JP2705493B2 - 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2705493B2 JP2705493B2 JP4323614A JP32361492A JP2705493B2 JP 2705493 B2 JP2705493 B2 JP 2705493B2 JP 4323614 A JP4323614 A JP 4323614A JP 32361492 A JP32361492 A JP 32361492A JP 2705493 B2 JP2705493 B2 JP 2705493B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低粘度で作業性が良好
な上、耐湿性及び耐熱性に優れた硬化物を与え、半導体
の液状封止剤として好適な液状エポキシ樹脂組成物及び
その硬化物で封止された半導体装置。
な上、耐湿性及び耐熱性に優れた硬化物を与え、半導体
の液状封止剤として好適な液状エポキシ樹脂組成物及び
その硬化物で封止された半導体装置。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
電子機器の小型化・薄型化工程の簡略化に伴い、半導体
の封止方法も常温で固形の封止剤を用いたトランスファ
ー成形による封止に代り、液状封止剤を用いたポッティ
ング法や注型法による封止が行われるようになってき
た。
電子機器の小型化・薄型化工程の簡略化に伴い、半導体
の封止方法も常温で固形の封止剤を用いたトランスファ
ー成形による封止に代り、液状封止剤を用いたポッティ
ング法や注型法による封止が行われるようになってき
た。
【０００３】この液状封止剤としては、通常液状エポキ
シ樹脂組成物が多く使用されている。しかし、液状エポ
キシ樹脂組成物は、液状とするために使用材料が制限さ
れ、硬化物の耐湿性や耐熱性が満足し難いという問題が
あり、より高品質の液状エポキシ樹脂組成物の開発が望
まれていた。
シ樹脂組成物が多く使用されている。しかし、液状エポ
キシ樹脂組成物は、液状とするために使用材料が制限さ
れ、硬化物の耐湿性や耐熱性が満足し難いという問題が
あり、より高品質の液状エポキシ樹脂組成物の開発が望
まれていた。
【０００４】また、特に作業性が要求される用途におい
ては組成物を低粘度とするために反応性希釈剤などが使
用されているが、従来の化合物を使用した場合、組成物
を低粘度化できるものの、硬化時の揮発分が大きく増加
したり、硬化物の物性が損なわれるなどの問題があっ
た。
ては組成物を低粘度とするために反応性希釈剤などが使
用されているが、従来の化合物を使用した場合、組成物
を低粘度化できるものの、硬化時の揮発分が大きく増加
したり、硬化物の物性が損なわれるなどの問題があっ
た。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
組成物を低粘度化すると同時に揮発分を大きく増加する
ことなく、低吸水で、耐熱性、耐湿性を向上させた硬化
物を与える液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封
止された半導体装置を提供することを目的とする。
組成物を低粘度化すると同時に揮発分を大きく増加する
ことなく、低吸水で、耐熱性、耐湿性を向上させた硬化
物を与える液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封
止された半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹
脂の一部又は全部として下記一般式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂を使用すること、具体的には式（１）のエポ
キシ樹脂を全エポキシ樹脂の５重量％以上、好ましくは
５〜６０重量％以上の割合でＢＨ型粘度計（４ｒｐｍの
回転数）における２５℃の粘度が１０，０００ポイズ以
下の液状エポキシ樹脂組成物中に含有させることによ
り、低粘度で作業性が良好な上、ナフタレン環を含むこ
とから耐湿性、耐熱性に優れ、しかも揮発分含量の少な
い硬化物が得られ、この組成物が半導体装置の液状封止
剤として優れた特性を有していることを知見し、本発明
をなすに至ったものである。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹
脂の一部又は全部として下記一般式（１）で示されるエ
ポキシ樹脂を使用すること、具体的には式（１）のエポ
キシ樹脂を全エポキシ樹脂の５重量％以上、好ましくは
５〜６０重量％以上の割合でＢＨ型粘度計（４ｒｐｍの
回転数）における２５℃の粘度が１０，０００ポイズ以
下の液状エポキシ樹脂組成物中に含有させることによ
り、低粘度で作業性が良好な上、ナフタレン環を含むこ
とから耐湿性、耐熱性に優れ、しかも揮発分含量の少な
い硬化物が得られ、この組成物が半導体装置の液状封止
剤として優れた特性を有していることを知見し、本発明
をなすに至ったものである。
【０００７】
【化２】 （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基で
ある。）
ある。）
【０００８】従って、本発明は、上記式（１）のエポキ
シ樹脂を全エポキシ樹脂中に５重量％以上含有し、かつ
ＢＨ型粘度計４ｒｐｍの回転数における２５℃の粘度が
１０，０００ポイズ以下である液状エポキシ樹脂組成物
及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
