JP2591373B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、成形材料、粉体塗装用
材料、半導体の封止材等として好適に用いられ、特に半
導体封止用として有用なエポキシ樹脂組成物及びその硬
化物により封止された半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】エポキ
シ樹脂、硬化剤及びこれに無機充填剤等を配合したエポ
キシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂組成物に比
べて成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に
優れているため、各種成形材料、粉体塗装用材料、電気
絶縁材料などとして広く利用され、特に最近においては
半導体の封止材、ポッティング材、コーティング材とし
て注目されている。
【0003】一方、電子工業分野において、最近では、
パッケージ外形寸法は電子機器の小型軽量化の要求に伴
い、小型化、薄型化が進んでいる。更に、半導体部品を
回路基板へ取付ける方法においても、基板上の部品高密
度化及び基板の薄型化のため半導体装置の表面実装がよ
く行われるようになってきた。しかしながら、半導体装
置を回路基板に表面実装する場合、半導体装置全体を半
田槽に浸漬するか又は半田が溶融している高温ゾーンを
通過させる方法が一般的であるが、その際の熱衝撃によ
り封止樹脂層にクラックが発生したり、リードフレーム
やチップと封止樹脂との界面に剥離が生じたりすること
が問題になっている。更に、このようなクラックや剥離
は、上記表面実装時に熱衝撃を受けるより以前に半導体
装置の封止樹脂層が吸湿していると更に顕著なものとな
るが、実際の作業工程においては、封止樹脂層の吸湿は
避けられず、このため実装後のエポキシ樹脂で封止した
半導体装置の信頼性が大きく損なわれることも問題にな
っている。
【0004】従って、耐クラック性及び耐剥離性に優
れ、半導体封止用として有用なエポキシ樹脂組成物の開
発が望まれている。
【0005】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
機械的強度等の一般特性が良好で、耐クラック性及び耐
剥離性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【0006】本発明者は上記目的を達成するため鋭意検
討を行った結果、硬化性エポキシ樹脂と硬化剤とを含有
し、かつ硬化性エポキシ樹脂と硬化剤との総量100部
(重量部、以下同じ)に対し100〜1000部の無機
充填剤を配合してなるエポキシ樹脂組成物に下記(A)
〜(C)の成分、 (A)下記式(1)で示される化合物、 R Si(OR4−a …(1) (式中、Rは非置換又は置換の1価炭化水素基、R
は炭素数1〜4の非置換又は置換の1価炭化水素基を表
し、aは1,2又は3である。) (B)アミン化合物 (C)水 を混合して得られる部分加水分解された有機ケイ素化合
物をエポキシ樹脂組成物100部に対して0.1〜1部
配合した場合、この有機ケイ素化合物が配合されたエポ
キシ樹脂組成物で封止した半導体装置を回路基板へ表面
実装する際に、半導体装置が熱衝撃を受けるようなこと
があっても、封止樹脂層にクラックや剥離が起こりにく
いことを知見すると共に、その理由としては、上記アミ
ン化合物の存在下に部分加水分解された有機ケイ素化合
物を含むエポキシ樹脂組成物のリードフレーム等に対す
る接着力が良好で、このようにリードフレーム等に対す
る封止樹脂の接着力が良好な場合には、吸湿後に熱衝撃
を受けても、熱衝撃によるクラックや剥離が起こりにく
いことを知見したものである。
【0007】なお、無機充填剤を含むエポキシ樹脂組成
物に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等
のシランカップリング剤乃至は上記式(1)の化合物を
密着性向上のために配合することは公知である。しか
し、単にシランカップリング剤をそのまま配合しても、
吸湿後の熱衝撃によるクラックや剥離に耐え得る接着力
を与えることは困難である。しかし、上記の部分加水分
解された有機ケイ素化合物をエポキシ樹脂組成物に配合
することにより、大幅に接着性が改善され、上述したよ
うに優れた耐クラック性、耐剥離性を発揮することを見
い出したものである。
【0008】従って、本発明は、硬化性エポキシ樹脂と
硬化剤とを含有し、かつ無機充填剤を硬化性エポキシ樹
脂と硬化剤との総量100重量部に対し100〜100
0重量部の割合で配合したエポキシ樹脂組成物に、下記
(A)〜(C)の成分を混合して得られる部分加水分解
された有機ケイ素化合物をエポキシ樹脂組成物100重
量部に対し0.1〜1重量部の割合で配合してなること
を特徴とするエポキシ樹脂組成物、 (A)下記式(1)で示される化合物 R Si(OR4−a …(1) (式中、Rは非置換又は置換の1価炭化水素基、R
は炭素数1〜4の非置換又は置換の1価炭化水素基を表
し、aは1,2又は3である。) (B)アミン化合物 (C)水 及び、このエポキシ樹脂組成物の硬化物により封止され
た半導体装置を提供する。
【0009】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明の組成物を構成する硬化性エポキシ樹脂は、
1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
であって、このエポキシ樹脂は後述するような各種硬化
剤によって硬化させることが可能な限り分子構造、分子
量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のも
のを使用することができる。例えばエピクロルヒドリン
とビスフェノールをはじめとする各種ノボラック樹脂と
から合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、塩
素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂
などを用いることができる。
【0010】これらのなかでは、置換及び非置換のノボ
