JP2017045879A - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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- 半導体層に電荷蓄積領域を有する画素と、転送ゲートと、画素分離領域とを備え、
前記電荷蓄積領域の周縁部のうち、転送ゲートに面する周縁部を除く周縁部に設けられ、前記電荷蓄積領域に含まれる不純物の導電型と同一導電型の不純物を前記電荷蓄積領域の中央部よりも高濃度に含む高濃度領域
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記転送ゲートは、
前記半導体層における前記電荷蓄積領域に隣接する領域上に設けられ、
前記電荷蓄積領域は、
前記半導体層内に設けられる第1導電型の半導体領域と、
前記第1導電型の半導体領域の側面のうち、前記転送ゲートに面する側の側面を除く側面を囲んで前記画素分離領域との間に設けられる前記高濃度領域と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素分離領域は、
前記高濃度領域と接する領域に第2導電型の不純物を含む
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記高濃度領域は、
不純物濃度が前記電荷蓄積領域の中央部における不純物濃度の1.2倍以上である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の固体撮像装置。 - 半導体層に第1導電型の不純物をドープして第1導電型の半導体領域を形成することと、
前記第1導電型の半導体領域の周縁部のうち、転送ゲートが形成される側の周縁部を除く周縁部に、第1導電型の不純物をさらにドープして、前記第1導電型の半導体領域よりも第1導電型の不純物濃度が高い高濃度領域を形成することと、
前記半導体層の表層における前記第1導電型の半導体領域および前記高濃度領域の直上に第2導電型の不純物をドープして第2導電型の半導体領域を形成することと、
前記半導体層における前記第2導電型の半導体領域に隣接する領域上に転送ゲートを形成することと
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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JPS6318665A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2000012830A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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