する。
シ樹脂を全エポキシ樹脂中に５重量％以上含有し、かつ
ＢＨ型粘度計４ｒｐｍの回転数における２５℃の粘度が
１０，０００ポイズ以下である液状エポキシ樹脂組成物
及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
する。
【０００９】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明の液状エポキシ樹脂組成物は、硬化性エポキシ樹脂、
硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤等を配合してなるも
のである。
明の液状エポキシ樹脂組成物は、硬化性エポキシ樹脂、
硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤等を配合してなるも
のである。
【００１０】まず、本発明では、硬化性エポキシ樹脂と
して下記一般式（１）で示されるものを配合する。
して下記一般式（１）で示されるものを配合する。
【００１１】
【化３】 （式中、Ｒは水素原子又は−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｈ
7等の炭素数１〜５のアルキル基である。）
7等の炭素数１〜５のアルキル基である。）
【００１２】上記式（１）のエポキシ樹脂として具体的
には、１−グリシドキシナフタレン、１−グリシドキシ
−２−メチルナフタレンなどが挙げられる。
には、１−グリシドキシナフタレン、１−グリシドキシ
−２−メチルナフタレンなどが挙げられる。
【００１３】また、上記エポキシ樹脂に加え、１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するものが使用でき、後述
するような各種硬化剤によって硬化させ得ることが可能
である限り分子構造、分子量等に特に制限はなく、従来
から知られている種々のものを使用することができる。
具体的には、例えばエピクロルヒドリンとビスフェノー
ルをはじめとする各種ノボラック樹脂から合成されるエ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂あるいは塩素や臭素原
子等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂などを挙げ
ることができるが、常温で液状を呈する低粘度の組成物
を得るためには、これらの中でもビスフェノールＡ又は
ビスフェノールＦのグリシジルエーテル誘導体が好適に
用いられる。なお、上記エポキシ樹脂は、その使用に当
たっては必ずしも１種類の使用に限定されるものではな
く、２種類又はそれ以上を混合して使用してもよい。
に２個以上のエポキシ基を有するものが使用でき、後述
するような各種硬化剤によって硬化させ得ることが可能
である限り分子構造、分子量等に特に制限はなく、従来
から知られている種々のものを使用することができる。
具体的には、例えばエピクロルヒドリンとビスフェノー
ルをはじめとする各種ノボラック樹脂から合成されるエ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂あるいは塩素や臭素原
子等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂などを挙げ
ることができるが、常温で液状を呈する低粘度の組成物
を得るためには、これらの中でもビスフェノールＡ又は
ビスフェノールＦのグリシジルエーテル誘導体が好適に
用いられる。なお、上記エポキシ樹脂は、その使用に当
たっては必ずしも１種類の使用に限定されるものではな
く、２種類又はそれ以上を混合して使用してもよい。
【００１４】また、エポキシ樹脂としては、後述する硬
化剤との混合物の軟化点が３０℃以下で、かつ２５℃に
おける粘度が５００ポイズ以下となるようなものを使用
することが、低粘度のエポキシ樹脂組成物を得る点で好
ましい。
化剤との混合物の軟化点が３０℃以下で、かつ２５℃に
おける粘度が５００ポイズ以下となるようなものを使用
することが、低粘度のエポキシ樹脂組成物を得る点で好
ましい。
【００１５】本発明においては、エポキシ樹脂として上
記式（１）のエポキシ樹脂がエポキシ樹脂全体の５％
（重量％、以下同様）以上、好ましくは５〜６０％、よ
り好ましくは７〜４０％の割合で含有していることが必
要である。式（１）のエポキシ樹脂含有量が５％に満た
ないと、上述した本発明の目的を達成し得ない。また、
式（１）のエポキシ樹脂が多すぎると、充分なガラス転
移温度が得られず耐熱性が劣るなど、本発明の目的の組
成物及び硬化物を得ることができない場合がある。
記式（１）のエポキシ樹脂がエポキシ樹脂全体の５％
（重量％、以下同様）以上、好ましくは５〜６０％、よ
り好ましくは７〜４０％の割合で含有していることが必
要である。式（１）のエポキシ樹脂含有量が５％に満た
ないと、上述した本発明の目的を達成し得ない。また、
式（１）のエポキシ樹脂が多すぎると、充分なガラス転
移温度が得られず耐熱性が劣るなど、本発明の目的の組
成物及び硬化物を得ることができない場合がある。
【００１６】なお、上記エポキシ樹脂の使用に際して、
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差し支えな
い。このモノエポキシ化合物として具体的には、スチレ
ンオキシド、シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキ
