KR101235002B1 - 신규 에틸렌계 화합물, 그것을 포함하는 전하 수송 재료, 그것을 포함하는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 열화를 억제하고 광 피로가 적으며, 그에 따른 잔류 전위의 상승을 방지할 수 있고, 장기간 사용하여도 전자 사진용 감광체로서의 특성이 안정적이며, 양호한 화상을 안정적으로 얻을 수 있는 에틸렌계 화합물, 그것을 포함하는 전하 수송 재료, 그것을 포함하는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물, 그것을 포함하는 전하 수송 재료, 그것을 포함하는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다:
화학식 I
Figure 112010055563425-pct00042

상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.

Description

신규 에틸렌계 화합물, 그것을 포함하는 전하 수송 재료, 그것을 포함하는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법{NOVEL ETHYLENE COMPOUND, CHARGE TRANSPORT MATERIAL CONTAINING THE ETHYLENE COMPOUND, PHOTORECEPTOR FOR ELECTROPHOTOGRAPHY CONTAINING THE ETHYLENE COMPOUND, AND PROCESS FOR PRODUCING THE PHOTORECEPTOR}
본 발명은, 전자 사진용 감광체(이하 간단히 「감광체」라고도 함) 및 그의 제조 방법에 관한 것이며, 상세하게는, 주로 도전성 기체(基體)와 유기 재료를 포함하는 감광층으로 이루어지고, 전자 사진 방식의 프린터, 복사기, 팩스 등에 이용되는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 사진 방식을 이용한 화상 형성 방법은, 사무실용 복사기, 프린터, 플로터 및 이들 기능을 복합시킨 디지털(digital) 화상 복합기 등 외에, 최근 개인용 소형 프린터, 팩스 송수신기에도 널리 적용되고 있다. 또한, 전자 사진 장치용 감광체로서 칼슨의 발명(특허문헌 1) 이래, 많은 감광체가 개발되고 있고, 특히 유기 재료를 사용하는 것이 일반적인 것이 되고 있다.
이러한 감광체로는, 알루미늄 등의 도전성 기체 상에 양극 산화 피막, 수지막 등의 언더코트층, 프탈로시아닌류, 아조 안료 등 광 도전성을 갖는 유기 안료를 포함하는 전하 발생층, π 전자 공액계와 결합한 아민, 히드라존 등 전하의 호핑 전도에 관여하는 부분 구조를 갖는 분자를 포함하는 전하 수송층 및 보호층을 적층하여 이루어진 기능 분리형 감광체가 있다. 또한, 전하 발생 및 전하 수송의 기능을 겸비하는 단층형 감광체도 알려져 있다. 또한, 단층형 감광체는 언더코트층을 가져도 된다.
상기 각 층의 형성 방법으로는, 전하 발생이나 광 산란 등의 기능을 갖는 안료나, 전하 수송의 역할을 담당하는 전하 수송제를 각각 적절한 수지 용액에 용해 또는 분산시켜 얻어지는 도료에, 도전성 기체를 침지 도포하는 방법이 양산성이 우수하기 때문에 일반적이다.
또한, 최근의 전자 사진 장치는, 발진 파장이 450∼780 nm 정도인 반도체 레이저 또는 발광 다이오드를 노광용 광원으로 하여 화상 및 문자 등의 디지털 신호를 광 신호로 변환하여, 대전시킨 감광체 상에 조사함으로써 감광체 표면에 정전 잠상을 형성하고, 이것을 토너에 의해 가시화하는, 소위 반전 현상 프로세스가 주류이다.
또한, 이러한 전자 사진 장치에서, 프탈로시아닌류는 다른 전하 발생제와 비교하여 반도체 레이저의 발진 파장 영역에서의 흡광도가 크고, 우수한 전하 발생 능력을 갖기 때문에, 감광층용 재료로서 널리 검토되고 있다. 특히, 현재, 중심 금속으로서 구리, 알루미늄, 인듐, 바나듐, 티타늄 등을 갖는 각종 프탈로시아닌을 이용한 감광체가 알려져 있다(특허문헌 2∼5).
감광체를 대전시키는 방법으로는, 스코로트론(scorotron)으로부터의 코로나 방전 등에 의한 대전 부재와 감광체가 비접촉인 비접촉 대전 방식, 도전성 고무로 이루어진 롤러나 도전성 섬유로 이루어진 브러시 등에 의한 대전 부재와 감광체가 접촉하는 접촉 대전 방식이 있다. 그 접촉 대전 방식은 비접촉 대전 방식에 비하여 대기중에서의 방전 거리가 짧기 때문에, 오존의 발생이 적고, 전원 전압이 낮아도 되고, 방전에 의해 생기는 대전 부재에 대한 오물의 침착이 없기 때문에 보수, 유지가 필요없다. 또한, 그 접촉 대전 방식은 감광체 상에서의 대전 위치를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 보다 컴팩트하며 저비용, 저환경 오염의 전자 사진 장치를 실현할 수 있기 때문에, 접촉 대전 방식은 특히 중형∼소형 장치에서 주류가 되고 있다.
그러나, 대부분의 화합물은 전하 발생층과 전하 수송층을 조합하여 감광층으로 한 경우, 실용상 필요한 감광체의 여러 특성, 조건을 만족하는 것은 매우 적음이 실험의 결과 알려져 있다. 특히, 공지의 전자 사진 프로세스에 의한 대전, 노광의 반복 특성을 만족하는 것은 적고, 반복하여 대전 및 노광을 행하면, 전하 수송층에서의 전하의 트랩의 축적이 원인으로 보이는 잔류 전위의 상승을 초래한다. 그 영향으로 특히 프린터 등에서 이용되고 있는 반전 현상 방식에서는 반복에 의한 농도 변화가 발생한다. 이들은, 광 피로에 의한 것으로 추찰된다. 또한, 이러한 문제는, 상기 프탈로시아닌 안료, 비스 아조 안료 등을 결착 수지에 분산 도포하여 이루어진 기능 겸용형 단층 감광체에서도 동일한 문제가 생긴다.
