KR101161897B1 - 질화물 반도체 소자 - Google Patents

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KR101161897B1
KR101161897B1 KR1020060045032A KR20060045032A KR101161897B1 KR 101161897 B1 KR101161897 B1 KR 101161897B1 KR 1020060045032 A KR1020060045032 A KR 1020060045032A KR 20060045032 A KR20060045032 A KR 20060045032A KR 101161897 B1 KR101161897 B1 KR 101161897B1
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요시유끼 아이하라
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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 도전성 산화물 막을 갖는 신뢰성이 높은 질화물 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 질화물 반도체층을 갖는 질화물 반도체 소자로서, 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막, 패드 전극을 순서대로 갖고, 패드 전극은 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과 제2 금속을 포함한 패드층을 갖는다.
기판, n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층, 도전성 산화물 막, 패드 전극, 접합층, b패드층, n측 패드 전극, 질화물 반도체 발광 소자, 제1 금속막, 전류 확산층, 연장 도전부.

Description

질화물 반도체 소자{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 본 발명과 관련되는 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 제1 금속막의 바람직한 형태의 예를 모식적으로 도시하는 부분 단면도.
도 3은 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 제1 금속막의 다른 형태를 모식적으로 도시하는 부분 단면도.
도 4는 본 발명과 관련되는 실시 형태 2의 질화물 반도체 발광 소자의 구성을 모식적으로 도시하는 부분 단면도.
도 5는 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 p측 패드 전극의 바람직한 형상을 모식적으로 도시하는 평면도.
도 6은 본 발명과 관련되는 실시예 4 및 실시예 7의 질화물 반도체 발광 소자의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
1 : 기판
2 : n형 질화물 반도체층
3 : 활성층
4 : p형 질화물 반도체층
5 : 도전성 산화물 막
6 : 패드 전극
6a : 접합층
6b : 패드층
7 : n측 패드 전극
10 : 질화물 반도체 발광 소자
11 : 제1 금속막
12 : 전류 확산층
61 : 연장 도전부
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2001-196633호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 2005-11857호 공보
본 발명은 질화물 반도체를 이용하여 구성된 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
질화물 반도체는 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자, 태양전지, 광 센서 등의 수광 소자, 트랜지스터, 파워 디바이스 등의 전자 디바이 스에 이용된다. 특히 질화물 반도체를 이용한 발광 다이오드는 신호기, 대형 디스플레이, 백 라이트용 광원 등에 폭넓게 이용되고 있다.
질화물 반도체를 이용한 질화물 반도체 발광 소자는 기본적으로 기판 위에 p형 반도체층 및 n형 반도체층이 적층되어 p형 및 n형의 반도체층의 각각과 전기적으로 접속하는 전극이 형성된 구조로 이루어진다. 또한 p형 반도체층과 전기적으로 접속하는 전극으로서 p형 반도체층 위의 전면에 투광성 재료에 의한 전극을 형성하고 그 위에 금속으로 이루어지는 패드 전극을 형성하는 구조가 알려져 있다. p형 반도체층 위의 투광성 재료로 이루어지는 전면 전극은 패드 전극으로부터 주입된 전류를 반도체에 확대시킴과 함께 질화물 반도체 발광 소자로부터의 빛을 투과하여 추출하기 위한 것이다.
이러한 p형 반도체층 위의 전면 전극으로서는 금속 박막이나 ITO, ZnO, In2O3, SnO2 등의 도전성 산화물 막이 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
또한 전면 전극으로서 도전성 산화물 막을 이용하는 경우, 그 전극과 외부 회로를 접속하기 위하여 패드 전극이 형성되는데 도전성 산화물 막과 밀착성이 좋은 금속 재료로서는 Rh, Pt, W 등이 있으며 패드 전극은 그러한 금속을 이용하여 형성되고 있었다.
그러나 특허문헌 1과 같은 도전성 산화물 막 위의 패드 전극은 도전성 산화물 막과의 밀착 강도를 충분히 만족할 수 있는 것은 아니며, 신뢰성에 있어서도 충 분하다고는 할 수 없었다.
그 때문에 특허문헌 2에서는 ITO에 개구부를 형성하여, 해당 개구부에서 p측 패드 전극과 p형 질화물 반도체가 직접 접하도록 구성되어 있으나, 이 방법으로는 패드 전극과의 밀착성은 향상되나 질화물 반도체층에 균일하게 전류를 전달함에 있어서는 충분하다고는 할 수 없었다. 또한, 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 밀착성 만을 고려하여 패드 전극의 재료를 선택하는 것 만으로는 양자 사이에서 효율성이 좋게 전기가 흐르기 어렵게 된다는 문제가 있다.
그러한 이유에서 본 발명은 도전성 산화물 막을 보유한 신뢰성이 뛰어난 질화물 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관련된 질화물 반도체 소자는 질화물 반도체층을 구비하는 질화물 반도체 소자로서, 상기 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막, 패드 전극을 순차적으로 구비하고, 상기 패드 전극은 상기 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속을 포함한 패드층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하에서 본 발명의 실시 형태를 도면에 근거하여 설명하고자 한다. 단, 이하에서 나타내는 실시 형태는 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 질화물 반도체 소자를 예시하는 것으로, 본 발명은 이하의 실시 형태에 의해 한정되는 것은 아니다.
＜실시 형태 1＞
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 관련되는 질화물 반도체 발광 소자(10)를 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자는 기판(1) 위에 임의로 버퍼층 등의 1층 또는 복수층(도시하지 않음)을 매개로 n형 질화물 반도체층(2), 활성층(3), p형 질화물 반도체층(4)이 이 순서대로 적층되고, n형 질화물 반도체층(2) 및 p형 질화물 반도체층(4)에 각각 전극이 접속되어 구성된다.
실시 형태 1에 있어서, p형 질화물 반도체층(4) 위에 형성되는 전극은 예를 들면, 질화물 반도체와 전기적으로 접속하는 도전성 산화물 막(5)과 패드 전극(6)이 이 순서대로 적층되어 구성된다. 또한, 패드 전극(6)은 외부 회로와 접속하기 위하여 형성되는 전극이며, 페이스-업 실장 하는 경우(반도체층 측을 주광 추출면으로 하는 경우)에는 패드 전극이 와이어 본딩 등에 의해 외부 회로와 접속된다. 또, 플립 칩의 실장, 즉 기판측을 주광 추출면으로 하는 경우에는 패드 전극은 공정층(범프：Ag, Au, Sn, In, Bi, Cu, Zn 등)을 매개로 하여 외부 회로의 전극에 접속된다.
본 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자(10)에서는 패드 전극(6)이 질화물 반도체층측의 전면이 도전성 산화물 막(5)에 접해 제1 금속을 포함하는 접합층(6a)를 갖고, 상기 접합층(6a)에 포함되어 있는 제1 금속이 도전성 산화물 막(5)에 접하는 제1 금속으로 이루어지는 제1 금속막을 갖고 있다.
본 실시 형태 1에 있어서, 제1 금속막의 막 두께는 도전성 산화물 막 표면의 평균 면거칠기 Ra의 값보다 작아지도록 형성되어 있다. 이 때문에 질화물 반도체층의 전면에 균일하게 전류를 주입할 수 있는 반도체 소자일 뿐만 아니라, 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 밀착성이 뛰어난 반도체 소자를 얻을 수가 있다.
또한, 본 실시 형태 1에 있어서, 제1 금속막은 5~30Å 범위의 막 두께로 되도록 형성되어 있고, 도전성 산화물 막(5)은 ITO로 형성되어 있다. 이에 의하여 질화물 반도체층의 전면에 균일하게 전류를 주입할 수 있는 반도체 소자일 뿐만 아니라, 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 밀착성이 뛰어난 반도체 소자를 얻을 수가 있다. 더욱이 도전성 산화물 막이 ITO라는 점에서 질화물 반도체층의 전면에 보다 균일하게 전류를 주입할 수가 있음과 함께, 반도체 소자에 보다 효율적으로 전기가 흐른다. 특히 질화물 반도체 발광 소자에 있어서는 광 추출 효율도 한층 더 향상된다.
