JPH0445982B2 - - Google Patents
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Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物によつて
封止された高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関
する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 エポキシ樹脂は電気特性、機械特性、耐薬品性
などが優れているため信頼性の高い電気絶縁材料
として半導体装置の封止に広く用いられている。
最近では従来のセラミツクスを用いたハーメチツ
ク封止にかわつて、ほとんどの半導体装置たとえ
ば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、ダ
イオードなどが低圧成形用のエポキシ樹脂組成物
を用いて封止されている。この半導体封止用エポ
キシ樹脂、ノボラツク型フエノール樹脂硬化剤、
イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ樹脂
組成物が広く用いられている。 しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トラン
スフア成形して得られる樹脂封止型半導体装置は
次のような欠点があつた。 (1) 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ耐湿性が劣ること (2) 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ高温時の電気特性が劣るこ
と 上記耐湿性について説明すると、樹脂封止型半
導体装置は高温高湿雰囲気下で使用または保存す
ることがあるが、そのような条件においても充分
な信頼性を有することが望まれている。耐湿性の
品質保証のための評価試験としては、85℃または
120℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行
なわれており、最近では電圧を印加して更に加速
性を高めたバイアス印加型の評価試験も実施され
ている。 しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は
吸湿性、透湿性があるため、このような高温高湿
状態下では外部から水分が封止樹脂硬化物層を通
つて内部に浸透し、または封止樹脂とリードフレ
ームとの界面を通つて内部に入り、半導体素子の
表面にまで到達する。この水分と封止樹脂中の存
在している不純物イオンなどの作用の結果とし
て、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リー
ク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐
食を主体とした不良を発生する。またバイアス電
圧を印加した場合にはその電気化学的作用によつ
てアルミニウム電極、配線の腐食による不良が特
に著しく多発する。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性に関
し充分に満足できるものではなく、耐湿性の向上
が求められていた。 次に高温時の電気特性について説明すると、樹
脂封止型半導体装置は高温条件下で使用すること
があるので、そのような条件においても信頼性を
改善しなければならない。そのための評価試験と
しては80℃〜150℃でバイアス電圧を印加して信
頼性を評価する加速試験が一般的である。 このような試験において表面が鋭敏なMOS構
造をもつ素子やバイアスが印加されたPN接合を
もつ素子に特に著しく多発する不良として、チヤ
ネリングによるリーク電流の増加する現象がある
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加
された素子の表面に接している樹脂層に電界が作
用することによつて発生すると考えられている。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電
気特性に関し充分に満足できるものではなく改良
が求められていた。 〔発明の目的〕 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半
導体装置の欠点を改良することにあり、エポキシ
樹脂組成物によつて封止された、優れた耐湿性と
高温電気特性を有する高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研
究を重ねた結果、硬化促進剤などが上記欠点を形
成する主要因であることを解明し、更に次に示す
エポキシ樹脂組成物が半導体用封止樹脂として従
来のエポキシ樹脂組成物に較べ優れた特性を有す
ることを見出し、これを用いることによつて耐湿
性や高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止
型半導体装置が得られれることを見出した。 すなわち本発明は (a) エポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキ
シ樹脂 (b) １分子中に少くとも２個以上のフエノール性
水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (c) 有機ホスフイン化合物および (d) シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物に
よつて半導体装置が封止されて成ることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置である。 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エ
ポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキシ樹脂
であつて、たとえばフエノールノボラツク型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラツク型エポキシ樹
脂、ハロゲン化フエノールノボラツク型エポキシ
樹脂などである。これらエポキシ樹脂は１種もし
くは２種以上の混合系で用いてもよい。上記以外
のエポキシ樹脂たとえばビスフエノールＡ型エポ
キシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポ
キシ樹脂、脂還式エポキシ樹脂、複素還型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などは、上記エ
ポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキシ樹脂
に併用した場合に使用することができる。配合量
