JPS63145323A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
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- JPS63145323A JPS63145323A JP29148486A JP29148486A JPS63145323A JP S63145323 A JPS63145323 A JP S63145323A JP 29148486 A JP29148486 A JP 29148486A JP 29148486 A JP29148486 A JP 29148486A JP S63145323 A JPS63145323 A JP S63145323A
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は成形性特に、外観不良やボイドによる成形性に
優れる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料に関するもの
である。
優れる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料に関するもの
である。
（従来技術〕
従来、成形性といえば、成形時に発生するパリや離型性
や、金型及び成形品の汚れが問題となっていた。
や、金型及び成形品の汚れが問題となっていた。
このため成形材料の硬化性や、離型性ヤ型汚れ性に関す
る研究は多くなされてきており、その知見も多い。
る研究は多くなされてきており、その知見も多い。
しかし、最近は成形品の表面や内部に発生する気泡特に
内部に発生する気泡が問題となってきた。
内部に発生する気泡が問題となってきた。
これらの気泡はソフトＸ線透視画像や超音波測定等の分
析手段の発達により従来児過ごされてきた内部気泡特に
直径１００μｍ以下の小さな内部気泡が検出可能となり
、これらの内部気泡の減少が要求される様になってきた
。
析手段の発達により従来児過ごされてきた内部気泡特に
直径１００μｍ以下の小さな内部気泡が検出可能となり
、これらの内部気泡の減少が要求される様になってきた
。
また同時に顕微鏡を使用しての表面の気泡にも注意が払
われてきており表面に現われる小さな気泡も問題となっ
て来た。
われてきており表面に現われる小さな気泡も問題となっ
て来た。
これらの気泡が問題となるのは、気泡の中に水気
が留まり半導体素子の腐食を早めたり、熱ストレスを受
けた時にクラックの発生源となり半導体の信頼性低下へ
つながるためと考えられているからである。
けた時にクラックの発生源となり半導体の信頼性低下へ
つながるためと考えられているからである。
そこで、従来と異なった成形性つまり気泡のない成形品
という点からの品質向上が必要となって来た。
という点からの品質向上が必要となって来た。
また今回使用した消泡剤は従来注型用樹脂に使用されて
いた様にほとんど液状樹脂に添加されていた。 これを
今回、固形状のものに応用したものでおる。
いた様にほとんど液状樹脂に添加されていた。 これを
今回、固形状のものに応用したものでおる。
（発明の目的〕
本発明は従来の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料では
成形時に発生する気泡の残存を防止できなかったが気泡
の残存を失すため種々検討した結果、従来は液状のもの
のみにしか使用されなかったシリコーン消泡剤を固形状
材料に添加する事により気泡の残存を失すことができる
との知見を穐更にこの知見に基づき種々研究を進めて本
発明を完成するに至ったものである。
成形時に発生する気泡の残存を防止できなかったが気泡
の残存を失すため種々検討した結果、従来は液状のもの
のみにしか使用されなかったシリコーン消泡剤を固形状
材料に添加する事により気泡の残存を失すことができる
との知見を穐更にこの知見に基づき種々研究を進めて本
発明を完成するに至ったものである。
（発明の構成〕
本発明はシリカフィラー、エポキシ樹脂、硬導体封止用
エポキシ樹脂成形材料である。
エポキシ樹脂成形材料である。
本発明において用いられるシリカフィラーとしては溶融
シリカ、結晶シワ力がおる。
シリカ、結晶シワ力がおる。
エポキシ樹脂としてはビスフェノール型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ、複素環型エポ慴ｉ脂
がある。
フェノールノボラック型エポキシ、複素環型エポ慴ｉ脂
がある。
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂を使用。
硬化促進剤としては第３級アミン、イミダゾール、有機
リン化合物を挙げることができる。 滑剤としては天然
ワックス、合成ワックスがおる。
リン化合物を挙げることができる。 滑剤としては天然
ワックス、合成ワックスがおる。
その他、表面処理剤、臭素化エポキシ樹脂、難燃剤、顔
料は必要に応じて添加してもよい。
料は必要に応じて添加してもよい。
次に本発明において使用されるシリコーン消泡剤としは
シリコーンオイル、シリコーンエマルジョン等がのり、
これらを単独もしくは２種以上混合して使用する。 こ
れらのシリコーンオイル又はシリコーンエマルジョンは
フィラー１．エポキシ樹脂、硬化剤等の合計四に対して
０．０１〜１０重量％の範囲で使用される。
シリコーンオイル、シリコーンエマルジョン等がのり、
これらを単独もしくは２種以上混合して使用する。 こ
れらのシリコーンオイル又はシリコーンエマルジョンは
フィラー１．エポキシ樹脂、硬化剤等の合計四に対して
０．０１〜１０重量％の範囲で使用される。
本発明方法に従うと成形時、熱がかかり、溶融状態（液
状）になり消泡剤が有効にはだら（と思われ、成形品表
面や内部に発生する気泡が激減する。 このことから成
形歩留を向上させることができるうえに従来の欠陥であ
る成形品中の気泡が除かれるためプラスチック封止がよ
り完全になり半導体の信頼性を高める事ができ、プラス
チック封止半導体のレベルアップ及びコストダウンを図
るものである。
状）になり消泡剤が有効にはだら（と思われ、成形品表
面や内部に発生する気泡が激減する。 このことから成
形歩留を向上させることができるうえに従来の欠陥であ
る成形品中の気泡が除かれるためプラスチック封止がよ
り完全になり半導体の信頼性を高める事ができ、プラス
チック封止半導体のレベルアップ及びコストダウンを図
るものである。