또한, 제1 금속막이 도전성 산화물 막(5) 위에 동일하게 상기와 같은 막 두께가 되도록 형성되어 있으면 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 밀착성이 보다 향상되므로 바람직하다.
본 실시 형태에서는 특히 도전성 산화물 막 표면의 평균 면거칠기 Ra가 제1 금속막의 막 두께보다 큰 것으로 인해 밀착성이 뛰어난 것을 얻을 수 있었는데, 상세하게는 다음과 같은 고찰에 근거한다. 제1 금속막은 도전성 산화물 막의 표면에 구비하고 있고, 도전성 산화물 막의 평균 면거칠기 Ra가 제1 금속막보다 큰 것으로 인해 평균 면거칠기 Ra를 갖는 도전성 산화물 막의 표면이 철부나 요부를 갖는 요철로 되어 있고, 이 요철의 표면에 제1 금속막을 갖게 된다. 그리고 도 2에 도시 되어 있는 바와 같이, 도전성 산화물 막의 요부에 있어서는 산화물 막에 둘러싸인 영역으로서 제1 금속이 산화되기 쉽고 제1 금속막이 일부 산화하고 있는 것이라 생각된다. 한편, 도전성 산화물 막의 철부 등, 요부 이외의 영역에 있어서는 요부의 영역과 비교하여 제1 금속은 산화되기 어렵고, 종래의 금속층과 도전성 산화물 막과의 접합과 같이 전자나 정공이 효율적으로 이동할 수가 있으리라고 생각된다. 결국 접합층에 포함되는 제1 금속이 요부의 산화된 영역에 있어서 도전성 산화물 막의 산소와 결합하여 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 접합을 강고하게 하고 더욱이 요부 이외의 영역에 있어서는 패드 전극과 도전성 산화물 막과의 사이를 전자나 정공이 효율적으로 이동하는 밀착성과 발광 효율이 뛰어난 반도체 소자를 얻을 수 있었다고 생각된다.
예를 들면, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 제1 금속으로 이루어지는 막이 도전성 산화물 막의 표면의 평균 면거칠기 Ra보다도 커지게 되는 값의 두께인 경우에는 산화물을 갖는 부분에 있어서는 밀착성이 좋으나, 산화하고 있지 않는 제1 금속이 전체에 가로 방향으로 연결되어 판 모양이 되기 때문에 제1 금속막(11)이 벗겨지기 쉬워진다라고 생각할 수 있다.
그러나 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 제1 금속막(11)이 도전성 산화물 막(5)의 평균 면거칠기 Ra보다 작아지게 되는 값의 두께인 경우에는 도전성 산화물 막(5)의 요부 상에 있어서의 제1 금속막(11)의 윗면이 도전성 산화물 막의 철부 표면보다 낮은 위치로 된다.
이러한 상태이면 제1 금속막(11) 중의 산화되어 있지 않은 부분이 판 모양으 로 연결됨이 없이, 제1 금속막(11)에 산화되어 밀착성이 좋은 영역이 산재한 상태가 되고, 이에 의하여 제1 금속막(11) 전체의 밀착성이 향상되고 또한 산화하고 있지 않는 제1 금속도 제1 금속막(11) 내에 존재하고 있으므로 도전성 산화물 막(5)과의 접촉 저항을 낮게 할 수 있을 것이라 생각된다.
더불어 본 발명에 있어서 도전성 산화물 막의 표면의 평균 면거칠기 Ra는 주사 플롭 현미경(SII 사제, SPI3800N)에 의해 측정할 수가 있다.
또한, 측정하는 면(이하, 측정면이라 함)을 단면에서 본 경우에 있어서는 JIS　B0601의 산술 평균 면 거칠기 Ra의 정의를 근거로 구할 수가 있다.
JIS　B0601에 따라 측정면의 단면 곡선으로부터 평균선(구불구불한 곡선)을 구하고, 단면 곡선으로부터 평균선을 제하는데, 즉, 평균선을 직선으로 치환함으로써 거칠기 곡선을 얻는다. 그리고 JIS B0601로 정의된 좌표계에 따라 상기 직선으로 치환한 평균선에 일치하는 방향을 X축, X축에 직각이고 단면과 평행한 방향을 Z축으로 한다.
거칠기 곡선으로부터 X축 방향으로 기준 길이 l만을 빼내고, 이 빼낸 부분에 있어서의 평균선은 이하의 수학식 1으로 나타낼 수 있다.
Figure 112006034991073-pat00001
이 때 평균 면거칠기 Ra는 Z(x)와 Z0와의 편차 절대치를 평균한 값이며, 이하의 수학식 2로 구할 수가 있다.
Figure 112006034991073-pat00002
구체적으로는 예를 들면, TEM 등과 같이 고배율로 관찰 가능한 현미경을 사용하고, 측정면을 상술한 바와 같은 단면에서 관찰하여 단면 곡선으로부터 평균선 및 거칠기 곡선을 얻는다. X축 상에 임의로 500nm의 영역을 선택하여 선택한 영역내에서 일정한 간격으로 100개의 X값(X1~X100)을 구하고 각각의 X값에서의 Z값(Z(x1)~Z(x100))을 측정한다.
측정한 Z값으로부터 Z0는 수학식 3
Figure 112006034991073-pat00003
으로 구할 수 있다.
구한 Z0를 이용하여 평균 면거칠기 Ra는 수학식 4
Figure 112006034991073-pat00004
로 구할 수 있다.
본 발명에 있어서 이 제1 금속은 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하는 것이 바람직하다. 제1 금 속이 이러한 금속이면 p측 패드 전극에 있어서는 도전성 산화물 막과의 밀착성을 양호하게 할 수가 있음과 함께 접촉 저항을 낮게 할 수 있다. 또한, n측 패드 전극에 있어서는 질화물 반도체층과의 밀착성을 양호하게 할 수가 있음과 함께 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다. 특히 Ti을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 패드 전극(6)에 있어서, 접합층(6a)보다 위의 층(6b)(이하, 패드층(6b)이라 함)은 제1 금속과는 다른 제2 금속을 포함하는 층으로서, 접합층(6a)과 비교하여 적은 비율로 제1 금속을 포함하고 있어도 되고 제1 금속을 포함하지 않는 층이어도 된다.
그리고 접합층(6a)은 제1 금속막(11)과 별도로 제1 금속막(11)과 패드층(6b)과의 사이에 예를 들어 전류 확산층(12)을 포함하고 있어도 된다. 이 전류 확산층(12)은 제1 금속막(11) 및 패드층(6b)과 서로 다른 조성의 층이어도 되고 후술하는 실시예 1에 도시되어 있는 바와 같이 중간층(도시하지 않음)을 개재시켜 패드층(6b)과 구별되도록 형성된, 패드층(6b)과 동일한 조성의 층이어도 되지만, 이 전류 확산층은 제1 금속보다 산화하기 어려운 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 구체적인 재료로서는 W, Mo, Cd, Ni, Cu, Ag, Rh, Au, Pt, Pd로부터 선택되는 적어도 1종이다. 이렇게 함으로써 전류 확산층에 있어서 산화물이 형성되기 어려워지므로 접합층에 있어서 전류를 확산할 수가 있다.
접합층(6a)과 패드층(6b) 사이에는 상술한 바와 같이 제1 금속 및 제2 금속과는 다른 제3 금속으로 이루어지는 중간층을 갖고 있어도 된다. 중간층을 형성하는 제3 금속은 예를 들면, 접합층(6a)과 패드층(6b)과의 밀착성 향상, 접합층(6a) 및/또는 패드층(6b)의 금속 재료 확산 방지 등의 목적에 맞추어 선택할 수가 있다.
