JPH01132651A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH01132651A JPH01132651A JP29135587A JP29135587A JPH01132651A JP H01132651 A JPH01132651 A JP H01132651A JP 29135587 A JP29135587 A JP 29135587A JP 29135587 A JP29135587 A JP 29135587A JP H01132651 A JPH01132651 A JP H01132651A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はポリエーテルサルホンを配合してなる耐冷熱衝
撃性、耐熱性および耐湿性に優れた新規な半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関する。
撃性、耐熱性および耐湿性に優れた新規な半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関する。
[従来の技術およびその問題点]
現在IC1LSIなどの半導体素子をシリコーン樹脂ま
たはエポキシ樹脂などを用いて封止する樹脂封止法が広
く採用され、これらのなかでもエポキシ樹脂は比較的優
れた気密性を与え、かつ安価であることから半導体封止
用樹脂として汎用されている。
たはエポキシ樹脂などを用いて封止する樹脂封止法が広
く採用され、これらのなかでもエポキシ樹脂は比較的優
れた気密性を与え、かつ安価であることから半導体封止
用樹脂として汎用されている。
しかしながら、IC,LSIの実装方法の多用化により
樹脂封止パッケージは小型化および薄型化される傾向に
あり、従来のエポキシ系樹脂を用いて小型化および薄型
化されたパッケージを作製したばあい、エポキシ系樹脂
の^温(150℃以上)機械強度が低いため、基板実装
後、半田のなかにデイツプしたのちに封止樹脂にクラッ
クが発生する。
樹脂封止パッケージは小型化および薄型化される傾向に
あり、従来のエポキシ系樹脂を用いて小型化および薄型
化されたパッケージを作製したばあい、エポキシ系樹脂
の^温(150℃以上)機械強度が低いため、基板実装
後、半田のなかにデイツプしたのちに封止樹脂にクラッ
クが発生する。
そこでこのクラックを防ぐためにエポキシマトリックス
中にゴム成分を分散させたり、線膨張係数を小さくする
ために無機充填剤の添加員を増大せしめるなどの方法が
検討されている。
中にゴム成分を分散させたり、線膨張係数を小さくする
ために無機充填剤の添加員を増大せしめるなどの方法が
検討されている。
たとえば、特開昭61−168619号公報に開示され
ているような方法により前記ゴム成分をエポキシマトリ
ックス中に分散させる方法を採用したばあい、封止樹脂
が半田のなかにデイツプさせることにより誘起する応力
を低減せしめ、クラック発生が低減するという効果はあ
るが、封止樹脂の高温機械強度および室温での機械強度
がさらに低下するので長期間にわたる信頼性の低下やI
Cのアセンブリ工程におけるパッケージクラックの発生
などの不都合が生じる。
ているような方法により前記ゴム成分をエポキシマトリ
ックス中に分散させる方法を採用したばあい、封止樹脂
が半田のなかにデイツプさせることにより誘起する応力
を低減せしめ、クラック発生が低減するという効果はあ
るが、封止樹脂の高温機械強度および室温での機械強度
がさらに低下するので長期間にわたる信頼性の低下やI
Cのアセンブリ工程におけるパッケージクラックの発生
などの不都合が生じる。
一方、無機充填剤の添加量を増大し膨張係数を低減せし
めるには、該無機充填剤の添加量は80%(重量%、以
下同様)以上必要であるが、このばあい樹脂組成物の溶
融粘度が増大して流動性が著しく低下し、素子を封止す
る際にさらに高圧成形が必要となる。また、溶融粘度の
増大により成形時に金線流れや断線が生じ、好ましくな
い状態を生じる。
めるには、該無機充填剤の添加量は80%(重量%、以
下同様)以上必要であるが、このばあい樹脂組成物の溶
融粘度が増大して流動性が著しく低下し、素子を封止す
る際にさらに高圧成形が必要となる。また、溶融粘度の
増大により成形時に金線流れや断線が生じ、好ましくな
い状態を生じる。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、封止樹脂の高温機械強度を高めることにより半田のな
かにデイツプした後であってもパッケージに損傷を与え
ない耐熱性および耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物をうることを目的とする。
、封止樹脂の高温機械強度を高めることにより半田のな
かにデイツプした後であってもパッケージに損傷を与え
ない耐熱性および耐湿性に優れた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物をうることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は多官能エポキシ化合物、フェノールノボラック
樹脂、無機質フィラー、ポリエーテルサルホンおよび硬
