JPS58119654A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS58119654A JPS58119654A JP57000859A JP85982A JPS58119654A JP S58119654 A JPS58119654 A JP S58119654A JP 57000859 A JP57000859 A JP 57000859A JP 85982 A JP85982 A JP 85982A JP S58119654 A JPS58119654 A JP S58119654A
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- JP
- Japan
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- resin
- epoxy resin
- novolac
- semiconductor device
- novolac type
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂系組成物の硬化物によって封止さ
れた高倍−性の樹脂封止型半導体装置に関する。
れた高倍−性の樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂は電気特性、ｍ械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の封止に広く用いられている。
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の封止に広く用いられている。
最近では従来のセラずツクスを用いたハーメチクク対止
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂系組成物を用いて封止されている
。
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂系組成物を用いて封止されている
。
半導体封止用エポキシ樹脂系組成物としては、信頼性、
成形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
成形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
ノボラック型フェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化
促進剤から成るエポキシ樹脂系組成物が広く用いられて
いる。
促進剤から成るエポキシ樹脂系組成物が広く用いられて
いる。
しかし従来のエポキシ樹脂系封止樹脂を用い。
トランスファ成形して得られる樹脂封止蓋半導体装置は
次のような欠慮があった〇 （１）樹脂封止蓋半導体装置に１求される信頼性のレベ
ルの高さに較べ耐Ｓ性が劣ること。
次のような欠慮があった〇 （１）樹脂封止蓋半導体装置に１求される信頼性のレベ
ルの高さに較べ耐Ｓ性が劣ること。
（２）樹脂封止蓋半導体装置に豊水される信頼性のレベ
ルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること。
ルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること。
ヒ紀耐湿性について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温高温雰囲気下で使用または保存することがあるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐温性の品質保紅の丸めの評価試験としては
、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気中に暴露する加速
評価法が行なわれており、最近では電圧を印加して更に
加速性を高めたバイアス印加麿の評価試験も実施されて
いる。
は高温高温雰囲気下で使用または保存することがあるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐温性の品質保紅の丸めの評価試験としては
、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気中に暴露する加速
評価法が行なわれており、最近では電圧を印加して更に
加速性を高めたバイアス印加麿の評価試験も実施されて
いる。
しかし封止したエポキシ樹脂系組成物の硬化物は吸湿性
、透湿性があるため、このような高温高温状態下では外
部から水分が細土樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面に牙で到適する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、す＋
り［１１の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を
主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加し
た場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
、透湿性があるため、このような高温高温状態下では外
部から水分が細土樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面に牙で到適する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、す＋
り［１１の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を
主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加し
た場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
従来のｆＭ脂封止聾半導体装置は上記耐ｔＭ、性に関し
充分に満足できるものではなく、耐湿性の向りが求めら
れていた。
充分に満足できるものではなく、耐湿性の向りが求めら
れていた。
次に高温時の電気特性について説明すると、樹脂封止型
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
い。そのための評価試験としては８０℃〜１５０’Ｏで
バイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一
般的である。
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
い。そのための評価試験としては８０℃〜１５０’Ｏで
バイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一
般的である。
このような試験において表面が鋭敏なＭＯ８構造をもつ
素子や、逆バイアスが印加されたＰＮ接合をｔつ素子Ｋ
特に著しく多発する不良として。
素子や、逆バイアスが印加されたＰＮ接合をｔつ素子Ｋ
特に著しく多発する不良として。
チャンネリングによるリーク電流の増加する現象がある
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加された
素子の表面に接している樹脂層に電界が作用することに
よって発生すると考えられているＯ 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく、改良が求められて
いた。
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加された
素子の表面に接している樹脂層に電界が作用することに
よって発生すると考えられているＯ 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく、改良が求められて
いた。
本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の一点を改良し、優れた耐温性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂系組成物によって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある０ 上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂系組成物が
、半導体樹上用樹脂として従来のものく較べ、優れた耐
湿性と１Ｉ４Ｉｌｌ電気ＩＩ！＃性を有することを見出
し、これを用いることによって従来のものに較べ、耐湿
性中高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導
体装置が得られることを見出した０ すなわち本発明は、 （ａ）エポキシ当量１７０〜３００のノボラック臘エポ
キシ樹脂、 （ｂ）ノボラクク臘フェノールｌｌｔ Ｊｉｌｉｌ Ｎ
化剤。
の一点を改良し、優れた耐温性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂系組成物によって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある０ 上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂系組成物が
、半導体樹上用樹脂として従来のものく較べ、優れた耐