본 실시 형태 1의 질화물 반도체 발광 소자(10)에서는 이 패드층(6b)에 직접 도전성 와이어나 공정층을 접속해도 되지만, 패드층(6b) 위에 도전성 와이어나 공정층과 접속하기 위한 층으로서 Au 등의 층을 한층 더 설치하여도 된다. 이와 같이 Au를 설치해두면, 예를 들어 Au를 주성분으로 하는 도전성 와이어나 공정층과 양호한 접속을 확보할 수가 있으므로 바람직하다.
또, 패드층을 구성하는 또는 패드층에 포함되는 제2 금속은 질화물 반도체 발광 소자로부터의 빛의 주파장에 있어서 제1 금속보다 반사율이 높은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 패드 전극 내로 진행되는 빛을 반사시킬 수가 있으므로 광 추출 효율을 향상시킬 수가 있다.
패드층(6b)에 복수의 금속을 갖는 경우에는 접합층(6a) 측에 반사율이 높은 금속을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 패드 전극 내로 들어오는 빛을 한층 더 효율적으로 반사시킬 수가 있다.
또, 제2 금속이 빛의 반사율이 높은 금속인 경우에는 접합층과 패드층이 접하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 패드 전극 내로 들어오는 빛을 한층 더 효율적으로 반사시킬 수가 있다.
제2 금속은 빛의 반사율이 높은 로듐(Rh), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다. 제2 금속이 이러한 금속이라면 패드 전극에서의 빛의 흡수를 방지하고 빛을 효율적으로 추출화는 것이 가능하게 된다. 특히, 마이그레이션 방지 등의 사항을 고려하 면 Rh이 바람직하다. 또한, 상술한 전류 확산층이 제2 금속을 포함하고 있어도 된다. 이와 같이 함으로써, 빛을 한층 더 효율적으로 추출할 수가 있다.
패드층(6b)의 두께는 상술한 바와 같이 패드층(6b)에 직접 도전성 와이어나 공정층을 접속하는 경우에는 3000Å 이상이 필요하다. 또, 패드층(6b) 위에 Au 등의 도전성 와이어나 공정층과 접속하기 위한 층을 한층 더 마련하는 경우에 있어서 패드층(6b)이 상기와 같은 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 경우에는 200Å 이상 있으면 빛을 반사하기 위한 층으로서 충분히 기능을 한다.
이상과 같이 구성되는 본 실시 형태 1의 패드 전극을 형성하는 방법으로서는 예를 들면 스퍼터법 등을 들 수 있다. 본 실시 형태 1에 있어서 예를 들면, 스퍼터법에 의해 접합층(6a)을 성막할 때에 제1 금속을 타겟으로 이용하고 도중에 타겟을 제2 금속으로 전환함으로써 패드층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
도전성 산화물 막(5) 위에 형성되는 패드 전극(6)은 도전성 산화물 막(5)의 거의 전부를 덮도록 형성되어 있어도 되나, 도전성 산화물 막(5) 표면의 일부가 노출되도록 배치되는 것이 바람직하다. 패드 전극(6)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니고 예를 들면, 원형, 삼각형, 사각형 등의 다각형 등 여러 가지 형상으로 할 수가 있다. 패드 전극(6)의 크기는 특별히 한정되는 것은 아니지만 도전성 산화물 막(5), p형 질화물 반도체층에 효율적으로 전류를 보낼 수가 있을 정도의 크기이다.
또, 패드층(6b)을 예를 들면 빛을 흡수하기 쉬운 재료에 의해 구성되는 경우에는 활성층으로부터 발하여진 빛의 흡수를 최소한으로 그치게하여 효율적으로 추 출할 수 있을 정도의 크기로 설정하는 것이 바람직하다.
또, 질화물 반도체 발광 소자에서는 통상적으로 질화물 반도체 발광 소자의 일부 영역에 있어서 p형 질화물 반도체층 및 활성층, n형 질화물 반도체층의 임의의 깊이 방향의 일부가 제거되고, n형 질화물 반도체층의 표면이 노출되어 있다. 그리고, 그 노출한 n형 질화물 반도체층의 표면에 n측 패드 전극이 형성되어 있다(즉, p측 패드 전극과 n측 패드 전극이 동일 면측에 있다).
그렇지만, 본 발명에 있어서 n측 패드 전극은 도전성 산화물 막(5)이 형성된 면과는 반대측의 n형 질화물 반도체층의 면에 형성되고 있어도 된다. 특히, 질화물 반도체 발광 소자가 질화물 반도체 기판 등의 도전성 기판 위에 형성되어 있는 경우에는 통상적으로 도전성 기판과 n형 질화물 반도체층과는 전기적으로 접속되어 있기 때문에, n측 패드 전극이 도전성 기판 등을 개재시켜 n형 질화물 반도체층과 전기적으로 접속되어 있다.
또, n측 패드 전극을 구성하는 재료는 상술한 p측의 패드 전극(6)을 구성하는 재료와 같은 것인 것이 바람직하다(이하, 상술한 도전성 산화물 막 위의 패드 전극을 p측 패드 전극이라 함). 상기 열기한 p측 패드 전극(6)의 제1 금속은 n형 질화물 반도체층과의 밀착성이 좋고 접촉 저항이 낮은 재료이기 때문에 n측 패드 전극을 구성하는 재료가 p측 패드 전극과 동일한 종류, 동일한 두께인 경우에는 n측 패드 전극과 n형 질화물 반도체층과의 밀착성도 향상시킬 수 있음과 함께 n측 패드 전극과 n형 질화물 반도체층과의 접촉 저항도 낮게 할 수가 있으므로 n측 패드 전극과 n형 질화물 반도체층과의 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다.
p측 패드 전극(6) 및 n측 패드 전극을 동일한 재료에 의해 형성하는 경우, p측 패드 전극(6)의 막 두께가 n측 패드 전극의 두께보다 두꺼워지도록 형성하는 것이 바람직하다. p측 패드 전극의 접합층(6a)에 있어서 제1 금속의 일부가 도전성 산화물 막의 산소를 취하여 산화함으로써 체적이 증가하기 때문이라고 생각된다. 이것에 의해, p형 패드 전극에 있어서 제1 금속의 산화물을 많이 갖게 되므로 도전성 산화물 막과의 밀착성을 향상할 수가 있어 p측 패드 전극(6)이 빛을 반사하는 패드층(6b)을 갖는 경우, n측 패드 전극에 있어서의 광 추출 효율이 향상한다.
더욱이 p측 패드 전극과 n측 패드 전극이 동일 면측에 있는 구조에서는 p측 패드 전극(6) 및 n측 패드 전극이 동일한 재료라면, p측 패드 전극과 n측 패드 전극을 동일한 공정으로 형성할 수가 있다. 이와 같이 같은 제조 공정으로 p측 패드 전극과 n측 패드 전극을 형성할 수가 있으면, 제조 공정이 간략화되어 저렴한 가격으로 신뢰성이 높은 질화물 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.
p측 패드 전극과 n측 패드 전극을 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성하는 방법으로서는 예를 들면 도전성 산화물 막 및 n형 질화물 반도체층 상에 레지스트에 의해 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성한 후에 예를 들면 스퍼터 장치에 의해 접합층(6a)과 패드층(6b)을 순서에 따라 적층하면 된다.
또한, 도전성 산화물 막(5)은 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 원소를 포함한 막인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 ZnO, In2O3, SnO2, ITO(In와 Sn와의 복합 산화물) 를 들 수 있다. 그 중에서도 ITO는 가시광(가시 영역)에 있어서 높은 광투과성을 보유하고 또한 도전율이 높은 재료인 점에서 바람직하게 이용할 수가 있다.