シド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエ
ーテル、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジ
ルエーテル、オクチレンオキシド、ドデセンオキシド等
が例示される。
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差し支えな
い。このモノエポキシ化合物として具体的には、スチレ
ンオキシド、シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキ
シド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエ
ーテル、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジ
ルエーテル、オクチレンオキシド、ドデセンオキシド等
が例示される。
【００１７】次に、本発明組成物に配合される硬化剤と
して具体的には、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノ
ジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン等に代表
されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロメリッ
ト酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水
物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック、クレゾー
ルノボラック等の１分子中に２個以上の水酸基を有する
フェノールノボラック硬化剤が例示される。これらの中
では、低粘度で低応力のエポキシ樹脂組成物を得るため
酸無水物系硬化剤が好ましく用いられる。
して具体的には、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノ
ジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン等に代表
されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロメリッ
ト酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水
物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック、クレゾー
ルノボラック等の１分子中に２個以上の水酸基を有する
フェノールノボラック硬化剤が例示される。これらの中
では、低粘度で低応力のエポキシ樹脂組成物を得るため
酸無水物系硬化剤が好ましく用いられる。
【００１８】これらの硬化剤の使用量は通常の使用量と
することができるが、エポキシ樹脂のエポキシ基の当量
に対して５０〜１５０当量％、特に８０〜１４０当量％
の範囲とすることが好ましい。
することができるが、エポキシ樹脂のエポキシ基の当量
に対して５０〜１５０当量％、特に８０〜１４０当量％
の範囲とすることが好ましい。
【００１９】更に、本発明の組成物においては、上記硬
化剤とエポキシ樹脂との反応を促進させる目的で、各種
硬化促進剤、例えばイミダゾールあるいはその誘導体、
三級アミン系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミ
ジン誘導体等を併用することは何ら差し支えない。な
お、これらの硬化促進剤の配合量も通常の範囲とするこ
とができる。
化剤とエポキシ樹脂との反応を促進させる目的で、各種
硬化促進剤、例えばイミダゾールあるいはその誘導体、
三級アミン系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミ
ジン誘導体等を併用することは何ら差し支えない。な
お、これらの硬化促進剤の配合量も通常の範囲とするこ
とができる。
【００２０】また、本発明の組成物中に無機質充填剤を
配合することは差し支えない。この場合、使用する無機
質充填剤の種類、単独使用あるいは複数種の併用等に制
限はなく、エポキシ樹脂組成物の用途に応じて適宜選択
される。無機質充填剤としては、例えば結晶性シリカ、
非結晶性シリカ等の天然シリカ、合成高純度シリカ、合
成球状シリカ、タルク、マイカ、窒化珪素、ボロンナイ
トライド、アルミナなどから選ばれる１種又は２種以上
を使用することができる。
配合することは差し支えない。この場合、使用する無機
質充填剤の種類、単独使用あるいは複数種の併用等に制
限はなく、エポキシ樹脂組成物の用途に応じて適宜選択
される。無機質充填剤としては、例えば結晶性シリカ、
非結晶性シリカ等の天然シリカ、合成高純度シリカ、合
成球状シリカ、タルク、マイカ、窒化珪素、ボロンナイ
トライド、アルミナなどから選ばれる１種又は２種以上
を使用することができる。
【００２１】上記無機質充填剤の配合量は必ずしも制限
されないが、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進
剤の総量１００％に対して３０〜５００％、特に６０〜
４００％とすることが好ましい。配合量が３０％に満た
ないと得られるエポキシ樹脂組成物の膨張係数が大き
く、耐クラック性等の物性面でも満足する結果が得られ
ない場合があり、また、５００％を超えると組成物の粘