ラック型エポキシ樹脂並びにビスフェノールA型エポキ
シ樹脂が好ましく用いられる。上記エポキシ樹脂は、そ
の1種を単独で又は2種以上を混合して使用してもよ
い。
【0011】なお、上記エポキシ樹脂の使用に際して、
モノエポキシ化合物を適宜併用することは差支えない。
モノエポキシ化合物としてはスチレンオキシド、シクロ
ヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、メチルグリシ
ジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、フェニルグ
リシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、オクチ
レンオキシド、ドデセンオキシドなどが例示される。
【0012】また、硬化剤としては、ジアミノジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、メタフェニレ
ンジアミン等に代表されるアミン系硬化剤、無水フタル
酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸等の酸無水物系硬化剤、あるいはフェノールノ
ボラック,クレゾールノボラック等の1分子中に2個以
上の水酸基を有するフェールノボラック硬化剤などが例
示される。
【0013】更に、本発明においては上記した硬化剤と
エポキシ樹脂との反応を促進させる目的で各種硬化促進
剤、例えばイミダゾール或いはその誘導体、3級アミン
系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミジン誘導体
等を併用することは何ら差支えない。
【0014】なお、上記硬化剤の使用量は通常使用され
る量であり、硬化促進剤の配合量も通常の範囲とするこ
とができる。
【0015】本発明においては、無機充填剤を配合する
が、使用される無機充填剤は、その種類に制限はなく、
エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて適宜選択され、例
えば結晶性シリカ,非結晶性シリカ等の天然シリカ、合
成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒
化ケイ素、ボロンナイトライド、アルミナなどから選ば
れる1種又は2種以上を使用することができる。
【0016】また、無機充填剤の配合量は、エポキシ樹
脂と硬化剤の総量100部に対し100〜1000部と
するもので、好ましくは250〜750部である。配合
量が100部未満では得られるエポキシ樹脂組成物が耐
クラック性などの物性面で満足する結果が得られない場
合が生じ、一方1000部を超えると流動性が悪くな
り、無機充填剤の分散が困難となる場合がある。
【0017】本発明の組成物には、上記エポキシ樹脂、
硬化剤と共に、部分加水分解された有機ケイ素化合物を
配合する。この有機ケイ素化合物を得るための(A)成
分は下記式(1)で示される。
【0018】 R1 aSi(OR24-a …(1)
【0019】ここで、R1は非置換又は置換の1価炭化
水素基であり、好ましくは炭素数1〜8のものである。
具体的にはメチル基,エチル基,プロピル基,ブチル基
等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基,アリル基等のアルケニル基、フェニル基
等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基やこれら
の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基、
エポキシ基、グリシジルオキシ基等で置換した基などが
挙げられる。R2は炭素数1〜4の非置換又は置換の1
価炭化水素基であり、具体的にはメチル基,エチル基,
プロピル基,ブチル基等のアルキル基やメトキシメチル
基,エトキシメチル基,メトキシエチル基,エトキシエ
チル基等のアルコキシ置換アルキル基、ビニル基,アリ
ル基,イソプロペニル基,イソブテニル基等のアルケニ
ル基などが挙げられる。aは1,2又は3である。
【0020】(A)成分として具体的には、下記式
(2)で表されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、下記式(3)で表されるβ−(3,4−エポ
キシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、ジエ
チルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは
1種を単独で又は2種以上を混合して用いることができ
るが、(A)成分の50%以上がγ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン又はβ−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)エチルトリメトキシシランであることが
好ましく、特にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランを用いることが好ましい。
【0021】
【化1】
【0022】(B)成分はアミン化合物であるが、1級
アミン化合物としてはγ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、2級
アミン化合物としてはN−β(アミノエチル)γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチ
ル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ベンジル
メチルアミン、3級アミン化合物としては、例えばトリ
エチルアミン、トリブチルアミン、N’,N−ジメチル
アニリン、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウン
デセン−7(DBU)、ジアザビシクロ(4.3.0)
ノネン−5(DBN)などが挙げられ、特にDBU、D
BNが好ましい。
【0023】(B)成分の使用量は(A)成分100部
に対して0.001〜0.1部、特に0.005〜0.