도전성 산화물 막(5)은 질화물 반도체층과의 계면 근방에 있어서 윗면측보다 밀도가 낮은 것이 바람직하다. 예를 들면, 반도체층과의 계면 근방에 있어서만 다공질 상태로 되어 있는 것이 바람직하다. 다공질 상태란 예를 들면 직경 20~200nm정도의 복수의 구멍이 균일하게 또는 불균일하게 존재하는 상태이다.
도전성 산화물 막의 윗면측은 결정성이 좋은 투명한 막으로서 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, 도전성 산화물 막(5)의 반도체측 밀도가 낮은 영역에 있어서는 부분적으로 비정질(아몰퍼스(amorphous)) 막으로 되어 있어도 되지만 투명한 막 또는 대략 투명한 막으로서 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이 밀도가 낮은 영역은 p형 질화물 반도체층과의 계면으로부터 도전성 산화물 막의 전체 막 두께의 10~50% 범위에서 억제되는 것이 바람직하다. 이와 같이 p형 질화물 반도체층 측만 밀도가 낮음으로써 p형 질화물 반도체층과의 접촉 저항을 낮게 하면서 투광성을 양호하게 할 수가 있다. 또한, 도전성 산화물 막의 표면측의 밀도가 높음으로써 도전성 산화물 막과 패드 전극의 접합층과의 밀착성이 양호해진다.
더불어 도전성 산화물 막(5)의 전체 막 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 100~1000nm정도로 설정된다. 또, 밀도가 낮은 영역은 10~500nm정도로 설정된다.
또, 도전성 산화물 막(5)은 가시광 뿐만 아니라, 예를 들면 상술한 질화 갈 륨계 화합물 반도체에 의한 활성층으로부터 발생하는 빛, 즉 파장 360nm~650nm 부근, 바람직하게는 380nm~560nm, 400nm~600nm 파장의 빛을 흡수하는 일이 없이, 효율적으로 예를 들면 투과율이 90% 이상, 혹은 85% 이상, 80% 이상으로 투과시킬 수가 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 의도하는 파장의 질화물 반도체 발광 소자의 전극으로서 이용할 수가 있다.
도전성 산화물 막(5)은 해당 분야에서 공지된 방법에 따라 형성할 수가 있다. 예를 들면, 스퍼터법, 반응성 스퍼터법, 진공 증착법, 이온 빔 어시스트 증착법, 이온 도금법, 레이저 어블레이션법, CVD법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 딥법 또는 이들 방법과 열처리의 조합 등, 여러 가지 방법을 이용할 수가 있다.
구체적으로는 도전성 산화물 막 예를 들면 ITO막을 성막하려면 ITO 성막용 타겟을 이용하여 스퍼터 장치에 의해 성막을 하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 진공 증착에 의해 실온 또는 고온으로 성막하는 방법 등을 들 수 있다.
더욱이, 도전성 산화물 막 예를 들면 ITO막을 형성한 후에 열처리를 하여도 된다. 열처리의 방법으로서는 예를 들면 램프 어닐 처리, 가열로에 의한 어닐 처리 등이 있다. 또 ITO막을 성막 후의 처리로서는 레이저 어블레이션을 이용하여도 된다. 더욱이 이들 방법을 임의로 조합하여도 된다.
또한, 막 두께 방향으로 밀도가 다른 도전성 산화물 막을 형성하는 방법으로서는 예를 들면 스퍼터법에 의해 도전성 산화물 막 예를 들면 ITO막을 성막할 때에 스퍼터 가스로서 산소 분압이 작은 또는 제로의 가스로부터 큰 가스로 전환하든지 서서히 산소 분압을 증가시켜 이용하는 방법, ITO 성막용 타겟 외에 In량이 많은 타겟 또는 산소량이 적은 타겟을 이용하고 도중에 In량이 많은 타겟 또는 산소량이 적은 타겟으로 바꾸는 방법, 스퍼터 장치의 투입 전력을 서서히 또는 급격하게 증대시켜 성막하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 진공 증착에 의해 도전성 산화물 막, 예를 들면, ITO막을 성막할 때에 반도체층의 온도를 급격 또는 서서히 상승 또는 저하시키는 방법, 성막 레이트를 급격하게 저하시키는 방법, 이온총을 이용해 산소 이온을 성막 도중부터 조사하는 방법 등을 들 수 있다.
더불어 도전성 산화물 막, 예를 들면, ITO막을 형성한 후, 예를 들면, 환원성 가스(구체적으로는 일산화탄소, 수소, 아르곤 등 또는 이것들 2종 이상의 혼합 가스) 분위기 하, 200~650℃ 정도, 도전성 산화물 막의 두께에 따라 소정 시간 어닐 처리하는 방법 등을 들 수 있다. 또, 도전성 산화물 막, 예를 들면, ITO막을 도중까지 형성한 후에, 열처리하고, 계속 이어서 성막하여 열처리하는 등의 다단계에서의 열처리를 이용해도 된다. 열처리의 방법으로서는 예를 들면 램프 어닐 처리, 가열로에 의한 어닐 처리 등이 있다. 또 ITO막을 성막 후의 처리로서는 전자선 조사나 레이저 어블레이션을 이용해도 된다. 더욱이 이들 방법을 임의로 조합해도 된다.
본 발명의 질화물 반도체 발광 소자를 형성하는 기판으로서는 예를 들면 사파이어, 스피넬, SiC, 질화물 반도체(예를 들면, GaN 등), GaAs 등의 공지의 절연성 기판 또는 도전성 기판을 이용할 수가 있다. 절연성 기판은 최종적으로 제거하여도 되고 제거하지 않아도 된다. 절연성 기판을 최종적으로 없애지 않을 경우 통상적으로 p전극 및 n전극은 모두 반도체층 위의 동일 면측에 형성되게 된다. 또 한, 최종적으로 절연성 기판을 제거할 경우 또는 도전성 기판을 이용할 경우, 상술한 바와 같이 p전극 및 n전극은 모두 질화물 반도체층 위의 동일 면측에 형성하여도 되고 서로 다른 면에 각각 형성하여도 된다.
n형 및 p형 질화물 반도체층 및 활성층으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, InXAlYGa1 －X－ YN(0≤X, 0≤Y, X＋Y≤1) 등의 질화갈륨계 화합물 반도체가 매우 적합하게 이용된다. 이러한 질화물 반도체층은 각각 단층 구조라도 되고, 조성 및 두께 등이 서로 다른 층의 적층 구조, 초격자 구조 등이어도 된다. 특히, 활성층은 양자효과가 발생하는 박막을 적층한 단일 양자우물 또는 다중 양자우물 구조인 것이 바람직하다. 더불어 활성층은 생략해도 된다.
또, 통상적으로 이러한 질화물 반도체층은 MIS접합, PIN접합 또는 PN접합을 가진 호모 구조, 헤테로 구조 또는 더블 헤테로 구조 등으로서 구성되어도 된다. 질화물 반도체층은 예를 들면, MOVPE, 유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 하이드라이드 기상 성장법(HVPE), 분자선 에피택셜 성장법(MBE) 등의 공지의 기술에 의해 형성할 수가 있다. 또, 질화물 반도체층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 여러 가지의 두께를 적용할 수가 있다.
더불어 질화물 반도체층의 적층 구조로서는 예를 들면, AlGaN로 이루어지는 버퍼층, 언도프 GaN층, Si도프 n형 GaN로 이루어지는 n측 컨택트층, GaN층과 InGaN층을 교대로 적층시킨 초격자층, GaN층과 InGaN층을 교대로 적층시킨 다중 양자우물 구조의 활성층, Mg도프 AlGaN층과 Mg도프 InGaN층을 교대로 적층시킨 초격자 층, Mg도프 GaN로 이루어지는 p측 컨택트층 등을 들 수 있다.