化促進剤を含有した樹脂組成物であり、ポリエーテルサ
ルホンを該樹脂組成物中0.1〜15%の範囲で含有さ
せたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に関する。
樹脂、無機質フィラー、ポリエーテルサルホンおよび硬
化促進剤を含有した樹脂組成物であり、ポリエーテルサ
ルホンを該樹脂組成物中0.1〜15%の範囲で含有さ
せたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に関する。
[実施例]
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、多官能エ
ポキシ化合物、フェノールノボラック樹脂、無機質フィ
ラー、ポリエーテルサルホンおよび硬化促進剤を含有し
たものである。
ポキシ化合物、フェノールノボラック樹脂、無機質フィ
ラー、ポリエーテルサルホンおよび硬化促進剤を含有し
たものである。
本発明に用いられる多官能エポキシ化合物としては、た
とえばノボラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂環式系エポキシ樹脂など種々のタイプ
のエポキシ樹脂があげられるが、これらのなかでもノボ
ラック系エポキシ樹脂は^温特性に優れているので好ま
しい。なお、これらのエポキシ樹脂は単独で用いてもよ
く、2種以上を併用してもよい。
とえばノボラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂環式系エポキシ樹脂など種々のタイプ
のエポキシ樹脂があげられるが、これらのなかでもノボ
ラック系エポキシ樹脂は^温特性に優れているので好ま
しい。なお、これらのエポキシ樹脂は単独で用いてもよ
く、2種以上を併用してもよい。
さらにこれらの多官能エポキシ化合物とともに必要に応
じて臭素化ノボラック系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を併用して
もよい。このばあい、これらのエポキシ樹脂の使用量は
多官能エポキシ樹脂100部(重量部、以下同様)に対
して50部以下であるのが好ましい。
じて臭素化ノボラック系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を併用して
もよい。このばあい、これらのエポキシ樹脂の使用量は
多官能エポキシ樹脂100部(重量部、以下同様)に対
して50部以下であるのが好ましい。
本発明に用いられるフェノールノボラック樹脂とは、た
とえばフェノール、クレゾール、キシレノール、ビスフ
ェノールAルーゾルシンなどのフェノール系化合物とホ
ルムアルデヒドまたはパラホルムアルデヒドを酸性触媒
下で縮合反応させることによりえられたものであり、未
反応上ツマ−はえられたフェノールノボラック樹脂90
.5%以下であるのが好ましい。
とえばフェノール、クレゾール、キシレノール、ビスフ
ェノールAルーゾルシンなどのフェノール系化合物とホ
ルムアルデヒドまたはパラホルムアルデヒドを酸性触媒
下で縮合反応させることによりえられたものであり、未
反応上ツマ−はえられたフェノールノボラック樹脂90
.5%以下であるのが好ましい。
前記多官能エポキシ化合物などのエポキシ樹脂とフェノ
ールノボラック樹脂との配合割合は、エポキシ樹脂のエ
ポキシ基1当量あたりフェノールノボラック樹脂の叶当
量が0.8〜1.2であるのが好ましい。エポキシ樹脂
のエポキシ基1当量に対してフェノールノボラック樹脂
の叶当量が0.8未満であるばあい、組成物のガラス転
移温度が低くなって、耐湿性や耐熱性が低下し、また叶
当量が1.2をこえるばあい、硬化物中に7エノールノ
ボラツク樹脂が未反応物として多く残り、耐湿性や耐熱
性が低下するようになる。
ールノボラック樹脂との配合割合は、エポキシ樹脂のエ
ポキシ基1当量あたりフェノールノボラック樹脂の叶当
量が0.8〜1.2であるのが好ましい。エポキシ樹脂
のエポキシ基1当量に対してフェノールノボラック樹脂
の叶当量が0.8未満であるばあい、組成物のガラス転
移温度が低くなって、耐湿性や耐熱性が低下し、また叶
当量が1.2をこえるばあい、硬化物中に7エノールノ
ボラツク樹脂が未反応物として多く残り、耐湿性や耐熱
性が低下するようになる。
本発明に用いられる無機質フィラーとしては、たとえば
結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉、タルク、
石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあ
げられる。これら無機質フィラーは本発明の樹脂組成物
中50〜80%の範囲で含有させるのが好ましい。50
%未満では線膨張係数および硬化収縮を低下させる効果
が小さくなり、また80%をこえると流動性が低下し、
作業性が低下する傾向にあるので、50〜80%の範囲
内で要求特性に応じて配合量を適宜選択するのが好まし
い。
結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉、タルク、
石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊維などがあ
げられる。これら無機質フィラーは本発明の樹脂組成物
