JPS58166747A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS58166747A
JPS58166747A JP57048850A JP4885082A JPS58166747A JP S58166747 A JPS58166747 A JP S58166747A JP 57048850 A JP57048850 A JP 57048850A JP 4885082 A JP4885082 A JP 4885082A JP S58166747 A JPS58166747 A JP S58166747A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の、W4する技術分計〕 本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物によって@正され
た高信頼性の樹脂封止型半導体装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
エポキシ樹脂は電気特性、偵械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の嶌い電気絶縁材料として半導体装
置の刺止に広く用いられている。
最近では従来のセラミックスを用い九ハーメチック封正
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば襖積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されてiる。
この半導体剰止用エポキシ樹脂、ノボラック屋フェノー
ル樹脂硬化剤、イミタゾール硬化促進剤等から成るエポ
キシ樹脂組成物が広く用いられている。
しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トランスファ成
形して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があった。
(1)樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性のレベ
ルの高さ・こ較べ耐湿性が劣ること(2)樹脂封止型半
導体装置に要求される信頼性のレベルの高さに較べ高1
時の電気特性が劣ること上記耐湿性について説明すると
、樹脂封止型半導体装置は高温高湿雰囲気Fで使用また
は保存することがあるが、そのような条件においても光
分な信頼性を有することが(ilすれている。耐湿性の
品質保鉦のための評価試験としては、85’Oまたは1
20℃の飽和水蒸気中に暴露する加速評価法が行なわれ
ており、最近では電圧を印加して更に加速性を高めたバ
イアス印加型の評価試験も実施されている。
しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿性、
透湿性があるため、このような高儀高湿状a丁では外部
から水分が封止樹脂硬化物1−を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入ね、半4体遺子の表面にまで到達する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の信
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、リー
ク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を生
体とした不良を発生する。またバイアス4圧を印加した
場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電極
、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性に関し充分に
満足できるものではなく、耐湿性の同上が求められてい
念。
次に高温時の電気特性について#!明すると、樹脂封止
型半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、
そのような条件においても信頼性を改善し々ければなら
ない。その丸めの評価試験としては80 ’C〜150
℃でバイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験
が一般的である。
このような試頓において表頁が鋭敏なIs#造をもつ素
子や逆バイアスが印加され九PN接合をもつ素子Vc%
に著しく多発する不良として、チャンネリングによるリ
ーク電流の増加する現象があることはよく知られている
。この現象は電圧が印加された素子の表頁Kllている
樹m膚に電界が作用することによって発生すると考えら
れて゛いる。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく改良が求められてい
た。
〔発明の目的〕
本発明の目的はこのような従来の#4噌封正型半導体装
置の欠点を改良することにあり、エポキシ樹脂組成物に
よって封止された、優れた耐湿性と高温電気特性を有す
る高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明者らが鋭意研究を重ね
た結果、硬化促進剤などが上記欠屯を形成する主要因で
あることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂組成物が
半導体用対土樹脂として従来のエポキシ樹脂組成物に較
べ優れた特性を有することを艶出し、これを用いること
Kよって耐湿性や高温電気特性などの信頼性に優れた樹
脂封止型半導体装置が得られることを見出した。
すなわち本発明は (a)エポキシ当t170〜300のノボラック型エポ
キシ樹脂 (b)1分子中に少くと42個以上のフェノール性水酸
基を有するエポキシ樹脂の硬化剤 (C)有機ホスフィン化合物および (d)シリコーンオイル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
1170〜300のノボラック型エポキシ樹脂でうって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹鑵、クレ
ゾールノボラック型エボ午シ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポ午シ樹脂などでちる。これらエボギ
741を脂は1種もしくは24以上の混合系で用いても
よい、上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノール
Adエポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシ
ジルアミン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エボキシ樹脂、
脂1式エポキシ樹脂、複素壌型エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当1170〜30
0のノボラック型エポキシ樹脂に併用し九jl&に使用
することができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂
に対し50遁tチ以下が好ましい。またこれらエポキシ
樹脂は塩素イオンの含有値が10ppm以下、加水分解
性塩素の含有緻が0.1電1チ以下のものが望ましい。
本発明において用いられる1分子中に2個以上の7エノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤は、フェノ
ール樹脂、ポリオ中シスチレン、および多価フェノール
化合物であって、成体的に例示すると、フェノールノボ
ラック樹+Ji 、 クレゾールノボラック樹脂、te
rt−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノ
ールノボラック*n′#などのノボラック型フェノール
樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチ
V/などのポリオキシスチレン、ビスフェノールA、!
