するという問題が生じる一方、無
機充填剤の添加量を増大し、膨張係数を低減させるには
、70重量*以上の添加量が必要であるがこの場合、樹
脂組成物の粘度が増大し1流動性が著しく低下して素子
の封止が困難となるという問題点がある。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、ストレスにより素子に損傷を与えない耐クラツク
性および耐湿信頼性に優れ、かつ作業性の低下のない半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることを目的とする
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の半導体封止用樹脂組成物は1工メキシ樹脂1
00重量部、このニーキシ樹脂の硬化剤、並びにシリコ
ーン樹脂および粉末シリカの混合物80重量部以下を一
含有するものより成る。
〔作用〕
一般的に可撓化剤として知られているシリコーン樹脂は
、エポキシ樹脂と非相溶性であるが、予め、シリコーン
樹脂と粉末シリカを混合したものを、エポキシ樹脂に混
合することにより、相分離の生じない均一に安定した分
数状態を得ることができる。
〔実施例〕
この発明に係わる工lキシ樹脂としでは、たとえばノボ
ラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールム系エギキシ樹
脂、脂環族系エイキシ樹脂など種々のタイプのエポキシ
樹脂が使用できるが、高温特性の優れたノボラック系エ
ポキシ樹脂の使用が好ましい、これらのニーキシ樹脂は
単独又は2種以上の使用も可能である。なお、これらの
工4キシ樹脂とともに、必要に応じて臭素化ノボラック
系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA系エポキ7樹
脂などの工lキシ樹脂も併用可能である。
この発明に係わる硬化剤としては、フェノールノボラッ
クなどのフェノール系化合物やメチルヘキサハイドロ無
水フタル酸、テトラノ1イドロ無水7タル酸、メチレン
エンドメチレン無水フタル酸、無水クロレンデイツク酸
、無水ノくイロメリット酸、無水ドデセニ!サクセニツ
ク酸などの酸無水物系化合物があげられる。
又、反応促進剤を用いることも好ましく、反応促進剤と
しては、例えば2−メチルイミダゾ−〃、2−メチルイ
ミダゾ−A/、2.4−ジメテμイミダゾ−〜、2−エ
チA/−4−メチルイミダゾール、l−ベンジyv−2
−メチルイミダゾ−〃、2−ヘプタデシルイミダゾ−μ
、1−ビニA/−2−メチルイミダゾ−〜、2−ウンデ
シルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物およびこ
れらの前駆物質であるイミダシリン化合物や、例えばト
リエチμアミン、2,4.6−シメチルメチルアミノフ
エノーμ、ベンジルジメチルアミン、a−メチルベンジ
ルメチルアミン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン
、ジアルキルアミノメタノ−μアミン、テトラメチルグ
アニジン、2−ジメチμアミノー2−ヒトaキシプロパ
ン、N、N’−ジメチルピペラジン、N−メチルモルホ
リン、ピペラジン、2−(ジメチルアミノメチ、A/)
フェノール、ヘキサメチレンテトラミン、l−ヒドロキ
シルエチル−2−ヘプタデシルグリオキサリジンなどの
第8級アミンおよびその他のアミン系化合物やイミダゾ
−、A/系化合物などがあげられる。
この発明に係わる粉末シリカとしては、粒径が50IR
n以下、SiO2純度99チ以上のものが好ましく、6
0紳以上では分散性が悪くなり、99チ以下では特性の
安定性が悪くなる。
この発明に係わるシリコーン樹脂は、一般式で示され、
シリコーンオイルやシリコーンゴム等も含まれ、可撓化
剤として用いられる。
