JP4895466B2 - 窒化物半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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図4に示すように同一面上に電極を有する窒化物半導体素子であれば、電流の流れは縦方向(A)以外に横方向(B)にも流れる。素子構造上、両電極間に電流を流すには電流が横方向(B)に流れる領域が存在する。この横方向(B)領域は高抵抗領域であるから大電流を流して、連続発光させる時には結晶性劣化、発熱等の問題が生じていた。それに対して、本発明における窒化物半導体素子は対向電極構造であるため、少なくとも縦方向(A)にのみ電流が流れればよい構造である。窒化物半導体素子の対向電極構造を図1に示す。
上記窒化物半導体素子のn極性を示す面に電極を複数形成した後、各電極間のI−V特性はオーミック特性を示す(図2−1)。このときTLM法に従い、接触抵抗率は1.2E−4Ωcm2である。接触抵抗率は1.0E−3Ωcm2以下、好ましくは5.0E−4Ωcm2以下である。比較例として、傾斜面を含まない(000−1)面にのみ電極を複数形成した窒化物半導体素子のI−V特性を示す(図2−2)。(000−1)面に接触させた電極は接触抵抗が高く、オーミック特性を示さず窒化物半導体素子として実用化レベルではない。
まず、基板となる窒化物半導体1を準備する。該窒化物半導体1は上記サファイア等の異種基板上にバッファ層を介して窒化物半導体を成長させる(図3−1)。その後、前記異種基板を研磨、電磁波照射(エキシマレーザー照射等)、又はCMP等により除去することで窒化物半導体1を得る(図3−2)。該窒化物半導体の異種基板除去面にはn極性を示す面が露出される。このn極性面には、異種基板を研磨やエキシマレーザ照射により除去することでダメージ層が形成されるが、CMPにより該ダメージ層は除去することができる。この処理によりダメージ層の除去の他に、窒化物半導体層の厚み、表面の面粗さの調整ができる。ここで得られる窒化物半導体1は膜厚0.2〜10mmである。
前記窒化物半導体1を基板として、その上に窒化物半導体層2を成長させる(図3−3)。窒化物半導体層2がレーザ素子であれば、分離光閉じ込め型(SCH)構造を形成する。活性層よりバンドギャップの大きい光ガイド層で活性層の両サイドを挟んで光導波路を構成している。
次に、ストライプ状の導波路領域としてリッジストライプを形成する。前記窒化物半導体層2の最上層であるp側コンタクト層210の表面にSiO2よりなる保護膜を形成して、RIE(反応性イオンエッチング)を用いてエッチングすることでリッジが形成される。リッジのストライプ幅は1.0μm〜30.0μmとする。シングルスポットのレーザー光とする場合のリッジのストライプ幅は1.0μm〜2.0μmとするのが好ましい。また、本発明では電流は縦方向に流れるのみであるから、大電流を流すことが可能となる。リッジ幅を10m以上とすることができるので、150mW以上の出力が可能となる。リッジストライプの高さ(エッチングの深さ)は、少なくともp側クラッド層までエッチングされており、好ましくはp側光ガイド層208を露出する範囲であればよい。大電流を流すことでリッジ以下では電流が急激に横方向に広がる。そのため、リッジを形成するためのエッチング深さはp側光ガイド層208まであるのが好ましい。
次に、前記窒化物半導体1の裏面である(000−1)面に段差を形成することにより(000−1)面以外の傾斜面を露出する(図3−5)。まず(000−1)面にRIE等のドライエッチングで凹凸段差を形成する。ここで、段差とは界面段差が0.1μm以上であって、段差形状はテーパー形状や逆テーパー形状である。また、前記段差の平面形状のパターンはストライプ状、格子状、島状、円状や多角形状、矩形状、くし形状、メッシュ形状から選ばれる凸部及び/又は凹部を有する。例えば、円状の凸部を形成すれば、該円状凸部の直径幅は5μm以上とする。また、凹部溝部の幅は少なくとも3μm以上の領域を有すると電極の剥がれ等がなくなり好ましい。(000−1)面以外の傾斜面を露出するには、オフ角を0.2〜90°の範囲で形成してもよい。
その後、前記窒化物半導体1の裏面にn側電極5をCVDやスパッタ、蒸着等で形成する。n側電極の膜厚としては10000Å以下、好ましくは6000Å以下とする。n側電極を多層構造とする場合には、第1の層をTiまたはMoとすれば、該第1の層の膜厚は100Å以下とする。また第1の層をWとすれば300Å以下とすることが良好なオーミック特性を得ることができ好ましい。該n側電極がTi/Alであれば膜厚は100Å/5000Åである。またn側電極としては窒化物半導体側からTi/Pt/Auの順に積層すれば膜厚は60Å/1000Å/3000Åである。その他のn側電極としては窒化物半導体側からTi(60Å)/Mo(500Å)/Pt(1000Å)/Au(2100Å)、Ti(60Å)/Hf(60Å)/Pt(1000Å)/Au(3000Å)、Ti(60Å)/Mo(500Å)/Ti(500Å)/Pt(1000Å)/Au(2100Å)の順に積層することができる。またはW/Pt/Au、W/Al/W/Au等であれば上記特性を示す。前記窒化物半導体レーザー素子はn側電極を形成後、ストライプ状の電極に垂直な方向であって、窒化物半導体のM面(11−00)でバー状に分割する。更にバー状のウェハーを電極のストライプ方向に平行に分割して窒化物半導体レーザー素子をチップ化する。以上より、得られる窒化物半導体レーザー素子は長寿命等の特性を有する。
