JPH04351630A - フリップチップ用封止材及び半導体装置 - Google Patents
フリップチップ用封止材及び半導体装置Info
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- JPH04351630A JPH04351630A JP3153943A JP15394391A JPH04351630A JP H04351630 A JPH04351630 A JP H04351630A JP 3153943 A JP3153943 A JP 3153943A JP 15394391 A JP15394391 A JP 15394391A JP H04351630 A JPH04351630 A JP H04351630A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は保存安定性、充填性が良
好であり、また、耐湿性等に優れた硬化物を与えるフリ
ップチップ用封止材及び該封止材の硬化物で封止された
半導体装置に関する。
好であり、また、耐湿性等に優れた硬化物を与えるフリ
ップチップ用封止材及び該封止材の硬化物で封止された
半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】液状エ
ポキシ樹脂及びこれに無機質充填剤等を配合した液状エ
ポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べて
成形性、接着性、電気特性、機械的特性等に優れている
ため、フリップチップ用封止材として使用されることが
多い。かかるエポキシ樹脂組成物は主剤と硬化剤を別梱
包とし、使用直前に混合する二成分型のものと、主剤、
硬化剤が予め均一混合されている一成分型のものとに分
かれるが、使い易いため、後者の一成分型が主流となっ
ている。この場合、従来のフリップチップ用封止材とし
ての一成分型エポキシ樹脂組成物は、製造してから使用
されるまでの長期間の保存安定性が必要なため、硬化剤
として酸無水物が用いられるのが一般的であり、酸無水
物以外の硬化剤を用いた場合、一成分型としての保存安
定性に劣ってしまう。
ポキシ樹脂及びこれに無機質充填剤等を配合した液状エ
ポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べて
成形性、接着性、電気特性、機械的特性等に優れている
ため、フリップチップ用封止材として使用されることが
多い。かかるエポキシ樹脂組成物は主剤と硬化剤を別梱
包とし、使用直前に混合する二成分型のものと、主剤、
硬化剤が予め均一混合されている一成分型のものとに分
かれるが、使い易いため、後者の一成分型が主流となっ
ている。この場合、従来のフリップチップ用封止材とし
ての一成分型エポキシ樹脂組成物は、製造してから使用
されるまでの長期間の保存安定性が必要なため、硬化剤
として酸無水物が用いられるのが一般的であり、酸無水
物以外の硬化剤を用いた場合、一成分型としての保存安
定性に劣ってしまう。
【0003】しかしながら、酸無水物を用いたエポキシ
樹脂組成物は吸湿し易いため、この吸湿により体積膨張
が起こり、フリップチップとしての特性、特にハンダバ
ンプとリード界面の抵抗値を増大させてしまうという問
題がある。
樹脂組成物は吸湿し易いため、この吸湿により体積膨張
が起こり、フリップチップとしての特性、特にハンダバ
ンプとリード界面の抵抗値を増大させてしまうという問
題がある。
【0004】また、硬化時の熱変化やフリップチップ使
用環境下での熱変化によりハンダバンプとリード界面の
抵抗値増大という問題があり、更に、フリップチップ封
止では通常20〜100μmの隙間に封止材を充填しな
ければならないが、その粘度が高すぎたり、チクソ性が
高すぎたりして完全な充填が妨げられる場合が多い。
用環境下での熱変化によりハンダバンプとリード界面の
抵抗値増大という問題があり、更に、フリップチップ封
止では通常20〜100μmの隙間に封止材を充填しな
ければならないが、その粘度が高すぎたり、チクソ性が
高すぎたりして完全な充填が妨げられる場合が多い。
【0005】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
保存安定性、充填性が良好であり、また、耐湿性等に優
れた硬化物を与える一成分型のフリップチップ用封止材
及び該封止材で封止された半導体装置を提供することを
目的とする。
保存安定性、充填性が良好であり、また、耐湿性等に優
れた硬化物を与える一成分型のフリップチップ用封止材
及び該封止材で封止された半導体装置を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(A)1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂に
加えて、低応力化剤として (B)アルケニル基含有エポキシ樹脂のアルケニル基に
下記式(1)で示される有機けい素化合物の≡SiH基
が付加されてなるシリコーン変性エポキシ樹脂、
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(A)1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂に
加えて、低応力化剤として (B)アルケニル基含有エポキシ樹脂のアルケニル基に
下記式(1)で示される有機けい素化合物の≡SiH基
が付加されてなるシリコーン変性エポキシ樹脂、
【00
07】
07】
【化2】
(但し、式中Rは置換又は非置換の一価炭化水素基又は
アルコキシ基を示し、a及びbは0.01≦a≦1,1
≦b≦3で示される数である。また、1分子中のけい素
原子の数は20〜400の整数であり、1分子中のけい
素原子に直結した水素原子の数は1以上の整数である。 )を配合すると共に、これらのエポキシ樹脂の硬化剤と
して (C)上記(A)成分のエポキシ樹脂に対する25℃に
おける溶解度が0.1%以下のイミダゾール化合物を配
