JPS5882544A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5882544A JPS5882544A JP56180373A JP18037381A JPS5882544A JP S5882544 A JPS5882544 A JP S5882544A JP 56180373 A JP56180373 A JP 56180373A JP 18037381 A JP18037381 A JP 18037381A JP S5882544 A JPS5882544 A JP S5882544A
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- epoxy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止され
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関する。
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂は電気特性、機械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の對正に広く用いられている。
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の對正に広く用いられている。
最近では従来のセラセックスを用いたハーメチック封止
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されている。
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されている。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、信頼性、成
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂、ノボラック型フ
ェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤から成る
エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂、ノボラック型フ
ェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤から成る
エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。
しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トランスファ成
層して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があった。
層して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があった。
（１） 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ耐湿性が劣ること （２） 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温高湿雰囲気下で使用または保存することがちるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐湿性の品質保証のための評価試験としては
、８５°０まｆｃは１２０°０の飽和水蒸気中に暴露す
る加速評価法が行なわれており、最近では電圧を印加し
て更に加速性を高めたバイアス印加型の評価試験も実施
されてする。
レベルの高さに較べ耐湿性が劣ること （２） 樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性の
レベルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温高湿雰囲気下で使用または保存することがちるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐湿性の品質保証のための評価試験としては
、８５°０まｆｃは１２０°０の飽和水蒸気中に暴露す
る加速評価法が行なわれており、最近では電圧を印加し
て更に加速性を高めたバイアス印加型の評価試験も実施
されてする。
しかし封止し之エポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿性、
透湿性があるため、このような高温高温状態下では外部
から水分が封止樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、ま
たは封止樹脂とリードフレームとの界面全通って内部に
入シ、半導体素子の表面にまで到達する。この水分と封
止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結果
として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リーク
電流の増加、アル電エクム電極、配線などの腐食を主体
とし危不ｊｌＬを発生する。またバイアス電圧を印加し
九場合にはその電気化学的作用によってアル１＝ウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
透湿性があるため、このような高温高温状態下では外部
から水分が封止樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、ま
たは封止樹脂とリードフレームとの界面全通って内部に
入シ、半導体素子の表面にまで到達する。この水分と封
止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結果
として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リーク