광 열화 방지에 대해서는, 전하 수송층에 특정한 첨가제를 첨가하는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 6에는 귤색 염료 화합물을, 특허문헌 7에는 오렌지 색소를, 특허문헌 8에는 480 nm에 최대 흡수 파장을 갖는 화합물을 각각 첨가하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 광 안정성, 노광 피로에 의한 대전성의 저하 등을 방지하는 것을 목적으로, 특허문헌 9∼12 등에는, 전하 수송제로서 많은 이중 결합을 갖는 에틸렌계 화합물이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 미국 특허 제2297691호 명세서 특허문헌 2: 일본 특허 공개 소 53-89433호 공보 특허문헌 3: 미국 특허 제3816118호 명세서 특허문헌 4: 일본 특허 공개 소 57-148745호 공보 특허문헌 5: 미국 특허 제3825422호 명세서 특허문헌 6: 일본 특허 공개 평 10-228121호 공보 특허문헌 7: 일본 특허 공고 평 8-33660호 공보 특허문헌 8: 일본 특허 공개 평 11-184108호 공보 특허문헌 9: 일본 특허 공개 소 60-104951호 공보 특허문헌 10: 일본 특허 공개 평 2-264263호 공보 특허문헌 11: 일본 특허 공개 평 5-112508호 공보 특허문헌 12: 일본 특허 공개 평 7-120950호 공보
그러나, 특허문헌 6∼8 등에 기재되어 있는 바와 같이, 전하 수송층에 특정 첨가제를 첨가하는 기술은, 프탈로시아닌 안료 또는 특정 전하 수송제에 한정된 것이다. 또한, 동문헌에는 빛의 흡수를 고려하여 전하 수송제 등의 광 분해를 방지하는 광 열화 방지 효과 외에는 기술되어 있지 않다. 또한, 특허문헌 9∼12에 기재된 화합물은, 광 피로에 관해서는 충분한 효과가 나타나 있지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은, 광 열화가 작은 에틸렌계 화합물 및 전하 수송제를 제공하고, 또한 광 피로가 적고, 피로에 따른 잔류 전위의 상승을 방지할 수 있는 전자 사진용 감광체, 나아가, 이들 성질에 의해 장기간 사용하여도 전자 사진용 감광체로서의 특성이 안정적이며, 양호한 화상을 안정적으로 얻을 수 있는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 반복 사용에서의 감광체의 광 열화, 광 피로, 그에 따른 잔류 전위의 상승을 방지할 수 있는 전자 사진용 감광체에 관해 예의 검토하고, 거듭 실험을 하였다. 그 결과, 감광층에, 특정한 구조의 사치환 에틸렌 구조를 갖는 화합물을 사용함으로써, 광 분해가 잘 일어나지 않고, 광 열화를 억제할 수 있고 Z-체/E-체(시스-트랜스(cis-trans)) 광 이성화가 잘 일어나지 않는 구조를 갖기 때문에, 광 피로가 억제되는 것을 발견하였다. 또한, 광 열화 및 광 피로를 방지할 수 있기 때문에 특성이 매우 우수한 전자 사진용 감광체를 제공할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 화학식 I
화학식 I
Figure 112010055563425-pct00001
로 표시되는 에틸렌계 화합물 및 그것을 포함하는 전하 수송제이며, 본 발명의 전자 사진용 감광체는, 도전성 기체 상에 적어도 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체이며, 그 감광층 중에 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 함유하는 것이다.
화학식 I
Figure 112010055563425-pct00002
상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 치환되어도 되는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다. 화학식 I의 화합물은 R4와 Ar의 위치가 Z-체(cis-체), E-체(trans-체) 중 어느 하나의 구조 단독 또는 양자의 혼합물이어도 상관없다. 또한, 다른 구조를 갖는 화학식 I의 화합물을 포함하고 있어도 된다.
본 발명은, 감광층이, 적어도 전하 발생제, 전하 수송제 및 결착 수지를 함유하며, 그 전하 수송제로서, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 함유한 전자 사진용 감광체여도 된다.
본 발명은, 예를 들어, 도전성 기체 상에 적어도 전하 발생제가 함유되는 전하 발생층이 형성되며, 그 위에 적어도 전하 수송제가 함유되는 전하 수송층이 형성되는 기능 분리형 전자 사진용 감광체이다. 또한, 도전성 기체 상에 적어도 전하 수송제가 함유되는 전하 수송층이 형성되며, 그 위에 적어도 전하 수송제 및 전하 발생제가 함유되는 기능 분리형 전자 사진용 감광체여도 된다. 또한, 단일 감광층을 포함하는 단층형 전자 사진용 감광체여도 된다.
본 발명에 이용할 수 있는 상기 전하 발생제로는, 티타닐프탈로시아닌, 무금속 프탈로시아닌 중 어느 하나 또는 양자를 함유할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 사진용 감광체의 제조 방법은, 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 포함하는 도포액을 도전성 기체 상에 도포함으로써 감광층을 형성하는 것이며, 화학식 I 중 R1∼R4 및 Ar은 상기와 동일한 것을 나타내고 있다.
화학식 I
Figure 112010055563425-pct00003
본 발명에 의하면, 도전성 기체 상에 적어도 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체는, 상기 감광층이, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물, 즉, 이중 결합의 부위에 4개의 상이한 치환기에 의해 치환된 구조를 갖는 화합물 (I)을 포함하며, 이 화합물이 치환기의 입체적인 효과에 의해, 쉽게 광 분해 및 광 열화하지 않기 때문에, 그 광 피로가 억제된다. 또한, 그 화합물 (I)은, 막 상태에서의 공간에서, 이치환 또는 삼치환된 에틸렌계 화합물에 비해, 장시간 광 조사하더라도, 훌라트위스트(Hula-twist) 메카니즘에 의한 Z-체/E-체 광 이성화가 잘 발생하지 않기 때문에, 광 열화가 적어진다. 그 결과, 감광층의 광 피로가 작고, 잔류 전위의 상승을 방지할 수 있는 전자 사진용 감광체, 즉, 장기간 사용하여도 전자 사진용 감광체로서의 특성이 안정적이며, 양호한 화상을 안정적으로 얻을 수 있는 전자 사진용 감광체 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다. 훌라트위스트 메카니즘에 의한 에틸렌계 화합물의 Z-체/E-체 광 이성화 기구에 관해서는 문헌(J. Photochem. Photobiol. A : Chemistry, 2006, 184, 44-49.) 등에 기재되어 있다.
예를 들어 특허문헌 9의 화합물 No.2-4의 삼치환 구조 에틸렌계 화합물은, 막 중의 비교적 한정된 공간에서도 발생하는 훌라트위스트 메카니즘에 의한 E-체/Z-체 이성화에 의해, 막 중에서 전하 수송재의 입체적인 구조 변화가 발생함으로써 감광체 특성에 영향을 미치는 것으로 생각된다. 또한, No. 2-53이나 No. 2-58과 같은 사치환 에틸렌계 화합물의 경우, 입체적으로 큰 사치환기를 갖기 때문에 동문헌의 최종 단계에서의 합성 방법으로 합성하는 것이 매우 어려워, 고수율로 공업적으로 대량 합성하는 것이 어렵다. 이에 비해, 본 발명의 화학식 I로 표시되는 사치환 에틸렌계 화합물은, 막 중의 공간에서도 훌라트위스트 기구에 의한 광 이성화를 방지할 수 있다. 또한, 그 사치환 에틸렌계 화합물은 사치환 구조이며 입체적으로 혼합된 구조이므로, 에틸렌 부위가 오존이나 NOx 등에 의한 외적 요인에 의한 광 분해가 잘 일어나지 않는다. 또한, 본 발명은 합성 방법도 특허문헌 9와는 다른 방법을 이용하기 때문에, 공업적인 생산을 가능하게 한다.
도 1은 단층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 음 대전 적층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 양 대전 적층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 화합물 (I-1)의 NMR 차트도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해 상세히 설명한다.
본 발명의 에틸렌계 화합물은, 하기 화학식 I로 표시되는 화합물이다. 이하, 화학식 I로 표시되는 화합물을 화합물 (I)로도 칭한다. 다른 화합물도 동일하게 기재한다.
화학식 I
Figure 112010055563425-pct00004
상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.
