KR100733532B1 - 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100733532B1 KR100733532B1 KR1020000005914A KR20000005914A KR100733532B1 KR 100733532 B1 KR100733532 B1 KR 100733532B1 KR 1020000005914 A KR1020000005914 A KR 1020000005914A KR 20000005914 A KR20000005914 A KR 20000005914A KR 100733532 B1 KR100733532 B1 KR 100733532B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- type semiconductor
- semiconductor region
- sensor
- type
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 346
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 137
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 30
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 26
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 33
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
센서(112) 구조의 경우, 어떠한 형태도 남지 않는 이온 주입 프로세스, 다시 말해 제2의 p형 반도체 웰 영역(351) 내의 이온 주입 프로세스는 도 12에 도시된 바와 같이 먼저 수행된다. 그러므로, 제2의 p형 반도체 웰 영역(351)과 게이트 전극(71)은 소자 분리층(34)과 정렬된 제2의 p형 반도체 웰 영역(351)과 소자 분리층(34)과 정렬된 게이트 전극(71)으로 각각 형성된다. 따라서, p형 반도체 웰 영역(351)과 게이트 전극(71)은 서로 직접적으로 정렬될 수 없다.
Claims (23)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 각각이 분리 구조체에 의해 분리된 pn 포토다이오드 구조체를 갖는 화소들을 포함하는 고체 촬상 장치에 있어서, 상기 화소들 각각은,제2 도전형의 반도체 기판(31)의 표면에 형성되며 상기 pn 포토다이오드 구조체의 전하 축적 영역을 규정하는 상기 제2 도전형의 제1 반도체 영역(36)과,상기 제1 반도체 영역(36)에 비해 낮은 불순물 농도를 가지며 상기 제1 반도체 영역(36)의 아래에 형성되는 상기 제2 도전형의 제2 반도체 영역(33)과,상기 제2 반도체 영역(33)의 아래에 형성되며 상기 제2 반도체 영역(33)과 상기 반도체 기판(31)을 분리하는 제1 도전형의 제3 반도체 영역(32)과,상기 제1 반도체 영역(36)의 옆에 상기 반도체 기판(31)의 표면에 형성된 산화물 유형의 화소 분리 구조체(34, 93)와,상기 화소 분리 구조체(34, 93)와 상기 제3 반도체 영역(32) 사이에 형성된 상기 제1 도전형의 제4 반도체 영역(35, 351, 352, 94)을 포함하며,상기 고체 촬상 장치가 동작중일 때, 상기 제2 반도체 영역(33) 내에 상기 제3 반도체 영역(32)으로 하향 확장되는 공핍 영역이 형성되는 고체 촬상 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제1 반도체 영역(36)과 상부 절연막(37) 사이에 상기 제1 도전형의 제5 반도체 영역(38)이 형성되는 고체 촬상 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 분리 구조체는 트렌치 분리 구조체 또는 LOCOS 구조체인 고체 촬상 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 제1 도전형의 제4 반도체 영역(351, 94)은 상기 제2 반도체 영역(33)을 향하여 상기 화소 분리 구조체(34, 93) 위로 측면으로 확장되는 고체 촬상 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 분리 구조체(34)의 단부와 상기 제1 반도체 영역(36) 사이에 제1 도전형의 제6 반도체 영역(39)이 형성되어 상기 제4 반도체 영역(352)에 접속되는 고체 촬상 장치.
