JPS58166747A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS58166747A JPS58166747A JP57048850A JP4885082A JPS58166747A JP S58166747 A JPS58166747 A JP S58166747A JP 57048850 A JP57048850 A JP 57048850A JP 4885082 A JP4885082 A JP 4885082A JP S58166747 A JPS58166747 A JP S58166747A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title abstract 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 20
- -1 phenol compound Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 17
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 abstract 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- QSSXJPIWXQTSIX-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1Br QSSXJPIWXQTSIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 2-[(dimethylazaniumyl)methyl]phenolate Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1O FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000609816 Pantholops hodgsonii Species 0.000 description 1
- 208000000474 Poliomyelitis Diseases 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- PVWYTIFUYYJMQO-UHFFFAOYSA-N butyl(phenyl)phosphane Chemical compound CCCCPC1=CC=CC=C1 PVWYTIFUYYJMQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N butylphosphane Chemical compound CCCCP DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N hexabromobenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N octylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011134 resol-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/62—Alcohols or phenols
- C08G59/621—Phenols
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の、W4する技術分計〕
本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物によって@正され
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関する。
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂は電気特性、偵械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の嶌い電気絶縁材料として半導体装
置の刺止に広く用いられている。
れているため信頼性の嶌い電気絶縁材料として半導体装
置の刺止に広く用いられている。
最近では従来のセラミックスを用い九ハーメチック封正
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば襖積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されてiる。
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば襖積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されてiる。
この半導体剰止用エポキシ樹脂、ノボラック屋フェノー
ル樹脂硬化剤、イミタゾール硬化促進剤等から成るエポ
キシ樹脂組成物が広く用いられている。
ル樹脂硬化剤、イミタゾール硬化促進剤等から成るエポ
キシ樹脂組成物が広く用いられている。
しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トランスファ成
形して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があった。
形して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があった。
(1)樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性のレベ
ルの高さ・こ較べ耐湿性が劣ること(2)樹脂封止型半
導体装置に要求される信頼性のレベルの高さに較べ高1
時の電気特性が劣ること上記耐湿性について説明すると
、樹脂封止型半導体装置は高温高湿雰囲気Fで使用また
は保存することがあるが、そのような条件においても光
分な信頼性を有することが(ilすれている。耐湿性の
品質保鉦のための評価試験としては、85’Oまたは1
20℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれ
ており、最近では電圧を印加して更に加速性を高めたバ
イアス印加型の評価試験も実施されている。
ルの高さ・こ較べ耐湿性が劣ること(2)樹脂封止型半
導体装置に要求される信頼性のレベルの高さに較べ高1
時の電気特性が劣ること上記耐湿性について説明すると
、樹脂封止型半導体装置は高温高湿雰囲気Fで使用また
は保存することがあるが、そのような条件においても光
分な信頼性を有することが(ilすれている。耐湿性の
品質保鉦のための評価試験としては、85’Oまたは1
20℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれ
ており、最近では電圧を印加して更に加速性を高めたバ
イアス印加型の評価試験も実施されている。
しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿性、
透湿性があるため、このような高儀高湿状a丁では外部
から水分が封止樹脂硬化物1−を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入ね、半4体遺子の表面にまで到達する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の信
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リー
ク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を生
体とした不良を発生する。またバイアス4圧を印加した
場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電極
、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
透湿性があるため、このような高儀高湿状a丁では外部
から水分が封止樹脂硬化物1−を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入ね、半4体遺子の表面にまで到達する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の信
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リー
ク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を生
体とした不良を発生する。またバイアス4圧を印加した
