JPS6377922A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6377922A JPS6377922A JP22245686A JP22245686A JPS6377922A JP S6377922 A JPS6377922 A JP S6377922A JP 22245686 A JP22245686 A JP 22245686A JP 22245686 A JP22245686 A JP 22245686A JP S6377922 A JPS6377922 A JP S6377922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- tetrafluoroethylene
- stress
- copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 4
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 abstract description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-methylimidazole Natural products CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- LFMQNMXVVXHZCC-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazol-2-yl n,n-diethylcarbamodithioate Chemical compound C1=CC=C2SC(SC(=S)N(CC)CC)=NC2=C1 LFMQNMXVVXHZCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-phenylpyridine-3-carboxamide Chemical compound ClC1=NC=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQUPXPVVJHIBFQ-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC.CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC.CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC IQUPXPVVJHIBFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概賛〕
本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係り、特に
アルミ配線変形やバッジベージ冒ンク2ツクなどの原因
となる収縮応力を低(抑えた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物に関する。
アルミ配線変形やバッジベージ冒ンク2ツクなどの原因
となる収縮応力を低(抑えた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物に関する。
1?
IC,LSIのt子Φ品を封止する方法としては熱硬化
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。
これは樹脂を用いて封止する方法がガラス、金属。
セラミックを用いたハーメチックシール方式に比十亀
べて安価で量産生に優れているためである。
半導体封止用樹脂組成物の基材樹脂としては成形性、耐
湿性、電気的特性に優れ安価なエポキシ樹脂が一般的に
用いられる。
湿性、電気的特性に優れ安価なエポキシ樹脂が一般的に
用いられる。
しかし、LSIの集積度増大に伴うチップの大型化およ
びパターンの微細化、高密度実装に伴うパッケージの小
型化により従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では
対応できない問題が生じてきた。丁なわち樹脂封止LS
Iは樹脂とSt−チツプい5熱膨張係数の異なる材料で
できているため、この材料間に応力が働きLSIが損傷
するということである。tこO応力はチップが大型にな
るほど大きくなり、パターンの微細化が進むほど損傷を
受けやすくなる。応力によろLSIの損傷モードとして
は、アルミ配線の変形や断線パッシベ−ジョンクラック
、パッケージクラ、りなどがある。このことからチップ
に加わる応力を低く抑えることのできる半導体封止用樹
脂の開発が必要となってきた。
びパターンの微細化、高密度実装に伴うパッケージの小
型化により従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では
対応できない問題が生じてきた。丁なわち樹脂封止LS
Iは樹脂とSt−チツプい5熱膨張係数の異なる材料で
できているため、この材料間に応力が働きLSIが損傷
するということである。tこO応力はチップが大型にな
るほど大きくなり、パターンの微細化が進むほど損傷を
受けやすくなる。応力によろLSIの損傷モードとして
は、アルミ配線の変形や断線パッシベ−ジョンクラック
、パッケージクラ、りなどがある。このことからチップ
に加わる応力を低く抑えることのできる半導体封止用樹
脂の開発が必要となってきた。
S1チツプが封止樹脂(硬化物)から受けろ応力(σ)
は荒い近似により次式により表されろ。
は荒い近似により次式により表されろ。
σ=に・α@E・・・・・・・・・・・・・・(1)K
:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 応力が(11式で近似できることから従来半導体封止用
樹脂の応力を低減する方法として、可とう性行与剤など
を添加してパッケージに柔軟性を持たせ弾性率を低下さ
せる方法が提案されてきた。しかし、この方法では硬化
した樹脂の耐湿性、耐熱a、高温電気特性および機械特
性が劣化するという欠点があった。
:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 応力が(11式で近似できることから従来半導体封止用
樹脂の応力を低減する方法として、可とう性行与剤など
を添加してパッケージに柔軟性を持たせ弾性率を低下さ
せる方法が提案されてきた。しかし、この方法では硬化
した樹脂の耐湿性、耐熱a、高温電気特性および機械特
性が劣化するという欠点があった。
また応力の低減には(11式から硬化した樹脂の熱膨張
係数?下げることも有効な手段と考えられろ。
係数?下げることも有効な手段と考えられろ。
しかし、熱膨張係数を低下するために無機51してん剤
を多量に添加すると樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディ
ングワイヤーの変形・断線や、樹脂が金製内の隅々まで
行き届かない未充てんを生ずるなど成形時の作業性が著
しく劣化する。
を多量に添加すると樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディ
ングワイヤーの変形・断線や、樹脂が金製内の隅々まで
行き届かない未充てんを生ずるなど成形時の作業性が著
しく劣化する。
すなわち、従来技術では応力を低減しようとすると耐湿
性などが劣化するなど、他の特性を劣化させることなく