＜실시 형태 2＞
도 4는 본 발명의 실시 형태 2와 관련되는 질화물 반도체 발광 소자를 나타내는 부분적인 단면도이다. 아래에서 설명하는 점을 제외하고는 실시 형태 1과 같다.
본 실시 형태 2에서는 패드 전극(6)의 접합층(6a)에 제1 금속과 제2 금속의 합금으로 이루어지는 합금막을 도전성 산화물 막과 접하는 층으로서 포함하고 있다. 이에 의해, 패드 전극(6)과 도전성 산화물 막(5)과의 밀착성을 향상시킬 수가 있다. 또, 접합층이 제1 금속과 제2 금속의 합금으로 이루어지는 경우에는 최소한의 재료로 밀착성을 향상시킬 수가 있으며, 더욱이 제2 금속이 반사율이 높은 재료인 경우에는 패드 전극의 광 추출 효율을 향상시킬 수가 있다.
또한, 제2 금속이 질화물 반도체 발광 소자의 주파장에 있어서 제1 금속보다 반사율이 높은 경우에는 상기 합금의 제2 금속의 비율을 크게 하면 빛의 반사율이 향상하여, 광 추출 효율이 향상한다.
실시 형태 2와 같이, 접합층을 제1 금속과 제2 금속의 합금에 의해 형성하는 경우, 접합층의 두께는 예를 들면, 50~10000Å으로 설정할 수가 있어, 이 범위의 두께이라면 효과적으로 밀착성이 향상한다. 따라서 본 실시 형태 2의 구성에서는 실시 형태 1의 경우와 같은 제1 금속으로 이루어지는 막을 비교적 얇아지도록 제어하는 것을 필요로 하지 않고 수율이 향상된다.
실시 형태 2의 패드 전극(6)에 있어서 접합층(6a) 위에 질화물 반도체 발광 소자의 주파장에 있어서 제1 금속보다 반사율이 높은 제2 금속으로 이루어지는 패드층을 마련하는 경우에는 예를 들면, 접합층(6a)의 두께를 50~200Å으로 하면 상기의 패드 전극의 밀착성이 양호하고 광 추출 효율을 향상시킬 수가 있으므로 보다 바람직하다.
실시 형태 2의 접합층(6a)에 있어서의 제1 금속과 제2 금속의 합금의 비율은 제1 금속을 10~40wt%로 하는 것이 바람직하다. 제1 금속이 10wt% 이하이면 질화물 반도체와의 접촉 저항이 높아지고, 제1 금속이 40wt% 이상이면 빛의 반사율이 저하해 버린다. 제1 금속을 10~40wt%로 하면, p측 패드 전극에 있어서는 도전성 산화물 막과의 밀착성을 양호하게 할 수 있음과 함께 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다. 또, n측 패드 전극에 있어서는 질화물 반도체층과의 밀착성을 양호하게 할 수가 있음과 함께 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다. 더욱이 제1 금속이 15~30wt%이면 보다 바람직하다.
본 실시 형태 2에 있어서도 도전성 산화물 막(5)의 표면이 요철을 갖는 것이 바람직하며, 이러한 요철이 있으면 특히 요부에 있어서 접합층(6a)과 도전성 산화물 막과의 계면 근방에 제1 금속의 산화물이 형성되기 쉬워지므로, 밀착성을 보다 향상시킬 수가 있다.
이러한 합금으로 이루어지는 접합층(6a)을 형성하는 방법으로서는 예를 들면, 제1 금속과 제2 금속의 합금을 타겟으로서 이용하여 스퍼터법에 의해 성막하는 방법을 들 수 있다. 타겟으로서 이용하는 제1 금속과 제2 금속의 합금으로서는 예를 들면, 제1 금속과 제2 금속과의 소결물체 등을 들 수 있다.
본 실시 형태 2에 있어서 p측 패드 전극(6) 및 n측 패드 전극을 동일한 재료에 의해 형성하는 경우, p측 패드 전극의 두께가 n측 패드 전극의 두께보다 두껍게 되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의하여 p측 패드 전극과 도전성 산화물 막과의 밀착성이 향상함과 함께, n측 패드 전극에 있어서의 광 추출 효율이 향상한다.
또, 이상에서 설명한 본 발명의 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, p측 패드 전극(6)은 예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같은 연장 도전부(61)을 갖는 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이러한 연장 도전부(61)을 갖는 패드 전극(6)으로 하면, 활성층 전체를 효율적으로 발광시킬 수가 있어 특히 본 발명의 질화물 반도체 발광 소자를 p측 패드 전극 형성면측을 주 광 추출면으로 하는 경우에 효과적이다. 또한, 연장 도전부를 상술한 접합층 및 패드층을 갖고 있으므로, 도전성 산화물 막과의 밀착성을 양호하게 할 수가 있음과 함께, 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다. 더욱이 제2 금속이 반사율이 높은 재료인 경우에는 광 추출 효율이 향상된다.
또한, 도 5에 있어서 참조부호 2는 n형 질화물 반도체층이며, 참조부호 4는 p형 질화물 반도체층이며, 참조부호 7은 n측 패드 전극이다.
특히, 도 5에서 도시한 바와 같이 p측 및 n측 패드 전극이 질화물 반도체층 위의 동일 면측에 형성되는 경우에는 통상적으로 n측 패드 전극(7)은 질화물 반도체 발광 소자의 적어도 하나의 변에 근접하도록 형성된다. 예를 들면, 도 5에서 도시한 바와 같이 n측 패드 전극(7)이 질화물 반도체 발광 소자의 하나의 모서리부에 2개의 변에 근접하도록 설치되고 p측 패드 전극(6)은 n측 패드 전극(7)이 근접 하는 모서리부와 대각을 이루는 다른 모서리부에 설치되는 것이 바람직하다.
또, p측 패드 전극(6)의 연장 도전부(61)은 패드부가 위치하는 모서리부를 사이에 두고 인접하는 변을 따라 연장하고 있다. 이에 의해, p측 패드 전극(6)과 n측 패드 전극(7)의 사이에 위치하는 활성층을 효율적으로 발광시킬 수가 있고, 또한 p측 패드 전극(6)에 접속된 연장 도전부(61)를 도전성 산화물 막(5) 위에 전기적으로 도통하도록 형성함으로써 효과적으로 p형 질화물 반도체층 전체에 전류를 확산시켜 활성층 전체를 효율적으로 발광시킬 수가 있다. 더욱이 p측 패드 전극(6) 및 연장 도전부(61)의 주변부에 있어서 휘도가 높은 발광을 얻을 수 있다.
이상의 실시 형태 1 및 2에서는 p형 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막과 p측 패드 전극을 형성한 예에 의해 설명하였는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 n형 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막과 n측 패드 전극을 형성한 질화물 반도체 발광 소자이어도 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
<실시예>
실시예 1.
이 실시예의 질화물 반도체 발광 소자를 도 1에 근거하여 설명한다. 이 질화물 반도체 발광 소자(10)는 사파이어 기판(1) 위에 AlGaN으로 이루어지는 버퍼층(도시하지 않음), 논도프 GaN층(도시하지 않음)이 적층되고 그 위에, n형 질화물 반도체층(2)으로서 Si도프 GaN으로 이루어지는 n형 컨택트층, GaN층과 InGaN층을 교대로 적층시킨 초격자의 n형 클래드층이 적층되어 더욱이 그 위에, 최초로 언도프 GaN으로 이루어지는 장벽층과 이어서 InGaN으로 이루어지는 우물층과의 InGaN으 로 이루어지는 제1 장벽층과의 언도프 GaN으로 이루어지는 제2 장벽층이 반복하여 교대로 적층되어 형성된 다중 양자우물 구조의 활성층(3), p형 질화물 반도체층(4)으로서, Mg도프 AlGaN층과 Mg도프 InGaN층이 교대로 적층된 초격자의 p형 클래드층, Mg도프 GaN으로 이루어지는 p형 컨택트층이 이 순서대로 적층되어 구성된다.
n형 질화물 반도체층(2)의 일부의 영역에 있어서는 그 위에 적층된 활성층(3) 및 p형 질화물 반도체층(4)이 제거되고, 또한 n형 질화물 반도체층(2) 자체의 두께 방향의 일부가 제거되어 노출되어 있으며 그 노출된 n형 질화물 반도체층(2) 위에 n형 패드 전극(7)이 형성되어 있다.
　p형 질화물 반도체층(4) 위에는 거의 전면에 ITO로 이루어지는 도전성 산화물 막(5)이 형성되고 있고, 이 도전성 산화물 막(5)의 일부 위에 패드 전극(6)이 형성되어 있다.