合し、また、無機質充填剤として (D)平均粒径10μm以下で30μm以上の粗粒含有
率が0.5%以下の溶融シリカを配合し、かつ得られる
組成物の25℃における粘度を4000ポイズ以下とし
た場合、得られる一成分型の組成物は保存安定性、充填
剤が良好であり、しかも耐湿性等に優れた硬化物を与え
るため、フリップチップ用封止材として優れたものであ
ることを見い出し、本発明をなすに至ったものである。
アルコキシ基を示し、a及びbは0.01≦a≦1,1
≦b≦3で示される数である。また、1分子中のけい素
原子の数は20〜400の整数であり、1分子中のけい
素原子に直結した水素原子の数は1以上の整数である。 )を配合すると共に、これらのエポキシ樹脂の硬化剤と
して (C)上記(A)成分のエポキシ樹脂に対する25℃に
おける溶解度が0.1%以下のイミダゾール化合物を配
合し、また、無機質充填剤として (D)平均粒径10μm以下で30μm以上の粗粒含有
率が0.5%以下の溶融シリカを配合し、かつ得られる
組成物の25℃における粘度を4000ポイズ以下とし
た場合、得られる一成分型の組成物は保存安定性、充填
剤が良好であり、しかも耐湿性等に優れた硬化物を与え
るため、フリップチップ用封止材として優れたものであ
ることを見い出し、本発明をなすに至ったものである。
【0008】従って、本発明は上記(A)〜(D)成分
を必須成分とする25℃における粘度が4000ポイズ
以下のフリップチップ用封止材及び該封止材の硬化物で
封止した半導体装置を提供する。
を必須成分とする25℃における粘度が4000ポイズ
以下のフリップチップ用封止材及び該封止材の硬化物で
封止した半導体装置を提供する。
【0009】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明の封止材を構成する(A)成分のエポキシ樹
脂は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ
樹脂であって、このエポキシ樹脂は後述するような硬化
剤によって硬化させることが可能な限り分子構造、分子
量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のも
のを使用することができ、これには例えばエピクロルヒ
ドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック
樹脂とから合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂或いは塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。
と、本発明の封止材を構成する(A)成分のエポキシ樹
脂は1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ
樹脂であって、このエポキシ樹脂は後述するような硬化
剤によって硬化させることが可能な限り分子構造、分子
量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のも
のを使用することができ、これには例えばエピクロルヒ
ドリンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック
樹脂とから合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂或いは塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。
【0010】これらのうちで、常温で液状の組成物を得
るためには通常ビスフェノールA又はビスフェノールF
のグリシジルエーテル誘導体が好適に用いられ、これら
は25℃における粘度が500ポイズ以下であることが
好ましい。
るためには通常ビスフェノールA又はビスフェノールF
のグリシジルエーテル誘導体が好適に用いられ、これら
は25℃における粘度が500ポイズ以下であることが
好ましい。
【0011】なお、上記エポキシ樹脂は、その使用にあ
っては必ずしも1種類のみの使用に限定されるものでは
なく、2種もしくはそれ以上を混合して使用してもよい
。
っては必ずしも1種類のみの使用に限定されるものでは
なく、2種もしくはそれ以上を混合して使用してもよい
。
【0012】また、上記エポキシ樹脂の使用に際して、
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差し支えなく
、このモノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、
シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチル
グリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェ
ニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、
オクチレンオキシド、ドデセンオキシドなどが例示され
る。
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差し支えなく
、このモノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、
シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチル
グリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェ
ニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、
オクチレンオキシド、ドデセンオキシドなどが例示され
る。
【0013】本発明のフリップチップ用封止材に配合す
る(B)成分のシリコーン変性エポキシ樹脂は低応力化
に有効であり、アルケニル基含有エポキシ樹脂のアルケ