02部とすることが好ましい。また、(C)成分の水の
使用量は(A)成分100部に対して15〜50部、特
に20〜40部とすることが好ましい。
【0024】本発明で用いる部分加水分解された有機ケ
イ素化合物は、上記(A)〜(C)成分を通常0〜50
℃の温度で10分〜20時間混合撹拌することにより得
られるが、これ以上の時間撹拌したものや撹拌する代わ
りに数日〜数か月放置したものを用いることもできる。
【0025】このようにして得られた有機ケイ素化合物
の配合量はエポキシ樹脂組成物100部に対して0.1
〜1部、特に0.15〜0.7部とすることが好まし
い。配合量が0.1部未満ではその効果が十分発揮され
ない場合があり、配合量が1部を超えると保存時の安定
性が低下する場合がある。
【0026】本発明の組成物には、従来公知の低応力剤
を配合することができるが、低応力化剤としては耐湿
性、耐クラック性等の信頼性を向上させるため、シリコ
ーン変性フェノール樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂
が好適に用いられる。
【0027】更に、本発明の組成物には、必要によりそ
の目的用途などに応じ各種の添加剤を配合することがで
きる。例えばワックス類、ステアリン酸等の脂肪酸及び
その金属塩等の離型剤、カーボンブラック等の顔料、染
料、酸化防止剤、難燃化剤、その他の添加剤を通常の添
加量で配合することは差支えない。
【0028】本発明の組成物は、上述した成分の所定量
を均一に撹拌、混合し、予め70〜95℃に加熱してあ
るニーダー、ロール、エクストルーダーなどで混練、冷
却し、粉砕するなどの方法で得ることができる。なお、
成分の配合順序に特に制限はない。
【0029】なお、半導体装置の封止を行う場合は、従
来より採用されている成形方法、例えばトランスファ成
形、インジェクション成形、注型法などを採用して行う
ことができる。この場合、エポキシ樹脂の成形温度は1
50〜180℃、ポストキュアーは150〜180℃で
2〜16時間行うことが好ましい。
【0030】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。なお、実施例の説明に先立ち、本発明に用
いられる有機ケイ素化合物及びシリーコン変性エポキシ
樹脂の製造方法について説明する。
【0031】〔有機ケイ素化合物の製造方法〕表1に示
す配合量でγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、DBU、水を混合
し、25℃において2時間撹拌することにより部分加水
分解された有機ケイ素化合物(a),(b)を得た。
【0032】
【表1】
【0033】〔シリコーン変性エポキシ樹脂の製造方
法〕リフラックスコンデンサー、温度計、撹拌機及び滴
下ロートを具備した内容積1リットルの四つ口フラスコ
へ軟化点80℃のエポキシ化フェノールノボラック樹脂
(エポキシ当量195)300gを入れ、温度110℃
で撹拌しながら2−アリルフェノール32gとトリブチ
ルアミン1gとの混合物を滴下時間10分にて滴下し、
更に温度110℃にて2時間撹拌を続けた。得られた内
容物から未反応の2−アリルフェノール及びトリブチル
アミンを減圧下で留去し、アリル基含有のエポキシ樹脂
(アリル当量1490、エポキシ当量235)を得た。
【0034】次に、上記と同様の四つ口フラスコに、上
記方法で得たアリル基含有のエポキシ樹脂120g、メ
チルイソブチルケトン100g、トルエン200g、白
金濃度2%の2−エチルヘキサノール変性塩化白金酸溶
液0.04gをそれぞれ入れ、1時間の共沸脱水を行
い、還流温度で下記式(4)のオルガノポリシロキサン
80gを30分間で滴下し、更に同一温度で4時間撹拌
して反応させた後、得られた内容物を水洗し、溶剤を減
圧下で留去することにより、シリコーン変性エポキシ樹
脂を得た。
【0035】
【化2】
【0036】[実施例1,2,3、比較例1,2]エポ
キシ当量200のエポキシ化クレゾールノボラック樹脂
(硬化性エポキシ樹脂)及びフェノール当量110のフ
ェノールノボラック樹脂、上記の方法で製造された有機
ケイ素化合物又は未処理のγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、上記の方法で製造されたシリコーン
変性エポキシ樹脂を表2に示す配合量で使用し、臭素化
エポキシノボラック樹脂10部、トリフェニルホスフィ
ン1.0部、石英粉末260部、ワックスE1.5部、