上記粉末シリカとシリコーン樹脂とを予め混合したこと
がこの発明の特徴であり、この方法により、シリコーン
樹脂をエポキシマトリックス中に均一かつ安定に分散さ
せることに成功した。以下、可撓化剤と示すのは上記粉
末シリカとシリコーン樹脂との混合物である。シリコー
ン樹脂と粉末7リカとの混合は、ロールを用いて簡単に
行なわれる。配合比はシリコーン樹脂100部に対し、
粉末シリカ80重量部以下が好ましく、中でも5〜20
重量部が特に好ましい、配合量が少ないと、エポキシ樹
脂との相溶性に劣り、80重量部を越えるとエポキシ樹
脂中での分散性に劣る。
上記シリコーン樹脂と粉末シリカの混合物は1工ポキシ
樹脂100重量部に対し、80重量部以下配合するのが
好ましく、特に6〜20重量部が好ましい、少ないと耐
クラツク性、耐湿性の向上の効果が少なく、80重量部
以上ではt機械的強度が低下し好ましくない。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には必要に
応じて、結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナなどの無
機充填剤や、カーボンブラックなどの着色剤、カルナウ
バワックス、ポリエチレンワックスなどの離型剤や二酸
化アンチモンなどの、難燃剤γ−グリシクキ゛ジプロピ
ルトリメト中ジシランなどのカップリング剤を添加する
ことができろ。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、従来の
エポキシ樹脂やシリコーン樹脂の調製などに使用されて
いる公知の混合装置1例えば、2 + A/%ニーダ、
ライカイ機、ホモミキサー(例えば特殊機化工業■社製
)などを用いて容易に調製できる。
以下、実施例と比較例を掲げてこの発明をより詳細に説
明するが、この発明はこれに限定されない。
表1に、8本ロールを用いて調製したシリコーン樹脂お
よび粉末シリカ混合物の組成を示す・実施例1〜10お
よび比較例1〜9は、表2および表8に示した割合で、
工?キシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、可撓化剤、無機充
填剤電着色剤、離型剤、カップリング剤等を配合し、ニ
ーグーを用いて40℃で10分間真空混合してこの発明
の実施例の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
上記のようにして得られた組成物の安定性tガラス転移
点、曲げ弾性率、耐クラツク性および耐湿性を調べた結
果を表4および表6に示した。安定性の試験に関しては
、表2および表8の配合の内、硬化促進剤、無機充填剤
、着色剤、離型剤、およびカップリング剤を含まない組
成物を上記方法で調製後40℃で静置し、目視による相
分離の有無により評価した。実施例1〜10・は48時
間以上安定であるのに対し、シリコーン樹脂だけを分散
させた比較例1.2および、シリコーン樹脂と粉末シリ
カをあらかじめ混合することなく分散させた比較例7,
8は安定性に劣る。また、粉末シリカを多く含んだ可撓
化剤を用いた比較例8.4は、可撓化剤の凝集力が強く
マク な不均一さを生じ安定性上好ましくない。
表2および表8に示した樹脂組成物を用い、耐湿性評価
用シリコーン素子および一般特性測定用試料を、170
℃で8分間の成形条件でモーμドし、さらに170℃で
8時間後硬化し、耐湿試験用試料および一般特性測定用
試料を得た。
ガラス転移点は、粘弾性スペクトロメータ(IHz )
で損失弾性率の温度変化を測定し、最大の損失弾性率を
与える温度をTgとした。この発明の特徴である可撓化
剤を含まない比較例9のガラス転移点が180℃である
のに比べ、80重量部含む実施例1゜7.9のガラス転
移点は170℃とわずかに低下するだけである。また、
可撓化剤の添加による曲げ弾性率の低下もわずかで1.