度が極端に高くなってしまう場合がある。
されないが、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進
剤の総量１００％に対して３０〜５００％、特に６０〜
４００％とすることが好ましい。配合量が３０％に満た
ないと得られるエポキシ樹脂組成物の膨張係数が大き
く、耐クラック性等の物性面でも満足する結果が得られ
ない場合があり、また、５００％を超えると組成物の粘
度が極端に高くなってしまう場合がある。
【００２２】本発明の組成物には、更に低応力剤、接着
向上用炭素官能性シラン、ワックス類、ステアリン酸な
どの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラッ
ク等の顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン等）、各種導電性
充填剤、チクソ性付与剤、その他の添加剤を配合するこ
ともできる。これらの添加剤の配合量は、本発明の効果
を妨げない範囲で通常量とすることができる。
向上用炭素官能性シラン、ワックス類、ステアリン酸な
どの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カーボンブラッ
ク等の顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン等）、各種導電性
充填剤、チクソ性付与剤、その他の添加剤を配合するこ
ともできる。これらの添加剤の配合量は、本発明の効果
を妨げない範囲で通常量とすることができる。
【００２３】なお、本発明組成物には低応力剤として具
体的には後述するシリコーン変性化合物などが挙げられ
る。
体的には後述するシリコーン変性化合物などが挙げられ
る。
【００２４】本発明の液状エポキシ樹脂組成物の粘度
は、ＢＨ型回転粘度計を用い、４ｒｐｍの回転数で測定
したもので、２５℃における値が１０，０００ポイズ以
下、好ましくは５，０００ポイズ以下、より好ましくは
５〜３，０００ポイズであり、この低粘度を保つように
上記必須成分及び任意成分の配合量等を調整することが
望ましい。
は、ＢＨ型回転粘度計を用い、４ｒｐｍの回転数で測定
したもので、２５℃における値が１０，０００ポイズ以
下、好ましくは５，０００ポイズ以下、より好ましくは
５〜３，０００ポイズであり、この低粘度を保つように
上記必須成分及び任意成分の配合量等を調整することが
望ましい。
【００２５】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、上述
した成分の所定量を均一に撹拌、混合することにより得
ることができる。また、必要に応じてアセトン、トルエ
ン、キシレン等の有機溶剤で希釈して使用することも差
し支えない。なお、成分の配合順序に特に制限はない。
した成分の所定量を均一に撹拌、混合することにより得
ることができる。また、必要に応じてアセトン、トルエ
ン、キシレン等の有機溶剤で希釈して使用することも差
し支えない。なお、成分の配合順序に特に制限はない。
【００２６】本発明の組成物の硬化条件は、例えば硬化
温度８０〜１８０℃で３０〜４８０分とすることが好ま
しい。硬化させる際、表面や内部の気泡発生を抑制する
ため、１段階の加熱だけでなく、２段階以上に加熱温度
を変えて硬化を行ういわゆるステップキュアーを採用し
得る。
温度８０〜１８０℃で３０〜４８０分とすることが好ま
しい。硬化させる際、表面や内部の気泡発生を抑制する
ため、１段階の加熱だけでなく、２段階以上に加熱温度
を変えて硬化を行ういわゆるステップキュアーを採用し
得る。
【００２７】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ，トランジスタ，ダイオード等、具体的には
フリップチップの封止、テープオートメーティドボンデ
ィング（ＴＡＢ）、チップオーンボード（ＣＯＢ）等の
半導体封止用として好適に使用される。なお、半導体装
置の封止を行う場合は一般的なディッピングやディスペ
ンサーによる塗布、注型等の方法を採用して行うことが
できる。
Ｃ，ＬＳＩ，トランジスタ，ダイオード等、具体的には
フリップチップの封止、テープオートメーティドボンデ
ィング（ＴＡＢ）、チップオーンボード（ＣＯＢ）等の
半導体封止用として好適に使用される。なお、半導体装
置の封止を行う場合は一般的なディッピングやディスペ
ンサーによる塗布、注型等の方法を採用して行うことが
できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、上
述した構成としたことにより、低粘度で作業性を損なう
ことなく無機質充填剤を高充填でき、またナフタレン環
を含む化合物を使用することにより低吸水で耐湿性及び
耐熱性に優れた硬化物を与え、半導体装置封止用等とし
て好適に用いることができる。
述した構成としたことにより、低粘度で作業性を損なう
ことなく無機質充填剤を高充填でき、またナフタレン環
を含む化合物を使用することにより低吸水で耐湿性及び
耐熱性に優れた硬化物を与え、半導体装置封止用等とし
て好適に用いることができる。
【００２９】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において部はいずれも重量部で
ある。
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において部はいずれも重量部で
ある。
【００３０】また、実施例、比較例に先立ち、各例で使