はノボラツク型エポキシ樹脂に対し50重量％以下
が好ましい。またこれらエポキシ樹脂は塩素イオ
ンの含有量が10ppm以下、加水分解性塩素の含有
量が0.1重量％以下のものが望ましい。 本発明において用いられる１分子中に２個以上
のフエノール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬
化剤は、フエノール樹脂、ポリオキシスチレン、
および多価フエノール化合物であつて、具体的に
例示すると、フエノールノボラツク樹脂、クレゾ
ールノボラツク樹脂、tert−ブチルフエノールノ
ボラツク樹脂、ノニルフエノールノボラツク樹脂
などのノボラツク型フエーノール樹脂、レゾール
型フエノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなど
のポリオキシスチレン、ビスフエノールＡ等およ
びこれらの化合物のハロゲン化物等である。これ
らの中でもノボラツク型フエノール樹脂およびポ
リオキシスチレンが最も好ましい。またこれらの
硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使用す
ることができる。 エポキシ樹脂と硬化剤の配合比については、硬
化剤のフエノール性水酸基の数とエポキシ樹脂の
エポキシ基の数の比が0.5〜1.5の範囲内にあるよ
うに配合することが望ましい。その理由は0.5未
満あるいは1.5を越えると反応が充分におこりに
くくなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるため
である。 本発明において硬化促進剤として用いられる有
機ホスフイン化合物としては、式： においてR1〜R3がすべて有機基である第３ホス
フイン化合物、R3のみ水素である第２ホスフイ
ン化合物、R2、R3がともに水素である第１ホス
フイン化合物がある。具体的にはトリフエニルホ
スフイン、トリブチルホスフイン、トリシクロヘ
キシルホスフイン、メチルジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、ジフエニルホス
フイン、フエニルホスフイン、オクチルホスフイ
ンなどである。またR1が有機ホスフインを含む
有機基であつてもよい。たとえば１，２−ビス
（ジフエニルホスフイノ）エタン、ビス（ジフエ
ニルホスフイノ）メタンなどである。 これらの中でもアリーリホスフイン化合物が好
ましく、特にトリフエニルホスフイン、１，２−
ビス（ジフエニルホスフイノ）エタン、ビス（ジ
フエニルホスフイノ）メタンなどが最も好まし
い。またこれらの有機ホスフイノ化合物は１種も
しくは２種以上の混合系で用いてもよい。しかし
てこの有機ホスフイン化合物のは配合量は一般に
樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤の総量）の0.01
〜20重量％の範囲内でよいが特に好ましい特性は
0.01〜５重量％の範囲内で得られる。 本発明において用いられるシリコーンオイルと
はジメチルポリシロキサン、メチルフエニルポリ
シロキサン、トリフロロプロピルメチルポリシロ
キサンなどであつて、25℃における粘度0.5〜
100000センチストークのものが用いられる。配合
量は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤の総量）に
対し0.1〜10重量％の範囲内が好ましい。 シリコーンオイルは、エポキシ樹脂等の他の成
分と同時に配合することができるが、他の好まし
い使用法としては、必要に応じて用いることがで
きる無機質充てん剤をシリコーンオイルで表面処
理して使用する方法がある。表面処理は無機質充
てん剤とシリコーンオイルを混合撹拌することに
より容易に行うことができる。 本発明において必要に応じて用いられる無機質
充てん剤としては、石英ガラス粉末、結晶性シリ
カ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉末、ケ
イ酸カルシウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸
バリウム粉末、マグネシア粉末などがあるが、こ
れらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シリカ粉末
が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好ましい。
しかしてこれら無機質充てん剤の配合量はエポキ
シ樹脂、フエノール樹脂硬化剤および無機質充て
ん剤の種類によつても異なるが、たとえばトラン
スフア成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフエ
ノール樹脂硬化剤の総量に対し重量比で1.5倍〜
４倍程度でよい。無機質充てん剤の粒度分布につ
いては、粗い粒子と細い粒子を組み合わせて分布
を均一にすることによつて成形性を改善すること
ができる。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じ
て、例えば天然ワツクス類、合成ワツクス類、直
鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類もし
くはパラフイン類などの離型剤、塩素化パラフイ
ン、プロムトルエン、ヘキサプロムベンゼン、三
酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラツク
などの着色剤、シランカツプリング剤などを適宜
添加配合しても差しつかえない。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、所定
の組成比に選んだ原料組成分を例えばミキサーに
よつて充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダーなどによる混合処理を加
えることにより容易にエポキシ樹脂成形材料を得
ることができる。 本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記エポキ
シ樹脂系組成物乃至成形材料を用いて半導体装置
を封止することにより容易に製造することができ
る。封止の最も一般的な方法としては低圧トラン
スフア成形法があるが、インジエクシヨン成形、
圧縮成形、注型などによる封止も可能である。 エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際
に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物乃至
成形材料の硬化物によつて封止された樹脂封止型
半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
150℃以上に加熱することが特に望ましい。 本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模