実用上問題と゛ならない。
耐クラツク性については、オリファントワッシャを埋め
こんだ時のクラック発生温度で評価した。
可撓化剤を添加した系のクラック発生温度は一80℃以
下で、可撓化剤を含まない比較例9の一10℃に比べ耐
クラツク性に優れ低応力化がなされていることがわかる
耐湿性の評価は、耐湿性評価用半導体素子を真空成形し
%121’O12a t m s相対湿度100%の条
件下でPressure Cooker Te5t (
PCT )を行ナイ不良発生時間により行った。また、
260℃の半田浴に1分間浸漬後、も同様の試験を行な
った0両試験による不良発生時間を比較することにより
、耐湿性と低応力性を評価した。可撓化剤を含まない比
較例9に比較すると実施例はいずれも、半田浸漬の有無
にかかわらず高い耐湿性を有する。
以上の結果、比較例の組成物の特性が、各特性にわたっ
て安定していないのに比べて、この発明の実施例の半導
体封止用ニブキシ樹脂組成物は、ガラス転移点および曲
げ弾性率を低下させることなく耐湿性および耐クラツク
性の向上が得られた。
この様に、この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、耐湿性にすぐれ、内部応力が低く、例えばL81 
+VL8Iの封止樹脂としてきわめて有用であることが
わかる。
〔発明の効果〕
以上説明したとおり、この発明は、エポキシ樹脂100
重量部、このエポキシ樹脂の硬化剤、並びにシリコーン
樹脂および粉末シリカの混合物80重量部以下を含有す
るものを用いることにより、ストレスにより素子に損傷
を与えない耐クラツク性および耐湿信頼性に優れ、かつ
作業性の低下のない半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
得ることができる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エポキシ樹脂100重量部、このエポキシ樹脂の
    硬化剤、並びにシリコーン樹脂および粉末シリカの混合
    物80重量部以下を含有する半導体封止用エポキシ樹脂
    組成物。
  2. (2)シリコーン樹脂が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素および一価の炭化水素基の内の一種、
    R_1およびR_2は水酸基、ビニル基およびエポキシ
    基の内の一種を含む炭化水素基並びに水素の内の一種、
    nは整数である。) で示されるものである特許請求の範囲第1項記載の半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. (3)一価の炭化水素基が、メチル基およびフェニル基
    のいずれか一種である特許請求の範囲第2項記載の半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. (4)シリコーン樹脂100重量部、粉末シリカ80重
    量部以下である特許請求の範囲第1項ないし第8項の何
    れかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. (5)粉末シリカの粒径が50μm以下、SiO_2純
    度99%以上である特許請求の範囲第1項ないし第4項
    の何れかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP19205984A 1984-09-11 1984-09-11 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Granted JPS6166712A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19205984A JPS6166712A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19205984A JPS6166712A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6166712A true JPS6166712A (ja) 1986-04-05
JPH0564181B2 JPH0564181B2 (ja) 1993-09-14

Family

ID=16284933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19205984A Granted JPS6166712A (ja) 1984-09-11 1984-09-11 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6166712A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6320325A (ja) * 1986-07-14 1988-01-28 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0481424A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Matsushita Electric Works Ltd 封止用樹脂組成物

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825739A (ja) * 1971-08-09 1973-04-04
JPS56136816A (en) * 1980-03-31 1981-10-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Epoxy resin composition
JPS56160054A (en) * 1980-05-15 1981-12-09 Toshiba Corp Resin sealing type semiconductor device
JPS57184242A (en) * 1981-05-08 1982-11-12 Matsushita Electric Works Ltd Molding material for sealing electronic part
JPS5981328A (ja) * 1982-10-30 1984-05-11 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS5996122A (ja) * 1982-11-22 1984-06-02 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825739A (ja) * 1971-08-09 1973-04-04
JPS56136816A (en) * 1980-03-31 1981-10-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Epoxy resin composition
JPS56160054A (en) * 1980-05-15 1981-12-09 Toshiba Corp Resin sealing type semiconductor device
JPS57184242A (en) * 1981-05-08 1982-11-12 Matsushita Electric Works Ltd Molding material for sealing electronic part
JPS5981328A (ja) * 1982-10-30 1984-05-11 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS5996122A (ja) * 1982-11-22 1984-06-02 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6320325A (ja) * 1986-07-14 1988-01-28 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0481424A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Matsushita Electric Works Ltd 封止用樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0564181B2 (ja) 1993-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4720515A (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor
JPH0329259B2 (ja)
JP4577536B2 (ja) エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてlsiを封止する方法
JPS6284147A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPS62254454A (ja) 半導体装置
JPS6166712A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0288621A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6112724A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPS61163927A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP3432445B2 (ja) 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS6166713A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JPH03119049A (ja) 樹脂組成物
JP2019052246A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2732939B2 (ja) エポキシ樹脂組成物およびそれによつて封止された半導体装置
JPH03167250A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2018188578A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS60184517A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2712876B2 (ja) トランスファーモールド用透明エポキシ樹脂組成物
JP2001316566A (ja) 一液性エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2938080B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH02140959A (ja) 半導体装置
JPH10176099A (ja) エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置
JPH01132651A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6160721A (ja) 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
JP2001253933A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いた半導体装置