用した低応力剤の製造方法を参考例により示す。
用した低応力剤の製造方法を参考例により示す。
【００３１】〔参考例〕リフラックスコンデンサー、温
度計、撹拌機及び滴下ロートを具備した内容積１リット
ルの四つ口フラスコへ軟化点８０℃のエポキシ化フェノ
ールノボラック樹脂（エポキシ当量１９５）３００ｇを
入れ、温度１１０℃で撹拌しながら２−アリルフェノー
ル３２ｇとトリブチルアミン１ｇとの混合物を滴下時間
１０分にて滴下し、更に温度１１０℃にて２時間撹拌を
続けた。得られた内容物から未反応の２−アリルフェノ
ール及びトリブチルアミンを減圧下で留去し、アリル基
含有のエポキシ樹脂（アリル当量１４９０、エポキシ当
量２３５）を得た。
度計、撹拌機及び滴下ロートを具備した内容積１リット
ルの四つ口フラスコへ軟化点８０℃のエポキシ化フェノ
ールノボラック樹脂（エポキシ当量１９５）３００ｇを
入れ、温度１１０℃で撹拌しながら２−アリルフェノー
ル３２ｇとトリブチルアミン１ｇとの混合物を滴下時間
１０分にて滴下し、更に温度１１０℃にて２時間撹拌を
続けた。得られた内容物から未反応の２−アリルフェノ
ール及びトリブチルアミンを減圧下で留去し、アリル基
含有のエポキシ樹脂（アリル当量１４９０、エポキシ当
量２３５）を得た。
【００３２】次に、上記と同様の四つ口フラスコに、上
記方法で得たアリル基含有のエポキシ樹脂１００ｇ、メ
チルイソブチルケトン１００ｇ、トルエン２００ｇ、２
％の白金濃度の２−エチルヘキサノール変性塩化白金酸
溶液０．４ｇをそれぞれ入れ、１時間の共沸脱水を行
い、還流温度にて下記式（２）で示されるオルガノポリ
シロキサン８１ｇを滴下時間３０分にて滴下し、更に同
一温度で４時間撹拌して反応させた後、得られた内容物
を水洗し、溶剤を減圧下で留去することにより、ジオル
ガノポリシロキサン単位４４重量％含む化合物（低応力
剤）を得た。
記方法で得たアリル基含有のエポキシ樹脂１００ｇ、メ
チルイソブチルケトン１００ｇ、トルエン２００ｇ、２
％の白金濃度の２−エチルヘキサノール変性塩化白金酸
溶液０．４ｇをそれぞれ入れ、１時間の共沸脱水を行
い、還流温度にて下記式（２）で示されるオルガノポリ
シロキサン８１ｇを滴下時間３０分にて滴下し、更に同
一温度で４時間撹拌して反応させた後、得られた内容物
を水洗し、溶剤を減圧下で留去することにより、ジオル
ガノポリシロキサン単位４４重量％含む化合物（低応力
剤）を得た。
【００３３】
【化４】
【００３４】〔実施例、比較例〕ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量１８６）、フェニルグリシジ
ルエーテル、１−グリシドキシナフタレン、平均粒径５
μの溶融シリカを表１に示す量で配合し、これに参考例
で得られたジオルガノポリシロキサン単位を含有する低
応力剤４１部、硬化促進剤として２−フェニル−４−メ
チル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工
業社製）５部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン１部を添加し、均一に混合して液状エポキシ樹脂
組成物を調製した。
ポキシ樹脂（エポキシ当量１８６）、フェニルグリシジ
ルエーテル、１−グリシドキシナフタレン、平均粒径５
μの溶融シリカを表１に示す量で配合し、これに参考例
で得られたジオルガノポリシロキサン単位を含有する低
応力剤４１部、硬化促進剤として２−フェニル−４−メ
チル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工
業社製）５部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン１部を添加し、均一に混合して液状エポキシ樹脂
組成物を調製した。
【００３５】次に、得られた液状エポキシ樹脂組成物を
１００℃で２時間、更に１５０℃で４時間加熱して硬化
させ、それぞれの硬化物の物性を下記方法で評価した。
また、各組成物の耐湿性を下記方法で評価した。結果を
表１に示す。
１００℃で２時間、更に１５０℃で４時間加熱して硬化
させ、それぞれの硬化物の物性を下記方法で評価した。
また、各組成物の耐湿性を下記方法で評価した。結果を
表１に示す。
【００３６】（イ）粘度：ＢＨ型回転粘度計を用いて４
ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
【００３７】（ロ）ガラス転移温度：５×５×１５ｍｍ
の試験片を用いてディラトメーターにより毎分５℃の速
さで昇温した時の値を測定した。
の試験片を用いてディラトメーターにより毎分５℃の速
さで昇温した時の値を測定した。
【００３８】（ハ）吸水率及び溶出率：直径５０ｍｍ、
厚さ３ｍｍの円盤をプレッシャークッカー試験機（平山
製作所社製、型式ＰＣ−２４２Ｓ）により１２１℃、２
気圧で５００時間処理した後、２００℃で３日乾燥さ
せ、下記式に従って各値を求めた。
厚さ３ｍｍの円盤をプレッシャークッカー試験機（平山
製作所社製、型式ＰＣ−２４２Ｓ）により１２１℃、２
気圧で５００時間処理した後、２００℃で３日乾燥さ
せ、下記式に従って各値を求めた。
【００３９】
【数１】
【００４０】（ニ）加熱減量：直径５０ｍｍ、厚さ３ｍ
ｍの円盤を２００℃の乾燥機中で３００時間放置した場
合の重量減少率を測定した。
ｍの円盤を２００℃の乾燥機中で３００時間放置した場
合の重量減少率を測定した。
【００４１】（ホ）硬化時揮発分：サンプル０．１ｇを