集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオー
ドなどであつて特に限定するものではない。 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例を説明する。 実施例 １〜３ エポキシ当量220のクレゾールノボラツク型エ
ポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量290
の臭素化エポキシノボラツク樹脂（エポキシ樹脂
Ｂ）、分子量800のフエノールノボラツク樹脂硬化
剤、トリフエニルホスフイン、２−メチルイミダ
ゾール、ジメチルアミノメチルフエノール、粘度
200センチトークス（25℃）のジメチルポリシロ
キサン、粘度100センチトーク（25℃）のメチル
フエニルポリシロキサン、粘度100000センチスト
ークス（25℃）のトリフロロプロピルメチルポリ
シロキサン、石英ガラス粉末、三酸化アンチモ
ン、カルナバワツクス、カーボンブラツク、シラ
ンカツプリング剤（γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン）を表−１に示す組成比（重量
部）に選び、各組成物をミキサーによる混合、加
熱ロールによる混練を行うことによつて、比較例
を含め６種のトランスフア成形材料を調製した。 このようにして得た成形材料を用いてトランス
フア成形することによりMOS型集積回路を樹脂
封止した。封止は高周波予熱化器で90℃に加熱し
た成形材料を175℃で２分間モールドし、更に180
℃で３時間アフタキユアすることにより行なつ
た。上記樹脂封止型半導体装置各100個について
次の試験を行なつた。 (1) 120℃、２気圧の水蒸気中で10V印加してア
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる
耐湿試験（バイアスPCT）を行い、その結果
を表−２に示した。 (2) 120℃、２気圧の水蒸気中に放置してアルミ
ニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（PCT）を行いその結果を表−３に示し
た。
封止された高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関
する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 エポキシ樹脂は電気特性、機械特性、耐薬品性
などが優れているため信頼性の高い電気絶縁材料
として半導体装置の封止に広く用いられている。
最近では従来のセラミツクスを用いたハーメチツ
ク封止にかわつて、ほとんどの半導体装置たとえ
ば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、ダ
イオードなどが低圧成形用のエポキシ樹脂組成物
を用いて封止されている。この半導体封止用エポ
キシ樹脂、ノボラツク型フエノール樹脂硬化剤、
イミダゾール硬化促進剤等から成るエポキシ樹脂
組成物が広く用いられている。 しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トラン
スフア成形して得られる樹脂封止型半導体装置は
次のような欠点があつた。 (1) 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ耐湿性が劣ること (2) 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ高温時の電気特性が劣るこ
と 上記耐湿性について説明すると、樹脂封止型半
導体装置は高温高湿雰囲気下で使用または保存す
ることがあるが、そのような条件においても充分
な信頼性を有することが望まれている。耐湿性の
品質保証のための評価試験としては、85℃または
120℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行
なわれており、最近では電圧を印加して更に加速
性を高めたバイアス印加型の評価試験も実施され
ている。 しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は
吸湿性、透湿性があるため、このような高温高湿
状態下では外部から水分が封止樹脂硬化物層を通
つて内部に浸透し、または封止樹脂とリードフレ
ームとの界面を通つて内部に入り、半導体素子の
表面にまで到達する。この水分と封止樹脂中の存
在している不純物イオンなどの作用の結果とし
て、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リー
ク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐
食を主体とした不良を発生する。またバイアス電
圧を印加した場合にはその電気化学的作用によつ
てアルミニウム電極、配線の腐食による不良が特
に著しく多発する。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性に関
し充分に満足できるものではなく、耐湿性の向上
が求められていた。 次に高温時の電気特性について説明すると、樹
脂封止型半導体装置は高温条件下で使用すること
があるので、そのような条件においても信頼性を
改善しなければならない。そのための評価試験と
しては80℃〜150℃でバイアス電圧を印加して信
頼性を評価する加速試験が一般的である。 このような試験において表面が鋭敏なMOS構
造をもつ素子やバイアスが印加されたPN接合を
もつ素子に特に著しく多発する不良として、チヤ
ネリングによるリーク電流の増加する現象がある
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加
された素子の表面に接している樹脂層に電界が作
用することによつて発生すると考えられている。 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電
気特性に関し充分に満足できるものではなく改良
が求められていた。 〔発明の目的〕 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半
導体装置の欠点を改良することにあり、エポキシ
樹脂組成物によつて封止された、優れた耐湿性と
高温電気特性を有する高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研
究を重ねた結果、硬化促進剤などが上記欠点を形
成する主要因であることを解明し、更に次に示す
エポキシ樹脂組成物が半導体用封止樹脂として従
来のエポキシ樹脂組成物に較べ優れた特性を有す
ることを見出し、これを用いることによつて耐湿
性や高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止