ニル基に下記式(1)で示される有機けい素化合物の≡
SiH基が付加されてなるものを使用する。
る(B)成分のシリコーン変性エポキシ樹脂は低応力化
に有効であり、アルケニル基含有エポキシ樹脂のアルケ
ニル基に下記式(1)で示される有機けい素化合物の≡
SiH基が付加されてなるものを使用する。
【0014】
【化3】
(但し、式中Rは置換又は非置換の一価炭化水素基又は
アルコキシ基を示し、a及びbは0.01≦a≦1,1
≦b≦3で示される数である。また、1分子中のけい素
原子の数は20〜400の整数であり、1分子中のけい
素原子に直結した水素原子の数は1以上の整数である。 )
アルコキシ基を示し、a及びbは0.01≦a≦1,1
≦b≦3で示される数である。また、1分子中のけい素
原子の数は20〜400の整数であり、1分子中のけい
素原子に直結した水素原子の数は1以上の整数である。 )
【0015】ここで、アルケニル基含有エポキシ樹脂と
しては、アルケニル基含有フェノール樹脂をエピクロロ
ヒドリンによりエポキシ化したり、従来公知のエポキシ
樹脂に2−アリルフェノール等を部分的に反応させたり
することなどにより得ることができ、具体的には下記式
(2)〜(4)の化合物などが挙げられる。
しては、アルケニル基含有フェノール樹脂をエピクロロ
ヒドリンによりエポキシ化したり、従来公知のエポキシ
樹脂に2−アリルフェノール等を部分的に反応させたり
することなどにより得ることができ、具体的には下記式
(2)〜(4)の化合物などが挙げられる。
【0016】
【化4】
(但し、上記式(2)〜(4)において、p,qは通常
1≦p≦10,1≦q≦3で示される整数を表す。)
1≦p≦10,1≦q≦3で示される整数を表す。)
【
0017】また、上記式(1)で示されるオルガノポリ
シロキサンとしては、1分子中に少なくとも1個の≡S
iH基を持つものであればよいが、特に両末端ハイドロ
ジェンメチルポリシロキサン、両末端ハイドロジェンメ
チルフェニルポリシロキサン、両末端ハイドロジェンメ
チル・(2−トリメトキシシリルエチル)ポリシロキサ
ンが好適である。
0017】また、上記式(1)で示されるオルガノポリ
シロキサンとしては、1分子中に少なくとも1個の≡S
iH基を持つものであればよいが、特に両末端ハイドロ
ジェンメチルポリシロキサン、両末端ハイドロジェンメ
チルフェニルポリシロキサン、両末端ハイドロジェンメ
チル・(2−トリメトキシシリルエチル)ポリシロキサ
ンが好適である。
【0018】具体的には下記(5)〜(9)の化合物な
どが挙げられる。
どが挙げられる。
【0019】
【化5】
【0020】上記式(1)で表わされるオルガノポリシ
ロキサンの重合度は20〜400、特に30〜200の
範囲にあることが好ましい。重合度が20未満では十分
な可撓性を付与することも高いガラス転移点を得ること
もできない場合があり、また重合度が400を超える場
合には共重合体を得ることが合成技術上極めて困難であ
り、仮りに共重合体が得られたとしても容易に分散させ
ることができない場合がある。一般に、オルガノポリシ
ロキサンは、同一シリコーン含有量の場合、重合度が大
きくなるに従って耐クラック性、高ガラス転移点化には
好結果を与えることができるが、分散性、粒子との密着
性が低下する傾向がある。この分散性、素子との密着性
を改良するために、例えば上記式(9)で示されるよう
な側鎖に下記に示すような基を導入することが有効であ
り、望ましい。
ロキサンの重合度は20〜400、特に30〜200の
範囲にあることが好ましい。重合度が20未満では十分
な可撓性を付与することも高いガラス転移点を得ること
もできない場合があり、また重合度が400を超える場
合には共重合体を得ることが合成技術上極めて困難であ
り、仮りに共重合体が得られたとしても容易に分散させ
ることができない場合がある。一般に、オルガノポリシ
ロキサンは、同一シリコーン含有量の場合、重合度が大
きくなるに従って耐クラック性、高ガラス転移点化には
好結果を与えることができるが、分散性、粒子との密着
性が低下する傾向がある。この分散性、素子との密着性
を改良するために、例えば上記式(9)で示されるよう
な側鎖に下記に示すような基を導入することが有効であ
り、望ましい。
【0021】
【化6】
【0022】本発明のエポキシ樹脂組成物に配合する共
重合体は、上記アルケニル基含有エポキシ樹脂と式(1
)の≡SiH基を持つオルガノポリシロキサンとを従来
公知の付加触媒、例えば塩化白金酸のような白金系触媒
の存在下で加熱反応させることによって得ることができ
る。
重合体は、上記アルケニル基含有エポキシ樹脂と式(1
)の≡SiH基を持つオルガノポリシロキサンとを従来
公知の付加触媒、例えば塩化白金酸のような白金系触媒
の存在下で加熱反応させることによって得ることができ
る。
【0023】(B)成分のシリコーン変性エポキシ樹脂
の配合量は、特に制限されないが、(A)成分のエポキ
シ樹脂100部(重量部、以下同様)に対して0.5〜
60部、特に2〜50部とすることが好ましい。0.5
部未満の配合量では目的とする十分な低応力性が得られ
ない場合があり、一方60部を超える配合量では得られ
た組成物の機械的強度が不十分となる場合がある。
の配合量は、特に制限されないが、(A)成分のエポキ
シ樹脂100部(重量部、以下同様)に対して0.5〜
60部、特に2〜50部とすることが好ましい。0.5
部未満の配合量では目的とする十分な低応力性が得られ
ない場合があり、一方60部を超える配合量では得られ
た組成物の機械的強度が不十分となる場合がある。
【0024】(C)成分のイミダゾール化合物は、エポ
キシ樹脂の硬化剤となるもので、本発明においては(A
)成分のエポキシ樹脂に対する25℃における溶解度が
0.1%以下のものを使用する。即ち、25℃又はこれ
以下の低温においてはエポキシ樹脂にほとんど溶解しな
いため、硬化剤としての働きをせず、保存安定性が良好
となるものである。
キシ樹脂の硬化剤となるもので、本発明においては(A
)成分のエポキシ樹脂に対する25℃における溶解度が