電流の増加、アル電エクム電極、配線などの腐食を主体
とし危不ｊｌＬを発生する。またバイアス電圧を印加し
九場合にはその電気化学的作用によってアル１＝ウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性に関し充分に
満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて％
／−ｈた・ 次に高温時の電気特性について説明すると、樹脂封止ｍ
中導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
鱒、そのための評価試験としては８０°Ｃ〜１５０°０
でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が
一般的でめる。
満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて％
／−ｈた・ 次に高温時の電気特性について説明すると、樹脂封止ｍ
中導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
鱒、そのための評価試験としては８０°Ｃ〜１５０°０
でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が
一般的でめる。
このような試験Ｋか―で表面が鋭敏なＭＯ８構造管もつ
素子や逆バイアスが印加さ、れたＰＮ接合をもつ素子に
特に著しく多発する不良として、チャンネリングによる
リーク電流の増加する現象があることはよく知られて−
る。この現象は電圧が印加された素子の表ＷＫ＊してい
る樹脂層に電界が作用することによって発生すると考え
られているＯ 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく改良が求められてい
九〇 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の欠点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物によって封止された信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置を提供することにおる。
素子や逆バイアスが印加さ、れたＰＮ接合をもつ素子に
特に著しく多発する不良として、チャンネリングによる
リーク電流の増加する現象があることはよく知られて−
る。この現象は電圧が印加された素子の表ＷＫ＊してい
る樹脂層に電界が作用することによって発生すると考え
られているＯ 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく改良が求められてい
九〇 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の欠点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物によって封止された信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置を提供することにおる。
上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記欠点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂組成物が、
半導体封止用樹脂として従来のものに較べ、優れ九耐湿
性と高温電気特性を有することを見出し、これを用釣る
ことによって従来のものに較べ、耐湿性や高温電気特性
などの信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置が得られる
ことを見出した◇ すなわち本発明は （２）エポキシ樹脂１７０〜３００のノボラック型エポ
キシ樹脂 （ｂ）ノボラック１１フエノール樹脂 （Ｃ）有機ホスフィン リチタン駿エステル化合物および／またはチタンアシレ
ート化合物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
結果、硬化促進剤などが上記欠点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂組成物が、
半導体封止用樹脂として従来のものに較べ、優れ九耐湿
性と高温電気特性を有することを見出し、これを用釣る
ことによって従来のものに較べ、耐湿性や高温電気特性
などの信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置が得られる
ことを見出した◇ すなわち本発明は （２）エポキシ樹脂１７０〜３００のノボラック型エポ
キシ樹脂 （ｂ）ノボラック１１フエノール樹脂 （Ｃ）有機ホスフィン リチタン駿エステル化合物および／またはチタンアシレ
ート化合物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
本発明にお９て用ｉられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量１７０〜３０００ノボラツク型エポキシ樹脂テあって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック飄エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよい
。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールＡｆ
ｉエポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、ダリシジルエステル飄エボ中シ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複１ｇ積型エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当量１７０〜３０