場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電極
、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性に関し充分に
満足できるものではなく、耐湿性の同上が求められてい
念。
満足できるものではなく、耐湿性の同上が求められてい
念。
次に高温時の電気特性について#!明すると、樹脂封止
型半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、
そのような条件においても信頼性を改善し々ければなら
ない。その丸めの評価試験としては80 ’C〜150
℃でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験
が一般的である。
型半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、
そのような条件においても信頼性を改善し々ければなら
ない。その丸めの評価試験としては80 ’C〜150
℃でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験
が一般的である。
このような試頓において表頁が鋭敏なIs#造をもつ素
子や逆バイアスが印加され九PN接合をもつ素子Vc%
に著しく多発する不良として、チャンネリングによるリ
ーク電流の増加する現象があることはよく知られている
。この現象は電圧が印加された素子の表頁Kllている
樹m膚に電界が作用することによって発生すると考えら
れて゛いる。
子や逆バイアスが印加され九PN接合をもつ素子Vc%
に著しく多発する不良として、チャンネリングによるリ
ーク電流の増加する現象があることはよく知られている
。この現象は電圧が印加された素子の表頁Kllている
樹m膚に電界が作用することによって発生すると考えら
れて゛いる。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく改良が求められてい
た。
関し充分に満足できるものではなく改良が求められてい
た。
本発明の目的はこのような従来の#4噌封正型半導体装
置の欠点を改良することにあり、エポキシ樹脂組成物に
よって封止された、優れた耐湿性と高温電気特性を有す
る高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
置の欠点を改良することにあり、エポキシ樹脂組成物に
よって封止された、優れた耐湿性と高温電気特性を有す
る高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研究を重ね
た結果、硬化促進剤などが上記欠屯を形成する主要因で
あることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂組成物が
半導体用対土樹脂として従来のエポキシ樹脂組成物に較
べ優れた特性を有することを艶出し、これを用いること
Kよって耐湿性や高温電気特性などの信頼性に優れた樹
脂封止型半導体装置が得られることを見出した。
た結果、硬化促進剤などが上記欠屯を形成する主要因で
あることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂組成物が
半導体用対土樹脂として従来のエポキシ樹脂組成物に較
べ優れた特性を有することを艶出し、これを用いること
Kよって耐湿性や高温電気特性などの信頼性に優れた樹
脂封止型半導体装置が得られることを見出した。
すなわち本発明は
(a)エポキシ当t170〜300のノボラック型エポ
キシ樹脂 (b)1分子中に少くと42個以上のフェノール性水酸
基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (C)有機ホスフィン化合物および (d)シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
キシ樹脂 (b)1分子中に少くと42個以上のフェノール性水酸
基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (C)有機ホスフィン化合物および (d)シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
1170〜300のノボラック型エポキシ樹脂でうって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹鑵、クレ
ゾールノボラック型エボ午シ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポ午シ樹脂などでちる。これらエボギ
741を脂は1種もしくは24以上の混合系で用いても
よい、上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノール
Adエポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシ
ジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エボキシ樹脂、
脂1式エポキシ樹脂、複素壌型エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当1170〜30
0のノボラック型エポキシ樹脂に併用し九jl&に使用
することができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂
に対し50遁tチ以下が好ましい。またこれらエポキシ
樹脂は塩素イオンの含有値が10ppm以下、加水分解
性塩素の含有緻が0.1電1チ以下のものが望ましい。
1170〜300のノボラック型エポキシ樹脂でうって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹鑵、クレ
ゾールノボラック型エボ午シ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポ午シ樹脂などでちる。これらエボギ
741を脂は1種もしくは24以上の混合系で用いても
よい、上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノール
Adエポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシ
ジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エボキシ樹脂、
脂1式エポキシ樹脂、複素壌型エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当1170〜30
0のノボラック型エポキシ樹脂に併用し九jl&に使用
することができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂
に対し50遁tチ以下が好ましい。またこれらエポキシ
樹脂は塩素イオンの含有値が10ppm以下、加水分解
性塩素の含有緻が0.1電1チ以下のものが望ましい。
本発明において用いられる1分子中に2個以上の7エノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤は、フェノ
ール樹脂、ポリオ中シスチレン、および多価フェノール
化合物であって、成体的に例示すると、フェノールノボ
ラック樹+Ji 、 クレゾールノボラック樹脂、te
rt−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック*n′#などのノボラック型フェノール
樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチ
V/などのポリオキシスチレン、ビスフェノールA、!
およびこれらの化合物のハロゲン化物等である。これら
の中でもノボラック観フェノール樹脂およびポリオキシ
スチレンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は1情も
しくは2種以上の混合系で使用することができる。
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤は、フェノ
ール樹脂、ポリオ中シスチレン、および多価フェノール
化合物であって、成体的に例示すると、フェノールノボ
ラック樹+Ji 、 クレゾールノボラック樹脂、te
rt−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック*n′#などのノボラック型フェノール
樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチ
V/などのポリオキシスチレン、ビスフェノールA、!
