JPS6377927A - 半導体封止用成形材料 - Google Patents
半導体封止用成形材料Info
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- JPS6377927A JPS6377927A JP61222455A JP22245586A JPS6377927A JP S6377927 A JPS6377927 A JP S6377927A JP 61222455 A JP61222455 A JP 61222455A JP 22245586 A JP22245586 A JP 22245586A JP S6377927 A JPS6377927 A JP S6377927A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体対土用エポキシ樹脂組成物に係υ、竹
にアルミ配線変形やパッジベージランクラックなどの原
因となる収縮応力を低く抑えた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に関する。
にアルミ配線変形やパッジベージランクラックなどの原
因となる収縮応力を低く抑えた半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に関する。
ICを封止する方法としては熱硬化性樹脂を用いて封止
する方法が主流であり、その組成物の基材樹脂としては
、成形性、耐湿性、W気持性に優れ、安価なエポキシ樹
脂が最も一般的に用いられる0 しかし、ICの集積度増大に伴うチップの大型化および
配線の微細化などにより、従来の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物では対応でき逢い問題が生じてきた。すなわ
ち、樹脂封止ICは樹脂とSiチップなどの熱膨張係数
の異なる材料で構成されており、これら材料間に作動中
の発熱などによる応力が生じる。この応力によシ、アル
ミ配線の変形や断線、パッジページ舊ンクラックなどの
不良が生じる。
する方法が主流であり、その組成物の基材樹脂としては
、成形性、耐湿性、W気持性に優れ、安価なエポキシ樹
脂が最も一般的に用いられる0 しかし、ICの集積度増大に伴うチップの大型化および
配線の微細化などにより、従来の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物では対応でき逢い問題が生じてきた。すなわ
ち、樹脂封止ICは樹脂とSiチップなどの熱膨張係数
の異なる材料で構成されており、これら材料間に作動中
の発熱などによる応力が生じる。この応力によシ、アル
ミ配線の変形や断線、パッジページ舊ンクラックなどの
不良が生じる。
以上により、チップに加わる応力を低く抑えることので
きる半導体封止用樹脂の開発が必要となってきた。
きる半導体封止用樹脂の開発が必要となってきた。
従来、応力を低減する方法としては、架橋@度の低下、
充填材の増量による熱膨張係数の低下などの方法がある
が、これらの方法では耐湿性の劣下、樹脂成形ににおけ
る流動性低下によるワイヤーオープンなどの不良が生じ
る。
充填材の増量による熱膨張係数の低下などの方法がある
が、これらの方法では耐湿性の劣下、樹脂成形ににおけ
る流動性低下によるワイヤーオープンなどの不良が生じ
る。
〔間71点を解決するための手段〕
本発明の半導体対土用エポキシ樹脂組成物は、1分子中
にエポキシ基2個以上を含むエポキシ樹脂100ffi
i部に対して、 (1)アクリル酸エチルを主要骨格とし、さらにエポキ
シ基を含むモノマ金共重合したアクリルゴムを0.1〜
50重量部 (2)無機充填材200〜600重量部含むことを特徴
とする。
にエポキシ基2個以上を含むエポキシ樹脂100ffi
i部に対して、 (1)アクリル酸エチルを主要骨格とし、さらにエポキ
シ基を含むモノマ金共重合したアクリルゴムを0.1〜
50重量部 (2)無機充填材200〜600重量部含むことを特徴
とする。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、ゴム弾性
を有するアクリルゴムを添加することを特徴とする。こ
れによシ、硬化物の弾性率を低減でき応力を下げること
ができる。
を有するアクリルゴムを添加することを特徴とする。こ
れによシ、硬化物の弾性率を低減でき応力を下げること
ができる。
また、アクリルゴムは耐熱性にすぐれており、従って耐
熱性に優れた組成物を得ることができる。
熱性に優れた組成物を得ることができる。
本発明において、アクリルゴムの添加!には、0.1〜
50部添加するのが望ましい。これは0.1部以下では
添加効果が現れず50部以上では成形作業性が低下する
からである。
50部添加するのが望ましい。これは0.1部以下では
添加効果が現れず50部以上では成形作業性が低下する
からである。
本発明において用いられるアクリルゴムは特に限定され
ないが、好ましくはパウダー状のものがより応力を低減
できる。パウダー状であると樹脂中に海島構造となって
拡散するからである。
ないが、好ましくはパウダー状のものがより応力を低減
できる。パウダー状であると樹脂中に海島構造となって
拡散するからである。
本発明において使用されるエポキシ樹脂としては、1分
子中にエポキシ基t−2個以上含む多官能エポキシ樹脂
であれば、その他特に制限はないが、耐湿性、耐熱性お
よび機械的強度の点からタレゾールノボラック型のもの
が好ましい。
子中にエポキシ基t−2個以上含む多官能エポキシ樹脂
であれば、その他特に制限はないが、耐湿性、耐熱性お
よび機械的強度の点からタレゾールノボラック型のもの
が好ましい。
また、硬化剤としては、フェノールノボ2ツク。
クレゾールノボラック、ノニルノボラックなどに代表さ