以下、本実施例におけるレーザー素子の製造方法について説明するが、本発明はこれに限定されない。
まず、2インチ、C面を主面とするサファイアよりなる異種基板をMOCVD反応容器内にセットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム(TMG)、アンモニア(NH3)を用い、GaNよりなるバッファ層を200Åの膜厚で成長させる。さらに、温度を1000℃以上にしてGaNより成る下地層を2.5μmで成長させる。その後、HVPE反応容器に移動する。原料にGaメタルとHClガス、アンモニアを用いて窒化物半導体1であるGaNを500μmで成長させる(図3−1)。次に、サファイアのみをエキシマレーザー照射で剥離し、CMPを行い膜厚450μmの窒化物半導体1を形成する(図3−2)。
次に、前記窒化物半導体1をMOCVD反応容器内にセットし、温度を1050℃にして、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニアを用い、n側コンタクト層202としてSiドープAl0.05Ga0.95Nを5μmで成長させる。次に、クラック防止層203としてSiドープIn0.06Ga0.94Nを0.15μmで成長させる。該クラック防止層は省略可能である。n側クラッド層204としてSiドープAl0.1Ga0.9Nを25ÅとノンドープAl0.1Ga0.9Nを25Åで成長させる操作を100回繰り返しで超格子構造を形成する。次に、n側光ガイド層205としてGaNを0.15μmで成長させる。
前記実施例1において、GaN基板の(000−1)面をRIEによりエッチングを行う。これにより、凹凸形成された凹部と凸部との段差を4.5μmの深さで形成する。これにより、(000−1)面以外の傾斜面は高さが少なくとも4.5μmとなる。その後、該凹凸面にn側極を形成する。その他の条件は実施例1と同様にすることで実施例1と同等の特性を有する窒化物半導体レーザ素子を得る。
前記実施例1において、リッジ幅を30μmとする。その他の条件は実施例1と同様にする。以上により投入電流が500mAの時に出力1W以上となる。
2 窒化物半導体層
3 埋め込み層
4 n側電極
5 p側電極
Claims (9)
- 窒化物半導体と、前記窒化物半導体上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成されたp側電極と、前記窒化物半導体の窒化物半導体層が積層された面とは反対面に形成されたn側電極と、を備えた対向電極構造である窒化物半導体素子において、
前記窒化物半導体のn側電極が形成される面はn極性を示す(000−1)面であって、更に前記(000−1)面以外の傾斜面を有しており、
前記n側電極が形成される面の(000−1)面とそれ以外の傾斜面との凹凸段差の凸部の平面形状は、円状のパターンが形成されており、該円状の凸部の直径幅を5μm以上とし、凹部の幅を3μm以上とすることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 前記(000−1)面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記(000−1)面以外の傾斜面は、(000−1)面からのオフ角が0.2°以上90°以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体素子。
- 前記電極は、少なくともTi、Ni、Au、Pt、Al、Pd、W、Rh、Ag、Moから成る群より選ばれる少なくとも1つを有することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記(000−1)面以外の傾斜面は、n極性を示す面における表面積の0.5%以上を占めることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体は、2軸結晶法による(0002)回折X線ロッキングカーブの半値幅が2分以下であることを特徴とする請求項1乃至5の内のいずれか1項に記載の窒化物半導体素子。
- 前記電極は、多層構造であって窒化物半導体と接する第1の層はTi、W、Moから成る群より選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項1乃至6の内のいずれか1項に記載の窒化物半導体素子。
- 前記電極における多層構造の最上層は、PtまたはAuであることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体素子。
- 前記窒化物半導体のn側電極が形成される面における接触抵抗率は、1.0E−3Ωcm2以下であることを特徴とする請求項1乃至8の内のいずれか1項に記載の窒化物半導体素子。
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