- pn 포토다이오드를 갖는 화소들을 포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법에 있어서,제2 도전형의 반도체 기판(31)의 표면에 형성되는 산화물 유형의 화소 분리 구조체(34, 93)를 형성하는 단계와,상기 화소 분리 구조체(34, 93) 아래에 상기 반도체 기판(31)으로 하향 확장되는 제1 도전형의 제4 반도체 영역(35, 351, 352, 94)을 형성하는 단계와,상기 제4 반도체 영역(35, 351, 352, 94)과 접촉하여 상기 반도체 기판(31)의 소정의 깊이 위치에 상기 제1 도전형의 제3 반도체 영역(32)을 형성하는 단계와,상기 반도체 기판(31)의 표면에 상기 제2 도전형의 제1 반도체 영역(36)을 형성하여, 상기 제1 반도체 영역(36)에 비해 낮은 불순물 농도를 갖는 상기 제2 도전형의 제2 반도체 영역(33)이 상기 제1 반도체 영역(36)과 상기 제3 반도체 영역(32) 사이에 형성되는 단계를 포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제19항에 있어서,상기 제1 반도체 영역(36)과, 이전에 형성된 상부 절연막(37) 사이에 상기 제1 도전형의 제5 반도체 영역(38)을 형성하는 단계를 더 포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 분리 구조체(34, 93)는 트렌치 분리 구조체 또는 LOCOS 구조체로서 형성되는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 제1 도전형의 제4 반도체 영역(35, 351, 352, 94)은 상기 제2 반도체 영역(33)을 향하여 상기 화소 분리 구조체(34) 위에 측면으로 연장되도록 형성되는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 제4 반도체 영역(352)에 접속되도록, 상기 분리 구조체(34)의 단부와 상기 제1 반도체 영역(36) 사이에 제1 도전형의 제6 반도체 영역(39)을 형성하는 단계를 더 포함하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999-031644 | 1999-02-09 | ||
JP3164499 | 1999-02-09 | ||
JP29136399A JP4604296B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-10-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP1999-291363 | 1999-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000057977A KR20000057977A (ko) | 2000-09-25 |
KR100733532B1 true KR100733532B1 (ko) | 2007-06-29 |
Family
ID=26370147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000005914A KR100733532B1 (ko) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6423993B1 (ko) |
EP (1) | EP1028470B1 (ko) |
JP (1) | JP4604296B2 (ko) |
KR (1) | KR100733532B1 (ko) |
DE (1) | DE60034389T2 (ko) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4988086B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2012-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法並びに抵抗器及び半導体素子 |
JP3688980B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | Mos型固体撮像装置及びその製造方法 |
JP3759435B2 (ja) | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
US7109535B1 (en) * | 2001-08-22 | 2006-09-19 | Ess Technology, Inc. | Semiconductor device for isolating a photodiode to reduce junction leakage |
US20030038336A1 (en) * | 2001-08-22 | 2003-02-27 | Mann Richard A. | Semiconductor device for isolating a photodiode to reduce junction leakage and method of formation |
US6504196B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-01-07 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager and method of formation |
JP4235787B2 (ja) * | 2001-10-03 | 2009-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2003142674A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | Mos型固体撮像装置 |
KR20030037655A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
KR100813800B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2008-03-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암전류 특성과 전하저장능력을 향상시킨 이미지센서 및 그제조방법 |
KR100838466B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2008-06-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고집적 이미지센서 제조 방법 |
KR100813801B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2008-03-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 광감도를 향상시키기 위한 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR100776151B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2007-11-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고집적 이미지센서 제조 방법 |
KR100494030B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2005-06-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
US6864516B2 (en) * | 2002-02-28 | 2005-03-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | SOI MOSFET junction degradation using multiple buried amorphous layers |
JP4282049B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、光電変換装置及びカメラ |
JP3702854B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP3908572B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
JP3986051B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2007-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器 |
JP4107890B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2008-06-25 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイス |
JP3840203B2 (ja) | 2002-06-27 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置を用いたカメラシステム |
KR100893054B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2009-04-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR100873292B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2008-12-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 소자 격리 특성을 향상시킨 이미지센서 및 그 제조 방법 |
KR20040008912A (ko) * | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서의 하이브리드 소자분리 방법 |
US7091536B2 (en) * | 2002-11-14 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Isolation process and structure for CMOS imagers |
US7087944B2 (en) | 2003-01-16 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having a charge storage region provided within an implant region |
US6949445B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming angled implant for trench isolation |
FR2855655B1 (fr) | 2003-05-26 | 2005-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement infrarouge photovoltaique a grille conductrice independante et tridimensionnelle |
US7148528B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Pinned photodiode structure and method of formation |
KR100508864B1 (ko) * | 2003-10-23 | 2005-08-17 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
US7354789B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-04-08 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
JP4514188B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2010-07-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像装置 |
KR100784417B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2007-12-11 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 광검출 소자 및 광검출 소자의 제어 방법 |
JP2005327858A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
KR100698069B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
KR100659382B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2006-12-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP2006073736A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4646577B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
JP4691990B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4742602B2 (ja) | 2005-02-01 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
KR100642760B1 (ko) * | 2005-03-28 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP4718875B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
US8686481B2 (en) * | 2005-04-29 | 2014-04-01 | Trixell | Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacturing of such a device |
JP2006339533A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
KR100699844B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
CN100416845C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-09-03 | 北京思比科微电子技术有限公司 | 低衬底漏电流的空穴积累型有源像素及其制造方法 |
US8446508B2 (en) * | 2005-07-27 | 2013-05-21 | Sony Corporation | Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