型半導体装置が得られれることを見出した。 すなわち本発明は (a) エポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキ
シ樹脂 (b) １分子中に少くとも２個以上のフエノール性
水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (c) 有機ホスフイン化合物および (d) シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物に
よつて半導体装置が封止されて成ることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置である。 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エ
ポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキシ樹脂
であつて、たとえばフエノールノボラツク型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラツク型エポキシ樹
脂、ハロゲン化フエノールノボラツク型エポキシ
樹脂などである。これらエポキシ樹脂は１種もし
くは２種以上の混合系で用いてもよい。上記以外
のエポキシ樹脂たとえばビスフエノールＡ型エポ
キシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポ
キシ樹脂、脂還式エポキシ樹脂、複素還型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などは、上記エ
ポキシ当量170〜300のノボラツク型エポキシ樹脂
に併用した場合に使用することができる。配合量
はノボラツク型エポキシ樹脂に対し50重量％以下
が好ましい。またこれらエポキシ樹脂は塩素イオ
ンの含有量が10ppm以下、加水分解性塩素の含有
量が0.1重量％以下のものが望ましい。 本発明において用いられる１分子中に２個以上
のフエノール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬
化剤は、フエノール樹脂、ポリオキシスチレン、
および多価フエノール化合物であつて、具体的に
例示すると、フエノールノボラツク樹脂、クレゾ
ールノボラツク樹脂、tert−ブチルフエノールノ
ボラツク樹脂、ノニルフエノールノボラツク樹脂
などのノボラツク型フエーノール樹脂、レゾール
型フエノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなど
のポリオキシスチレン、ビスフエノールＡ等およ
びこれらの化合物のハロゲン化物等である。これ
らの中でもノボラツク型フエノール樹脂およびポ
リオキシスチレンが最も好ましい。またこれらの
硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使用す
ることができる。 エポキシ樹脂と硬化剤の配合比については、硬
化剤のフエノール性水酸基の数とエポキシ樹脂の
エポキシ基の数の比が0.5〜1.5の範囲内にあるよ
うに配合することが望ましい。その理由は0.5未
満あるいは1.5を越えると反応が充分におこりに
くくなり、硬化物の特性が劣化しやすくなるため
である。 本発明において硬化促進剤として用いられる有
機ホスフイン化合物としては、式： においてR1〜R3がすべて有機基である第３ホス
フイン化合物、R3のみ水素である第２ホスフイ
ン化合物、R2、R3がともに水素である第１ホス
フイン化合物がある。具体的にはトリフエニルホ
スフイン、トリブチルホスフイン、トリシクロヘ
キシルホスフイン、メチルジフエニルホスフイ
ン、ブチルフエニルホスフイン、ジフエニルホス
フイン、フエニルホスフイン、オクチルホスフイ
ンなどである。またR1が有機ホスフインを含む
有機基であつてもよい。たとえば１，２−ビス
（ジフエニルホスフイノ）エタン、ビス（ジフエ
ニルホスフイノ）メタンなどである。 これらの中でもアリーリホスフイン化合物が好
ましく、特にトリフエニルホスフイン、１，２−
ビス（ジフエニルホスフイノ）エタン、ビス（ジ
フエニルホスフイノ）メタンなどが最も好まし
い。またこれらの有機ホスフイノ化合物は１種も
しくは２種以上の混合系で用いてもよい。しかし
てこの有機ホスフイン化合物のは配合量は一般に
樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤の総量）の0.01
〜20重量％の範囲内でよいが特に好ましい特性は
0.01〜５重量％の範囲内で得られる。 本発明において用いられるシリコーンオイルと
はジメチルポリシロキサン、メチルフエニルポリ
シロキサン、トリフロロプロピルメチルポリシロ
キサンなどであつて、25℃における粘度0.5〜
100000センチストークのものが用いられる。配合
量は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤の総量）に
対し0.1〜10重量％の範囲内が好ましい。 シリコーンオイルは、エポキシ樹脂等の他の成
分と同時に配合することができるが、他の好まし
い使用法としては、必要に応じて用いることがで
きる無機質充てん剤をシリコーンオイルで表面処
理して使用する方法がある。表面処理は無機質充
てん剤とシリコーンオイルを混合撹拌することに
より容易に行うことができる。 本発明において必要に応じて用いられる無機質
充てん剤としては、石英ガラス粉末、結晶性シリ
カ粉末、ガラス繊維、タルク、アルミナ粉末、ケ
イ酸カルシウム粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸
バリウム粉末、マグネシア粉末などがあるが、こ
れらの中で石英ガラス粉末や、結晶性シリカ粉末
が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好ましい。
しかしてこれら無機質充てん剤の配合量はエポキ
シ樹脂、フエノール樹脂硬化剤および無機質充て
ん剤の種類によつても異なるが、たとえばトラン
スフア成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフエ
ノール樹脂硬化剤の総量に対し重量比で1.5倍〜
４倍程度でよい。無機質充てん剤の粒度分布につ
いては、粗い粒子と細い粒子を組み合わせて分布
を均一にすることによつて成形性を改善すること
ができる。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じ
て、例えば天然ワツクス類、合成ワツクス類、直
鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類もし
くはパラフイン類などの離型剤、塩素化パラフイ
ン、プロムトルエン、ヘキサプロムベンゼン、三
酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラツク
などの着色剤、シランカツプリング剤などを適宜
添加配合しても差しつかえない。 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、所定
の組成比に選んだ原料組成分を例えばミキサーに
よつて充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダーなどによる混合処理を加
えることにより容易にエポキシ樹脂成形材料を得
ることができる。 本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記エポキ
シ樹脂系組成物乃至成形材料を用いて半導体装置
を封止することにより容易に製造することができ
る。封止の最も一般的な方法としては低圧トラン
スフア成形法があるが、インジエクシヨン成形、
圧縮成形、注型などによる封止も可能である。 エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際
に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物乃至
成形材料の硬化物によつて封止された樹脂封止型
半導体装置を得ることができる。硬化に際しては
150℃以上に加熱することが特に望ましい。 本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模
集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオー
ドなどであつて特に限定するものではない。 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例を説明する。 実施例 １〜３ エポキシ当量220のクレゾールノボラツク型エ
ポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量290
の臭素化エポキシノボラツク樹脂（エポキシ樹脂
Ｂ）、分子量800のフエノールノボラツク樹脂硬化
剤、トリフエニルホスフイン、２−メチルイミダ
ゾール、ジメチルアミノメチルフエノール、粘度
200センチトークス（25℃）のジメチルポリシロ
キサン、粘度100センチトーク（25℃）のメチル
フエニルポリシロキサン、粘度100000センチスト
ークス（25℃）のトリフロロプロピルメチルポリ
シロキサン、石英ガラス粉末、三酸化アンチモ
ン、カルナバワツクス、カーボンブラツク、シラ
ンカツプリング剤（γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン）を表−１に示す組成比（重量
部）に選び、各組成物をミキサーによる混合、加
熱ロールによる混練を行うことによつて、比較例
を含め６種のトランスフア成形材料を調製した。 このようにして得た成形材料を用いてトランス
フア成形することによりMOS型集積回路を樹脂
封止した。封止は高周波予熱化器で90℃に加熱し
た成形材料を175℃で２分間モールドし、更に180
℃で３時間アフタキユアすることにより行なつ
た。上記樹脂封止型半導体装置各100個について
次の試験を行なつた。 (1) 120℃、２気圧の水蒸気中で10V印加してア
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる
耐湿試験（バイアスPCT）を行い、その結果
を表−２に示した。 (2) 120℃、２気圧の水蒸気中に放置してアルミ
ニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（PCT）を行いその結果を表−３に示し
た。
【表】
【表】
【表】
以上詳述したように、本発明の半導体装置は、
PCT、バイアスPCTのいずれのテストにおいて
も、優れた耐湿性を有しており、高温電気特性等
においても高信頼性を実現できるものである。
PCT、バイアスPCTのいずれのテストにおいて
も、優れた耐湿性を有しており、高温電気特性等
においても高信頼性を実現できるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) エポキシ当量170〜300のノボラツク型エ
ポキシ樹脂 (b) １分子中に少くとも２個以上のフエノール性
水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (c) 有機ホスフイン化合物および (d) シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物に
よつて封止されていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項の記載において、エポ
キシ樹脂組成物が更に無機質充てん剤を含有する
樹脂封止型半導体装置。 ３ 特許請求の範囲第２項記載のエポキシ樹脂組
成物において無機質充てん剤がシリコーンオイル
で表面処理されている樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048850A JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US06/479,481 US4617584A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Resin encapsulation type semiconductor device |
| EP83103167A EP0120981B1 (en) | 1982-03-29 | 1983-03-30 | Resin encapsulation type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048850A JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166747A JPS58166747A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0445982B2 true JPH0445982B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=12814730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048850A Granted JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4617584A (ja) |
| EP (1) | EP0120981B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58166747A (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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