이 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자는 이하의 제조 방법에 의해 제작하였다.
＜반도체층의 형성＞
2 인치φ의 사파이어 기판(1) 위에, MOVPE 반응장치를 이용하여 Al0 .1Ga0 .9N으로 이루어지는 버퍼층을 100Å 논도프 GaN층을 1.5㎛, n형 질화물 반도체층(2)으로서 Si도프 GaN으로 이루어지는 n형 컨택트층을 2.165㎛, GaN층(40Å)과 InGaN층(20Å)을 교대로 10회 적층시킨 초격자의 n형 클래드층을 640Å, 처음에 막 두께가 250Å인 언도프 GaN으로 이루어지는 장벽층과 계속하여 막 두께가 30Å인 In0 .3Ga0 .7 N으로 이루어지는 우물층과 막 두께가 100Å인 In0 .02Ga0 .98N으로 이루어지는 제1 장벽층과 막 두께가 150Å인 언도프 GaN으로 이루어지는 제2 장벽층이 반복하여 교대로 6층씩 적층되어 형성된 다중 양자우물 구조의 활성층(3)(총 막 두께 1930Å), p형 질화물 반도체층(4)으로서 Mg도프 Al0 .1Ga0 .9N층(40Å)과 Mg도프 InGaN층(20Å)을 교대로 10회 적층시킨 초격자의 p형 클래드층을 0.2㎛, Mg도프 GaN으로 이루어지는 p형 컨택트층을 0.5㎛의 막 두께로 이 순서대로 성장시켜 웨이퍼를 제작한다.
＜에칭＞
얻어진 웨이퍼를 반응 용기 내에서 질소 분위기 중, 600℃에서 어닐하여, p형 클래드층 및 p형 컨택트층을 한층 더 저 저항화한다.
어닐 후, 웨이퍼를 반응 용기에서 꺼내 최상층의 p형 컨택트층의 표면에 소정의 형상의 마스크를 형성하고 에칭 장치로 마스크 위로부터 에칭하여 n형 컨택트층의 일부를 노출시킨다.
＜ITO막의 형성＞
마스크를 제거한 후, 스퍼터 장치에 웨이퍼를 설치하여 In2O3와 SnO2와의 소결물체로 이루어지는 산화물 타겟을 스퍼터 장치 내에 설치하였다. 스퍼터 장치에 의하여 웨이퍼의 p형 컨택트층(8)의 거의 전면에 도전성 산화물 막(5)으로서 표면의 평균 면거칠기 Ra가 40Å인 ITO막을 4000Å의 막 두께로 형성한다.
＜패드 전극(6)의 형성＞
도전성 산화물 막(5) 위에 레지스트에 의해 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형 성하고 그 위에 Ti를 15Å, 그 위에 Rh를 100Å, Au를 100Å, Rh를 2000Å, Au를 5000Å을 이 순서대로 적층하고, 리프트오프법에 의해 패드 전극(6)을 형성한다. 그 후, n형 컨택트층 위에 W/Pt/Au로 이루어지는 n측 패드 전극(7)을 6000Å의 막 두께로 형성한다.
이어서, 어닐 장치로 300℃ 이상에서 열처리를 한다.
얻어지는 웨이퍼를 소정의 갯수로 분할함으로써 질화물 반도체 발광 소자(10)를 얻는다.
즉, 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자에서는 접합층(6a)가, 15Å의 Ti막으로 이루어지는 제1 금속막(11)과 100Å의 Rh층으로 이루어지는 전류 확산층(12)으로 이루어지고 100Å의 Au층으로 이루어지는 중간층을 개재시켜 2000Å의 Rh층이 패드층(6b)으로서 형성되어 있다.
이상과 같이 형성된 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자는 도전성 산화물 막과 패드 전극과의 밀착성이 양호해지는 것과 함께 접촉 저항을 낮게 할 수가 있다. 또한, 광 추출 효율이 향상한다.
실시예 2.
실시예 2의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, 패드 전극(6)을 아래와 같이 하여 형성한 이외에는 실시예 1과 같이 구성된다.
＜패드 전극(6)의 형성＞
도전성 산화물 막(5) 위에 레지스트에 의해 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형 성하고, 그 위에 접합층(6a)으로서 Ti를 15Å의 막 두께로 형성하고, 그 위에 패드층(6b)으로서 Rh를 2000Å의 막 두께로 형성한다. 이 Rh는 Ti의 전면을 덮도록 형성함으로써 전류 확산층으로서도 기능한다. 또한 그 위에 Au를 5000Å의 막 두께로 형성하고 리프트오프법에 의해, 패드 전극(6)을 형성한다. 그 후, n형 컨택트층 위에 W/Pt/Au로 이루어지는 n측 패드 전극(7)을 6000Å의 막 두께로 형성한다.
이어서, 어닐 장치로 300℃ 이상에서 열처리를 한다.
얻어지는 웨이퍼를 소정의 갯수로 분할함으로써 질화물 반도체 발광 소자(10)를 얻는다.
이 실시예 2의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자보다도 p측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어, 한층 더 광 추출 효율이 향상한다.
비교예 1로서, p측 패드 전극을 Rh/Pt/Au, n측 패드 전극을 W/Pt/Au로 하는 것 이외에는 실시예 2와 같은 방법에 의해 질화물 반도체 발광 소자를 제작하여, 실시예 2의 질화물 반도체 발광 소자와 비교하면 실시예 2의 질화물 반도체 발광 소자 쪽이 도전성 산화물 막과 p측 패드 전극과의 밀착력이 비교예 1보다 1.4배 높은 것을 확인할 수 있었다.
더욱이 비교예 2로서 패드 전극(6)의 Ti의 막 두께를 30Å으로 하는 것 이외에는 실시예 2와 같은 방법에 의해 질화물 반도체 발광 소자를 제작하여, 상술한 비교예 1의 p측 패드 전극을 Rh/Pt/Au, n측 패드 전극을 W/Pt/Au로 한 것과 비교하면, 도전성 산화물 막과 p측 패드 전극과의 밀착력은 거의 같은 정도였다.
더욱이 비교예 3으로서 p측 패드 전극(6)의 Ti의 막 두께를 300Å으로 하는 것 이외에는 실시예 2와 같은 방법에 의해 제작하면, p측 패드 전극이 도전성 산화물 막으로부터 벗겨지게 되어 질화물 반도체 발광 소자를 얻을 수 없었다.
실시예 3．
이 실시예 3의 질화물 반도체 발광 소자는 도 6에서 도시한 바와 같이, 실시예 2의 제조 공정에 있어서 n측 패드 전극(7)을 형성할 때에, n측 패드 전극(7)을 p측 패드 전극(6)과 동일한 재료에 의해 형성하고, p측 패드 전극(6)의 접합층(6a)의 막 두께가 n측 패드 전극(7)의 접합층의 막 두께보다 두꺼운 질화물 반도체 발광 소자를 제작하였다.