中50〜80%の範囲で含有させるのが好ましい。50
%未満では線膨張係数および硬化収縮を低下させる効果
が小さくなり、また80%をこえると流動性が低下し、
作業性が低下する傾向にあるので、50〜80%の範囲
内で要求特性に応じて配合量を適宜選択するのが好まし
い。
本発明におけるポリエーテルサルホンはじん性および高
温機械強度を向上させるために配合される成分であり、
−数式(I): (式中、nは30〜160を表わす)で示される構造を
有るものであり、なかでも末端に−OH基を有するポリ
エーテルサルホンが好ましい。ポリエーテルサルホンの
具体例としては、アイ・シー・アイ(ICI)社(英国
)製の5003P 、 3600P 、 4100P
。
温機械強度を向上させるために配合される成分であり、
−数式(I): (式中、nは30〜160を表わす)で示される構造を
有るものであり、なかでも末端に−OH基を有するポリ
エーテルサルホンが好ましい。ポリエーテルサルホンの
具体例としては、アイ・シー・アイ(ICI)社(英国
)製の5003P 、 3600P 、 4100P
。
4800P 、 5200Pなどがあげられる。
前記ポリエーテルサルホンは、本発明の樹脂組成物中0
.1〜15%の範囲で含有させなければならず、さらに
1.0〜10%の範囲であるのが好ましい。
.1〜15%の範囲で含有させなければならず、さらに
1.0〜10%の範囲であるのが好ましい。
0.1%未満では、じん性および高温機械強度を向上さ
せる効果が小さくなり、また15%をこえるばあいはえ
られる組成物の流動性が低下し、作業性を損ない実用に
適しない。
せる効果が小さくなり、また15%をこえるばあいはえ
られる組成物の流動性が低下し、作業性を損ない実用に
適しない。
本発明に用いられる硬化促進剤としては、たとえば2−
メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メ
チルイミダゾール、2−へブタデシルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物
;2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4.
6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベン
ジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキル
アミノメタノールアミン、テトラメチルグアニジン、2
−ジメチルアミノ −2−ヒドロキシプロパン、N、N
’−ジメチルピペラジン、トメチルモルホリン、ピペラ
ジン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、ヘキ
サメチレンテトラミン、1−ヒドロキシエチル−2−ヘ
プタデシルグリオキサリジン、1.8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−1などの第3級アミンおよ
びその他のアミン系化合物、トリフェニルホスフィンな
どのリン系化合物などがあげられる。該硬化促進剤の添
加量は、硬化促進剤の種類によって異なるので一概に決
定することはできず、本発明はかかる添加量によって限
定されるものではないが、通常エポキシ樹脂100部に
対して0.1〜5部の範囲であるのが好ましい。
メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メ
チルイミダゾール、2−へブタデシルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物
;2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4.
6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ベン
ジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミ
ン、ピペリジン、ジメチルラウリルアミン、ジアルキル
アミノメタノールアミン、テトラメチルグアニジン、2
−ジメチルアミノ −2−ヒドロキシプロパン、N、N
’−ジメチルピペラジン、トメチルモルホリン、ピペラ
ジン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、ヘキ
サメチレンテトラミン、1−ヒドロキシエチル−2−ヘ
プタデシルグリオキサリジン、1.8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−1などの第3級アミンおよ
びその他のアミン系化合物、トリフェニルホスフィンな
どのリン系化合物などがあげられる。該硬化促進剤の添
加量は、硬化促進剤の種類によって異なるので一概に決
定することはできず、本発明はかかる添加量によって限
定されるものではないが、通常エポキシ樹脂100部に
対して0.1〜5部の範囲であるのが好ましい。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には必要に応
じてカーボンブラックなどの着色剤、カルナウバワック