US7800146B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-09-21 | Aptina Imaging Corporation | Implanted isolation region for imager pixels |
US7875916B2 (en) | 2005-09-28 | 2011-01-25 | Eastman Kodak Company | Photodetector and n-layer structure for improved collection efficiency |
KR100752646B1 (ko) * | 2005-10-01 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2008034772A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法およびカメラ |
US7521278B2 (en) * | 2006-10-17 | 2009-04-21 | Eastman Kodak Company | Isolation method for low dark current imager |
KR100935269B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20090243025A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Stevens Eric G | Pixel structure with a photodetector having an extended depletion depth |
JP2010050374A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
US8618458B2 (en) * | 2008-11-07 | 2013-12-31 | Omnivision Technologies, Inc. | Back-illuminated CMOS image sensors |
JP2010206181A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2010206178A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
JP5538922B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2010212319A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 |
US8138531B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Structures, design structures and methods of fabricating global shutter pixel sensor cells |
JP2012142560A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-26 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
JP5950507B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2016-07-13 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法およびcmosイメージセンサーの製造方法 |
WO2012176390A1 (ja) | 2011-06-23 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
CN103946982B (zh) | 2011-11-22 | 2017-08-08 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
US20150162367A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Himax Imaging, Inc. | Semiconductor structure for suppressing hot cluster and method of forming semiconductor for suppressing hot cluster |
JP2016092178A (ja) | 2014-11-04 | 2016-05-23 | 株式会社リコー | 固体撮像素子 |
JP6396775B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-09-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP2017045879A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2017054932A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
CN107710414B (zh) * | 2016-04-25 | 2023-06-20 | 索尼公司 | 固态成像元件及其制造方法和电子设备 |
JP7121468B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2022-08-18 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 |
JP2020088293A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、移動体 |
JP2019114797A (ja) * | 2019-02-20 | 2019-07-11 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP6682674B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-04-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
CN111952398A (zh) * | 2019-05-17 | 2020-11-17 | 清华大学 | 一种平衡探测器及其制备方法 |
JP7176483B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2022-11-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の評価方法および評価用半導体基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4484210A (en) * | 1980-09-05 | 1984-11-20 | Nippon Electric Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a reduced image lag |
EP0738010A2 (en) * | 1995-04-13 | 1996-10-16 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
JPH10308507A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置応用システム |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07107928B2 (ja) * | 1986-03-25 | 1995-11-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH01248658A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPH0316263A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH04286361A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPH05145056A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
KR930017195A (ko) * | 1992-01-23 | 1993-08-30 | 오가 노리오 | 고체촬상소자 및 그 제법 |
JPH06275809A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH07161958A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
US5736756A (en) * | 1994-09-29 | 1998-04-07 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device with lght shielding film |
KR100192954B1 (ko) * | 1996-07-18 | 1999-06-15 | 김광호 | 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
JPH1098176A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-14 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
GB2324651B (en) * | 1997-04-25 | 1999-09-01 | Vlsi Vision Ltd | Improved solid state image sensor |
JPH11274462A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
US6215165B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-04-10 | Intel Corporation | Reduced leakage trench isolation |
US6287886B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-09-11 | United Microelectronics Corp. | Method of forming a CMOS image sensor |
-
1999
- 1999-10-13 JP JP29136399A patent/JP4604296B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-07 US US09/499,449 patent/US6423993B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 DE DE60034389T patent/DE60034389T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 EP EP00102659A patent/EP1028470B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-09 KR KR1020000005914A patent/KR100733532B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-03-06 US US09/799,995 patent/US6417023B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4484210A (en) * | 1980-09-05 | 1984-11-20 | Nippon Electric Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a reduced image lag |
EP0738010A2 (en) * | 1995-04-13 | 1996-10-16 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
JPH10308507A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-11-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置応用システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4604296B2 (ja) | 2011-01-05 |
US6417023B2 (en) | 2002-07-09 |
JP2000299453A (ja) | 2000-10-24 |
EP1028470B1 (en) | 2007-04-18 |
KR20000057977A (ko) | 2000-09-25 |
US20010015435A1 (en) | 2001-08-23 |
DE60034389D1 (de) | 2007-05-31 |
EP1028470A2 (en) | 2000-08-16 |
EP1028470A3 (en) | 2004-06-30 |
US6423993B1 (en) | 2002-07-23 |
DE60034389T2 (de) | 2008-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100733532B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
US11476286B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
US10825849B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
KR100758321B1 (ko) | 포토다이오드 영역을 매립한 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US6545302B2 (en) | Image sensor capable of decreasing leakage current between diodes and method for fabricating the same | |
US6472699B1 (en) | Photoelectric transducer and manufacturing method of the same | |
JP4775486B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
KR20050079436A (ko) | 화소간 신호왜곡을 개선한 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130614 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140616 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150612 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160613 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170609 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180619 Year of fee payment: 12 |