이 실시예 3에 있어서의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 2의 효과에 더하여 n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상할 수가 있어, 한층 더 광 추출 효율이 향상한다. 또한, p측 패드 전극의 접합층과 n측 패드 전극의 접합층을 같은 막 두께로 형성했을 경우와 비교해도, 밀착성은 양호한 채로 n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어 한층 더 질화물 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 향상한다.
실시예 4.
이 실시예 4의 질화물 반도체 발광 소자는 도 6에 나타내는 바와 같이, 실시예 2의 제조 공정에 있어서 패드 전극(6)을 형성할 때에, n측 패드 전극(7)을 p측 패드 전극(6)과 동일한 재료, 동일 공정에 의해 형성한 이외에는 실시예 2와 같게 하여, 질화물 반도체 발광 소자를 제작하였다.
특히 이 실시예 4에 있어서 p측 및 n측의 패드 전극은 아래와 같이 형성할 수가 있다.
ITO로 이루어지는 도전성 산화물 막(5) 및 노출된 n형 컨택트층 위에, 레지스트에 의해 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성하고, 그 위에 접합층(6a)으로서 Ti를 15Å의 막 두께로 형성하고, 그 위에 패드층(6b)으로서 Rh를 2000Å의 막 두께로 형성하고, 또한 Au를 5000Å의 막 두께로 형성하고, 리프트오프법에 의해 p측 패드 전극(6) 및 n측 패드 전극(7)을 형성한다.
그 후, 어닐 장치로 300℃ 이상에서 열처리를 한다.
얻어진 웨이퍼를 소정의 갯수로 분할함으로써 실시예 4의 질화물 반도체 발광 소자(10)를 얻는다.
상기와 같이 하여 형성하는 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 2보다, n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어, 한층 더 질화물 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 향상함과 더불어, 제조 공정을 간략화시킬 수가 있다.
실시예 5.
이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자는 도 4에 나타내는 본 발명과 관련되는 실시 형태 2에 관계된 실시예이다. 즉, 이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자는 p측 패드 전극(6)에 있어서의 접합층의 금속의 재료가 서로 다른 것 외에는 실시예 2의 질화물 반도체 발광 소자와 같은 구성이다.
구체적으로는 이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, p측 패드 전극(6)의 접합층이 Ti와 Rh의 합금에 의해 형성되어 있다.
이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 p측 패드 전극(6)은 이하의 스텝에서 제작된다.
우선, ITO로 이루어지는 도전성 산화물 막(5)을 형성한 후, 도전성 산화물 막(5) 위에 레지스트에 의해 소정의 패턴의 마스크를 형성한다. 그 다음에 Ti와 Rh와의 합금으로 이루어지는 타겟을 스퍼터 장치 내에 설치하고 스퍼터 장치에 의해 Ti와 Rh와의 합금을 50Å의 막 두께로 적층한다. 그리고, Rh, Au의 각각을 타겟으로 하여 스퍼터링에 의해 순서대로 각각 1000Å, 5000Å의 막 두께로 적층한다. 그 후, 리프트오프법에 의해 p측 패드 전극(6)을 형성한다.
더불어 이 실시예에 있어서 Ti와 Rh와의 합금은 Ti의 비율이 25wt%이다.
이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 1의 질화물 반도체 발광 소자보다 p측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어, 한층 더 광 추출 효율이 향상된다.
비교예로서 p측 패드 전극을 Rh/Pt/Au, n측 패드 전극을 W/Pt/Au로 하는 것 이외에는 실시예 5와 같은 방법에 의해 질화물 반도체 발광 소자를 제작하여, 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자와 비교하면 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자 쪽이 도전성 산화물 막과 p측 패드 전극과의 밀착력이 비교예의 질화물 반도체 발광 소자보다 1.4배 높은 것을 확인할 수 있었다.
또한, 이 실시예 5의 질화물 반도체 발광 소자에 있어도 패드 전극의 광 추출 효율은 양호하였다.
실시예 6.
이 실시예 6의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 5의 제조 공정에 있어서 n측 패드 전극(7)을 형성할 때에, n측 패드 전극(7)을 p측 패드 전극과 동일한 재료에 의해 형성하고, p측 패드 전극(6)의 접합층(6a)의 막 두께가 n측 패드 전극의 접합층의 막 두께보다 두꺼운 질화물 반도체 발광 소자를 제작하였다.
이 실시예 6에 있어서의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 5의 효과에 더하여 n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상할 수가 있어, 한층 더 광 추출 효율이 향상된다. 또, p측 패드 전극의 접합층과 n측 패드 전극의 접합층을 같은 막 두께로 형성했을 경우와 비교해도 밀착성은 양호한 채로 n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어 한층 더 질화물 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 향상된다.
실시예 7.
이 실시예 7의 질화물 반도체 발광 소자는 실시예 5에 있어서의 제조 공정에 있어서 패드 전극을 형성할 때에, n측 패드 전극을 p측 패드 전극과 동일한 재료를 이용해서 함께 형성하는 것 이외에는 실시예 5와 같은 방법에 의해 제작한다.
즉, 이 질화물 반도체 발광 소자는 p측 패드 전극(6)의 접합층(6a)이 Ti와 Rh의 합금에 의해 형성되어 있다. 또, 그것에 따라 n측 패드 전극(7)도 n형 질화물 반도체층과 접하는 측의 부분이 Ti와 Rh의 합금에 의해 형성되어 있다.
이 실시예 7의 질화물 반도체 발광 소자의 p측 및 n측의 패드 전극은 이하의 방법에 의해 형성한다.
우선, ITO로 이루어지는 도전성 산화물 막을 형성한 후, 도전성 산화물 막 및 에칭에 의해 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 레지스트에 의해 소정의 패턴을 갖는 마스크를 형성한다. 그 다음에 Ti와 Rh와의 합금으로 이루어지는 타겟을 스퍼터 장치 내에 설치하고 스퍼터 장치에 의해 Ti와 Rh와의 합금을 적층한다. 그리고, Rh, Au의 각각을 타겟으로 하여 스퍼터링에 의해 순서대로 적층한다. 그 후, 리프트오프법에 의해 p측 패드 전극(6) 및 n측 패드 전극(7)을 형성한다.
이 실시예 7의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서는 실시예 5보다도, n측 패드 전극에서의 빛의 반사율을 향상시킬 수가 있어, 한층 더 질화물 반도체 발광 소자의 광 추출 효율이 향상함과 더불어 제조 공정을 간략화시킬 수가 있다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명의 질화물 반도체 소자는 백 라이트 광원, 디스플레이, 조명, 차량용 램프 등의 각종 광원을 구성하는 반도체 발광 소자, 또 반도체 수광 소자 등, 그 외의 반도체 디바이스에 매우 적합하게 이용할 수가 있다.
이상과 같이 구성된 본 발명에 관한 질화물 반도체 소자는 상기 패드 전극이 상기 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과 제2 금속을 포함한 패드층을 구비하고 있으므로 상기 패드 전극과 상기 도전성 산화물 막과의 밀착성을 향상시킬 수가 있다.