ス、ポリエチレンワックスなどの離型剤、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、γ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシランなどのカップリング剤、シリコーンゴム、フ
ッ素ゴムなどのゴム成分などを該組成物中の含有量が1
0%をこえない範囲で添加してもよい。
じてカーボンブラックなどの着色剤、カルナウバワック
ス、ポリエチレンワックスなどの離型剤、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、γ−グリシドキシプロビルトリメト
キシシランなどのカップリング剤、シリコーンゴム、フ
ッ素ゴムなどのゴム成分などを該組成物中の含有量が1
0%をこえない範囲で添加してもよい。
また本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、一般
に使用されている公知の混合装置、たとえばロール、ニ
ーダ、ライカイ機、ヘンシェルミキサー(三井三池製作
所製)などを用いて容易に調製することができる。
に使用されている公知の混合装置、たとえばロール、ニ
ーダ、ライカイ機、ヘンシェルミキサー(三井三池製作
所製)などを用いて容易に調製することができる。
なお、ポリエーテルサルホンの樹脂組成物への混合は、
ポリエーテルサルホンパウダー(平均粒径1〜100ρ
のものが好ましい)をロール、ニーダなどを用いて練り
こんでもよいが、好適には■N−メチルー2−ピロリド
ン、シクロヘキサノンなどの有機溶剤に、ポリエーテル
サルホンと多官能エポキシ化合物および(または)フェ
ノールノボラック樹脂とを均一に溶解させて樹脂溶液と
したのち、減圧乾燥により溶剤がとり除かれたポリエー
テルサルホン混合物をハンマーミルなとで粉砕したもの
、 ■■の樹脂溶液をメチルアルコール、エチルアルコール
などのアルコール系有機溶剤、水、それらの混合物など
に加えて沈殿させ、ついで減圧乾燥によりポリエーテル
サルホン混合物をえ、これを粉砕したもの、 ■N−メチルー2−ピロリドン、シクロヘキサノンなど
の有機溶剤に水酸基含有ポリエーテルサルホンと多官能
エポキシ化合物とを溶解させた樹脂溶液を加温し、トリ
フェニルホスフィンなどの触媒を用いてあらかじめ水酸
基含有ポリエーテルサルホンと多官能エポキシ化合物を
反応させたのち、減圧乾燥により溶剤がとり除かれたポ
リエーテルサルホン/多官能エポキシ化合物反応物を粉
砕したもの、 ■■の水酸基含有ポリエーテルサルホンと多官能エポキ
シ化合物の反応物を含む樹脂溶液を、アルコールや水な
どに加えて沈殿させ、ついで減圧乾燥によりポリエーテ
ルサルホン/多官能エポキシ化合物反応物をえ、これを
粉砕したもの、■1−エポキシエチルー3,4−エポキ
シシクロヘキサン、3.4−エポキシ−6−メチルシク
ロヘキシルガルホキシートなどの脂環式エポキシ樹脂に
ポリエーテルサルホンを浸漬またはポリエーテルサルホ
ンに該脂環式エポキシ樹脂を噴霧し、加温したのち、浸
漬したものは濾過して脂環式エポキシ樹脂含有ポリエー
テルサルホンをえ、多官能エポキシ化合物および(また
は)フェノールノボラック樹脂とロール、ニーダなどで
溶融混合してポリエーテルサルホン混合物をえ、これを
粉砕したものなどのように、あらかじめ多官能エポキシ
化合物などに、混合または反応させたものを用いるのが
好ましい。
ポリエーテルサルホンパウダー(平均粒径1〜100ρ
のものが好ましい)をロール、ニーダなどを用いて練り
こんでもよいが、好適には■N−メチルー2−ピロリド
ン、シクロヘキサノンなどの有機溶剤に、ポリエーテル
サルホンと多官能エポキシ化合物および(または)フェ
ノールノボラック樹脂とを均一に溶解させて樹脂溶液と
したのち、減圧乾燥により溶剤がとり除かれたポリエー
テルサルホン混合物をハンマーミルなとで粉砕したもの
、 ■■の樹脂溶液をメチルアルコール、エチルアルコール
などのアルコール系有機溶剤、水、それらの混合物など
に加えて沈殿させ、ついで減圧乾燥によりポリエーテル
サルホン混合物をえ、これを粉砕したもの、 ■N−メチルー2−ピロリドン、シクロヘキサノンなど
の有機溶剤に水酸基含有ポリエーテルサルホンと多官能
エポキシ化合物とを溶解させた樹脂溶液を加温し、トリ
フェニルホスフィンなどの触媒を用いてあらかじめ水酸
基含有ポリエーテルサルホンと多官能エポキシ化合物を
反応させたのち、減圧乾燥により溶剤がとり除かれたポ
リエーテルサルホン/多官能エポキシ化合物反応物を粉
砕したもの、 ■■の水酸基含有ポリエーテルサルホンと多官能エポキ
シ化合物の反応物を含む樹脂溶液を、アルコールや水な
どに加えて沈殿させ、ついで減圧乾燥によりポリエーテ
ルサルホン/多官能エポキシ化合物反応物をえ、これを
粉砕したもの、■1−エポキシエチルー3,4−エポキ
シシクロヘキサン、3.4−エポキシ−6−メチルシク
ロヘキシルガルホキシートなどの脂環式エポキシ樹脂に
ポリエーテルサルホンを浸漬またはポリエーテルサルホ
ンに該脂環式エポキシ樹脂を噴霧し、加温したのち、浸
漬したものは濾過して脂環式エポキシ樹脂含有ポリエー
テルサルホンをえ、多官能エポキシ化合物および(また
は)フェノールノボラック樹脂とロール、ニーダなどで
溶融混合してポリエーテルサルホン混合物をえ、これを
粉砕したものなどのように、あらかじめ多官能エポキシ