０のノボラック型エポキシ樹脂に併用した場合に使用す
ることができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂に
対し５０重量％以下が好ましい。またこれらエポキシ樹
脂は塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、加水分解性
塩素の含有量が０．１重量−以下のものが望ましい。
量１７０〜３０００ノボラツク型エポキシ樹脂テあって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック飄エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよい
。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールＡｆ
ｉエポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、ダリシジルエステル飄エボ中シ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複１ｇ積型エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当量１７０〜３０
０のノボラック型エポキシ樹脂に併用した場合に使用す
ることができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂に
対し５０重量％以下が好ましい。またこれらエポキシ樹
脂は塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、加水分解性
塩素の含有量が０．１重量−以下のものが望ましい。
本発明において用いられるノボラック型フェノール樹脂
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボ２ツク樹脂、ｔｅｔ−ブチルフェノールノボラック
樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げられ
る。これらのフェノール−脂の軟化点は６０’０−４＝
６６００の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお
けろ水に可溶性のフェノール樹脂成分が３−以下である
仁とが好ましい。しかしてこれらの硬化剤は１種もしく
は２種以上の混合系で使用することができる。
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボ２ツク樹脂、ｔｅｔ−ブチルフェノールノボラック
樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げられ
る。これらのフェノール−脂の軟化点は６０’０−４＝
６６００の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお
けろ水に可溶性のフェノール樹脂成分が３−以下である
仁とが好ましい。しかしてこれらの硬化剤は１種もしく
は２種以上の混合系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化剤、の配合比については、ノボラッ
ク型フェノール樹脂の７エノール性水酸基の数とエポキ
シ基の数の比が０．５〜１．５の範囲内にあるように配
合することが好ましい。その理由は０．５未満あるいは
１．５を超えると反応が充分におこりにくくな夛、硬化
物の特性が劣化しゃすいためである。
ク型フェノール樹脂の７エノール性水酸基の数とエポキ
シ基の数の比が０．５〜１．５の範囲内にあるように配
合することが好ましい。その理由は０．５未満あるいは
１．５を超えると反応が充分におこりにくくな夛、硬化
物の特性が劣化しゃすいためである。
本発１ｊｌにおいて硬化促進剤として特に用いられる有
機ホスフィン鉛春物としては、式：） においてＲ１〜Ｒ，１５１すべて有機基である第３ホス
フィン化合物、Ｒａのみ水素である１１１２ホスフイン
化４ｔ 物、Ｒｅ 、 Ｒａが２もに水素であるＪＩ１
１ホスフィン化合物がある。具体的に唸トリフェニルホ
スフィン、トリフチルホスツイン、トリシフ四へ午シ゛
ルホスフイン、メチルジフェニルホスフィン、ブチルフ
ェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホ
スフィン、オクチルホスフィンなどである。ま友島が有
機ホスフィンを含む有機基でｂってもよｉｏたとえば１
．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジ
フェニルホスフィノ）メタンなどでおる。
機ホスフィン鉛春物としては、式：） においてＲ１〜Ｒ，１５１すべて有機基である第３ホス
フィン化合物、Ｒａのみ水素である１１１２ホスフイン
化４ｔ 物、Ｒｅ 、 Ｒａが２もに水素であるＪＩ１
１ホスフィン化合物がある。具体的に唸トリフェニルホ
スフィン、トリフチルホスツイン、トリシフ四へ午シ゛
ルホスフイン、メチルジフェニルホスフィン、ブチルフ
ェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホ
スフィン、オクチルホスフィンなどである。ま友島が有
機ホスフィンを含む有機基でｂってもよｉｏたとえば１
．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジ
フェニルホスフィノ）メタンなどでおる。
これらの中でもアリールホスフィン化合物が好ましく、
特にトリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフ
ィンが最も好ましい。ｔ−たこれらの有機ホスンイン化
合物は１ｓもしくは２種以上の混合系で用いてもよい。
特にトリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフ
ィンが最も好ましい。ｔ−たこれらの有機ホスンイン化
合物は１ｓもしくは２種以上の混合系で用いてもよい。
しかして仁の有機ホスフィン化合物の組成比は一般に樹
脂分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重量−
の範囲内でよいが特に好ましい特性は０．０１〜５重ｆ
ｔ−の範囲内Ｃ得られる。
脂分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重量−
の範囲内でよいが特に好ましい特性は０．０１〜５重ｆ
ｔ−の範囲内Ｃ得られる。
本発明において用いられるチタン酸エステル化合物とは
一分子中に少くとも一個の三Ｔｉ −０−Ｒ結合（Ｒは
アルキル、アルケニル、アルキニル、アルアルキルまた
はアリール基である）ｔ−有するチタン酸エステルまた
はその誘導体である。チタンアシレート化合物はチタン
酸エステル化合物の少くともひとつの三Ｔｌ−０−Ｒ結
合が三Ｔｉ −００ＯＲ結合に置換された化合物である
。
一分子中に少くとも一個の三Ｔｉ −０−Ｒ結合（Ｒは
アルキル、アルケニル、アルキニル、アルアルキルまた
はアリール基である）ｔ−有するチタン酸エステルまた
はその誘導体である。チタンアシレート化合物はチタン
酸エステル化合物の少くともひとつの三Ｔｌ−０−Ｒ結
合が三Ｔｉ −００ＯＲ結合に置換された化合物である
。
具体的に例示すると、たとえばチタン酸テトライソプＩ
ピル、チタン酸テトラメチル、チタン酸（２−エチル）
ヘキシル、チタン酸テト２ステアリル、チタン酸テトラ
メチル、チタン酸テトラフェニル、チタン酸テトップチ
ルテト２マー、（ＯＨｓ ）ｙＯＨＯＴｉ （０００（
ＯＨＩ ） ＊５ＯＨｓ ） ｓ、（ＣＨ，）、０ＨＯ
Ｔゑ（００００Ｈ＝ＯＨ，）ｌ、ｃＨｍ（ＯＨｔ）ｓＯ
Ｔｔ （ＯＯＯＯＨ，）、、ＯＨｓ （ＯＨｔ ）ｍ
ＯＴ ｉ （０００（ＯＨＩ）ｓ番ＯＨ＜ｃａ）、１．
ｒｏｏｏ（ゴＨ−ＯＨ，）などが挙げられる。
ピル、チタン酸テトラメチル、チタン酸（２−エチル）
ヘキシル、チタン酸テト２ステアリル、チタン酸テトラ
メチル、チタン酸テトラフェニル、チタン酸テトップチ
ルテト２マー、（ＯＨｓ ）ｙＯＨＯＴｉ （０００（
ＯＨＩ ） ＊５ＯＨｓ ） ｓ、（ＣＨ，）、０ＨＯ
Ｔゑ（００００Ｈ＝ＯＨ，）ｌ、ｃＨｍ（ＯＨｔ）ｓＯ
Ｔｔ （ＯＯＯＯＨ，）、、ＯＨｓ （ＯＨｔ ）ｍ
ＯＴ ｉ （０００（ＯＨＩ）ｓ番ＯＨ＜ｃａ）、１．
ｒｏｏｏ（ゴＨ−ＯＨ，）などが挙げられる。
チタン酸エステルの誘導体としては少くともひとつの三
Ｔ１−０−ＲＩＩ１１合が三Ｔ盪−ＯＳ Ｏ，Ｒ。
Ｔ１−０−ＲＩＩ１１合が三Ｔ盪−ＯＳ Ｏ，Ｒ。
三Ｔｉ−０８０Ｒ，三Ｔｉ −０Ｆ（０）（ＯＲ）、
。
。
三Ｔｉ −ＯＰ （０）（ＯＨ）ＯＦ （０） （ＯＲ
）ｍ等の結合に置換された化合物で、たとえば ＯＨｍ（ＯＨｔ）ａ ＯＴＩ （０８０，０・Ｈｌ）、
、ＯＨｓ （ＯＨＩ）ｓＯＴｉ （ＯＦ（０）（ＯＯｓ
Ｈｔｙ）ｍ）ｓ、Ｃｌ−ｌ５（ＯＨｚ）ｓＯＴｆ （Ｏ
Ｆ（０）（ＯＣ’ｔｔＨｔｓ）ｔ）ｍ、（ＯＨｓ ）＊
０ＨＯＴ ｊ （００００ｓル）（ＯＰ （０）（Ｏ
Ｈ）ＯＰ （０）ＣＣＨ３ル〕２、（ＯｓＨｙＯ） （
０＊ｔＨ□０ ） Ｔｉ （０８０ｘ Ｏｓ Ｈｓ ）
ｔなどが挙げられる。
）ｍ等の結合に置換された化合物で、たとえば ＯＨｍ（ＯＨｔ）ａ ＯＴＩ （０８０，０・Ｈｌ）、
、ＯＨｓ （ＯＨＩ）ｓＯＴｉ （ＯＦ（０）（ＯＯｓ
Ｈｔｙ）ｍ）ｓ、Ｃｌ−ｌ５（ＯＨｚ）ｓＯＴｆ （Ｏ
Ｆ（０）（ＯＣ’ｔｔＨｔｓ）ｔ）ｍ、（ＯＨｓ ）＊
０ＨＯＴ ｊ （００００ｓル）（ＯＰ （０）（Ｏ
Ｈ）ＯＰ （０）ＣＣＨ３ル〕２、（ＯｓＨｙＯ） （
０＊ｔＨ□０ ） Ｔｉ （０８０ｘ Ｏｓ Ｈｓ ）
ｔなどが挙げられる。
これらのチタン酸エステル化合物またはチタンアシレー
ト化合物は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤）に対し０
．０１〜１０重量−の範囲内で用いることが望ましい。
ト化合物は樹脂成分（エポキシ樹脂と硬化剤）に対し０
．０１〜１０重量−の範囲内で用いることが望ましい。
また特に好ましい方法として有機ホスフィンとチタン酸
エステル化合物またはチタンアシレート化合物の混合物
を使用する方法がある。この混合物は両者を混合するこ
とによって簡単に得ることができる。どちらかが固体愉
質で充分に混合できないときは加熱して相溶させるか、
溶剤に溶解して混合させればよい。混合後、望むならば
溶剤を除去することができる。この混合に際して有機ホ
スフィンとチタン酸エステル化合物またはチタンアシレ
ート化合物を等モル混合して良ｉが、必要に応じてモル
比を変えることができる。この混合物は樹脂成分に対し
０．０１〜１０重量−の範囲内で用いることが望ましμ
。
エステル化合物またはチタンアシレート化合物の混合物
を使用する方法がある。この混合物は両者を混合するこ
とによって簡単に得ることができる。どちらかが固体愉
質で充分に混合できないときは加熱して相溶させるか、
溶剤に溶解して混合させればよい。混合後、望むならば
溶剤を除去することができる。この混合に際して有機ホ
スフィンとチタン酸エステル化合物またはチタンアシレ
ート化合物を等モル混合して良ｉが、必要に応じてモル
比を変えることができる。この混合物は樹脂成分に対し
０．０１〜１０重量−の範囲内で用いることが望ましμ
。
本発明において必要に応じて用−られる無機質充てん剤
としては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス
繊維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、
炭酸力Ｖシウム粉末、硫酸バリクム粉末、！グネシア粉
末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶
性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好ま
しい。