〔実施例１〕
溶融シリカ７０重量部、エポキシ樹脂（エポキシ装置２
００ ） １８重量部、フェノールノボラック９重量部
、硬化促進剤０．５重量部、滑剤１用量部、シリコーン
消泡剤５ＡＧ−１００（日本ユニカー）１重量部により
なる混合物を加熱溶融混合したのみ冷却同化粉砕して粉
末成形材料を得た。 得られた成形材料を金型温度１７
５℃、硬化時間９０秒の成形条件で硬化させた。
００ ） １８重量部、フェノールノボラック９重量部
、硬化促進剤０．５重量部、滑剤１用量部、シリコーン
消泡剤５ＡＧ−１００（日本ユニカー）１重量部により
なる混合物を加熱溶融混合したのみ冷却同化粉砕して粉
末成形材料を得た。 得られた成形材料を金型温度１７
５℃、硬化時間９０秒の成形条件で硬化させた。
この様に１ｑられた成形品の表面及び内部の気泡をソフ
トＸ線でチェックしたところ、抜群の成形歩留を示した
。
トＸ線でチェックしたところ、抜群の成形歩留を示した
。
従来の成形材料では、１６Ｌ ＤＩＰ−２ｄＯｃａｖの
金型でチェックしたところ５％前後の気泡の発生が見ら
れたが５ＡＧ−１００＠使用したタイプでは気泡の発生
が見られず成形歩留が大巾に向上した。
金型でチェックしたところ５％前後の気泡の発生が見ら
れたが５ＡＧ−１００＠使用したタイプでは気泡の発生
が見られず成形歩留が大巾に向上した。
〔実施例２〕
溶融シリカ７０重量部、エポキシ樹脂（エポキシＧ−３
３１０（日本ユニ力）１重量部によりなる混合物を加熱
溶融混合したのみ冷却固化粉砕して粉末成形材料を得た
。
３１０（日本ユニ力）１重量部によりなる混合物を加熱
溶融混合したのみ冷却固化粉砕して粉末成形材料を得た
。
得られた成形材料を金型温度１７５℃、硬化時間９０秒
の成形条件で硬化させた。 この様に得られた成形品の
表面及び内部の気泡をソフトＸ線でチェックしたところ
、抜群の成形歩留を示した。
の成形条件で硬化させた。 この様に得られた成形品の
表面及び内部の気泡をソフトＸ線でチェックしたところ
、抜群の成形歩留を示した。
従来の成形材料では、１ＢＬ ＤＩＰ−２４０ＣａＶの
金型でチェックしたところ３．５％前後の気泡の発生が
見られたが５ＡＧ−１００を使用したタイプでは気泡の
発生が見られず成形歩留が大巾に向上した。
金型でチェックしたところ３．５％前後の気泡の発生が
見られたが５ＡＧ−１００を使用したタイプでは気泡の
発生が見られず成形歩留が大巾に向上した。
Claims (1)
- シリカフィラー、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進財、
滑剤等からなる組成物に、シリコーン消泡剤を０．０１
〜１０重量％含むことを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29148486A JPS63145323A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29148486A JPS63145323A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63145323A true JPS63145323A (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=17769472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29148486A Pending JPS63145323A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63145323A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479860B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-03-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 |
| US6933179B1 (en) | 2000-01-19 | 2005-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710255A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Toshiba Corp | Epoxy resin composition and resin sealed type semiconductor device |
| JPS5790965A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Toshiba Corp | Resin sealing type semiconductor device |
| JPS58166747A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS6055025A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-29 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6153320A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6166713A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
| JPS61185527A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Toray Silicone Co Ltd | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29148486A patent/JPS63145323A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100479860B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-03-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 |
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