応力を低減させる4ことは極めて困難であった。
性などが劣化するなど、他の特性を劣化させることなく
応力を低減させる4ことは極めて困難であった。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、1分子中
にエポキシ基2個以上を含むエポキシ樹脂100重量部
に対し、 (1)4フツ化エチレンとエチレンの共1合体0.1〜
50重量部 (2)無機質充てん剤 200〜600重′jlt
部含むことを特徴とする。
にエポキシ基2個以上を含むエポキシ樹脂100重量部
に対し、 (1)4フツ化エチレンとエチレンの共1合体0.1〜
50重量部 (2)無機質充てん剤 200〜600重′jlt
部含むことを特徴とする。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物はゴム弾性を
有する4フツ化エチレンとエチレンの共1合体を添加す
ることを特徴とする。これKより、硬化物の弾性at低
減でき応力を下げることができろ。また、4フツ化エチ
レンとエチレンの共重合体は、フッ素樹脂の特性を有す
るため耐湿性。
有する4フツ化エチレンとエチレンの共1合体を添加す
ることを特徴とする。これKより、硬化物の弾性at低
減でき応力を下げることができろ。また、4フツ化エチ
レンとエチレンの共重合体は、フッ素樹脂の特性を有す
るため耐湿性。
耐熱性の劣化のない組成物を得ることができる。
本発明において用いられろ4フツ化エチレンとエチレン
の共重合体は特に限定されないが好ましくはパウダー状
のものがより応力を低減できる。
の共重合体は特に限定されないが好ましくはパウダー状
のものがより応力を低減できる。
これはパウダー状であると樹脂中Km島構造となって拡
散するからである。
散するからである。
本発明において使用されるエポキシ樹脂としては、1分
子中にエポキシ基t−2個以上含む多官能エポキシ樹脂
であればその他%に制限はないが。
子中にエポキシ基t−2個以上含む多官能エポキシ樹脂
であればその他%に制限はないが。
耐湿性、耐熱性および機械的強度の点からクレゾールノ
ボラック型のものが好ましい。
ボラック型のものが好ましい。
また硬化剤としては、フェノールノボラック。
クレゾールノボラックなどに代表されるノボラック型フ
ェノール樹脂、ビスフェノールAなどの7エノール樹脂
、あるいは無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸な
どの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルエーテルナトのアミン化合物などがあげられる
。この中で耐湿性などの点からノボラック型フェノール
樹脂が好ましい。
ェノール樹脂、ビスフェノールAなどの7エノール樹脂
、あるいは無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸な
どの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルエーテルナトのアミン化合物などがあげられる
。この中で耐湿性などの点からノボラック型フェノール
樹脂が好ましい。
本発明において使用される硬化促進剤Eしてはトリエタ
ノールアミン、テトラメチルペタンジアミン等の第3ア
ミン、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメチルアン
モニウムクロライドなどの第4級ア/モニウム塩、2−
メチルイミダゾール、2−クンデシリイミダゾール、2
−メチル−4−メチルイミダゾール、l−アジン−2−
メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物。
ノールアミン、テトラメチルペタンジアミン等の第3ア
ミン、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメチルアン
モニウムクロライドなどの第4級ア/モニウム塩、2−
メチルイミダゾール、2−クンデシリイミダゾール、2
−メチル−4−メチルイミダゾール、l−アジン−2−
メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物。
あるいはトリフェニルホスフィンなどのホスフィン化合
物、 トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラ忰フェニルボレート塩など
が挙げられるが、硬化反応を促進する作用がある物質で
あれば特に限定しな(・。
物、 トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラ忰フェニルボレート塩など
が挙げられるが、硬化反応を促進する作用がある物質で
あれば特に限定しな(・。
本発明において、無機質充てん材が使用されろ。
無機質充てん材としては、シリカ、アルミナ、炭酸カル
シウムなどが用いられろ。無機質光てん材の添加量は2
00〜600部が好ましい。
シウムなどが用いられろ。無機質光てん材の添加量は2
00〜600部が好ましい。
また、カップリング剤として3−グリシドキシプロビル
トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、ある
いはテトラオクチルビス(ホスファイト)チタネートな
どのチタン系カップリング剤を、離型剤としてカルバナ
ワックス、ステアリン酸およびその金属塩、モンクン酸
、エステルワックス等を、さらに難燃性を高めるために
臭素化工ぜキシ樹脂や三酸化アンチモンなどを、さらi
C顔料とじ℃カーボンブラックなどを添加しても差支え
な−・。
トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、ある
いはテトラオクチルビス(ホスファイト)チタネートな
どのチタン系カップリング剤を、離型剤としてカルバナ
ワックス、ステアリン酸およびその金属塩、モンクン酸
、エステルワックス等を、さらに難燃性を高めるために
臭素化工ぜキシ樹脂や三酸化アンチモンなどを、さらi
C顔料とじ℃カーボンブラックなどを添加しても差支え
な−・。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00.軟化点70℃)100部、フェノールノボラック
(水酸基当1i105.軟化点90℃)55部、シリカ
粉末450部、2−ウンデシルイミダゾール2n、エス
テルワックス2部、3−グリシドキシグロビルトリメト
キシシラン4部に47フ化エチレンとエチレンの共重合
体の粉末1osを加えたものを熱ロール70〜90℃で
混練した。混練後6メツシ、バスのパウダーとし、圧力
3ton/Cll0タブレツトを作製した。このタブレ
フl−圧力60Kg/d、成形時間3分、成形温度17
0℃で成形し、ピエゾ素子法により応力。
00.軟化点70℃)100部、フェノールノボラック
(水酸基当1i105.軟化点90℃)55部、シリカ
粉末450部、2−ウンデシルイミダゾール2n、エス
テルワックス2部、3−グリシドキシグロビルトリメト
キシシラン4部に47フ化エチレンとエチレンの共重合
体の粉末1osを加えたものを熱ロール70〜90℃で
混練した。混練後6メツシ、バスのパウダーとし、圧力
3ton/Cll0タブレツトを作製した。このタブレ
フl−圧力60Kg/d、成形時間3分、成形温度17
0℃で成形し、ピエゾ素子法により応力。
曲げ弾性X、プレッシャークツカーテスト(PCT。