およびこれらの化合物のハロゲン化物等である。これら
の中でもノボラック観フェノール樹脂およびポリオキシ
スチレンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は1情も
しくは2種以上の混合系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化剤の配合比については、硬化剤のフ
ェノール性水酸基の数とエポキシ樹脂のエポキシ基の数
の比が0.5〜1,5の範囲内にあるように配合するこ
とが望ましい。その塩山は0.5未満あるいは1.5を
超えると度広が充分におこりK〈〈なり、硬化物の特性
が劣化しゃすくなるためである。
ェノール性水酸基の数とエポキシ樹脂のエポキシ基の数
の比が0.5〜1,5の範囲内にあるように配合するこ
とが望ましい。その塩山は0.5未満あるいは1.5を
超えると度広が充分におこりK〈〈なり、硬化物の特性
が劣化しゃすくなるためである。
本発明において硬化促進剤として用いられる有機ホスフ
ィン化合物としては、式: においでI(143がすべて有損基である第3ホスフィ
ン化合物% ”3の、み水素である第2ホスフィン化
合物s R2’R3がともに水素である第1ホスフィン
化合物がある。具体的にはトリフヱニルホスフィン=
トIJブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィ
ン、メチルジフヱニルホスフィン、ブチルフェニルホス
フィン、ジフェニルホスフィン、フヱニルホスフィン、
オクチルホスフィンなどである。またR1が有機ホスフ
ィンを含む有機基であってもよい。たとえば1j2−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニル
ホスフィノ)メタンなどである。
ィン化合物としては、式: においでI(143がすべて有損基である第3ホスフィ
ン化合物% ”3の、み水素である第2ホスフィン化
合物s R2’R3がともに水素である第1ホスフィン
化合物がある。具体的にはトリフヱニルホスフィン=
トIJブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィ
ン、メチルジフヱニルホスフィン、ブチルフェニルホス
フィン、ジフェニルホスフィン、フヱニルホスフィン、
オクチルホスフィンなどである。またR1が有機ホスフ
ィンを含む有機基であってもよい。たとえば1j2−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニル
ホスフィノ)メタンなどである。
これらの中でもアリーリホスフイン化合物が好tL<、
%K)IJフェニルホスフィン、112−ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンなどがjtl[l、い。
%K)IJフェニルホスフィン、112−ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンなどがjtl[l、い。
またこれらの有機ホスフィノ化合物は1槌もしくは2種
以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフ
ィノ化廿物の配合量は一般に樹脂成分(エポキシ樹脂と
硬化剤の総t)の0.01〜20重量慢の範囲内でよい
が特に好ましい特性は0.01〜511−の範囲内で得
られる。
以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフ
ィノ化廿物の配合量は一般に樹脂成分(エポキシ樹脂と
硬化剤の総t)の0.01〜20重量慢の範囲内でよい
が特に好ましい特性は0.01〜511−の範囲内で得
られる。
本発明において用いられるシリコーンオイルとはジメチ
ルポリシキサン、メチルフェニルボリアΔ ロキサン、トリフロロプロピルメチルポリシロキサンな
どであって、25℃における粘度0,5〜too、oo
oセンチストークのものが用いられる。
ルポリシキサン、メチルフェニルボリアΔ ロキサン、トリフロロプロピルメチルポリシロキサンな
どであって、25℃における粘度0,5〜too、oo
oセンチストークのものが用いられる。
配合量は樹脂成分(エポキシ樹脂と硬化剤の総量)KN
L、0.1〜l0IItsの範囲内が好ましい。
L、0.1〜l0IItsの範囲内が好ましい。
シリコーンオイルは、エポキシ樹脂等の他の成分と同時
に配合することができるが、他の好ましい1吏用法とし
ては、必要に応じて用いることかで唇る無機室光てん剤
をシリコーンオイルで表面逃場して使用する方法がある
0表面処理は無機室光てん剤とシリコーンオイルを混合
攪拌することにより容易に行うことができる。
に配合することができるが、他の好ましい1吏用法とし
ては、必要に応じて用いることかで唇る無機室光てん剤
をシリコーンオイルで表面逃場して使用する方法がある
0表面処理は無機室光てん剤とシリコーンオイルを混合
攪拌することにより容易に行うことができる。
本発明にシいて必’J!に応じて用いられる無機室光て
ん剤としては、石英ガラス粉末、債蟲性シリカ粉末、ガ
ラス1維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉
末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシ
ア粉末などがあるが、これらの中で石英ガラス粉末や、
種晶性シリカ粉末が、:4純度と低熱膨張係数の点で鏝
も好ましい。
ん剤としては、石英ガラス粉末、債蟲性シリカ粉末、ガ
ラス1維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉
末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシ
ア粉末などがあるが、これらの中で石英ガラス粉末や、
種晶性シリカ粉末が、:4純度と低熱膨張係数の点で鏝
も好ましい。
しかしてこれら無機室光てん剤の配合量はエポキシ樹脂
、フェノール樹N#化剤および無機室光てん剤の種類に
よっても異るが、たとえばトランスファ成形に用いる場
合にはエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の酩駄に対
し重量比で1.5倍〜4倍程度でよい、無機室光てん剤
の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み合せ
