JPS63189421A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS63189421A
JPS63189421A JP2050787A JP2050787A JPS63189421A JP S63189421 A JPS63189421 A JP S63189421A JP 2050787 A JP2050787 A JP 2050787A JP 2050787 A JP2050787 A JP 2050787A JP S63189421 A JPS63189421 A JP S63189421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
parts
resin
inorganic filler
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2050787A
Other languages
English (en)
Inventor
Azuma Matsuura
東 松浦
Kota Nishii
耕太 西井
Yukio Takigawa
幸雄 瀧川
Yoshihiro Nakada
義弘 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2050787A priority Critical patent/JPS63189421A/ja
Publication of JPS63189421A publication Critical patent/JPS63189421A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ノボラック型エポキシ樹脂を基材樹脂とし、組成物全量
に対して無機質充填材を50〜85重量%含む半導体封
止用エポキシ樹脂組成物において、基材樹脂100重盪
部(以下部と言う)に対して、(1)フェノール系硬化
剤25〜75部(2)ホスフィン系硬化促進剤0.5〜
5部および(3)カップリング剤0.1〜15部 を含み、かつ無機質充填材全量に対して、粒径0、1〜
2.0μmの球状無機質充填材を10重量%以上含むこ
とを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物、特にアルミ
ニウム配線の変形、パッシベーションクラック、パッケ
ージクランクなどの原因となる応力を低く抑え、かつ耐
湿性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
〔従来の技術〕
IC5LSIの電子部品を封止する方法としては熱硬化
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。この方法が
ガラス、金属、セラミックスのカバーを用いるハーメチ
ックシール方式に比べて安価で量産性に優れているため
である。半導体装置用樹脂組成物の基材樹脂としては、
成形性、耐湿性および電気特性に優れ、安価なエポキシ
樹脂が最も一殴的に用いられている。
しかし、LSIの集積度増大に伴うチップの大型化およ
びパターンの微細化、高密度実装に伴うパッケージの小
型化により、従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
は対応できない問題が生じてきた。すなわち、樹脂封止
LSIは、樹脂とSiチップという熱膨張係数の異なる
材料でできているために、これらの材料間に応力が働き
LSIが損傷するという問題である。この応力はチップ
が大型になるほど大きくなり、パターンの微細化が進む
ほど損傷を受けやすくなる。応力による樹脂封止LSI
の損傷モードとしては、アルミニウム配線の変形や断線
、パフシベーションクラソク、パッケージタラワクなど
がある。
このことから、チップに加わる応力を低く抑えることの
できる半導体封止用樹脂の開発が必要となってきた。
Siチップが封止樹脂(硬化物)から受ける応力(σ)
は、粗い近似により次式で表される。
σ=k・α・E−Tg・・・(1) k:比例定数 α:封止樹脂の熱膨張係数 E:封止樹脂の弾性率 Tg:封止樹脂のガラス転移温度 これより、半導体封止用樹脂の応力を低減する方法とし
て、 (a)熱膨張係数を下げる。
(b)弾性率を下げる。
(c)ガラス転移温度を下げる。
の3種類の方法が考えられる。しかし、このうちで封止
樹脂のガラス転移温度を下げると応力は減少するものの
、耐湿性、耐熱性および機械特性などの劣化を来すこと
から、本質的に低応力化の手段としては、(a)および
(b)が考えられる。
たとえば、硬化した樹脂の熱膨張係数を下げる有効な手
段として、無機質充填材を多量に添加することが考えら
れるが、無機質充填材を多量に添加すると、熱膨張係数
は低下するものの、樹脂の溶融粘度が上昇し、ボンディ
ングワイヤの変形・断線や、樹脂が金型内の隅々まで行
き届かない未充填を生ずるなど、成形時の作業性が著し
く劣化する。
また、封止樹脂の弾性率を低下させる手段としては、ゴ
l、のような可撓性付与剤を添加する方法が提案されて
いる。しかしこの方法では、硬化した樹脂のガラス転移
温度を低下させるが、耐湿性、耐熱性、機械特性および
高温電気特性が劣化するという欠点がある。また、ガラ
ス転移温度を低下させずに弾性率を低減させる方法とし
てシリコーンの添加があるが、シリコーンは透湿性が大
きいので耐湿性が劣化したり、捺印用インクをはじくな
どの不良が生じる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
封止樹脂組成物と半m体チップとの間の応力を低減しよ
うとすると、耐湿性などが劣化するなどの欠点を伴ない
、他の特性を劣化させることなく応力を低減させること
は極めて困難である。
〔問題を解決するためのL段〕
上記問題点は、ノボラック型エポキシ(二1孔を基材樹
脂とし、組成物全量に対して無機質光1:i +4を5
0〜85重量%含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
おいて、基材樹脂100ffii部(以下部と言う)に
対して、 (1)フェノール系硬化剤25〜75部(2)ホスフィ
ン系硬化促進剤0.5〜5部および(3)カップリング
剤0.1〜15部 を含み、かつ無機質充填材全量に対して、粒径0.1〜
2.0μmの球状無機質充填材を10重置部以上含むこ
とを特徴とする、エポキシ樹脂組成物によって解決する
ことができる。
〔作 用〕
本発明において最大の特徴は、球状でしかも粒径が0.