化合物などに、混合または反応させたものを用いるのが
好ましい。
以下、実施例および比較例をあげて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定される
ものではない。
製造例1〜7および比較製造例1〜2
製造例1〜3は第1表に示す組成のものを攪拌機で均一
になるように混合して充分に溶解させ、これをイオン交
換水に加えて沈殿させ、ン濾過したものを減圧乾燥し、
ハンマーミル(不二バウダル■製)で粉砕してポリエー
テルサルホン混合物をえた。
になるように混合して充分に溶解させ、これをイオン交
換水に加えて沈殿させ、ン濾過したものを減圧乾燥し、
ハンマーミル(不二バウダル■製)で粉砕してポリエー
テルサルホン混合物をえた。
製造例4および5は第1表に示す各成分を500dの四
つロフラスコに入れ、135℃で4時間反応させたのち
、反応物を含む樹脂溶液をメチルアルコールに加えて沈
殿させ、濾過したものを減圧乾燥し、ハンマーミル(前
出)で粉砕し、ポリエーテルサルホン/多官能エポキシ
化合物反応物をえた。
つロフラスコに入れ、135℃で4時間反応させたのち
、反応物を含む樹脂溶液をメチルアルコールに加えて沈
殿させ、濾過したものを減圧乾燥し、ハンマーミル(前
出)で粉砕し、ポリエーテルサルホン/多官能エポキシ
化合物反応物をえた。
製造例6および7は、第1表に示すポリエーテルサルホ
ン粉末に脂環式エポキシ樹脂を噴霧したのち、70℃で
2時間加熱し、ついで50〜70℃の熱ロールで多官能
エポキシ化合物と充分混練し、冷却したものをハンマー
ミル(前出)で粉砕し、ポリエーテルサルホン混合物を
えた。
ン粉末に脂環式エポキシ樹脂を噴霧したのち、70℃で
2時間加熱し、ついで50〜70℃の熱ロールで多官能
エポキシ化合物と充分混練し、冷却したものをハンマー
ミル(前出)で粉砕し、ポリエーテルサルホン混合物を
えた。
減圧乾燥条件は、いずれも25℃、0.1〜10tor
rテ36時間、50℃、0.1〜5tOrrで24時間
および80℃、0.1〜5 torrで36時間である
。比較製造例1および2は、製造例1〜3と同様にして
ボ1ノエーテルサルホン混合物をえた。
rテ36時間、50℃、0.1〜5tOrrで24時間
および80℃、0.1〜5 torrで36時間である
。比較製造例1および2は、製造例1〜3と同様にして
ボ1ノエーテルサルホン混合物をえた。
[以下余白]
実施例1〜9および比較例1〜4
第2表に示す組成になるように多官能エポキシ化合物、
臭素化エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、無機
質フィラー、硬化促進剤、ポリエーテルサルホン混合物
またはポリエーテルサルホン/多官能エポキシ化合物反
応物およびその他の成分を調製し、70〜95℃の熱ロ
ールで4〜7分間混練したのち、直径45111%高さ
35jw*のタブレットをかさ密度が1.5〜1.7と
なるようにプレスを用いて形成した。
臭素化エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、無機
質フィラー、硬化促進剤、ポリエーテルサルホン混合物
またはポリエーテルサルホン/多官能エポキシ化合物反
応物およびその他の成分を調製し、70〜95℃の熱ロ
ールで4〜7分間混練したのち、直径45111%高さ
35jw*のタブレットをかさ密度が1.5〜1.7と
なるようにプレスを用いて形成した。
つぎにえられたタブレットを用い、金型温度180℃±
5℃、プランジャー圧力80にり/ al11成形時間
90秒の条件でトランスファー成形し、各種信頼性評価
用モニターチップおよび各種評価用試片を作製した。つ
ぎにえられた各種信頼性評価用モニターチップおよび各
種評価用試片に温度175℃、8時間の後硬化を施した
。
5℃、プランジャー圧力80にり/ al11成形時間
90秒の条件でトランスファー成形し、各種信頼性評価
用モニターチップおよび各種評価用試片を作製した。つ
ぎにえられた各種信頼性評価用モニターチップおよび各
種評価用試片に温度175℃、8時間の後硬化を施した
。
つぎにえられた各種評価用試片を用いて曲げ弾性率、曲
げ強度、線膨張係数、ガラス転移温度および流動性を測
定した。その結果を第3表に示す。
げ強度、線膨張係数、ガラス転移温度および流動性を測
定した。その結果を第3表に示す。
比較例2は流動性がわるく各種評価用試片を作製するこ
とができなかった。
とができなかった。
[以下余白]
またえられた各種信頼性評価用モニターチップを用いて
耐湿信頼性試験および耐クラツク性試験を下記の方法に
より行なった。その結果を第4表に示す。
耐湿信頼性試験および耐クラツク性試験を下記の方法に
より行なった。その結果を第4表に示す。
(耐湿信頼性試験)
PCT (Pressure Cooker Te5t
)により130℃、2.7気圧の条件で不良が発生する
までの時間を測定した。
)により130℃、2.7気圧の条件で不良が発生する
までの時間を測定した。
(耐クラツク性試験)
PCl 121℃、2気圧、24時間後、260℃の半
田浴に60秒間浸漬したのち、パッケージクラックの発
生した試片数をカウントした。
田浴に60秒間浸漬したのち、パッケージクラックの発
生した試片数をカウントした。