湿性と１Ｉ４Ｉｌｌ電気ＩＩ！＃性を有することを見出
し、これを用いることによって従来のものに較べ、耐湿
性中高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導
体装置が得られることを見出した０ すなわち本発明は、 （ａ）エポキシ当量１７０〜３００のノボラック臘エポ
キシ樹脂、 （ｂ）ノボラクク臘フェノールｌｌｔ Ｊｉｌｉｌ Ｎ
化剤。
（Ｃ）一般式、
（式中Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基またはアリール基の群か
ら選ばれ、Ｘはカルボン酸根である）で示される＃１４
級ホスホニウム塩および、（ｄ） ｍ機質充てん剤を必
須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導
体装置が封止されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である０ 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量１７０〜３００のノボラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック薯エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は１種も・しくは２種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールλ
型エポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル麿エポキシ樹脂、グリシン
ルアンン型エポキシ樹脂１ｍ状脂肪族千ボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複ａｕｉｍエポキン樹脂、・・ロゲ
ン化エポキシ樹脂などは、上記エポキシｆｉｉｉ１７０
〜３０００ノボラック臘エポキシ樹脂に併用した場合に
使用することができる。配合量はノボラック型エポキシ
樹脂に対し団重量−以下が好ましい。またこれらエポキ
シ樹脂は塩素イオンの含有量カ月Ｏｐｐｍ以下、−加水
分解性塩素の含有量が０．ＩＪｉｊｉ＊以下のものが望
ましい。
ら選ばれ、Ｘはカルボン酸根である）で示される＃１４
級ホスホニウム塩および、（ｄ） ｍ機質充てん剤を必
須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導
体装置が封止されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である０ 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量１７０〜３００のノボラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック薯エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は１種も・しくは２種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールλ
型エポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル麿エポキシ樹脂、グリシン
ルアンン型エポキシ樹脂１ｍ状脂肪族千ボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複ａｕｉｍエポキン樹脂、・・ロゲ
ン化エポキシ樹脂などは、上記エポキシｆｉｉｉ１７０
〜３０００ノボラック臘エポキシ樹脂に併用した場合に
使用することができる。配合量はノボラック型エポキシ
樹脂に対し団重量−以下が好ましい。またこれらエポキ
シ樹脂は塩素イオンの含有量カ月Ｏｐｐｍ以下、−加水
分解性塩素の含有量が０．ＩＪｉｊｉ＊以下のものが望
ましい。
本発明にお・いて用いられるノボラック型フェノール樹
脂硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、ｆａｓｔ−プチルフェノールノホラ
ック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げ
られる。これらのフェノール樹脂の軟化点は６０℃〜１
２０℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお・
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が３−以ドである
ことが好ましい。
脂硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、ｆａｓｔ−プチルフェノールノホラ
ック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げ
られる。これらのフェノール樹脂の軟化点は６０℃〜１
２０℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお・
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が３−以ドである
ことが好ましい。
しかしてこれらの硬化剤は１種もしくは２種以上の混合
系で使用することができる。
系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化鋼の配合比については、ノボラック
截フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が０．５〜１．５の範囲内に
あることが望ましい。その理由は０．５未満あるいは１
．５を超えると反応が充分におこりに〈〈なシ、硬化物
の特性が劣化するためである。
截フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が０．５〜１．５の範囲内に
あることが望ましい。その理由は０．５未満あるいは１
．５を超えると反応が充分におこりに〈〈なシ、硬化物
の特性が劣化するためである。
本発明において硬化促進剤として用いられる第４級ホス
ホニウム塩としては、 化学式（１）においてＲｔ〜８４がアルキル基またはア
リール基の評から選ばれ、ＸはカルボンＩＩＩ根で示さ
れる＠４級ホスホニウム塩であって具体的に例示すると
酢酸テトラブチル承スホニウム、安ＪＬ香酸テトラエチ
ルホスホニウム、プロピオン酸メチルトリフェニルホス
ホニウム、酢酸テトラフェニルホスホニウムなどである
０これらのホスホニウム塩の配合量は樹脂成分（エポキ
シ樹脂とフェノール樹脂）の０，０１〜２０重量−の範
囲内にあることが好ましい。
ホニウム塩としては、 化学式（１）においてＲｔ〜８４がアルキル基またはア
リール基の評から選ばれ、ＸはカルボンＩＩＩ根で示さ
れる＠４級ホスホニウム塩であって具体的に例示すると
酢酸テトラブチル承スホニウム、安ＪＬ香酸テトラエチ
ルホスホニウム、プロピオン酸メチルトリフェニルホス
ホニウム、酢酸テトラフェニルホスホニウムなどである
０これらのホスホニウム塩の配合量は樹脂成分（エポキ
シ樹脂とフェノール樹脂）の０，０１〜２０重量−の範
囲内にあることが好ましい。
本発明において用いられる無機質充てん剤とし゛（は１
石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タル
ク、アルはす粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末。
石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タル
ク、アルはす粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末。
マグネシア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス
粉末や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱１１張係数
の点で蛾も好ましい。しかしてこれら無機質充てん剤の
配合量はエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤および無
機質充てん剤の種類によっても異るが、たとえばトラン
スファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフェノール
樹脂硬化剤の総量に対し重量比で１．５倍〜４倍程度で
よい。無機質充てん剤の粒度分布くついては Ｉｔい粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にするととによっ
て成形性を改善することができる。
粉末や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱１１張係数
の点で蛾も好ましい。しかしてこれら無機質充てん剤の
配合量はエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤および無
機質充てん剤の種類によっても異るが、たとえばトラン
スファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフェノール
樹脂硬化剤の総量に対し重量比で１．５倍〜４倍程度で
よい。無機質充てん剤の粒度分布くついては Ｉｔい粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にするととによっ