1〜2μmと小さい無機質充填材を、無機質充填材全量
に対して10重量%以上含むことにある。粒径が上記範
囲内にあるとき組成物の溶融粘度が最も低下するからで
ある。この粒径の球状無機質充填材の添加量が、無機質
充填材全体に対し、10重量%より少ないと、組成物の
溶融粘度は低下するが、10重量%以上添加したものに
比べて応力が高いからである。また、無機質充填材の添
加量は組成物全体の50〜85重量%の範囲内とする。
この理由は、無機質充填材の添加量が50重量%より少
ないと、熱伝導性や機械特性が低下するばかりか、パリ
の流出など作業性の低下も著しく、85重量%より多い
と溶融粘度が増大し、゛ ボンディングワイヤの変形・
断線を引き起こす可能性が生じるからである。
従来の技術でも述べた通り熱膨張係数を下げるために無
機質充填材を多量に加えると組成物の溶融粘度が増加す
るという問題があった。この問題について検討を重ねた
結果、用いる無機質充填材として球状で粒径が小さい無
機質充填材を添加すると溶融粘度が低下することが判明
した。球状無機質充填材微粉を添加することにより、溶
融粘度を上げずに充填材を増量することができるので、
応力を低減できるばかりでなく、組成物全体の樹脂量が
減るので、吸湿性が小さくなり耐湿性が向上するという
一石二鳥の利点がある。
・ 無機質充填材としては、シリカ、アルミナ、炭酸カ
ルシウムなどが用いられるが、熱膨張係数を低減するた
めにはシリカ粉末が好ましい。
基材樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂であれば
、特に制限はないが、耐湿性、耐熱性および機械的強度
の点からタレゾールノボラック型のものが好ましい。
硬化剤としては、耐湿性、機械特性、耐熱性などの面か
らエポキシ樹脂100部に対し、25〜75部のフェノ
ール系樹脂を使用する。フェノール系硬化剤には、フェ
ノールノボラック、タレゾールノボラック、ノニルフェ
ノールノボラソクなどに代表されるノボラック型フェノ
ール樹脂の他に、ビスフェノールAなどが挙げられるが
、耐湿性の面からノボラック型フェノール樹脂が好まし
い。
また、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させるため
にホスフィン系硬化促進剤を065〜5部用いることが
必須である。0.5部より少ないと、硬化を促進させる
作用が弱くて、硬化時間が長くなる。また、5部より多
いと、封止樹脂の硬化時間が短くなりすぎる。エポキシ
樹脂とフェノール系硬化剤との反応における硬化促進剤
としては、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニル
ホスフィン、トリブチルホスフィン、フェニルホスフィ
ン等のホスフィンの化合物の他に、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルペンタンジアミン等の第3級アミン、
セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルトリ
メチルアンモニウムクロライド、トリメチルアンモニウ
ムクロライド等の第4級アンモニウム塩;2−メチルイ
ミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−メチル
−4−エチルイミダゾール、2.4−ジアミノ−6−〔
2′−メチルイミダゾリル−(1’))エチル−8−ト
リアジン等のイミダゾール化合物;あるいはトリフェニ
ルホスフィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミ
ンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボレート
塩などが挙げられる。
これらの硬化促進剤は、いずれも親水基を有し、封止樹
脂の耐湿性を劣化させることが考えられるが、この中で
、ホスフィン系硬化促進剤を用いたときが最も耐湿性に
優れていることがわかった。
ホスフィン系硬化促進剤は、上記に示したもの、すなわ
ち、トリフェニルホスフィン・メチルジフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、フェニルホスフィン、ト
リフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどであ
るが、耐湿性、作業性の点からトリフェニルホスフィン
が好ましい。しかし、本発明においては、エポキシ樹脂
と硬化剤との反応を促進させる作用があるホスフィン系
物質であれば特に限定しない。
また、樹脂の耐湿性を向上させるために、カップリング
剤として3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
等のシラン系カップリング剤あるいはテトラオクチルビ
ス(ジトリデシルホスファイト)チタネート等のチタン
系カップリング剤を添加することが必須となる。カップ
リング剤□の添加量は使用する無機質充填材の量および
比表面積およびカップリング剤の最小被覆面積にもよる
が、0.1〜15部を使用する。0.1部より少ないと
耐湿性が向上せず、15部より多くしても耐湿性は変ら
ない。
なお、離型剤としてカルナバワックス、ステアリン酸お
よびその金属塩、モンタンワックス等を、難燃剤として
臭素化エポキシ樹脂や、三酸化アンチモン等を、顔料と
してカーボンブラックなどを、添加するも差支えない。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記の成
分を、ロール、ニーダ−、エクストルーダー等の常用の
手段を用いて調製することができる。
〔実施例〕
使用した原材料は、次の通りである。
・エポキシ樹脂;エポキシ当量202、軟化点70℃の
クレゾールノボクツ ク型エポキシ樹脂(大日本イ ンキ化学工業側、エピクロン N−665−EXP) ・硬化剤:水酸基当量103、軟化点81℃のフェノー
ルノボラック(大日本イン キ化学工業■、バーカムTD−2131)・硬化促進剤
Aニトリフェニルホスフィン(和光純薬工業側) ・硬化促進剤Bl、4−ジアミノ−6−〔2′−メチル
イミダゾリル −(1’))エチル−8−ト リアジン(四国化成H2NZ− AZrNE) ゛・充填材Aニジリカ(平均粒径0.5μmの球状微粉
10wt%) ・充填材Bニジリカ(平均粒径0.5μmの球状微粉1
5鍔t%) ・充填材Cニジリカ(平均粒径0.5μmの球状微粉2
0−t%) ・充填材Dニジリカ(平均粒径0.5μmの球状微粉5
eet%) ・充填材Eニジリカ(球状微粉Owt%)・カップリン
グ剤:3−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン(
チッ ソllS−510) ・離型剤:エステルワックス(ヘキストジャパン■へキ
ストワックスE) ・難燃剤:臭素化エポキシ樹脂 ・難燃助剤:三酸化アンチモン ・顔料:カーボンブラ・ツク これらの成分を加圧双腕ニーダで混練することにより調
製し、試験片の作製は以下のように行った。
まず、混純により得られた組成物を8メツシユバスの粉
末とし、次に2Lon/c++1でφ35闘のタブレッ
トとした。このタブレットをトランスファー成形(17
5℃、60 kg / cd、2.5 m1n) シた
ものを175℃、8hの条件でアフターキエアした。
このようにして得られた組成物の試験片について、特性
評価を以下の方法で行った。
曲げ弾性率:  JIS K 6911熱膨張係数:T
MA(熱機械試験a)法ガラス転移温度:TMA(熱機
械試験機)法吸水率:PCT(プレッシャークツカーテ
スト=121’Cl2at+n 、  100%RH,
168h )による試験片の重量増加 パイプ応カニ特願昭60−250258号で示される半
