JPS6377922A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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Publication number
JPS6377922A
JPS6377922A JP22245686A JP22245686A JPS6377922A JP S6377922 A JPS6377922 A JP S6377922A JP 22245686 A JP22245686 A JP 22245686A JP 22245686 A JP22245686 A JP 22245686A JP S6377922 A JPS6377922 A JP S6377922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
tetrafluoroethylene
stress
copolymer
Prior art date
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Pending
Application number
JP22245686A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Nakada
義弘 中田
Kota Nishii
耕太 西井
Azuma Matsuura
東 松浦
Yukio Takigawa
幸雄 瀧川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6377922A publication Critical patent/JPS6377922A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概賛〕 本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係り、特に
アルミ配線変形やバッジベージ冒ンク2ツクなどの原因
となる収縮応力を低(抑えた半導体封止用エポキシ樹脂
組成物に関する。
〔産業上の利用分野〕
1? IC,LSIのt子Φ品を封止する方法としては熱硬化
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。
これは樹脂を用いて封止する方法がガラス、金属。
セラミックを用いたハーメチックシール方式に比十亀 べて安価で量産生に優れているためである。
半導体封止用樹脂組成物の基材樹脂としては成形性、耐
湿性、電気的特性に優れ安価なエポキシ樹脂が一般的に
用いられる。
しかし、LSIの集積度増大に伴うチップの大型化およ
びパターンの微細化、高密度実装に伴うパッケージの小
型化により従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では
対応できない問題が生じてきた。丁なわち樹脂封止LS
Iは樹脂とSt−チツプい5熱膨張係数の異なる材料で
できているため、この材料間に応力が働きLSIが損傷
するということである。tこO応力はチップが大型にな
るほど大きくなり、パターンの微細化が進むほど損傷を
受けやすくなる。応力によろLSIの損傷モードとして
は、アルミ配線の変形や断線パッシベ−ジョンクラック
、パッケージクラ、りなどがある。このことからチップ
に加わる応力を低く抑えることのできる半導体封止用樹
脂の開発が必要となってきた。
〔従来の技術及び問題点〕
S1チツプが封止樹脂(硬化物)から受けろ応力(σ)
は荒い近似により次式により表されろ。
σ=に・α@E・・・・・・・・・・・・・・(1)K
:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 応力が(11式で近似できることから従来半導体封止用
樹脂の応力を低減する方法として、可とう性行与剤など
を添加してパッケージに柔軟性を持たせ弾性率を低下さ
せる方法が提案されてきた。しかし、この方法では硬化
した樹脂の耐湿性、耐熱a、高温電気特性および機械特
性が劣化するという欠点があった。
また応力の低減には(11式から硬化した樹脂の熱膨張
係数?下げることも有効な手段と考えられろ。
しかし、熱膨張係数を低下するために無機51してん剤
を多量に添加すると樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディ
ングワイヤーの変形・断線や、樹脂が金製内の隅々まで
行き届かない未充てんを生ずるなど成形時の作業性が著
しく劣化する。
すなわち、従来技術では応力を低減しようとすると耐湿
性などが劣化するなど、他の特性を劣化させることなく
応力を低減させる4ことは極めて困難であった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、1分子中
にエポキシ基2個以上を含むエポキシ樹脂100重量部
に対し、 (1)4フツ化エチレンとエチレンの共1合体0.1〜
50重量部 (2)無機質充てん剤   200〜600重′jlt
部含むことを特徴とする。
〔作用〕
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物はゴム弾性を
有する4フツ化エチレンとエチレンの共1合体を添加す
ることを特徴とする。これKより、硬化物の弾性at低
減でき応力を下げることができろ。また、4フツ化エチ
レンとエチレンの共重合体は、フッ素樹脂の特性を有す
るため耐湿性。
耐熱性の劣化のない組成物を得ることができる。
本発明において用いられろ4フツ化エチレンとエチレン
の共重合体は特に限定されないが好ましくはパウダー状
のものがより応力を低減できる。
これはパウダー状であると樹脂中Km島構造となって拡
散するからである。
本発明において使用されるエポキシ樹脂としては、1分
子中にエポキシ基t−2個以上含む多官能エポキシ樹脂
であればその他%に制限はないが。
耐湿性、耐熱性および機械的強度の点からクレゾールノ
ボラック型のものが好ましい。
また硬化剤としては、フェノールノボラック。
クレゾールノボラックなどに代表されるノボラック型フ
ェノール樹脂、ビスフェノールAなどの7エノール樹脂
、あるいは無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸な
どの酸無水物、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