0.1%以下のものを使用する。即ち、25℃又はこれ
以下の低温においてはエポキシ樹脂にほとんど溶解しな
いため、硬化剤としての働きをせず、保存安定性が良好
となるものである。
【0025】かかるイミダゾール化合物としては一般的
に高融点のイミダゾール化合物又はマイクロカプセル品
を使用することができる。具体的には、例えば2−フェ
ニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−
フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール、2,4−ジアミノ−6〔2’−ウンデシルイミダ
ゾリル−(1)’〕エチル−S−トリアジン、2−フェ
ニル−4−ベンジル−5−ヒドロキシメチルイミダゾー
ルなどを挙げることができる。
に高融点のイミダゾール化合物又はマイクロカプセル品
を使用することができる。具体的には、例えば2−フェ
ニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−
フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール、2,4−ジアミノ−6〔2’−ウンデシルイミダ
ゾリル−(1)’〕エチル−S−トリアジン、2−フェ
ニル−4−ベンジル−5−ヒドロキシメチルイミダゾー
ルなどを挙げることができる。
【0026】また、マイクロカプセル品としては、各種
イミダゾール化合物を封入したものでよく、例えば旭化
成社製の商品名HX−3721、HX−3741等が挙
げられる。
イミダゾール化合物を封入したものでよく、例えば旭化
成社製の商品名HX−3721、HX−3741等が挙
げられる。
【0027】(C)成分の配合量は、(A)成分のエポ
キシ樹脂100部に対して0.5〜20部、特に2〜1
0部の範囲とすることが好ましい。0.5部未満の配合
量では十分な硬化性が得られない場合があり、20部を
超える配合量では得られる組成物の粘度が高くなりすぎ
るおそれがある。
キシ樹脂100部に対して0.5〜20部、特に2〜1
0部の範囲とすることが好ましい。0.5部未満の配合
量では十分な硬化性が得られない場合があり、20部を
超える配合量では得られる組成物の粘度が高くなりすぎ
るおそれがある。
【0028】(D)成分の溶融シリカは本発明の組成物
より得られる硬化物の膨張係数を低減させるために必要
なものであり、本発明においては平均粒径が10μm以
下で30μm以上の粗粒含有率が0.5%以下のものを
使用する。平均粒径がこれより大きく、あるいは30μ
m以上の粗粒含有率がこれより多い場合には、フリップ
チップに用いられる際のチップ−基板間の間隙に十分充
填することが困難であり、本発明の目的を達成すること
ができない。本発明においては、平均粒径が10μm以
下で30μm以上の粗粒含有率が0.5%以下の溶融シ
リカであれば特に制限されず、1種類又は2種類以上を
用いることができるが、得られる組成物の粘度を低下さ
せるため、平均粒径の異なるシリカを2種以上併用する
ことが好ましい。
より得られる硬化物の膨張係数を低減させるために必要
なものであり、本発明においては平均粒径が10μm以
下で30μm以上の粗粒含有率が0.5%以下のものを
使用する。平均粒径がこれより大きく、あるいは30μ
m以上の粗粒含有率がこれより多い場合には、フリップ
チップに用いられる際のチップ−基板間の間隙に十分充
填することが困難であり、本発明の目的を達成すること
ができない。本発明においては、平均粒径が10μm以
下で30μm以上の粗粒含有率が0.5%以下の溶融シ
リカであれば特に制限されず、1種類又は2種類以上を
用いることができるが、得られる組成物の粘度を低下さ
せるため、平均粒径の異なるシリカを2種以上併用する
ことが好ましい。
【0029】また、(D)成分の溶融シリカの配合量は
、(A)成分〜(C)成分の総和100部に対して30
〜300部、特に100〜200部とすることが好まし
い。
、(A)成分〜(C)成分の総和100部に対して30
〜300部、特に100〜200部とすることが好まし
い。
【0030】本発明の組成物には更に必要によりその目
的、用途などに応じ、各種の添加剤を配合することがで
きる。例えば接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブ
ラック等の顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤(γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等)、反応性
希釈剤、溶剤、その他の添加剤を配合することは差し支
えない。
的、用途などに応じ、各種の添加剤を配合することがで
きる。例えば接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブ
ラック等の顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤(γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等)、反応性
希釈剤、溶剤、その他の添加剤を配合することは差し支
えない。
【0031】本発明のフリップチップ用封止材は上述し
た成分を配合し、均一に混合することにより得ることが
できるが、その25℃における粘度が4000ポイズ以
下、好ましくは100〜2000ポイズとする必要があ
り、粘度がこれより高いとフリップチップ用として必要
な充填性を得ることができない。
た成分を配合し、均一に混合することにより得ることが
できるが、その25℃における粘度が4000ポイズ以
下、好ましくは100〜2000ポイズとする必要があ
り、粘度がこれより高いとフリップチップ用として必要
な充填性を得ることができない。
【0032】本発明の封止材を用いてフリップチップの
封止を行なう場合、従来より採用されている成形法、例
えばトランスファ成形、インジェクション成形、注型法