て分布を均一にすることによって成形性を改善すること
ができる。
、フェノール樹N#化剤および無機室光てん剤の種類に
よっても異るが、たとえばトランスファ成形に用いる場
合にはエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の酩駄に対
し重量比で1.5倍〜4倍程度でよい、無機室光てん剤
の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み合せ
て分布を均一にすることによって成形性を改善すること
ができる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、iM鎖脂肪酸の金
fi塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、
カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤
などを適宜添加配合しても差しつかえない。
ば天然ワックス類、合成ワックス類、iM鎖脂肪酸の金
fi塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、
カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤
などを適宜添加配合しても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として稠製
する場合の一般的な・方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、
さらに熱ロールによるm融混合処1、またはニーダ−な
どによる%廿処哩を加えることにより容易にエポキシ樹
脂成形材料を得ることかで縫る。
する場合の一般的な・方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、
さらに熱ロールによるm融混合処1、またはニーダ−な
どによる%廿処哩を加えることにより容易にエポキシ樹
脂成形材料を得ることかで縫る。
本発明のw脂封止型半導体装置は、上記エポキシ樹脂系
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止するとと
くより容易K11!造することができる。刺止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクシ冒ン成形、圧縮成形、注型などくよる封止
も可能である。
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止するとと
くより容易K11!造することができる。刺止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクシ冒ン成形、圧縮成形、注型などくよる封止
も可能である。
エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際に加熱し
て便化させ、最終的にはこの組成物乃至11g杉材料の
f−jl’(?、物によって封止された樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。硬化に際しては150℃以
上に加熱することが特に!jItしい。
て便化させ、最終的にはこの組成物乃至11g杉材料の
f−jl’(?、物によって封止された樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。硬化に際しては150℃以
上に加熱することが特に!jItしい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定される島のではない。
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定される島のではない。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例1〜3
エポキシ当t220のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(工1ジキシ樹噌A)、エポキ/当−290の臭素
化エポキシノボラック樹脂(工1ζキシ樹脂B)、分子
t800のフェノールノ・メラノク慟DI硬化剤、)リ
フェニルホスフィン、2−メチルイミダゾール、ジメチ
ルアミノメチルフェノール、粘度200センチトークス
(25℃)のジメチルポリシロキサン、粘1i100セ
ンチストーク(25’(])のメチルフェニルポリシロ
キサン、粘1flo、000センチストークス(25°
0)のトリフロロプロピルメチルポリシロキサン、石英
ガラス粉末、三酸化アンチモにカルナバワックス、カー
ボンブラック、シランカップリング剤(γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン)を表−1に示す組成比
(電を部)に選び、各組成物をミキサーによる混合、8
口熱ロールによる混練を行うことによって、比較例を含
め6種のトランスファ成形材料を11製した。
樹脂(工1ジキシ樹噌A)、エポキ/当−290の臭素
化エポキシノボラック樹脂(工1ζキシ樹脂B)、分子
t800のフェノールノ・メラノク慟DI硬化剤、)リ
フェニルホスフィン、2−メチルイミダゾール、ジメチ
ルアミノメチルフェノール、粘度200センチトークス
(25℃)のジメチルポリシロキサン、粘1i100セ
ンチストーク(25’(])のメチルフェニルポリシロ
キサン、粘1flo、000センチストークス(25°
0)のトリフロロプロピルメチルポリシロキサン、石英
ガラス粉末、三酸化アンチモにカルナバワックス、カー
ボンブラック、シランカップリング剤(γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン)を表−1に示す組成比
(電を部)に選び、各組成物をミキサーによる混合、8
口熱ロールによる混練を行うことによって、比較例を含
め6種のトランスファ成形材料を11製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
することによりMOS @1拠横目路を樹脂封止した。
することによりMOS @1拠横目路を樹脂封止した。
封止は高周波予熱器で90 ’OK IJD熱した成形
材料を175℃で2分間モールドし、東に1800で3