としては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス
繊維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、
炭酸力Ｖシウム粉末、硫酸バリクム粉末、！グネシア粉
末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や、結晶
性シリカ粉末が、高純度と低熱膨張係数の点で最も好ま
しい。
しかしてこれら無機質充てん剤の配合量はエポキシ樹脂
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類に
よっても異なるが、たとえばトランスファ成形に用いる
場合にはエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量に
対し重量比で１．５倍〜４倍＠度でよｉ。無機質充てん
剤の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み合
せて分布を均一にすることによって成形性を改善するこ
とができる。
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類に
よっても異なるが、たとえばトランスファ成形に用いる
場合にはエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総量に
対し重量比で１．５倍〜４倍＠度でよｉ。無機質充てん
剤の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み合
せて分布を均一にすることによって成形性を改善するこ
とができる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪１ＩＩＩ
Ｏ金属塩、酸ア々ド類、エステル類もしくはパラクイ／
類などの離型剤、塩素化パラフィン、ブー＾トルエン、
ヘキナプロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差しつかえな釣〇 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、ざ
らに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−など
による混合処理を加えることによシ容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪１ＩＩＩ
Ｏ金属塩、酸ア々ド類、エステル類もしくはパラクイ／
類などの離型剤、塩素化パラフィン、ブー＾トルエン、
ヘキナプロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤
、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング
剤などを適宜添加配合しても差しつかえな釣〇 本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、ざ
らに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−など
による混合処理を加えることによシ容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は上記エポキシ樹脂組成
物または成形材料を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
物または成形材料を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形注型など
による封止も可能である。特殊な封止法としては溶剤型
あるいは非溶剤型の組成物を用いて半導体表面を被覆す
る封止法や、いわゆるジャンクションコーティングとし
ての局部的な封止の用途にも用いるととができる。
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形注型など
による封止も可能である。特殊な封止法としては溶剤型
あるいは非溶剤型の組成物を用いて半導体表面を被覆す
る封止法や、いわゆるジャンクションコーティングとし
ての局部的な封止の用途にも用いるととができる。
エポキシ樹脂組成物または成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物または成形材料の硬
化物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。硬化に際しては１５０°Ｃ以上に加熱する
ことが望ましい。
て硬化させ、最終的にはこの組成物または成形材料の硬
化物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。硬化に際しては１５０°Ｃ以上に加熱する
ことが望ましい。
本発明で−う半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオ−、ドな□どであ
って４Ｉに限定されるものではない。
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオ−、ドな□どであ
って４Ｉに限定されるものではない。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１〜３
エポキシ当量２２０のタレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（エポキシ樹脂入）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量８
００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、）す７エ二ル
ホスフイン、 Ｔ ’ （００４Ｌ ）４ （Ｔ ！ −Ｉ ） ｅ
（ＯＨａ ）ｌ ＯＨＯＴ ｉ （０００（ＯＨ！ ）
ｘ＠ＯＨｓ ）ｓ （Ｔ ｉ−１） 、ｏＨ，（ｏＨ，