본 발명에서, 탄소수 1∼6의 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, iso-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있고, 일부 또는 전부의 수소 원자가, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자, 탄소 원자수 1∼3의 알킬기 등으로 치환되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에서, 탄소수 1∼6의 알콕시기로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, iso-부톡시기, s-부톡시기, t-부톡시기, 펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있고, 일부 또는 전부의 수소 원자가, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자, 탄소 원자수 1∼3의 알킬기 등으로 치환되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에서, R1, R2 및 R3 중 2개 이상이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, 또 R1, R2 및 R3이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.
또한, R4로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등의 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 들 수 있고, 일부 또는 전부의 수소 원자가, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자 등으로 치환되어 있어도 된다. 또한, 특히 R4는 메틸기인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서, 탄소수 7∼20의 아릴기로는, 나프틸기, 비페닐기, 안트릴기, 페난트릴기 등을 들 수 있고, 일부 또는 전부의 수소 원자가, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자, 탄소 원자수 1∼3의 알킬기 등으로 치환되어 있어도 된다.
또한, 본 발명에서, 복소환 기로는, 푸릴기, 티에닐기, 피리딜기, 피페리딜기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에서, Ar이 나프틸기, 비페닐기, 안트릴기, 톨일기, 크실릴기 및 페난트릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것이 바람직하다. 또한, 특히 Ar이 안트릴기인 것이 보다 바람직하다.
상기 화합물 (I)로는, 예를 들어, 하기 표 1∼4에 기재된 화합물 (I-1)∼(I-108)을 들 수 있다. 하기 표 1∼4 중, H는 수소 원자, Me는 메틸기, Et는 에틸기를 나타내고, *1∼*10은 하기 구조의 치환기를 나타낸다.
Figure 112010055563425-pct00005
Figure 112010055563425-pct00006
Figure 112010055563425-pct00007
Figure 112010055563425-pct00008
Figure 112010055563425-pct00009
Figure 112010055563425-pct00010
본 발명에서, 화합물 (I)은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조한다.
(a) 공정:
하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 화합물 1, 케톤류 화합물(A), 2-(디시클로헥실포스피노)비페닐(DCHPBP), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐(팔라듐 촉매, Pd cat.), t-BuONa를 반응시켜, 화합물 2가 얻어진다.
반응식 1
Figure 112010055563425-pct00011
(b) 공정:
하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이, 촉매(n-BuLi)의 존재하, 용제(테트라히드로푸란, THF) 중에서 화합물 3과 알데히드(R3PhCHO)를 반응시켜 화합물 4로 하여, 화합물 4를 추출, 정제한다.
반응식 2
Figure 112010055563425-pct00012
(c) 공정:
하기 반응식 3에 나타낸 바와 같이, 용제(CH2Cl2) 중에서 화합물 4와 삼브롬화인을 반응시켜, 화합물 5가 얻어진다.
반응식 3
Figure 112010055563425-pct00013
(d) 공정:
하기 반응식 4에 나타낸 바와 같이, 화합물 5와 NaIO4-DMF(디메틸포름아미드)를 반응시켜 화합물 6으로 하여, 화합물 6을 추출, 정제한다.
반응식 4
Figure 112010055563425-pct00014
(e) 공정:
하기 반응식 5에 나타낸 바와 같이, 촉매의 존재하, 용제 중에서 화합물 6과 화합물 2를 반응시켜 화합물 (I)로 하여(맥머리(McMurry) 반응), 화합물 (I)을 추출, 정제한다.
반응식 5
Figure 112010055563425-pct00015
본 발명에서 합성한 화합물 (I)은, E-체 및 Z-체의 혼합물이 되는 경우가 있다. 이 경우, E-체과 Z-체의 용해성이 상이한 용매에 혼합물을 용해시킴으로써 E-체 단독 또는 Z-체 단독으로 분리하는 것이 가능하다. 또는 컬럼 정제에 의해 분리하는 것이 가능하다.
상기 반응식 5에서, 화합물 2와 화합물 6의 반응 비율(몰비)은 1:1이 바람직하다. 상기 화합물 2가 지나치게 적으면, 화합물 (I)의 수율이 나빠지는 경우가 있다. 한편, 상기 화합물 2가 지나치게 많으면, 미반응의 화합물 2가 많아져, 화합물 (I)의 정제가 어려워질 우려가 있다.
또한, 반응 온도는 -20∼100℃가 바람직하고, 반응 시간은 2∼8시간이 바람직하다. 그 범위로 함으로써, 비교적 간이한 제조 설비로, 원하는 반응을 효율적으로 실시할 수 있다.
또한, 촉매로는, 예를 들어, 사염화티탄-아연, 삼염화티탄-수소화알루미늄리튬, 삼염화티탄-아연, 삼염화티탄-구리, 삼염화티탄-리튬 등을 들 수 있다. 촉매는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
촉매의 첨가량은, 1 몰의 화합물 6에 대하여 1∼1.5 몰이 바람직하다. 촉매의 첨가량이 1 몰 미만이면, 화합물 2와 화합물 6의 반응성이 현저히 저하될 우려가 있다. 촉매의 첨가량이 1.5 몰을 넘으면, 화합물 2와 화합물 6의 반응을 제어하는 것이 어려워질 우려가 있다.
반응식 1의 화합물 1로는 하기 식의 화합물 1-1∼1-10이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 하기 식 1-1 및 1-2를 들 수 있다.
Figure 112010055563425-pct00016
또한, 반응식 1의 화합물(A)로는 하기 식의 화합물 A-1∼A-6이 바람직하다.
Figure 112010055563425-pct00017
또한, 반응식 2의 화합물 3으로는 하기 식의 화합물 3-1∼3-6이 바람직하다.
Figure 112010055563425-pct00018
또한, 반응식 2의 알데히드 화합물(R3PhCHO)로는 하기 식의 화합물 R3-1∼R3-4가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 화합물 R3-1, R3-2를 들 수 있다.
Figure 112010055563425-pct00019
본 발명의 전하 수송제는, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물(화합물 (I))을 포함하는 것이다.
(전자 사진용 감광체)
본 발명의 전자 사진용 감광체는, 도전성 기체 상에 적어도 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체에 있어서, 그 감광층 중에, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물(화합물 (I))을 포함하는 전자 사진용 감광체이다.
본 발명에서, 전자 사진용 감광체로는, 감광층의 층 구성에 따라 (i) 단층형 감광체, (ii) 적층형 감광체를 들 수 있다. 이들 감광체는, 양, 음의 대전형 감광체로서도 이용할 수 있다. 또한, 감광층은 적어도 전하 수송제를 포함하며, 나아가 전하 발생제 및 결착 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
(단층형 감광체)
도 1은, 단층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 단층형 감광체(110)는, 도전성 기체(10)와, 도전성 기체(10) 상에 형성된 언더코트층(20)과, 전하 발생제, 전하 수송제 및 결착 수지를 함유하는 감광층(30)을 갖는다.
도전성 기체(10)로는, 예를 들어, 철, 알루미늄, 구리, 주석, 백금, 은, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 카드뮴, 티탄, 니켈, 팔라듐, 인듐, 스테인리스강, 놋쇠 등의 금속; 그 금속이 증착 또는 라미네이트된 플라스틱 재료; 요오드화알루미늄, 산화주석, 산화인듐 등으로 피복된 유리 등을 들 수 있다. 도전성 기체의 형상으로는, 시트형, 드럼형 등을 들 수 있다. 도전성 기체(10)의 형상은, 화상 형성 장치의 구조에 맞춰 적절하게 결정하면 된다.