などを採用して行なうことができるが特に注型法が好適
に用いられる。この場合、成形温度は80〜180℃で
30分〜8時間行なうことが好ましい。
封止を行なう場合、従来より採用されている成形法、例
えばトランスファ成形、インジェクション成形、注型法
などを採用して行なうことができるが特に注型法が好適
に用いられる。この場合、成形温度は80〜180℃で
30分〜8時間行なうことが好ましい。
【0033】
【実施例】以下、参考例としてシリコーン変性エポキシ
樹脂の製造例を示す。
樹脂の製造例を示す。
【0034】〔参考例1〕リフラックスコンデンサー,
温度計,撹拌機及び滴下ロートを具備した内容積1リッ
トルの四つ口フラスコに軟化点80℃のエポキシ化フェ
ノールノボラック樹脂(エポキシ当量195)300g
を入れ、温度110℃で撹拌しながら2−アリルフェノ
ール32gとトリブチルアミン1gとの混合物を滴下時
間10分にて滴下し、更に温度110℃にて2時間撹拌
を続けた。得られた内容物から未反応の2−アリルフェ
ノール及びトリブチルアミンを減圧下に留去し、アリル
基含有のエポキシ樹脂(アリル当量1490、エポキシ
当量235)を得た。
温度計,撹拌機及び滴下ロートを具備した内容積1リッ
トルの四つ口フラスコに軟化点80℃のエポキシ化フェ
ノールノボラック樹脂(エポキシ当量195)300g
を入れ、温度110℃で撹拌しながら2−アリルフェノ
ール32gとトリブチルアミン1gとの混合物を滴下時
間10分にて滴下し、更に温度110℃にて2時間撹拌
を続けた。得られた内容物から未反応の2−アリルフェ
ノール及びトリブチルアミンを減圧下に留去し、アリル
基含有のエポキシ樹脂(アリル当量1490、エポキシ
当量235)を得た。
【0035】次に、上記と同様の四つ口フラスコに、上
記方法で得たアリル基含有のエポキシ樹脂120g、メ
チルイソブチルケトン100g、トルエン200g、2
%の白金濃度の2−エチルヘキサノール変性塩化白金酸
溶液0.04gをそれぞれ入れ、1時間の共沸脱水を行
ない、還流温度にて表1に示すオルガノポリシロキサン
80gを滴下時間30分にて滴下し、更に同一温度で4
時間撹拌して反応させた後、得られた内容物を水洗し、
溶剤を減圧下で留去することにより粗反応生成物を得た
。
記方法で得たアリル基含有のエポキシ樹脂120g、メ
チルイソブチルケトン100g、トルエン200g、2
%の白金濃度の2−エチルヘキサノール変性塩化白金酸
溶液0.04gをそれぞれ入れ、1時間の共沸脱水を行
ない、還流温度にて表1に示すオルガノポリシロキサン
80gを滴下時間30分にて滴下し、更に同一温度で4
時間撹拌して反応させた後、得られた内容物を水洗し、
溶剤を減圧下で留去することにより粗反応生成物を得た
。
【0036】この粗反応生成物100gをアセトン38
0gに溶解し、これに水140gを加えて放置すること
により、二層分離した溶液を得、この溶液の上層を廃棄
した後、再びアセトン200gを加えて混合し、これに
水50gを加えて放置した。得られた二層分離の溶液よ
りその下層を採取し、アセトン及び水を減圧留去して表
1に示す目的とするシリコーン変性エポキシ樹脂を得た
。
0gに溶解し、これに水140gを加えて放置すること
により、二層分離した溶液を得、この溶液の上層を廃棄
した後、再びアセトン200gを加えて混合し、これに
水50gを加えて放置した。得られた二層分離の溶液よ
りその下層を採取し、アセトン及び水を減圧留去して表
1に示す目的とするシリコーン変性エポキシ樹脂を得た
。
【0037】
【表1】
【0038】
【化7】
【0039】以下、実施例、比較例を示し、本発明を具
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。
【0040】〔実施例1〜3、比較例1〜5〕エポキシ
化ビスフェノールA(油化シェル社製,商品名エピコー
ト828)、参考例で得たシリコーン変性エポキシ樹脂
I,II、表2に示す硬化剤、表3に示す溶融シリカ、
フェニルグリシジルエーテル、DBUベンジルテトラフ
ェニルボレート(商品名Ucat5002,サンアプロ
社製)及びγ−グリシドキシトリメトキシシランを表4
に示す配合量で均一に配合し、8種のエポキシ樹脂組成
物を得た。
化ビスフェノールA(油化シェル社製,商品名エピコー
ト828)、参考例で得たシリコーン変性エポキシ樹脂
I,II、表2に示す硬化剤、表3に示す溶融シリカ、
フェニルグリシジルエーテル、DBUベンジルテトラフ
ェニルボレート(商品名Ucat5002,サンアプロ
社製)及びγ−グリシドキシトリメトキシシランを表4
に示す配合量で均一に配合し、8種のエポキシ樹脂組成
物を得た。
【0041】
【表2】
【0042】
【表3】
【0043】この組成物の25℃における粘度は、BH
型粘度計を用い、4rpmで製造直後(初期)及び密閉
容器中で25℃,7日間放置後について測定した。
型粘度計を用い、4rpmで製造直後(初期)及び密閉
容器中で25℃,7日間放置後について測定した。
【0044】また、上記したエポキシ樹脂組成物を用い
てガラス基板上に10×10×0.4mmのシリコンチ
ップをハンダバンプを介して接合させた(基板とチップ
の間隙は50μm)フリップチップを封止(80℃,3
0分及び120℃,4時間硬化)した際の充填性及びリ
ードとハンダバンプ間の抵抗値を調べた。
てガラス基板上に10×10×0.4mmのシリコンチ
ップをハンダバンプを介して接合させた(基板とチップ
の間隙は50μm)フリップチップを封止(80℃,3
0分及び120℃,4時間硬化)した際の充填性及びリ
ードとハンダバンプ間の抵抗値を調べた。
【0045】この抵抗値は硬化直後(初期)及び85℃
,85%RHの条件で1000時間劣化させた後(10
00時間後)の2点測定し、初期値に対して1000時
間後の値が140%未満のものを良好、140%以上の
ものを不良とした。結果を表4に併記する。
,85%RHの条件で1000時間劣化させた後(10
00時間後)の2点測定し、初期値に対して1000時