）、ｏ’ｒム［０Ｐ（ＯＸＯＯｓＨｔｙ）ｔ）ｓ（Ｔｉ
−１’）、＋３ン酸トリクレジル、２−メチルイミダゾ
ール、石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（ｒ
−グリッドキ７プｐビルトリメトキ７シクン）を第ｉｌ
ｌに示す組成比（重量部）に選び、各組成物をミキサー
による混合、加熱ロールによる混線上行うことによって
、比較例を含め８種のトランスファ成形材料を調製した
。
樹脂（エポキシ樹脂入）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量８
００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、）す７エ二ル
ホスフイン、 Ｔ ’ （００４Ｌ ）４ （Ｔ ！ −Ｉ ） ｅ
（ＯＨａ ）ｌ ＯＨＯＴ ｉ （０００（ＯＨ！ ）
ｘ＠ＯＨｓ ）ｓ （Ｔ ｉ−１） 、ｏＨ，（ｏＨ，
）、ｏ’ｒム［０Ｐ（ＯＸＯＯｓＨｔｙ）ｔ）ｓ（Ｔｉ
−１’）、＋３ン酸トリクレジル、２−メチルイミダゾ
ール、石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（ｒ
−グリッドキ７プｐビルトリメトキ７シクン）を第ｉｌ
ｌに示す組成比（重量部）に選び、各組成物をミキサー
による混合、加熱ロールによる混線上行うことによって
、比較例を含め８種のトランスファ成形材料を調製した
。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
することによシ、ＭＯ８ｆｉ集積回路を樹脂封止した。
することによシ、ＭＯ８ｆｉ集積回路を樹脂封止した。
封止は高周波予熱器で９０°Ｃに加熱した成形材料を１
７５°Ｃで２分間モールドし、更に１８０°Ｃで３時間
アフタキュアすることによシ行った。（比較例１，２．
３は硬化速度が遅くて成形できなかった。）上記樹脂封
止型半導体装置各１００個について次の試験を行った。
７５°Ｃで２分間モールドし、更に１８０°Ｃで３時間
アフタキュアすることによシ行った。（比較例１，２．
３は硬化速度が遅くて成形できなかった。）上記樹脂封
止型半導体装置各１００個について次の試験を行った。
（１） １２０°０．２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加
してアルミニウム配着の腐食による断線不良を調べる耐
湿試験（バイアスＰＯＴ）を行い、その結果を第２表に
示した。
してアルミニウム配着の腐食による断線不良を調べる耐
湿試験（バイアスＰＯＴ）を行い、その結果を第２表に
示した。
（２） １００°０のオーブン中でオノセットゲー）Ｍ
Ｏ８″ＦＥＴ回路にドレイン電圧５Ｖ、オフセットゲー
ト電圧５Ｖｔ−印加して電気特性の劣化によるリーク電
流不良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リー
ク電流が初期値の１００倍以上に増加し次場合を不良と
判定してその結果ｔ−第３表に示した。
Ｏ８″ＦＥＴ回路にドレイン電圧５Ｖ、オフセットゲー
ト電圧５Ｖｔ−印加して電気特性の劣化によるリーク電
流不良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リー
ク電流が初期値の１００倍以上に増加し次場合を不良と
判定してその結果ｔ−第３表に示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 （ａ）エポキシ当量１７０〜３０００ノボラツク
型エポキシ樹脂 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）有機ホスフィン （ｄ）チタン酸エステル化合物および／またはチタンア
シレート化合物 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることｔ−特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 ２、 有機ホスフィンとチタン酸エステル化合物または
チタンアシレート化合物の混合物を用しることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
。 ３、 エポキシ樹脂組成物がさらに無機質充てん剤を含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180373A JPS5882544A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180373A JPS5882544A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882544A true JPS5882544A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16082102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180373A Pending JPS5882544A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1042343C (zh) * | 1992-07-10 | 1999-03-03 | 苏马吕株式会社 | 环氧树脂粉末涂料组合物 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56180373A patent/JPS5882544A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1042343C (zh) * | 1992-07-10 | 1999-03-03 | 苏马吕株式会社 | 环氧树脂粉末涂料组合物 |
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