언더코트층(20)은, 수지를 주성분으로 하는 층이나 알루마이트 등의 금속 산화 피막으로 이루어지고, 도전성 기체(10)로부터 감광층(30)으로의 전하의 주입성을 제어하기 위해, 또는 기체 표면의 결함의 피복, 감광층(30)과 하지(下地)의 접착성의 향상 등의 목적으로 필요에 따라 형성된다. 언더코트층(20)에 이용되는 수지 재료로는, 카제인, 폴리비닐알콜, 폴리아미드, 멜라민, 셀룰로오스 등의 절연성 고분자, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 고분자를 들 수 있고, 이들 수지는 단독으로, 또는 적절하게 조합하여 혼합하여 이용할 수 있다. 또한, 이들 수지에 이산화티탄, 산화아연 등의 금속 산화물을 함유할 수 있다.
감광층(30)은, 예를 들어, 적어도 화합물 (I)을 포함하는 전하 수송제, 전하 발생제 및 결착 수지와, 필요에 따라 전자(전하) 수송제를 용제에 용해 또는 분산시킨 도포액을, 도전성 기체(10) 상에 도포하여 건조시킴으로써 형성된다. 도포액의 조제는, 롤밀, 볼밀, 아트라이터(attritor), 페인트 쉐이커, 초음파 분산기 등을 이용하여, 각 성분을 용제에 용해 또는 분산시킴으로써 행해진다. 도포 방법은, 공지의 방법을 이용하면 된다. 화합물 (I)을 포함하는 전하 수송제는, 이하에서 정공 수송제로 칭해지는 경우도 있다.
감광층(30)의 두께는, 5∼100 ㎛가 바람직하고, 10∼50 ㎛가 보다 바람직하다. 감광층(30)의 두께가 상기 범위 밖이면, 소기의 효과가 충분하지 않은 경우가 있어, 바람직하지 않다.
감광층(30)에서, 정공 수송제로는, 화합물 (I) 단독으로, 또는 히드라존 화합물, 부타디엔 화합물, 디아민 화합물, 인돌 화합물, 인돌린 화합물, 스틸벤 화합물, 디스틸벤 화합물 등과 적절하게 조합하여 혼합하여 이용된다. 감광층(30)에서는, 화합물 (I)의 Z-체 및 E-체를, 어느 하나를 주로 또는 단독으로 이용해도 되고, 또는 양자를 혼합하여 이용해도 된다. 정공 수송제의 함유량은, 단층형 감광층(30)의 고형분에 대하여, 적절하게는 1∼50 질량%, 보다 바람직하게는 3∼40 질량%이다.
또한, 감광층(30)에서 이용되는 전자 수송제로는, 무수 호박산, 무수 말레산, 디브로모 무수 호박산, 무수 프탈산, 3-니트로 무수 프탈산, 4-니트로 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 피로멜리트산, 트리멜리트산, 무수 트리멜리트산, 프탈이미드, 4-니트로프탈이미드, 테트라시아노에틸렌, 테트라시아노퀴노디메탄, 클로라닐, 브로마닐, o-니트로벤조산, 말로노니트릴, 트리니트로플루오레논, 트리니트로티옥산톤, 디니트로벤젠, 디니트로안트라센, 디니트로아크리딘, 니트로안트라퀴논, 디니트로안트라퀴논, 티오피란계 화합물, 퀴논계 화합물, 벤조퀴논 화합물, 디페노퀴논계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 스틸벤퀴논계 화합물, 아조퀴논계 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 전자 수송제를 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용하는 것이 가능하다. 전자 수송제의 함유량은, 단층형 감광층(30)의 고형분에 대하여, 바람직하게는 1∼50 질량%, 보다 바람직하게는 3∼40 질량%이다.
또한, 전하 발생제로는, 티타닐프탈로시아닌, 무금속 프탈로시아닌계 안료 등의 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
결착 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 Z형, 비스페놀 ZC형, 비스페놀 C형, 비스페놀 A형 등의 폴리카보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-말레산 공중합체, 아크릴 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체, 폴리에틸렌 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 염소화폴리에틸렌 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리프로필렌 수지, 아이오노머 수지, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 알키드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리술폰 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 케톤 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리에테르 수지 등의 열가소성 수지; 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지 등의 열경화성 수지; 에폭시아크릴레이트, 우레탄-아크릴레이트 등의 광경화형 수지 등을 들 수 있다. 결착 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
감광층(30)은, 전자 사진 특성에 악영향을 미치지 않는 범위에서, 공지의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 첨가제로는, 예를 들어, 산화 방지제, 라디칼 포착제, 일중항 퀀처(quencher), 자외선 흡수제 등의 열화 방지제, 연화제, 가소제, 표면 개질제, 증량제, 증점제, 분산 안정제, 왁스, 억셉터, 도너 등을 들 수 있다. 또한, 감광층(30)의 감도를 향상시키기 위해, 테르페닐, 할로나프토퀴논류, 아세나프틸렌 등의 공지의 증감제를 전하 발생제와 병용해도 된다.
상술한 재료를 용해, 분산시켜 도포액을 조정하는 용제로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올 등의 알콜류; n-헥산, 옥탄, 시클로헥산 등의 지방족계 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족계 탄화수소; 디클로로메탄, 디클로로에탄, 클로로포름, 사염화탄소, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소; 디메틸에테르, 디에틸에테르, 테트라히드로푸란, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산에틸, 아세트산메틸 등의 에스테르류; 디메틸포름알데히드, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 용제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 도포액에는, 각 성분의 분산성, 감광층 표면의 평활성을 좋게 하기 위해, 계면활성제, 레벨링제 등을 첨가해도 된다.
(음 대전 적층형 감광체)
도 2는, 음 대전 적층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 음 대전 적층형 감광체(120)는, 도전성 기체(10), 도전성 기체(10) 상에 형성된 언더코트층(20), 전하 발생제를 함유하는 전하 발생층(40) 및 전하 발생층(40) 상에 형성된 전하 수송층(50)을 갖는다. 여기서, 감광층(30)은, 전하 발생층(40) 및 전하 수송층(50)이 순차 적층되어 구성된다.
도전성 기체(10) 및 언더코트층(20)으로는, 단층형 감광체(110)와 동일한 것을 이용할 수 있다.
전하 발생층(40)은 전하 발생제와 결착 수지를 포함한다. 전하 발생제로는 티타닐프탈로시아닌, 무금속 프탈로시아닌 중 어느 하나 또는 양자가 이용된다. 또한, 결착 수지로는 특별히 제한은 없고 상기와 동일한 것을 사용할 수 있고, 각종 폴리염화비닐, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 페녹시 수지 등 중에서 적절한 것을 선택할 수 있다. 또한, 전하 발생층(40)의 막 두께로는 0.1∼5 ㎛, 특히 0.2∼0.5 ㎛가 바람직하다.