Claims (20)

  1. 질화물 반도체층을 구비하는 질화물 반도체 소자로서,
    상기 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막, 패드 전극을 순차적으로 갖고,
    상기 패드 전극은 상기 질화물 반도체측의 전면이 상기 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과, 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속을 포함하는 패드층을 갖고,
    상기 접합층은 상기 도전성 산화물 막에 접하는 제1 금속으로 이루어지는 제1 금속막을 갖고,
    상기 제1 금속막의 막 두께는 상기 도전성 산화물 막 표면의 평균 면 거칠기 Ra의 값보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접합층이 상기 제1 금속막 상에 전류 확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 접합층과 상기 패드층의 사이에 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속과는 다른 제3 금속으로 이루어지는 중간층을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 전류 확산층이 상기 제2 금속을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 산화물 막은 아연, 인듐, 주석 및 마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 산화물 막이 ITO인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  7. 질화물 반도체층을 구비하는 질화물 반도체 소자로서,
    상기 질화물 반도체층 상에 도전성 산화물 막, 패드 전극을 순서대로 갖고,
    상기 패드 전극은 상기 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속을 포함한 패드층을 갖고,
    상기 접합층은 상기 제1 금속과 상기 제2 금속과의 합금으로 이루어지는 합금막을 상기 도전성 산화물 막에 접하는 층으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 질 화물 반도체 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 접합층이 상기 합금막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 도전성 산화물 막은 아연, 인듐, 주석 및 마그네슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 도전성 산화물 막이 ITO인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  11. 질화물 반도체층을 갖는 질화물 반도체 소자로서,
    상기 질화물 반도체층 상에 ITO로 이루어지는 도전성 산화물 막, 패드 전극을 순서대로 갖고,
    상기 패드 전극은 상기 질화물 반도체측의 전면이 상기 도전성 산화물 막에 접하여 제1 금속을 포함하는 접합층과, 상기 제1 금속과는 다른 제2 금속을 포함한 패드층을 갖고,
    상기 접합층은 상기 도전성 산화물 막에 접하는 제1 금속으로 이루어지는 제1 금속막을 갖고,
    상기 제1 금속막은 5~30Å의 범위의 막 두께인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 금속막의 막 두께가 상기 도전성 산화물 막 표면의 평균 면 거칠기 Ra의 값보다도 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 접합층이 상기 제1 금속막 상에 전류 확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 접합층과 상기 패드층 사이에 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속과는 다른 제3 금속으로 이루어지는 중간층을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 전류 확산층이 상기 제2 금속을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하 는 질화물 반도체 소자.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접합층에 포함되는 상기 제1 금속의 일부가 산화되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  17. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화물 반도체층은, ｎ측 패드 전극이 형성된 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층을 포함하고,
    상기 도전성 산화물 막이 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되고,
    상기 패드 전극은 상기 도전성 산화물 막 상에 형성된 p측 패드 전극이며,
    상기 n측 패드 전극은 상기 p측 패드 전극과 동일한 조성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  18. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 금속은 Ti, Zr, Hf로 이루어지는 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  19. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화물 반도체 소자는 발광 소자이고, 상기 제2 금속은 발광하는 빛에 대하여 상기 제1 금속보다도 반사율이 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소 자.
  20. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화물 반도체 소자는 발광 소자이고, 제2 금속은 Rh, Al, Ag, Pt로 이루어지는 군에서 선택되는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8716728B2 (en) * 2006-10-20 2014-05-06 Mitsubishi Chemical Corporation Nitride semiconductor light-emitting diode device
CN102779918B (zh) 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
JP5040355B2 (ja) * 2007-02-24 2012-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びこれを備えた発光装置
JP2008244161A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の電極形成方法
TWI366291B (en) * 2007-03-30 2012-06-11 Epistar Corp Semiconductor light-emitting device having stacked transparent electrodes
JP2008282979A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sharp Corp 半導体発光素子とその製造方法
KR101457204B1 (ko) * 2008-02-01 2014-11-03 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101221281B1 (ko) * 2008-03-13 2013-01-11 쇼와 덴코 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN102124574B (zh) 2008-06-16 2013-07-17 丰田合成株式会社 半导体发光元件、其电极及制造方法以及灯
JP2010062425A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Showa Denko Kk 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法、ランプ
WO2011111642A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101158080B1 (ko) 2010-07-22 2012-06-22 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드
US9000469B2 (en) 2010-12-08 2015-04-07 Nichia Corporation Nitride group semiconductor light emitting device
JP2012138465A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置
JP4960511B1 (ja) * 2011-01-26 2012-06-27 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP6077201B2 (ja) 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2012191232A (ja) * 2012-06-05 2012-10-04 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオード素子
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP5705950B2 (ja) * 2013-11-18 2015-04-22 株式会社東芝 半導体発光素子
CN104109839A (zh) * 2014-07-04 2014-10-22 宜昌南玻显示器件有限公司 Ito薄膜的制备方法及ito薄膜
JP2018006535A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011857A (ja) 2003-06-17 2005-01-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2005045038A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100921456B1 (ko) 2001-10-26 2009-10-13 엘지전자 주식회사 수직 구조를 갖는 다이오드 및 이의 제조방법

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250540A (ja) 1995-03-13 1996-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体装置
JP3309756B2 (ja) 1997-02-14 2002-07-29 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JPH10256602A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp 半導体発光素子
JPH10308533A (ja) 1997-05-09 1998-11-17 Toshiba Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置
JPH118410A (ja) 1997-06-18 1999-01-12 Nichia Chem Ind Ltd ｎ型窒化物半導体の電極
JPH11220168A (ja) 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
JP4183299B2 (ja) 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP3736181B2 (ja) 1998-05-13 2006-01-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6936859B1 (en) * 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
JP2006005378A (ja) 1998-05-13 2006-01-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP3847477B2 (ja) 1998-12-17 2006-11-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2004363621A (ja) 1998-05-13 2004-12-24 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP3739951B2 (ja) * 1998-11-25 2006-01-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP2000244012A (ja) 1998-12-22 2000-09-08 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP3567790B2 (ja) * 1999-03-31 2004-09-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP4298861B2 (ja) 1999-08-04 2009-07-22 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JP2001102673A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード
TW439304B (en) 2000-01-05 2001-06-07 Ind Tech Res Inst GaN series III-V compound semiconductor devices
DE10023459A1 (de) 2000-05-12 2001-11-15 Balzers Process Systems Gmbh Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Schicht und Verfahren zur Herstellung derselben
JP3498698B2 (ja) 2000-11-08 2004-02-16 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子
ATE419666T1 (de) * 2001-03-28 2009-01-15 Nichia Corp Nitrid-halbleiterelement
JP3912044B2 (ja) * 2001-06-06 2007-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
JP4023121B2 (ja) 2001-09-06 2007-12-19 豊田合成株式会社 ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2003101071A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP4123828B2 (ja) 2002-05-27 2008-07-23 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP2004006498A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2004014725A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JP2004088083A (ja) 2002-06-25 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
JP4507532B2 (ja) * 2002-08-27 2010-07-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2004111623A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4493902B2 (ja) 2002-10-15 2010-06-30 大阪府 透明導電膜の製造方法
JP4895466B2 (ja) 2002-10-29 2012-03-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2004319671A (ja) 2003-04-15 2004-11-11 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2004319672A (ja) 2003-04-15 2004-11-11 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
KR100612832B1 (ko) * 2003-05-07 2006-08-18 삼성전자주식회사 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 니켈계 고용체를 이용한 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막 및 그 제조방법
JP2005302804A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
WO2005011007A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. 発光ダイオード及びその製造方法
JP2005109284A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
US7109048B2 (en) * 2003-09-30 2006-09-19 Lg Electronics Inc. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
JP4449405B2 (ja) * 2003-10-20 2010-04-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR100647279B1 (ko) * 2003-11-14 2006-11-17 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
CN100459189C (zh) * 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
JP2005158904A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体素子及び発光装置
WO2005055675A2 (en) * 2003-11-28 2005-06-16 Alara, Inc. Method and apparatus for improved energy readout
TWI244221B (en) * 2004-03-01 2005-11-21 Epistar Corp Micro-reflector containing flip-chip light emitting device
TWI244768B (en) * 2005-04-08 2005-12-01 South Epitaxy Corp Photodetector

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100921456B1 (ko) 2001-10-26 2009-10-13 엘지전자 주식회사 수직 구조를 갖는 다이오드 및 이의 제조방법
JP2005011857A (ja) 2003-06-17 2005-01-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2005045038A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子

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