JPS6160721A - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物

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JPS6160721A
JPS6160721A JP18285484A JP18285484A JPS6160721A JP S6160721 A JPS6160721 A JP S6160721A JP 18285484 A JP18285484 A JP 18285484A JP 18285484 A JP18285484 A JP 18285484A JP S6160721 A JPS6160721 A JP S6160721A
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JP
Japan
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epoxy resin
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resin
epoxy
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JP18285484A
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English (en)
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Shinetsu Fujieda
新悦 藤枝
Akira Yoshizumi
善積 章
Kazutaka Matsumoto
松本 一高
Hisashi Hirai
久之 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関し、
さらに詳しくは、得られる硬化物が良好な耐湿性、耐腐
食性及び耐クラツク性をバランス良く具備した半導体装
電封土用エポキシ樹脂組成物に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、を子部品の小型化及び薄層化並びにチップサイズ
の大型化に伴い、高い信頼性を有し、かつ、チツプペの
応力が少ない半導体装電封土用エポキシ樹脂組成物の開
発が望まれている。
従来、この封止樹脂としては、例えば、硬化剤としてフ
ェノールノボラック樹脂を含有する樹脂組成物が使用さ
れてきた。しかし、この組成物はこれを用いて封止した
部品が、使用時、封止樹脂にクラックを生じ、またアル
ミニウム(All配線保護膜にクラックを生じて人!配
線it移動させ電子部品の信頼性の低下あるいは不良発
生の原因となるなどの問題点を有していた。
このような問題点の解決策としては、樹脂組成物の配合
成分としてゴムあるいはシリコーンヲ使用した樹脂組成
物が提案されているが、得られる硬化物が十分な信頼性
と耐クラツク性とをバランス良く具備した樹脂組成物は
得られていない。
また、上記した低応力化技術と相伴って、半導体装置封
止用エポキシ樹脂組成物には、得られる封止樹脂の高い
耐湿性を確保するために1組成物中の加水分解性塩素濃
度を低くする高純度化技術の適用も重要となってきてい
る。
〔発明の目的〕
本発明の目的は前記した問題点の解消にあり。
得られる硬化物が良好な耐湿性、耐腐食性及び耐クラツ
ク性をバランス良く具備した半導体装置封止用エポキシ
樹脂組成物を提供することである。
〔発明の概要〕
本発明の半導体装直射土用エポキシ樹脂組成物は、 (a)  1分子中少なくとも2個のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂      5〜25重量部(b)  
1分子中に少なくとも2個のフェノール性水散基を有す
るフェノールノボラック樹脂1〜25重量部 (C)  硬化促進剤     0.01〜1. OZ
置部(d)  ア七タール化率35〜85モル−のアセ
タール基を有するポリビニルアセタール化合物0、1〜
3重量−と液状オルガノシロキナン化合物0.1〜IO
重量−の混合物を用いて処理された無機質充填剤   
      50〜75!量部からなることを特徴とす
るものでおる。
本発明に係るエポキシ樹脂(−は、1分子中に少なくと
も2個のエポキシ基を有するものであればいかなるもの
であってもよく1例えば、ビスフェノール人のジグリシ
ジルエーテル、ブタジエンジエボキシド% 3,4−エ
ボキ7ククロヘキ/ルメチル−(3,4−エボキ7)シ
クロヘキサ/カルボキシレート、ビニルシクロヘキサン
ジオキシド、4.4′−ジ(1,2−エポキシエチル)
ジフェニルエーテル、4.4’−(1,2−エポキシエ
チル)ビフェニル、2,2−ビス(3,4−エポキシ7
クロヘキシル)プロパン、レゾル7/のグリシジルエー
テル、フロログルシンのジグリシジルエーテル、メチル
フロログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−(2,
3−エポキシシクロベンチル)エーテルS 2−(3,
4−エポキシ)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,
4−エポキシ)−シクロヘキサン−m−ジオ中サン、ビ
ス−(3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)
アジペート、N、N’−m−フェニレンビ、X(4,5
−!ホキシー1.2−フクロヘキサン)ジカルボキシイ
ミドなどの2官能のエポキシ化合物、バラアミノフェノ
ールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジル
エーテル、1,3.5−トリ(1゜2−エポキシエチル
)ベンゼン、2.2’、4.4’−テトーyグリシドキ
7ペンゾフエノン、フェノールホルムアルデヒドノボラ
ックのポリグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリ
シジルエーテル。
トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど
3官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
上記化合物は、用途、目的に応じて、2種以上併用して
使用することも出来る。
この(−)g分の配合割合が51盆部未滴の場合は充分
な素子特性が得られず、25重1部を超える場合も同様
に素子特性不良が生じやすく好ましくない。好ましくは
、10〜20重量部である。
本発明に係るフェノールノボラック樹脂(b)は、1分
子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するも
のであればいかなるものであってもよく1例えば、フェ
ノールノボラック樹脂、オルツクレゾールノボラック樹
脂及びメタクレゾールノボラック樹脂が挙げられ、これ
らは181もしくは21!1以上の混合系で使用される
本発明に係る硬化促進剤は一般に使用されているもので
あればいかなるものであってもよく、例えば、イミダゾ
ール類、第三級アミン類、有機金属化合物類、有機ホス
フィン類が挙げられる。このイミダゾール類としては1
例えば、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダ
ゾール、2−ヘゲタデフルイミダゾール、2−エチル−
4−メチルイミダゾールが挙げられ、第3級アミン類と
しては1例えば、2−(ジメチルアミノメチル)フェノ
ール、2,4.6−トリス(ジメチルアミノメチル)フ
ェノール、べ/ジルジメチルアミン、α−メチルベンジ
ルジメチルアミンが挙げられ、有機金属化合物としては
、例えば、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウ
ムテトラプロポキシド、テトラキス(アセチルアセトナ
ト)ジルコニウム、トリ(アセチルアセトナト)アルミ
ニウムが挙げられ、有機ホスフィン類としては、例えハ
、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、ト
リブチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ(p
−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル
)ホスフィンが挙げられる。
これらの硬化促進剤の中でも、耐湿性の点からトリフェ
ニルホスフィンが好マシい。
この(c)成分の配合割合が0.01!を部未満の場合
は成形時間が長時間となシ、1.0重量部を超える場合
には作業性の点から好ましくない。好ましくは0.1〜
0.5重量部である。
本発明に係る無機質充填剤(d)はポリビニルアセター
ル化合物と液状オルガノシロキサン化合物との混合物に
より処理されたものである。
ポリビニルアセタール化合物はアセタール化率35〜B
5モル%のアセタール基を有するものであればいかなる
ものであってもよく、例えば、ポリビニルホルマール樹
脂、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルグロビオ
ナール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルへ
キシラール樹脂が挙げられる。
液状オルガノシロキサン化合物はポリビニルアセタール
化合物と相溶性かわって、一般にシラ/カップリング剤
又はシリコーンオイルと呼ばれているものが挙げられる
。このシランカップリング剤としては、例えば、β−(
3,4−エボキ7シクロヘキシル)エチル・トリメトキ
シシラン、r−グリ7ドキシプロビルトリメトキシシラ
ンなどのエボキシシクン系カップリング剤;γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノメチル
)−r−アミノプロピルトリエトキシシランなどのアミ
フシ2ン系カップリング剤;ビニルトリクロロシラン、
ビニルトリエトキ772ン、ビニル−トリス(β−Xト
キシ・エトキシ)シランなどのビニル7ラン系カツプリ
ング剤が挙げられる。また、シリコーンオイルとしては
、例えば、ジメチルシリコーンオイル;メチルフェニル
シリコーンオイル;メチルクロルシリコーンオイル;エ
ポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコ
ーンオイル、アル゛コール変性シリコーンオイル、アル
キル変性シリコーンオイル;エポキシポリエーテル変性
シリコーンオイル、ポリエーテルシリコーンオイル、ア
ミノ変性71Jコーンオイルが挙げられる。
このポリビニルアセタール化合物と液状オルガノシロキ
サン化合物の混合割合は、後者100重量部に対して、
前者が、通常、1〜30重量部で、好ましくは5〜10
重量部である。この混合割合が1重量部未満の場合には
充分な冷熱サイクル素子特性が得られず、30重量部を
超える場合は溶解性の点から問題が生じ好ましくない。
このポリビニルアセタール化合物と液状オルガノシロキ
サン化合物との混合物は、常に、前者を後者に溶融させ
て容易に製造される。
無機質充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶系シ
リカ、タルク、マイカ、クレー、カオリン、次数カルシ
ウム、アルミナ、亜鉛華、ガラス繊維、水酸化アルミニ
ウム、アスベスト、酸化チタンが挙げられ、これらは1
種もしくは2m以上の混合系で使用される。上記した混
合物を用いて処理された無機質充填剤とは、無機質充填
剤を混合物に混合したものでち、So。
この(d)成分の配合割合が50重量部未満の場合には
樹脂パリが発生しやすくなる、゛熱膨張率が大きくなる
、などの問題が生じ、75重量部を超える場合は樹脂の
流れ性が低下し好ましくない。好ましくは60〜75重
量部である。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物は、必要