寺、■アフタヤ1アすることにより行った。上記樹脂封
止型半導体装置各100個について次の試験を行った。
材料を175℃で2分間モールドし、東に1800で3
寺、■アフタヤ1アすることにより行った。上記樹脂封
止型半導体装置各100個について次の試験を行った。
+f)1200#2気圧の水蒸気中で10v印加してア
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験
(バイアスpc’r )を行い、その結果を表−2に示
した。
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験
(バイアスpc’r )を行い、その結果を表−2に示
した。
+2) 120°OI2気圧の水蒸気中に放置してアル
ミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験(
pc’r )を行いその結果を表−3に示した。
ミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験(
pc’r )を行いその結果を表−3に示した。
以ド栄白
表 −1
表 −2
表 −3
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明の半導体装置は、PCT
、バイアスPcTのいずれのテストにおいても、優れた
耐湿性を有して分り、高温鑞気特性等においても高信頼
性を゛実現できるものである。
、バイアスPcTのいずれのテストにおいても、優れた
耐湿性を有して分り、高温鑞気特性等においても高信頼
性を゛実現できるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ill (a)エポキシ当1i170〜3LjOのノボ
ラック型エポキシ樹脂 (b)1分子中に少くとも2イ一以上のフェノール性水
酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤(C)有機ホスフィ
ン化合物および (d)シリコーンオイル を必須成分とする工・メキンW脂組成物の硬化物によっ
て封止されていることを411徴どする樹脂封止型半導
体装置。 +2、特許請求の範囲tg1@の記載において、エポキ
シ樹脂組成物が更に無機質光てん剤をき有する樹脂封止
型半導体装置。 (3)特許請求の範囲第2項記載のエポキシ樹脂組成物
において無機質光てん剤がシリコーンオイルで表間処理
されている樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57048850A JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
US06/479,481 US4617584A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Resin encapsulation type semiconductor device |
EP83103167A EP0120981B1 (en) | 1982-03-29 | 1983-03-30 | Resin encapsulation type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57048850A JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58166747A true JPS58166747A (ja) | 1983-10-01 |
JPH0445982B2 JPH0445982B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=12814730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57048850A Granted JPS58166747A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4617584A (ja) |
EP (1) | EP0120981B1 (ja) |
JP (1) | JPS58166747A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
JPS63145323A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
JP2003531938A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル. | 半導体電子装置のパッケージ用重合体組成物及びそれから得られるパッケージ |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US4977009A (en) * | 1987-12-16 | 1990-12-11 | Ford Motor Company | Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation |
US4939014A (en) * | 1987-12-16 | 1990-07-03 | Ford Motor Company | Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation |
US4998805A (en) * | 1988-02-19 | 1991-03-12 | Eastman Kodak Company | Elimination of field-induced instabilities in electrooptic modulators |
US4903118A (en) * | 1988-03-30 | 1990-02-20 | Director General, Agency Of Industrial Science And Technology | Semiconductor device including a resilient bonding resin |
JPH07119275B2 (ja) * | 1988-11-17 | 1995-12-20 | サンスター技研株式会社 | 二液型エポキシ樹脂組成物 |
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