れるノボラック型フェノール樹脂、ビスフェノールAな
どのフェノール樹脂、あるいは缶水7タル酸、無水テト
ラヒドロ7タル酸などの酸無水物、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルエーテルなどのアミン化合
物などが挙げられる。この中で耐湿性の面からノボラッ
ク型フェノール樹脂が好ましい。
れるノボラック型フェノール樹脂、ビスフェノールAな
どのフェノール樹脂、あるいは缶水7タル酸、無水テト
ラヒドロ7タル酸などの酸無水物、ジアミノジフェニル
メタン、ジアミノジフェニルエーテルなどのアミン化合
物などが挙げられる。この中で耐湿性の面からノボラッ
ク型フェノール樹脂が好ましい。
さらに、作業性を向上させるために反応性の高い硬化促
進剤を用いても差支えない。本発明において使用される
硬化促進剤としては、トリエタノールアミン、テトラメ
チルペンタンジアミン等の第3級アミン、セチルトリメ
チルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモ
ニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウムクロ
ライド。
進剤を用いても差支えない。本発明において使用される
硬化促進剤としては、トリエタノールアミン、テトラメ
チルペンタンジアミン等の第3級アミン、セチルトリメ
チルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモ
ニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウムクロ
ライド。
トリメチルアンモニウムクロライド等の第4級アンモニ
ウム塩、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミ
ダゾール、2−メチル−4−メチルイミダゾール、1−
アジン−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合
物、あるいはトリフェニルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン。
ウム塩、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミ
ダゾール、2−メチル−4−メチルイミダゾール、1−
アジン−2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合
物、あるいはトリフェニルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン。
トリブチルホスフィン、フェニルホスフィン等のホスフ
ィン化合物、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボ
レート、トリエチルアミンテトラフェニルボレート塩な
どが挙げられるが、硬化反応を促進する作用がある物質
であれば特に限定しない0 本発明において、無機質充填材が使用される。
ィン化合物、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボ
レート、トリエチルアミンテトラフェニルボレート塩な
どが挙げられるが、硬化反応を促進する作用がある物質
であれば特に限定しない0 本発明において、無機質充填材が使用される。
無機質充填材としては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシ
ウムなどが用いられる。無機質充填材の添加量は200
〜600部が好ましい。
ウムなどが用いられる。無機質充填材の添加量は200
〜600部が好ましい。
また、カップリング剤として3−グリシドキシグロビル
トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤あるい
はテトラオクチルビス(ホスファイト)チタネート等の
チタン系カップリング剤を、離型剤としてカルバナワッ
クス、ステアリン酸およびその金属塩、モンタン酸、エ
ステルワックス等をまたホスファゼン化合物は難燃剤と
しても効果があるが、さらに難燃性を高めるために臭素
化エポキシ樹脂や、三酸化アンチモン等をさらに顔料と
してカーボンブラツク等を添加するのも差支えない。
トリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤あるい
はテトラオクチルビス(ホスファイト)チタネート等の
チタン系カップリング剤を、離型剤としてカルバナワッ
クス、ステアリン酸およびその金属塩、モンタン酸、エ
ステルワックス等をまたホスファゼン化合物は難燃剤と
しても効果があるが、さらに難燃性を高めるために臭素
化エポキシ樹脂や、三酸化アンチモン等をさらに顔料と
してカーボンブラツク等を添加するのも差支えない。
クレゾールノボラック凰エポキシ樹脂(エボキシ当量1
95.軟化点70℃) 100部、フェノールノボラッ
ク(水酸基当量105.軟化点95℃)55部、シリカ
粉末430部、エステルワックス2部。
95.軟化点70℃) 100部、フェノールノボラッ
ク(水酸基当量105.軟化点95℃)55部、シリカ
粉末430部、エステルワックス2部。
3−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン4部に粉
末状のアクリルゴム10部を加えたもの全熱ロール70
〜90℃で混練した0混線後、粉砕し圧力3ton/c
r/lにてタプレッlt−作製した。
末状のアクリルゴム10部を加えたもの全熱ロール70
〜90℃で混練した0混線後、粉砕し圧力3ton/c
r/lにてタプレッlt−作製した。