전하 수송층(50)은, 전하 수송제와 결착 수지를 포함한다. 전하 수송제로는, 화합물 (I) 단독으로, 또는 히드라존 화합물, 부타디엔 화합물, 디아민 화합물, 인돌 화합물, 인돌린 화합물, 스틸벤 화합물, 디스틸벤 화합물 등과 적절하게 조합하여 혼합하여 이용된다. 또한, 결착 수지로는, 비스페놀 A형, 비스페놀 Z형, 비스페놀 A형-비페닐 공중합체 등의 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리페닐렌 수지 등이 각각 단독으로, 또는 적절하게 조합하여 혼합하여 이용된다. 전하 수송층(50)에서는, 화합물 (I)의 Z-체 및 E-체를, 어느 하나를 주로 또는 단독으로 이용해도 되고, 또는 양자를 혼합하여 이용해도 된다. 전하 수송제의 함유량은, 전하 수송층(50)의 고형분에 대하여, 바람직하게는 10∼90 질량%, 보다 바람직하게는 20∼80 질량%이다. 전하 수송층(50)의 막 두께로는, 실용상 유효한 표면 전위를 유지하기 위해서는 3∼50 ㎛의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15∼40 ㎛이다.
또한, 언더코트층(20), 전하 수송층(50)에는 감도의 향상, 잔류 전위의 감소, 또는 내환경성이나 유해한 빛에 대한 안정성의 향상 등을 목적으로, 필요에 따라 전자 수용성 물질, 산화 방지제, 광 안정제 등을 첨가할 수 있다. 이러한 목적에 이용되는 화합물로는, 토코페롤 등의 쿠마롤(coumarol) 유도체 및 에테르 화합물, 에스테르 화합물, 폴리아릴알칸 화합물, 히드로퀴논 유도체, 디에테르 화합물, 벤조페논 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 티오에테르 화합물, 페닐렌디아민 유도체, 포스폰산에스테르, 아인산에스테르, 페놀 화합물, 장애 페놀 화합물, 직쇄 아민 화합물, 환상 아민 화합물, 장애 아민 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
또한, 감광층(30) 중에는, 형성한 막의 레벨링성을 향상시키거나, 윤활성을 더 부여할 목적으로, 실리콘 오일이나 불소계 오일 등의 레벨링제를 함유시킬 수도 있다.
또한, 감광층(30) 표면에, 내환경성이나 기계적 강도를 더욱 향상시킬 목적으로, 필요에 따라서 표면 보호층을 더 형성해도 된다. 표면 보호층은, 기계적 스트레스에 대한 내구성 및 내환경성이 우수한 재료로 구성되며, 전하 발생층(40)이 감응하는 빛을 가능한 한 저손실로 투과시키는 성능을 갖고 있는 것이 요구된다.
언더코트층(20)은, 예를 들어, 단층형 감광체(110)의 감광층(30)과 마찬가지로 도포 등의 수단에 의해 형성된다. 또한, 전하 발생층(40)은, 예를 들어, 증착, 도포 등의 수단에 의해 형성된다. 또한, 전하 수송층(50)은, 예를 들어, 단층형 감광체(110)의 감광층(30)과 마찬가지로 도포 등의 수단에 의해 형성된다.
(양 대전 적층형 감광체)
도 3은, 양 대전 적층형 감광체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 양 대전 적층형 감광체(130)는, 도전성 기체(10), 도전성 기체(10) 상에 형성된 언더코트층(20), 전하 수송층(50), 전하 수송층(50) 상에 형성된 전하 발생제를 함유하는 전하 발생층(40)을 갖는다. 여기서, 감광층(30)은, 전하 수송층(50) 및 전하 발생층(40)이 순차 적층되어 구성된다.
양 대전 적층형 감광체(130)에서는, 전하 수송층(50)은, 주로 전하 수송제와 수지 바인더에 의해 구성된다. 전하 수송제 및 수지 바인더로서, 음 대전 적층형 감광체(120)에서의 전하 수송층(50)의 실시 형태로서 든 것과 동일한 재료를 이용할 수 있다. 각 재료의 함유량, 전하 수송층(50)의 막 두께도 음 대전 적층형 감광체(120)와 동일하게 할 수 있다.
전하 수송층(50) 상에 형성되는 전하 발생층(40)은, 주로 전하 발생제, 정공 수송제, 전자 수송제(억셉터성 화합물) 및 수지 바인더로 이루어진다. 전하 발생제, 정공 수송제, 전자 수송제 및 수지 바인더로서, 단층형 감광체(110)에서의 단층형 감광층(30)의 실시 형태로서 든 것과 동일한 재료를 이용할 수 있다. 각 재료의 함유량은 단층형 감광체(110)에서의 단층형 감광층(30)의 실시 형태로서 든 양과 동일하게 할 수 있다. 전하 발생층(40)의 막 두께는 3∼50 ㎛의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 8∼35 ㎛이다.
실시 형태로서 3 종류의 감광층을 설명했지만, 본 발명의 감광층은 이들 층구성에 한정되지 않고, 다른 기능층을 부가한 것을 포함한다.
실시예
다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 제조예, 실시예에 한정되지 않는다. 실시예 중 「부」는 「질량부」를 나타낸다.
[제조예 1]
(화합물 I-1의 제조)
(a) 공정:
2 ℓ의 2구 플라스크에, 하기 화합물 11(25.5 g, 0.15 몰), 1-(4-클로로-페닐)에타논(23.3 g, 0.15 몰), 2-(디시클로헥실포스피노)비페닐(0.13 g, 0.038 밀리몰), 트리스디벤질리덴아세톤디팔라듐(0.17 g, 0.19 밀리몰), t-BuONa(15.4 g, 0.16 몰), o-크실렌 500 ㎖를 넣고 아르곤 치환하여 120℃에서 5시간 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 반응액 중의 유기층을 이온 교환수로 3회 세정하고, 유기층에 무수 황산나트륨 및 활성 백토를 첨가하여 건조 및 흡착 처리하고, 크실렌을 감압 증류 제거하였다. 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피(클로로포름/헥산 전개)로 정제하여, 하기 화합물 12로서 고체(수득량 37.02 g, 수율 86%)를 얻었다.
Figure 112010055563425-pct00020
(b) 공정:
2 ℓ의 플라스크에, 하기 화합물 13(16.2 g, 0.063 몰), nBuLi(27.7 ㎖, 0.07 몰), 테트라히드로푸란(THF) 500 ㎖를 넣고 아르곤 치환하여 -78℃에서 30분 교반한 후, 벤즈알데히드(PhCHO)(9.60 g, 0.09 몰)를 첨가하여 다시 1시간 교반하였다. 교반후 반응액을 -30℃까지 상승시키고, 염화알루미늄 수용액을 넣고, 상온까지 아세트산이소프로필(IPAC)을 넣고, 유기층에 무수 황산나트륨을 첨가하였다. 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 하기 화합물 14로서 고체(수득량 11.4 g, 수율 63%)를 얻었다.
Figure 112010055563425-pct00021
(c) 공정:
2 ℓ의 플라스크에, 화합물 14(11.4 g, 0.039 몰), 디클로로메탄 400 ㎖를 넣고 아르곤 치환하여 -25℃에서 15분 교반한 후, 삼브롬화인(4.25 g, 0.016 몰)을 첨가하여 다시 3시간 교반하였다. 반응액 중에 물 및 디클로로메탄을 넣고, 유기층에 무수 황산나트륨을 첨가하고 정제하여, 하기 화합물 15로서 고체(수득량 12.69 g, 수율 93%)를 얻었다.