間後の値が140%未満のものを良好、140%以上の
ものを不良とした。結果を表4に併記する。
【0046】
【表4】
【0047】表4の結果より明らかなように、本発明の
組成物は保存安定性が良好であり、フリップチップ封止
材として用いた場合、充填性、耐湿性が優れたものであ
った。
組成物は保存安定性が良好であり、フリップチップ封止
材として用いた場合、充填性、耐湿性が優れたものであ
った。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフリップ
チップ用封止材は、保存安定性、充填性が良好であり、
また、耐湿性等に優れた硬化物を与えるもので、フリッ
プチップ封止に要求される条件を満たすものであり、本
発明の封止材で封止した半導体装置は耐湿性等に優れ、
信頼性の高いものである。
チップ用封止材は、保存安定性、充填性が良好であり、
また、耐湿性等に優れた硬化物を与えるもので、フリッ
プチップ封止に要求される条件を満たすものであり、本
発明の封止材で封止した半導体装置は耐湿性等に優れ、
信頼性の高いものである。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)1分子中に2個以上のエポキシ
基を有するエポキシ樹脂、(B)アルケニル基含有エポ
キシ樹脂のアルケニル基に下記式(1)で示される有機
けい素化合物の≡SiH基が付加されてなるシリコーン
変性エポキシ樹脂、 【化1】 (但し、式中Rは置換又は非置換の一価炭化水素基又は
アルコキシ基を示し、a及びbは0.01≦a≦1,1
≦b≦3で示される数である。また、1分子中のけい素
原子の数は20〜400の整数であり、1分子中のけい
素原子に直結した水素原子の数は1以上の整数である。 ) (C)上記(A)成分のエポキシ樹脂に対する25℃に
おける溶解度が0.1%以下のイミダゾール化合物、(
D)平均粒径10μm以下で30μm以上の粗粒含有率
が0.5%以下の溶融シリカ を必須成分とする25℃における粘度が4000ポイズ
以下のフリップチップ用封止材。 - 【請求項2】 請求項1記載のフリップチップ用封止
材の硬化物で封止した半導体装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002097255A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002097257A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002097254A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US6733902B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device |
CN109467941A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 信越化学工业株式会社 | 树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法 |
JP2020026450A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08157561A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-06-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US5700581A (en) * | 1996-06-26 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Solvent-free epoxy based adhesives for semiconductor chip attachment and process |
TW430685B (en) * | 1996-07-30 | 2001-04-21 | Nippon Kayaku Kk | Epoxy resin liquid composition for semiconductor encapsulation |
DE19638630B4 (de) | 1996-09-20 | 2004-11-18 | Siemens Ag | UV- und thermisch härtbare Gießharzformulierung und ihre Verwendung zum Unterfüllprozeß bei elektrischen und elektronischen Bauelementen |
US5981312A (en) | 1997-06-27 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Method for injection molded flip chip encapsulation |
US5997798A (en) * | 1997-06-27 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Biasing mold for integrated circuit chip assembly encapsulation |
US6407461B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-06-18 | International Business Machines Corporation | Injection molded integrated circuit chip assembly |
DE69934153T2 (de) * | 1998-02-02 | 2007-09-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen |
AU2165100A (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-26 | Dexter Corporation, The | Underfill film compositions |
US6294271B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-09-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
SG93832A1 (en) | 1999-05-07 | 2003-01-21 | Inst Of Microelectronics | Epoxy resin compositions for liquid encapsulation |
US6376923B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
US6429238B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
ATE226222T1 (de) * | 1999-06-17 | 2002-11-15 | Arakawa Chem Ind | Epoxidharzzusammensetzung und verfahren zur herstellung von silanmodifizierten epoxidharzen |
JP3736611B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2006-01-18 | 信越化学工業株式会社 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
KR100315158B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2001-11-26 | 윤덕용 | 비솔더 플립 칩 본딩용 고신뢰성 비전도성 접착제 및 이를이용한 플립 칩 본딩 방법 |
DE10051051A1 (de) * | 2000-10-14 | 2002-04-18 | Bosch Gmbh Robert | Silikonmodifizierte Einkomponentenvergußmasse |
DE10057111C1 (de) * | 2000-11-16 | 2002-04-11 | Bosch Gmbh Robert | Wärmeleitfähige Vergußmasse |
DE10144871A1 (de) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Bosch Gmbh Robert | Vergußmasse mit hoher thermischer Stabilität |
US6888257B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-05-03 | Lord Corporation | Interface adhesive |
JP4066174B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-03-26 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物、フリップチップ型半導体装置及びその封止方法 |
US7312261B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-12-25 | International Business Machines Corporation | Thermal interface adhesive and rework |
JP2007169602A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
KR100983096B1 (ko) | 2007-11-28 | 2010-09-17 | (주)에버텍엔터프라이즈 | 내습성 및 흐름성이 우수한 언더필용 하이브리드 에폭시조성물 |
KR100896481B1 (ko) | 2007-11-28 | 2009-05-08 | (주)에버텍엔터프라이즈 | 열전도성이 우수한 언더필용 에폭시 조성물 |
KR101252063B1 (ko) | 2011-08-25 | 2013-04-12 | 한국생산기술연구원 | 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 |
EP2826777B1 (en) | 2012-03-14 | 2020-08-05 | Korea Institute of Industrial Technology | Epoxy compound having alkoxy silyl group, composition comprising same, cured product, use thereof and method for preparing epoxy compound having alkoxy silyl group |
EP2835373B1 (en) | 2012-04-02 | 2019-09-11 | Korea Institute of Industrial Technology | Epoxy compound having alkoxysilyl group, composition and hardened material comprising same, use for same, and production method for epoxy compound having alkoxysilyl group |
KR101520764B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2015-05-15 | 한국생산기술연구원 | 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