121℃、2atm、100*RH,24h)による吸
水藁全測定した。
水藁全測定した。
4フツ化エチレンとエチレンの共重合体を添加しなかっ
た他は実施例と同様の組成で同様の評価を行った0 表に実施例、比較例について、ピエゾ素子法による応力
、曲げ弾性本、PCTによる吸水!?示す。
た他は実施例と同様の組成で同様の評価を行った0 表に実施例、比較例について、ピエゾ素子法による応力
、曲げ弾性本、PCTによる吸水!?示す。
本発明によれば、表に示すごと(47)化エチレンとエ
チレンの共重合体を添加することにより耐湿性の劣化な
く応力を低減できるため、信頼性の高い半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られる。
チレンの共重合体を添加することにより耐湿性の劣化な
く応力を低減できるため、信頼性の高い半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1分子中に2個以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂1
00重量部に対し、 (1)一般式 〔CF_2−CF_2〕_m−〔CH_2−CH_2〕
_nで示される4フッ化エチレンとエチレンの共重合体
を0.1〜50重量部 (2)無機質充てん材200〜600重量部含むことを
特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22245686A JPS6377922A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22245686A JPS6377922A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6377922A true JPS6377922A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16782697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22245686A Pending JPS6377922A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6377922A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03154368A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH07312401A (ja) * | 1995-02-20 | 1995-11-28 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
SG110055A1 (en) * | 2003-06-11 | 2005-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Resin composition for mold cavity surface conditioning |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22245686A patent/JPS6377922A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03154368A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
JPH07312401A (ja) * | 1995-02-20 | 1995-11-28 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
SG110055A1 (en) * | 2003-06-11 | 2005-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Resin composition for mold cavity surface conditioning |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3469446B2 (ja) | 樹脂組成物およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
KR100547069B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 | |
JP2701695B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH0511125B2 (ja) | ||
JPH0618985B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH08157561A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPS62236821A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0657740B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS6377922A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0211654A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0564990B2 (ja) | ||
JPS59197421A (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
JPS63349A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0977958A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2593503B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPH09169891A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び無機充填材 | |
JPS62292828A (ja) | 半導体装置用封止組成物 | |
JPH0228213A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS6377927A (ja) | 半導体封止用成形材料 | |
KR101570558B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 | |
JPH01263112A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2541015B2 (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPS6377923A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS63348A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS6337127B2 (ja) |