ガラス板上に滴下し、１５０℃で１時間硬化させた後、
重量減少率を測定した。
ガラス板上に滴下し、１５０℃で１時間硬化させた後、
重量減少率を測定した。
【００４２】（ハ）耐湿性：液状エポキシ樹脂組成物に
平均粒径１５μｍの溶融シリカを全組成物中に５０％と
なるように加え、これをシリコーンウェハー上にアルミ
ニウムパターンを形成した模擬ＩＣをガラスエポキシ基
板に搭載した試験素子にドロップし、硬化させて試験素
子を封止した。
平均粒径１５μｍの溶融シリカを全組成物中に５０％と
なるように加え、これをシリコーンウェハー上にアルミ
ニウムパターンを形成した模擬ＩＣをガラスエポキシ基
板に搭載した試験素子にドロップし、硬化させて試験素
子を封止した。
【００４３】この封止素子をプレッシャークッカー試験
機（平山製作所社製、型式ＰＣ−２４２Ｓ）により１２
１℃、２気圧で２００時間処理した後、パターン導通不
良の個数を調べた。
機（平山製作所社製、型式ＰＣ−２４２Ｓ）により１２
１℃、２気圧で２００時間処理した後、パターン導通不
良の個数を調べた。
【００４４】
【表１】 表１の結果からわかるように、本発明の化合物（１）を
使用することにより、従来組成物に比べ、低粘度化がで
きる上、低吸水かつ耐湿性、耐熱性の向上ができた。ま
た、作業性を損なうことなく無機質充填剤を高充填する
ことができ、優れた組成物を与えることが確認された。
使用することにより、従来組成物に比べ、低粘度化がで
きる上、低吸水かつ耐湿性、耐熱性の向上ができた。ま
た、作業性を損なうことなく無機質充填剤を高充填する
ことができ、優れた組成物を与えることが確認された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土橋 和夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (56)参考文献 特開 平２−156657（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるエポキシ樹
脂が全エポキシ樹脂中に５重量％以上含有し、かつＢＨ
型粘度計４ｒｐｍの回転数における２５℃の粘度が１
０，０００ポイズ以下であることを特徴とする液状エポ
キシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基で
ある。） - 【請求項２】 請求項１記載の液状エポキシ樹脂組成物
の硬化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323614A JP2705493B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323614A JP2705493B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145298A JPH06145298A (ja) | 1994-05-24 |
| JP2705493B2 true JP2705493B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=18156697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4323614A Expired - Fee Related JP2705493B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705493B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI235863B (en) * | 1998-11-30 | 2005-07-11 | Toshiba Corp | Manufacturing method of liquid crystal lattice |
| JP2002363254A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-18 | Nippon Kayaku Co Ltd | エポキシ化合物、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
| TW200823244A (en) * | 2006-10-24 | 2008-06-01 | Nippon Steel Chemical Co | Epoxy resin composition and cured product |
| CN102030970A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-04-27 | 上海旌纬微电子科技有限公司 | 一种电子元件包封用的环氧树脂组合物及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156657A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止半導体装置 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP4323614A patent/JP2705493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06145298A (ja) | 1994-05-24 |
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