このタプレ、トヲ圧力60#f/d、成形時間3分、成
形温度170℃でピエゾ素子を16 pin Dip屋
に成形し、その起電圧により応力を求めた。また、曲げ
弾性率を求めた。
形温度170℃でピエゾ素子を16 pin Dip屋
に成形し、その起電圧により応力を求めた。また、曲げ
弾性率を求めた。
本実施例に用いたアクリルゴムは、一般式%式%
11mは20〜500の整数
n は 2〜10の整数
〔比較例〕
実施例において、アクリルゴムを添加しない組成物を作
製し、同様の評価を行った。
製し、同様の評価を行った。
表に実施例、比較例についてピエゾ素子法による応力、
および曲げ弾性率を示す。
および曲げ弾性率を示す。
表
〔発明の効果〕
本発明によれば、樹脂の収縮応力が低減し、信頼性の高
い電子部品を得ることができる。
い電子部品を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1分子中にエポキシ基を2個以上含むエポキシ樹脂10
0重量部に対して、 (1)アクリル酸エチルを主要骨格とし、さらにエポキ
シ基を含むモノマを共重合したアクリルゴムを0.1〜
50重量部、 (2)無機充填材200〜600重量部、 を含むことを特徴とした半導体封止用成形材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61222455A JPS6377927A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61222455A JPS6377927A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用成形材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6377927A true JPS6377927A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16782681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61222455A Pending JPS6377927A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用成形材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6377927A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
EP0717073A3 (de) * | 1994-12-13 | 1996-11-20 | Ciba Geigy Ag | Core/Shell-Zähigkeitsvermittler enthaltende härtbare Epoxidharz-Giessmassen |
US6187374B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-02-13 | Xim Products, Inc. | Coatings with increased adhesion |
JP2008266513A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板、接着層付金属箔、フィルムシート及びこれらを使用したプリント配線板 |
KR20170051537A (ko) * | 2009-03-27 | 2017-05-11 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그, 지지체 부착 절연 필름, 적층판 및 인쇄 배선판 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61222455A patent/JPS6377927A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0417787A2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-03-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multimold semiconductor device and the manufacturing method therefor |
EP0717073A3 (de) * | 1994-12-13 | 1996-11-20 | Ciba Geigy Ag | Core/Shell-Zähigkeitsvermittler enthaltende härtbare Epoxidharz-Giessmassen |
US6187374B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-02-13 | Xim Products, Inc. | Coatings with increased adhesion |
JP2008266513A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板、接着層付金属箔、フィルムシート及びこれらを使用したプリント配線板 |
KR20170051537A (ko) * | 2009-03-27 | 2017-05-11 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그, 지지체 부착 절연 필름, 적층판 및 인쇄 배선판 |
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