Figure 112010055563425-pct00022
(d) 공정:
2 ℓ의 플라스크에, 화합물 15(12.69 g, 0.037 몰), NaIO4(7.92 g, 0.037 몰), 디메틸포름아미드(DMF) 500 ㎖를 넣고, 150℃에서 5시간 교반하였다. 반응액 중에 에테르와 물을 넣고, 유기층에 무수 황산나트륨을 첨가하여, 에테르를 증류 제거하였다. 얻어진 잔사를 컬럼으로 정제하여, 하기 화합물 16으로서 고체(수득량 8.27 g, 수율 80%)를 얻었다.
Figure 112010055563425-pct00023
(e) 공정:
2 ℓ의 3구 플라스크에, 화합물 16(8.27 g, 0.029 몰) 및 화합물 12(8.32 g, 0.029 몰)를 넣어 아르곤 치환하고, 건조시킨 디옥산 200 ㎖ 및 사염화티탄(3.82 ㎖, 0.035 몰)을 첨가하여 실온에서 30분 교반하였다. 교반후 아연(3.77 g, 0.058 몰)을 첨가하고 2시간 교반한 후, 100℃까지 3시간 반응시켰다. 그 후, 반응액 중의 유기층을 이온 교환수로 3회 세정하고, 에테르로 추출하고, 유기층에 무수 황산나트륨을 첨가하여, 에테르를 감압 증류 제거하였다. 재결정(아세트산에틸/헥산)으로 정제하여, 화합물 (I-1)로서 고체(수득량 6.38 g, 수율 41%)를 얻었다.
Figure 112010055563425-pct00024
얻어진 화합물 (I-1)의 분석 결과를 이하에 나타낸다.
(1) NMR 분석 결과(E/Z=58/42)
도 4에 화합물 (I-1)의 NMR 차트를 나타내고, 하기에 화합물 (I-1)의 시그널을 나타낸다.
1H-NMR(CDCl3; 400MHz); δ8.41(0.58H, s, Ar-H for E), δ8.39(0.42H, s, Ar-H for Z), δ8.28(0.58H, s, Ar-H for E), δ8.14(0.42H, s, Ar-H for Z), δ8.01-7.91(3H, m, Ar-H for E and Z), δ7.69-7.13(10H, m, Ar-H for E and Z), δ7.11-6.79(13H, m, Ar-H for E and Z), δ2.26(1.74H, s, CH3 for E,), δ2.23(1.26H, s, CH3 for Z).
(2) 질량 분석 결과
m/e=537(계산치 537)
[제조예 2]
제조예 1의 에틸렌계 화합물(No. I-1)의 (e) 공정에서, 화합물 16 및 화합물 12를 일본 특허 공개 소 60-104951호 공보에 기재된 합성 방법에 따라서 반응을 시도했지만, 목적물은 얻어지지 않았다.
(음 대전 적층형 감광체의 제조)
[실시예 1]
알콜 가용성 나일론(도레이(주) 제조, 「CM8000」(상품명)) 5 질량부, 아미노실란 처리된 산화티탄 미립자 5 질량부를, 메탄올 90 질량부에 용해, 분산시켜 도포액을 조제하였다. 또한, 도전성 기체로서 외경 24 ㎜의 알루미늄제 원통을 사용하였다. 이 알루미늄제 원통의 외주에, 언더코트층으로서 그 도포액을 침지 도공하고, 온도 100℃에서 30분간 건조시켜, 막 두께 약 2 ㎛의 언더코트층을 형성하였다.
다음으로, 폴리비닐부티랄 수지 1 질량부를 디클로로메탄 98 질량부에 용해하고, 여기에 α형 티타닐프탈로시아닌 2 질량부를 첨가하여 슬러리를 제작하였다. 그 슬러리 5 ℓ를 비드 직경 0.4 ㎛의 지르코니아 비드를 용기 용량에 대하여 85 v/v%의 부피 충전률로 충전한 디스크 타입의 비드밀을 이용하여, 처리액 유량 300 ㎖, 디스크 주속 3 m/s로 10 패스분 처리하여, 전하 발생층 도포액으로 하였다.
얻어진 전하 발생층 도포액을 이용하여, 상기 언더코트층을 형성한 도전성 기체에 전하 발생층을 형성하였다. 건조 온도 80℃, 건조 시간 30 분의 조건으로 건조시켰다. 얻어진 전하 발생층의 건조후 막 두께는 0.1∼0.5 ㎛였다.
이 전하 발생층 상에, 전하 수송제로서 에틸렌계 화합물(No. I-1) 9 질량부, 결착 수지로서 폴리카보네이트 수지(이데미츠코산(주) 제조, 터프제트 B-500(상품명)) 11 질량부를 디클로로메탄 80 질량부에 용해한 도포액을 침지 도공하였다. 이어서, 온도 90℃에서 60 분 건조시켜 25 ㎛의 전하 수송층을 형성하여, 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 2]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-2, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 3]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-3, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 4]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-4)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 5]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-5, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 6]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-6, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 7]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-7)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 8]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-8, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 9]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-9, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 10]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-10)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 11]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-11, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 12]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-12, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 13]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-13)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 14]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-14, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 15]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-15, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 16]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-16)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 17]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-17, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 18]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-18, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 19]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-19)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 20]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-20, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 21]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-21, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 22]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-22)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 23]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-23, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 24]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-24, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 25]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-25)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 26]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-26, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 27]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-27, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 28]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-28)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 29]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-29, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 30]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-30, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 31]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-31)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 32]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-32, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 33]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-33, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 34]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-34)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 35]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-35, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 36]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-36, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 37]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-37)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 38]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-38, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 39]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-39, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 40]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-40)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 41]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-41, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 42]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-42, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 43]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-43)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 44]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-44, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 45]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-45, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 46]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-46)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 47]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-47, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 48]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-48, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 49]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-49)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 50]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-50, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 51]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-51, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 52]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-52)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 53]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-53, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 54]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-54, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 55]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-55)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 56]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-56, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 57]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-57, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 58]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-58)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 59]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-59, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 60]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-60, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 61]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-61)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 62]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-62, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 63]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-63, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 64]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-64)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 65]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-65, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 66]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-66, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 67]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-67)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 68]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-68, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 69]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-69, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 70]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-70)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 71]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-71, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 72]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-72, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 73]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-73)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 74]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-74, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 75]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-75, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 76]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-76)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 77]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-77, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 78]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-78, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 79]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-79)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 80]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-80, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 81]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-81, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 82]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-82)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 83]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-83, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 84]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-84, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 85]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-85)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 86]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-86, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 87]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-87, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 88]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-88)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 89]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-89, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 90]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-90, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 91]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-91)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 92]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-92, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 93]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-93, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 94]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-94)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 95]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-95, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 96]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-96, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 97]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-97)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 98]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-98, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 99]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-99, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 100]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-100)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 101]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-101, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 102]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-102, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 103]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-103)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 104]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-104, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 105]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-105, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 106]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-106)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 107]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-107, R1, R2는 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 108]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 에틸렌계 화합물(No. I-108, R1, R2, R3은 p-위치)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 109]
실시예 1에서 사용한 전하 발생제를 Y형 티타닐프탈로시아닌으로 바꾼 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 110]
실시예 1에서 사용한 전하 발생제를 무금속 프탈로시아닌으로 바꾼 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 111]
실시예 1에서 사용한 전하 수송층에서의 결착 수지를 폴리카보네이트 수지(미쓰비시가스카가쿠 제조, PCZ-500)로 바꾼 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[실시예 112]
실시예 1에서 사용한 전하 수송층에서의 결착 수지를 폴리카보네이트 수지(미쓰비시엔지니어링플라스틱 제조, S3000)로 바꾼 것 외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[비교예 1]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 하기 표 5에 나타내는 공지의 전하 수송제 화합물(No. I-109)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다. 표 5 중의 기호는, 상기 표 1∼4와 동일한 것을 나타낸다.