カーボンブラック1.0部を加えて得られた配合物を均
一に撹拌混合し、予め75〜95℃に加熱してあるニー
ダーロールで混練冷却し、エポキシ樹脂組成物を得た。
【0037】これらのエポキシ樹脂組成物につき以下の
(a)〜(e)の諸試験を行った。結果を表2に併記す
る。 (a)機械的強度(曲げ強度、曲げ弾性率) JIS K−6011に準じて175℃,70kg/c
2,成形時間2分の条件で10mm×4mm×100
mmの抗折棒を成形し、180℃で4時間のポストキュ
アーしたものについて測定した。 (b)ガラス転移温度 5mm×5mm×15mmの試験片を用いてディラトメ
ーターにより5℃/分の速さで昇温したときの値を測定
した。 (c)引張り接着力 20mm×20mm×0.15mmの42アロイ製の板
の上に15mm×5mm×5mmの成形物が接着(接着
面は15mm×5mm)するようにして試験体を作製
し、引張り接着力を測定した。なお、硬化条件は上記試
験(a)と同様とした。 (d)吸湿時の耐クラック性(PKGクラック発生時) 10.0mm×8.0mm×0.3mmの大きさのシリ
コンチップを64PIN−QFPフレーム(42アロ
イ)に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を成形した
後、85℃,85%RHの恒温恒湿槽中に12時間放置
したものを215℃の半田浴に30秒間浸漬し、樹脂ク
ラック発生率を調べた(サンプル数n=20)。なお、
硬化条件は上記試験(a)と同様とした。 (e)LSIの耐湿性(LSI不良発生率) 256kビットDRAMメモリーLSIを50個を成形
し、85℃,85%RHの恒温恒湿槽中に12時間放置
したものを215℃のVPS(Vapor Phase
Solder(蒸気相半田浴))に60秒間浸漬し、
次いで121℃,2気圧の飽和水蒸気中に200時間放
置し、そのLSIの電気的動作の不良発生率を測定し
た。なお、硬化条件は上記試験(a)と同様とした。
【0038】
【表2】
【0039】表2に示されるように、本発明により得ら
れた部分加水分解された有機ケイ素化合物を含有するエ
ポキシ樹脂組成物は、従来使用されている有機ケイ素化
合物(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
をそのまま配合した場合に比べ、機械的強度、ガラス転
移温度の劣化なく、接着力においてそれらを上回る優れ
た特性を持つことが認められる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエポキシ
樹脂組成物は熱衝撃に対して耐クラック性、耐剥離性に
優れた硬化物を与えるもので、半導体の封止材等として
好適に使用でき、本発明の組成物により封止された半導
体装置は高品質なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土橋 和夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (72)発明者 富吉 和俊 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社 シリコーン電 子材料技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−166824(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硬化性エポキシ樹脂と硬化剤とを含有
    し、かつ無機充填剤を硬化性エポキシ樹脂と硬化剤との
    総量100重量部に対し100〜1000重量部の割合
    で配合したエポキシ樹脂組成物に、下記(A)〜(C)
    の成分を混合して得られる部分加水分解された有機ケイ
    素化合物をエポキシ樹脂組成物100重量部に対し0.
    1〜1重量部の割合で配合してなることを特徴とするエ
    ポキシ樹脂組成物。 (A)下記式(1)で示される化合物 R Si(OR4−a …(1) (式中、Rは非置換又は置換の1価炭化水素基、R
    は炭素数1〜4の非置換又は置換の1価炭化水素基を表
    し、aは1,2又は3である。) (B)アミン化合物 (C)水
  2. 【請求項2】 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬
    化物により封止された半導体装置。
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