て成形性を改善することができる。
本発明に係るエポキシ樹脂系組成物は必畳に応じて１例
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル＠ｔしくはパフフィン類な
どの離置剤、ａ素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン。
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル＠ｔしくはパフフィン類な
どの離置剤、ａ素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン。
三酸化アンチモ／などの峻燃剤、カーボ／ブラックなど
の着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配合し
ても差しつかえない。
の着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配合し
ても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂系組成物を成形材料として＊
擬する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えば２キサ−によって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂系成形材料を得ることができる。
擬する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えば２キサ−によって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂系成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂樹上型半導体装置は、上記エポキシ樹脂系
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止すること
により容易に製造することかで角る◇封止の最も一般的
な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、イ／
ジェクシ１）成形。
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止すること
により容易に製造することかで角る◇封止の最も一般的
な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、イ／
ジェクシ１）成形。
圧縮成形、注臘などによる封止も可能である。
エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬′
化物によって封止された樹１１％・１１半導体装置を得
ることができる。硬化ｒ！綜１５０’０以Ｆに加熱する
ことが特に望ましい。
て硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬′
化物によって封止された樹１１％・１１半導体装置を得
ることができる。硬化ｒ！綜１５０’０以Ｆに加熱する
ことが特に望ましい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１〜３
エボキン当ｊｉ ２２０のクレゾールノボラック型エボ
キン樹脂（エポキシ樹脂入）、エポキシ轟量２９０の臭
素化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子
量８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、酢酸テト
ラブチルホスホニウム、安息香酸テトラエチルホスホニ
ウム、酢酸テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフ
ェニルホスホニウム、２−ヘプタデシルイミダゾール、
石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス
。
キン樹脂（エポキシ樹脂入）、エポキシ轟量２９０の臭
素化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子
量８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、酢酸テト
ラブチルホスホニウム、安息香酸テトラエチルホスホニ
ウム、酢酸テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフ
ェニルホスホニウム、２−ヘプタデシルイミダゾール、
石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス
。
カーボンブラック、シランカップリング削（ｒ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシラン）を第１ｓに示す組
成比（重量部）に選び、各組成物をｉキサ−による混合
、加熱ロールによる１練を行うことによってトランスフ
ァ成形材料を間開し九〇このようにして得た成形材料を
用いてトランスファ成形することにより、ＭＯ８Ｗ果槓
回路を樹脂封止した。封止は高周波予熱器で９０℃に加
熱した成形材料を１７５℃で２分間モールドし、更に１
８０℃で３時間アフタキ島アすることにより行ったＯ 上記樹脂封止朦半導体装置各１００個について次の試験
を行っ九〇 （１） １２０℃、２気圧の水蒸気中で１０ Ｖ印加し
てアルｆニウム配線の腐食による断線不要を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を第２表に
示した。
ドキシプロビルトリメトキシシラン）を第１ｓに示す組
成比（重量部）に選び、各組成物をｉキサ−による混合
、加熱ロールによる１練を行うことによってトランスフ
ァ成形材料を間開し九〇このようにして得た成形材料を
用いてトランスファ成形することにより、ＭＯ８Ｗ果槓
回路を樹脂封止した。封止は高周波予熱器で９０℃に加
熱した成形材料を１７５℃で２分間モールドし、更に１
８０℃で３時間アフタキ島アすることにより行ったＯ 上記樹脂封止朦半導体装置各１００個について次の試験
を行っ九〇 （１） １２０℃、２気圧の水蒸気中で１０ Ｖ印加し
てアルｆニウム配線の腐食による断線不要を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を第２表に
示した。
（２） １００℃のオーブン中でオフセラトゲ−） Ｍ
Ｏ８ＦＩＴ回路にＦレイン電圧５Ｖ、オフセットゲート
電圧５ｖを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い。
Ｏ８ＦＩＴ回路にＦレイン電圧５Ｖ、オフセットゲート
電圧５ｖを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い。
リーク電流が初期値の１００倍以上に増加した場合を不
良と判定してその結果を′ａ３表に示した。
良と判定してその結果を′ａ３表に示した。
以 下 余 白
第 １ 表
第 ２ 表
第３表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （荀エポキシ当Ｊｌ１１７０〜３０００ノボラック臘エ
ポキシ樹脂。 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂硬化剤、（式中Ｒ１
〜Ｒ４はアルキル基またはアリール基の群から選ばれ、
Ｘはカルボン１１４１である）で示される＠４級ホスホ
ニウム塩及び（ｄ）無機質充てん剤。 を必須成分とするエポキシ樹脂系組成物の硬化物によっ
て半導体装置が封止されていることを特徴２する樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000859A JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000859A JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119654A true JPS58119654A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11485381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000859A Pending JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
| US20160260645A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57000859A patent/JPS58119654A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
| US20160260645A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
| US9633922B2 (en) * | 2015-01-30 | 2017-04-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
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