[비교예 2]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 하기 표 5에 나타내는 공지의 전하 수송제 화합물(No. I-110)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
[비교예 3]
실시예 1에서 사용한 에틸렌계 화합물(No. I-1) 대신에, 하기 표 5에 나타내는 공지의 전하 수송제 화합물(No. I-111)을 사용한 것 외에는, 완전히 동일한 방법으로 전자 사진용 감광체를 제작하였다.
Figure 112010055563425-pct00025
(단층형 감광체의 제조)
[실시예 113]
도전성 기체(1)로서의 외경 24 ㎜의 알루미늄제 원통의 외주에, 언더코트층으로서 염화비닐-아세트산비닐-비닐알콜 공중합체(닛신카가쿠고교(주) 제조, 상품명「솔바인 TA5R」) 0.2 질량부를 메틸에틸케톤 99 질량부에 교반 용해시켜 조제한 도포액을 침지 도공하고, 온도 100℃에서 30분간 건조시켜, 막 두께 0.1 ㎛의 언더코트층(20)을 형성하였다.
이 언더코트층(20) 상에, 전하 발생제로서 하기 식
Figure 112010055563425-pct00026
로 표시되는 무금속 프탈로시아닌 1 질량부와, 정공 수송 재료로서 화합물 (I-1)을 45 질량부와, 전자 수송 재료로서 하기 식
Figure 112010055563425-pct00027
로 표시되는 화합물 30 질량부와, 수지 바인더로서 폴리카보네이트 수지(미쓰비시가스카가쿠(주) 제조, PCZ-500(상품명)) 55 질량부를, 테트라히드로푸란 350 질량부에 용해, 분산시켜 조제한 도포액을 침지 도공하고, 온도 100℃에서 60분간 건조시켜, 막 두께 25 ㎛의 감광층을 형성하여, 단층형 감광체를 제작하였다.
[실시예 114]
실시예 113에서 사용한 화합물 (I-1)을 화합물 (I-37)으로 한 것 외에는, 실시예 113과 동일한 방법으로 단층형 감광체를 제작하였다.
[실시예 115]
실시예 113에서 사용한 무금속 프탈로시아닌을 Y형 티타닐프탈로시아닌으로 한 것 외에는, 실시예 113과 동일한 방법으로 단층형 감광체를 제작하였다.
[비교예 4]
실시예 113에서 사용한 화합물 (I-1)을 비교예 1의 화합물 (I-109)로 바꾼 것 외에는, 실시예 113과 동일한 방법으로 단층형 감광체를 제작하였다.
(양 대전 적층형 감광체의 제조)
[실시예 116]
전하 수송 재료로서 화합물 (I-1)을 50 질량부와, 수지 바인더로서 폴리카보네이트 수지(미쓰비시가스카가쿠(주) 제조, PCZ-500(상품명)) 50 질량부를 디클로로메탄 800 질량부에 용해하여, 도포액을 조제하였다. 또한, 도전성 기체(1)로서 외경 24 ㎜의 알루미늄제 원통을 사용하였다. 이 알루미늄제 원통의 외주에 그 도포액을 침지 도공하고, 온도 120℃에서 60분간 건조시켜, 막 두께 15 ㎛의 전하 수송층을 형성하였다.
이 전하 수송층 상에, 전하 발생제로서의 하기 식
Figure 112010055563425-pct00028
로 표시되는 무금속 프탈로시아닌 1.5 질량부와, 정공 수송 재료로서의 화합물 (I-1)을 10 질량부와, 전자 수송 재료로서의 하기 식
Figure 112010055563425-pct00029
로 표시되는 화합물 25 질량부와, 수지 바인더로서 폴리카보네이트 수지(미쓰비시가스카가쿠(주) 제조, PCZ-500(상품명)) 60 질량부를 1,2-디클로로에탄 800 질량부에 용해, 분산시켜 조제한 도포액을 침지 도공하였다. 이어서, 온도 100℃에서 60분간 건조시켜, 막 두께 15 ㎛의 감광층을 형성하여, 양 대전 적층형 감광체를 제작하였다.
[실시예 117]
실시예 116에서 사용한 무금속 프탈로시아닌을 Y형 티타닐프탈로시아닌으로 한 것 외에는, 실시예 116과 동일한 방법으로 양 대전 적층형 감광체를 제작하였다.
[비교예 5]
실시예 116에서 사용한 화합물 (I-1)을 화합물 (I-109)로 바꾼 것 외에는, 실시예 116과 동일한 방법으로 양 대전 적층형 감광체를 제작하였다.
(평가)
실시예 1∼112 및 비교예 1∼3에서 얻어진 전자 사진용 감광체를, 감광체의 표면 전위도 측정할 수 있도록 개조한 시판하는 프린터(휴렛팩커드사 제조 LJ-4000)에 장착하여, 실기(實機) 중의 명부 전위(인자 및 광 조사전 명부 전위)를 측정하였다. 또한, 감광체를 1500 lxㆍs의 형광등 아래에 12시간 방치하여 광 조사한 후, 동일하게 LJ-4000 프린터에 장착하여, 명부 전위(광 조사후 명부 전위)를 측정하였다. 결과를 하기 표 6∼12에 나타낸다. 또한 동일하게 하여 제작한 드럼을 상기 프린터에 장착하여, A4 용지 1만매의 인자를 실시한 후, 감광체의 명부 전위(1만매 인자후 명부 전위)를 측정하였다. 여기서, 광 조사 전후의 전위 변화량 및 1만매 인자 전후의 전위 변화량, 즉 수치의 절대값은, 작을수록 전위 변동이 적고, 광 열화가 작고, 광 피로가 적어지는 것을 나타낸다.
또한, 실시예 113∼116 및 비교예 4, 5에서 제작한 전자 사진용 감광체를, 감광체의 표면 전위도 측정할 수 있도록 개조한 브라더고교(주) 제조 프린터 HL-2040에 탑재하여 노광부 전위를 평가하였다. 실기 중의 명부 전위(인자 및 광 조사전 명부 전위)를 측정하였다. 또한, 감광체를 1500 lxㆍs의 형광등 아래에 12시간 방치하여 광 조사한 후, 동일하게 HL-2040 프린터에 장착하여, 명부 전위(광 조사후 명부 전위)를 측정하였다. 결과를 하기 표 13에 나타낸다. 또한 동일하게 제작한 드럼을 상기 프린터에 장착하여, A4 용지 1만매의 인자를 실시한 후, 감광체의 명부 전위(1만매 인자후 명부 전위)를 측정하였다. 여기서, 광 조사 전후의 전위 변화량 및 1만매 인자 전후의 전위 변화량, 즉 수치의 절대값은, 작을수록 전위 변동이 적고, 광 열화가 작고, 광 피로가 적어지는 것을 나타낸다.