に応じて離型剤;着色剤;難燃剤などの慣用の添加剤が
配合さnていてもよい。
本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物は、前記
した成分を50〜130℃の温度で、混合、混練して容
易に製造される。
以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明をさら
に詳述する。
〔発明の実施例〕
実施例1 ブチラール樹脂(ブデラール基ニア0モル%)を人−1
87(商品名、エポキシシラン、日本ユニカー社mlり
K7%溶かして混合物とし、この混合物0.6部と溶融
クリカ粉71部とを、へ/シェルミキサーを用いて混合
した。ついで、得られた混合物にクレゾールノボラック
エポキシ樹脂(エポキシ当量: 210.軟化点=76
℃) 18.3部。
フェノールノボラックエポキシ樹脂9.1部及びトリフ
ェニルホスフィン0.2部、さらに0.4部を添加し、
ヘンシェルミキサーで混合し、65〜110℃の二軸ロ
ールで混練し、冷却後粉砕して本発明の半導体装置封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
得られた組成物を用いて、175℃、180秒の条件の
トランスファー成形にニジ素子封止品(チップ寸法8鴎
平方)t−得た。得られた素子封止品を用いて、冷熱丈
イクルテス)(−65〜150℃)、プレツクヤークツ
カーテスト(2,5気圧)及びバイアス印加プレッシャ
ークツカーテスト(印加電圧:18Y、2.5気圧)を
実施した。
併せて、冷熱サイクルテストは素子特性不良チェック及
びPSGクラック発生の有無の観察、並びに曲げ弾性率
、ガラス転位点及び体積抵抗率(150℃)の測定も実
施した。結果を表に示す。
実施例2 ブチラール樹脂(ブチラール基=63モルチ)をA−1
87に10チ溶解して混合物とし、この混合物0.6部
と溶融シリカ粉69部及び三酸化アンチモン2部とを、
へンシエルミキサーを用いて混合した。以後は実施例1
と同様にして本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組
成物を得九。
得られt組成物を用いて素子封止品を実施例1と同様に
作成し、実施例1と同様の試験及び観察並びに測定を実
施した。結果を表に示す。
実施例3 ブチラール樹脂(ブチラール基=70モルチ)をA−1
100(商品名、アミノ7う/S日本二二カー社製)に
10チ溶かして混合物とし、この混合物0.7部と溶融
シリカ粉68部及び二酸化アンチモン2部とを、ヘンシ
ェルミキサーを用いて混合した。以後Fii施例1と同
様にして本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
を得九。
得られた組成物を用いて素子封止品を実施例1と同様に
作成し、実施例1と同様の試験及び観察並びに測定を実
施した。結果を表に示す。
実施例4 ブチラール樹脂に代えてホルマール樹脂(ホルマール基
=65モルチ)を用い九以外は、実施例1と同様にして
、本発明の組成物を調製し、素子封止品を作成し、試験
及び観察並びに測定を実施した。結果を表に示す。
、比較例1 実施例1の組成取分からブチラール樹脂を除き残余の組
成成分を一度に混合・混練し、冷却後粉砕して比較用の
組成物を得た。
得られた組成物を用いて実施例1と同様に、素子封止品
を作成し、試験及び観察並びに測定を実施した。結果を
表に示した。
比較例2 実施例1の組成成分を一度に混合・混練し、冷却後粉砕
して比較用の組成物を得た。
得られた組成物を用いて実施例1と同様に、素子封止品
を作成し、試験及び観察並びに測定を実施した。結果を
表に示す。
〔発明の効果〕
以上に詳述し九とおり1本発明の半導体装置対土用エポ
キシ樹脂組成物は、得られる硬化物が良好な耐湿性、耐
腐食性及び耐クラツク性をバランス良く具備しており、
その工業的価値は極めて大である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (a)1分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有する
    エポキシ樹脂5〜25重量部 (a)1分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基
    を有するフェノールノボラック樹脂 1〜25重量部 (c)硬化促進剤0.01〜1.0重量部 (d)アセタール化率35〜85モル%のアセタール基
    を有するポリビニルアセタール化合物0.1〜3重量%
    と液状オルガノシロキサン化合物0.1〜10重量%の
    混合物を用いて処理された無機質充填剤50〜80重量
    部 からなることを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹
    脂組成物。
JP18285484A 1984-09-03 1984-09-03 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS6160721A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01304151A (ja) * 1988-05-31 1989-12-07 Somar Corp 一液性エポキシ樹脂組成物
JP2012087248A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Nippon Kayaku Co Ltd 硬化性樹脂組成物およびその硬化物

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01304151A (ja) * 1988-05-31 1989-12-07 Somar Corp 一液性エポキシ樹脂組成物
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