KR102232340B1 (ko) | 2019-11-15 | 2021-03-26 | 한국생산기술연구원 | 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 수지의 조성물 및 이의 복합체 |
TWI784356B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-11-21 | 財團法人工業技術研究院 | 具環氧基之矽氧烷改質樹脂、封裝材料、與封裝結構 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63189421A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02173033A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH036214A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JPH0324110A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
JPH03100015A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH03100014A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH03115455A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Toshiba Corp | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3689022T2 (de) * | 1985-10-07 | 1994-04-21 | Shinetsu Chemical Co | Epoxyharzzusammensetzung. |
JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3153943A patent/JP2570002B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-28 US US07/889,369 patent/US5248710A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63189421A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Fujitsu Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH02173033A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH036214A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JPH0324110A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
JPH03100015A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH03100014A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH03115455A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Toshiba Corp | 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002097257A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4656269B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002097255A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002097254A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US6733902B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-05-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device |
CN109467941A (zh) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 信越化学工业株式会社 | 树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法 |
JP2020026450A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 |
CN110819068A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-02-21 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用热固性树脂组合物和半导体装置 |
CN110819068B (zh) * | 2018-08-09 | 2023-09-22 | 信越化学工业株式会社 | 半导体封装用热固性树脂组合物和半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US5248710A (en) | 1993-09-28 |
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