[以下余白]
第3表かられかるように、本発明の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いたばあい、ガラス転移温度および線
膨張係数などの基本的特性や組成物の流動性を著しく変
えることなくその強度を向上させることができ、しかも
第4表かられかるようにPCT後の熱衝撃にも非常に優
れていることがわかる。
シ樹脂組成物を用いたばあい、ガラス転移温度および線
膨張係数などの基本的特性や組成物の流動性を著しく変
えることなくその強度を向上させることができ、しかも
第4表かられかるようにPCT後の熱衝撃にも非常に優
れていることがわかる。
[発明の効果]
以上のように本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、ポリエーテルサルホンが配合されているので優れた
熱時機械強度、熱衝撃後の耐クラツク性、耐熱性および
耐湿性を有し、ICやLSIなどの半導体封止樹脂とし
て好適に使用しうるという効果を奏する。
は、ポリエーテルサルホンが配合されているので優れた
熱時機械強度、熱衝撃後の耐クラツク性、耐熱性および
耐湿性を有し、ICやLSIなどの半導体封止樹脂とし
て好適に使用しうるという効果を奏する。
Claims (1)
- (1)多官能エポキシ化合物、フェノールノボラック樹
脂、無機質フィラー、ポリエーテルサルホンおよび硬化
促進剤を含有した樹脂組成物であり、ポリエーテルサル
ホンを該樹脂組成物中0.1〜15重量%の範囲で含有
させたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29135587A JPH01132651A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29135587A JPH01132651A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01132651A true JPH01132651A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17767856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29135587A Pending JPH01132651A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01132651A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2342356B (en) * | 1998-10-07 | 2002-01-23 | Sumitomo Chemical Co | Thermosetting resin compositions for build-up method |
JP2010254955A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Toray Ind Inc | アンダーフィル剤およびそれを用いた半導体装置 |
JP2011231252A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
WO2020034387A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 苏州德林泰精工科技有限公司 | 一种用于芯片堆叠封装的树脂垫片及其制备方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP29135587A patent/JPH01132651A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2342356B (en) * | 1998-10-07 | 2002-01-23 | Sumitomo Chemical Co | Thermosetting resin compositions for build-up method |
JP2010254955A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-11-11 | Toray Ind Inc | アンダーフィル剤およびそれを用いた半導体装置 |
JP2011231252A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
WO2020034387A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 苏州德林泰精工科技有限公司 | 一种用于芯片堆叠封装的树脂垫片及其制备方法 |
US11952487B2 (en) | 2018-08-14 | 2024-04-09 | Su Zhou Dream Technology Co., Ltd. | Resin spacer for chip stacking and packaging and preparation method thereof |
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