導体封止用樹脂の応力測定方法で あって、パイプの周りに樹脂のデ ィスクを成形し硬化させた後、パ イブの内部に歪みゲージを取付け、 樹脂を取り外し、その前後の歪み を比較する。
本発明における実施例および比較例の結果を第1表に示
す。
第1表によればいずれの実施例においても、比較例と比
べて低応力化と耐湿性を共に満足していることがわかる
以下余白 〔発明の効果〕 本発明によれば、低応力で耐湿性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ノボラック型エポキシ樹脂を基材樹脂とし、組成物
    全量に対して無機質充填材を50〜85重量%含む半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物において、基材樹脂100
    重量部(以下部と言う)に対して、(1)フェノール系
    硬化剤25〜75部(2)ホスフィン系硬化促進剤0.
    5〜5部および(3)カップリング剤0.1〜15部を
    含み、かつ無機質充填材全量に対して、粒径0.1〜2
    .0μmの球状無機質充填材を10重量%以上含むこと
    を特徴とする、エポキシ樹脂組成物。
JP2050787A 1987-02-02 1987-02-02 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPS63189421A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2050787A JPS63189421A (ja) 1987-02-02 1987-02-02 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2050787A JPS63189421A (ja) 1987-02-02 1987-02-02 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63189421A true JPS63189421A (ja) 1988-08-05

Family

ID=12029074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2050787A Pending JPS63189421A (ja) 1987-02-02 1987-02-02 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63189421A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01294765A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Nippon Retsuku Kk エポキシ樹脂組成物
JPH02110126A (ja) * 1988-10-19 1990-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置
JPH04351630A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd フリップチップ用封止材及び半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01294765A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Nippon Retsuku Kk エポキシ樹脂組成物
JPH02110126A (ja) * 1988-10-19 1990-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置
JPH04351630A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd フリップチップ用封止材及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0697325A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US20080064791A1 (en) Epoxy Resin Composition and Semiconductor Device
JPH08134179A (ja) 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及びそれを用いた半導体装置
JPH04342719A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH10212395A (ja) 樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JPH07278415A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP2006233016A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPWO2004085511A1 (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JP4967353B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH06345847A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4418165B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JPH05259316A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS63230725A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS63189421A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP4797243B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH08157696A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006002040A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP4835851B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005290111A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体装置
JPS6375025A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH08337634A (ja) エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPS6377927A (ja) 半導体封止用成形材料
JP2005281624A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体装置
KR100413357B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2643547B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物