フェニルエーテルナトのアミン化合物などがあげられる
。この中で耐湿性などの点からノボラック型フェノール
樹脂が好ましい。
本発明において使用される硬化促進剤Eしてはトリエタ
ノールアミン、テトラメチルペタンジアミン等の第3ア
ミン、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメチルアン
モニウムクロライドなどの第4級ア/モニウム塩、2−
メチルイミダゾール、2−クンデシリイミダゾール、2
−メチル−4−メチルイミダゾール、l−アジン−2−
メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物。
あるいはトリフェニルホスフィンなどのホスフィン化合
物、  トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト、トリエチルアミンテトラ忰フェニルボレート塩など
が挙げられるが、硬化反応を促進する作用がある物質で
あれば特に限定しな(・。
本発明において、無機質充てん材が使用されろ。
無機質充てん材としては、シリカ、アルミナ、炭酸カル
シウムなどが用いられろ。無機質光てん材の添加量は2
00〜600部が好ましい。
また、カップリング剤として3−グリシドキシプロビル
トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、ある
いはテトラオクチルビス(ホスファイト)チタネートな
どのチタン系カップリング剤を、離型剤としてカルバナ
ワックス、ステアリン酸およびその金属塩、モンクン酸
、エステルワックス等を、さらに難燃性を高めるために
臭素化工ぜキシ樹脂や三酸化アンチモンなどを、さらi
C顔料とじ℃カーボンブラックなどを添加しても差支え
な−・。
〔実施例〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
00.軟化点70℃)100部、フェノールノボラック
(水酸基当1i105.軟化点90℃)55部、シリカ
粉末450部、2−ウンデシルイミダゾール2n、エス
テルワックス2部、3−グリシドキシグロビルトリメト
キシシラン4部に47フ化エチレンとエチレンの共重合
体の粉末1osを加えたものを熱ロール70〜90℃で
混練した。混練後6メツシ、バスのパウダーとし、圧力
3ton/Cll0タブレツトを作製した。このタブレ
フl−圧力60Kg/d、成形時間3分、成形温度17
0℃で成形し、ピエゾ素子法により応力。
曲げ弾性X、プレッシャークツカーテスト(PCT。
121℃、2atm、100*RH,24h)による吸
水藁全測定した。
〔比較例〕
4フツ化エチレンとエチレンの共重合体を添加しなかっ
た他は実施例と同様の組成で同様の評価を行った0 表に実施例、比較例について、ピエゾ素子法による応力
、曲げ弾性本、PCTによる吸水!?示す。
〔発明の効果〕
本発明によれば、表に示すごと(47)化エチレンとエ
チレンの共重合体を添加することにより耐湿性の劣化な
く応力を低減できるため、信頼性の高い半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1分子中に2個以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂1
    00重量部に対し、 (1)一般式 〔CF_2−CF_2〕_m−〔CH_2−CH_2〕
    _nで示される4フッ化エチレンとエチレンの共重合体
    を0.1〜50重量部 (2)無機質充てん材200〜600重量部含むことを
    特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP22245686A 1986-09-19 1986-09-19 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS6377922A (ja)

Priority Applications (1)

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JP22245686A JPS6377922A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JP22245686A JPS6377922A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPS6377922A true JPS6377922A (ja) 1988-04-08

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ID=16782697

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JP22245686A Pending JPS6377922A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JP (1) JPS6377922A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03154368A (ja) * 1989-11-10 1991-07-02 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH07312401A (ja) * 1995-02-20 1995-11-28 Nitto Denko Corp 半導体装置
SG110055A1 (en) * 2003-06-11 2005-04-28 Sumitomo Bakelite Singapore Pt Resin composition for mold cavity surface conditioning

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03154368A (ja) * 1989-11-10 1991-07-02 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH07312401A (ja) * 1995-02-20 1995-11-28 Nitto Denko Corp 半導体装置
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