およびこれらの化合物のハロゲン化物等である。これら
の中でもノボラック観フェノール樹脂およびポリオキシ
スチレンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は1情も
しくは2種以上の混合系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化剤の配合比については、硬化剤のフ
ェノール性水酸基の数とエポキシ樹脂のエポキシ基の数
の比が0.5〜1,5の範囲内にあるように配合するこ
とが望ましい。その塩山は0.5未満あるいは1.5を
超えると度広が充分におこりK〈〈なり、硬化物の特性
が劣化しゃすくなるためである。
本発明において硬化促進剤として用いられる有機ホスフ
ィン化合物としては、式: においでI(143がすべて有損基である第3ホスフィ
ン化合物%  ”3の、み水素である第2ホスフィン化
合物s R2’R3がともに水素である第1ホスフィン
化合物がある。具体的にはトリフヱニルホスフィン= 
トIJブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィ
ン、メチルジフヱニルホスフィン、ブチルフェニルホス
フィン、ジフェニルホスフィン、フヱニルホスフィン、
オクチルホスフィンなどである。またR1が有機ホスフ
ィンを含む有機基であってもよい。たとえば1j2−ビ
ス(ジフェニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニル
ホスフィノ)メタンなどである。
これらの中でもアリーリホスフイン化合物が好tL<、
%K)IJフェニルホスフィン、112−ビス(ジフェ
ニルホスフィノ)エタン、ビス(ジフェニルホスフィノ
)メタンなどがjtl[l、い。
またこれらの有機ホスフィノ化合物は1槌もしくは2種
以上の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフ
ィノ化廿物の配合量は一般に樹脂成分(エポキシ樹脂と
硬化剤の総t)の0.01〜20重量慢の範囲内でよい
が特に好ましい特性は0.01〜511−の範囲内で得
られる。
本発明において用いられるシリコーンオイルとはジメチ
ルポリシキサン、メチルフェニルボリアΔ ロキサン、トリフロロプロピルメチルポリシロキサンな
どであって、25℃における粘度0,5〜too、oo
oセンチストークのものが用いられる。
配合量は樹脂成分(エポキシ樹脂と硬化剤の総量)KN
L、0.1〜l0IItsの範囲内が好ましい。
シリコーンオイルは、エポキシ樹脂等の他の成分と同時
に配合することができるが、他の好ましい1吏用法とし
ては、必要に応じて用いることかで唇る無機室光てん剤
をシリコーンオイルで表面逃場して使用する方法がある
0表面処理は無機室光てん剤とシリコーンオイルを混合
攪拌することにより容易に行うことができる。
本発明にシいて必’J!に応じて用いられる無機室光て
ん剤としては、石英ガラス粉末、債蟲性シリカ粉末、ガ
ラス1維、タルク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉
末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネシ
ア粉末などがあるが、これらの中で石英ガラス粉末や、
種晶性シリカ粉末が、:4純度と低熱膨張係数の点で鏝
も好ましい。
しかしてこれら無機室光てん剤の配合量はエポキシ樹脂
、フェノール樹N#化剤および無機室光てん剤の種類に
よっても異るが、たとえばトランスファ成形に用いる場
合にはエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の酩駄に対
し重量比で1.5倍〜4倍程度でよい、無機室光てん剤
の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み合せ
て分布を均一にすることによって成形性を改善すること
ができる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、iM鎖脂肪酸の金
fi塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、
カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリング剤
などを適宜添加配合しても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として稠製
する場合の一般的な・方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、
さらに熱ロールによるm融混合処1、またはニーダ−な
どによる%廿処哩を加えることにより容易にエポキシ樹
脂成形材料を得ることかで縫る。
本発明のw脂封止型半導体装置は、上記エポキシ樹脂系
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止するとと
くより容易K11!造することができる。刺止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクシ冒ン成形、圧縮成形、注型などくよる封止
も可能である。
エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際に加熱し
て便化させ、最終的にはこの組成物乃至11g杉材料の
f−jl’(?、物によって封止された樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。硬化に際しては150℃以
上に加熱することが特に!jItしい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定される島のではない。
〔発明の実施例〕
次に本発明の詳細な説明する。
実施例1〜3 エポキシ当t220のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂(工1ジキシ樹噌A)、エポキ/当−290の臭素
化エポキシノボラック樹脂(工1ζキシ樹脂B)、分子
t800のフェノールノ・メラノク慟DI硬化剤、)リ
フェニルホスフィン、2−メチルイミダゾール、ジメチ
ルアミノメチルフェノール、粘度200センチトークス
(25℃)のジメチルポリシロキサン、粘1i100セ
ンチストーク(25’(])のメチルフェニルポリシロ
キサン、粘1flo、000センチストークス(25°
0)のトリフロロプロピルメチルポリシロキサン、石英
ガラス粉末、三酸化アンチモにカルナバワックス、カー
ボンブラック、シランカップリング剤(γ−グリシドキ
シプロビルトリメトキシシラン)を表−1に示す組成比
(電を部)に選び、各組成物をミキサーによる混合、8
口熱ロールによる混練を行うことによって、比較例を含
め6種のトランスファ成形材料を11製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
することによりMOS @1拠横目路を樹脂封止した。
封止は高周波予熱器で90 ’OK IJD熱した成形
材料を175℃で2分間モールドし、東に1800で3
寺、■アフタヤ1アすることにより行った。上記樹脂封
止型半導体装置各100個について次の試験を行った。
+f)1200#2気圧の水蒸気中で10v印加してア
ルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験
(バイアスpc’r )を行い、その結果を表−2に示
した。
+2) 120°OI2気圧の水蒸気中に放置してアル
ミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿試験(
pc’r )を行いその結果を表−3に示した。
以ド栄白 表 −1 表 −2 表 −3 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明の半導体装置は、PCT 
、バイアスPcTのいずれのテストにおいても、優れた
耐湿性を有して分り、高温鑞気特性等においても高信頼
性を゛実現できるものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ill (a)エポキシ当1i170〜3LjOのノボ
    ラック型エポキシ樹脂 (b)1分子中に少くとも2イ一以上のフェノール性水
    酸基を有するエポキシ樹脂の硬化剤(C)有機ホスフィ
    ン化合物および (d)シリコーンオイル を必須成分とする工・メキンW脂組成物の硬化物によっ
    て封止されていることを411徴どする樹脂封止型半導
    体装置。 +2、特許請求の範囲tg1@の記載において、エポキ
    シ樹脂組成物が更に無機質光てん剤をき有する樹脂封止
    型半導体装置。 (3)特許請求の範囲第2項記載のエポキシ樹脂組成物
    において無機質光てん剤がシリコーンオイルで表間処理
    されている樹脂封止型半導体装置。
JP57048850A 1982-03-29 1982-03-29 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS58166747A (ja)

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EP83103167A EP0120981B1 (en) 1982-03-29 1983-03-30 Resin encapsulation type semiconductor device

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