Figure 112010055563425-pct00030
Figure 112010055563425-pct00031
Figure 112010055563425-pct00032
Figure 112010055563425-pct00033
Figure 112010055563425-pct00034
Figure 112010055563425-pct00035
Figure 112010055563425-pct00036
Figure 112010055563425-pct00037
본 발명에 의한 감광체는, 프린터에서의 1만매 인자 전후의 평가에서, 잔류 전위의 상승을 방지할 수 있고 광 조사 전후에도 노광부의 전위 변동이 적기 때문에, 장기간 사용하여도 전자 사진용 감광체로서의 특성이 안정적이며, 광 피로 특성이 우수하다는 특징을 갖는 것을 알 수 있다.
10: 도전성 기체
20: 언더코트층
30: 감광층
40: 전하 발생층
50: 전하 수송층
110: 단층형 감광체
120: 음 대전 적층형 감광체
130: 양 대전 적층형 감광체

Claims (17)

  1. 하기 화학식 I로 표시되는 것을 특징으로 하는 에틸렌계 화합물:
    화학식 I
    Figure 112010055563425-pct00038

    상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.
  2. 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 수송제:
    화학식 I
    Figure 112010055563425-pct00039

    상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.
  3. 도전성 기체(基體) 상에 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체에 있어서, 그 감광층에, 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진용 감광체:
    화학식 I
    Figure 112010055870112-pct00040

    상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물로서, E-체 및 Z-체로 이루어진 군에서 선택되는 구조의 에틸렌계 화합물을 1종 이상 포함하는 전자 사진용 감광체.
  5. 제3항에 있어서, 상기 화학식 I에서, Ar이 나프틸기, 비페닐기, 안트릴기, 톨일기, 크실릴기 및 페난트릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 전자 사진용 감광체.
  6. 제3항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R4가 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 페닐기 및 톨일기로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 전자 사진용 감광체.
  7. 제5항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R4가 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 페닐기 및 톨일기로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 전자 사진용 감광체.
  8. 제3항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R1, R2 및 R3 중 2개 이상이 수소 원자 또는 메틸기인 전자 사진용 감광체.
  9. 제7항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R1, R2 및 R3 중 2개 이상이 수소 원자 또는 메틸기인 전자 사진용 감광체.
  10. 제3항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R1, R2 및 R3이 수소 원자인 전자 사진용 감광체.
  11. 제10항에 있어서, 상기 화학식 I에서, R4가 메틸기인 전자 사진용 감광체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 화학식 I에서, Ar이 안트릴기인 전자 사진용 감광체.
  13. 제3항에 있어서, 상기 감광층이, 전하 발생제, 전하 수송제 및 결착 수지를 함유하고, 상기 전하 수송제로서, 상기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 함유하는 전자 사진용 감광체.
  14. 제13항에 있어서, 상기 감광층이, 상기 전하 발생제로서, 티타닐프탈로시아닌 및 무금속 프탈로시아닌에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 전자 사진용 감광체.
  15. 제13항에 있어서, 상기 전하 발생제를 함유하는 전하 발생층 및 상기 전하 수송제를 함유하는 전하 수송층을 순차 적층하여 이루어진 상기 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체.
  16. 제13항에 있어서, 상기 전하 발생제 및 상기 전하 수송제를 함유하는 단층을 포함하는 상기 감광층을 구비한 전자 사진용 감광체.
  17. 전자 사진용 감광체의 제조 방법에 있어서, 하기 화학식 I로 표시되는 에틸렌계 화합물을 포함하는 도포액을 도전성 기체 상에 도포함으로써 감광층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 사진용 감광체의 제조 방법:
    화학식 I
    Figure 112010055563425-pct00041

    상기 화학식에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼6의 알콕실기를 나타내고, R4는 탄소수 1∼3의 알킬기, 페닐기 또는 톨일기를 나타내고, Ar은 탄소수 7∼20의 아릴기 또는 복소환 기를 나타낸다.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103649839B (zh) * 2011-08-05 2017-09-22 富士电机株式会社 电子照相感光体，其生产方法以及使用其的电子照相装置
CN105694859B (zh) * 2015-06-10 2018-06-08 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 有机电子发光材料
WO2019077706A1 (ja) * 2017-10-18 2019-04-25 富士電機株式会社 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置
KR20210072209A (ko) * 2019-12-06 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000081757A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Canon Inc 電子写真装置、電子写真感光体及びプロセスカートリッジ

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2297691A (en) 1939-04-04 1942-10-06 Chester F Carlson Electrophotography
US3816118A (en) 1964-06-15 1974-06-11 Xerox Corp Electrophotographic element containing phthalocyanine
US3825422A (en) 1972-10-26 1974-07-23 Xerox Corp Imaging process
JPS5389433A (en) 1977-01-17 1978-08-07 Mita Industrial Co Ltd Photosensitive body for electrophotography
JPS57148745A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Lamination type electrophotographic receptor
JPS60104951A (ja) 1983-11-14 1985-06-10 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体
JPH01287572A (ja) 1987-03-12 1989-11-20 Konica Corp 電子写真感光体
JP2646357B2 (ja) * 1987-05-26 1997-08-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体
JPS63292137A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Canon Inc 電子写真感光体
JPH01245263A (ja) 1988-03-28 1989-09-29 Toshiba Corp 電子写真感光体
JP2876060B2 (ja) 1989-04-03 1999-03-31 株式会社リコー 電子写真感光体
JPH02312096A (ja) 1989-05-26 1990-12-27 Ricoh Co Ltd センスアンプ装置
JPH034231A (ja) * 1989-05-31 1991-01-10 Canon Inc 電子写真感光体
JPH05112508A (ja) 1991-10-17 1993-05-07 Mita Ind Co Ltd スチルベン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体
JPH07120950A (ja) 1992-06-18 1995-05-12 Mita Ind Co Ltd 電子写真感光体
US5476506A (en) 1994-02-08 1995-12-19 Ethicon, Inc. Bi-directional crimped graft
JP3808139B2 (ja) 1996-08-20 2006-08-09 株式会社リコー 電子写真感光体
JP3816163B2 (ja) 1996-09-27 2006-08-30 株式会社リコー 電子写真感光体
JPH10228121A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JP3689546B2 (ja) 1997-12-25 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4010871B2 (ja) * 2001-05-30 2007-11-21 三井化学株式会社 有機電界発光素子および新規チオフェン化合物
JP2003021925A (ja) 2001-07-06 2003-01-24 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真装置及びプロセスカートリッジ
JP3881648B2 (ja) * 2003-10-08 2007-02-14 シャープ株式会社 電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000081757A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Canon Inc 電子写真装置、電子写真感光体及びプロセスカートリッジ

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