KR100682172B1 - 다중층 전극을 가진 적층 세라믹 및 그 제조방법 - Google Patents
다중층 전극을 가진 적층 세라믹 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100682172B1 KR100682172B1 KR1020000007504A KR20000007504A KR100682172B1 KR 100682172 B1 KR100682172 B1 KR 100682172B1 KR 1020000007504 A KR1020000007504 A KR 1020000007504A KR 20000007504 A KR20000007504 A KR 20000007504A KR 100682172 B1 KR100682172 B1 KR 100682172B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic body
- ceramic
- electrically conductive
- layers
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/08—Non-oxidic interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/366—Aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
- C04B2237/592—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is not continuous, e.g. not the whole surface of the smallest substrate is covered by the interlayer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
- H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 세라믹 바디 및 전극을 포함하는 장치로서,세라믹 바디 및 상기 세라믹 바디에 내장되며 평행하게 이격된 다수의 전극을 포함하는 전극 - 상기 평행하게 이격된 다수의 전극은 적어도 하나의 전력인가 전극 및 상기 적어도 하나의 전력인가 전극 위에 배치된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함함 -; 및상기 세라믹 바디의 내부로 일부가 연장되며 상기 전력인가 전극과 전기적으로 접속되는 전기적 커넥터를 포함하는, 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 바디는 소결된 다수의 세라믹층을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 소결된 세라믹 층은 소결된 알루미늄 질화물인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전극들은 평행하게 이격된 다수의 경화된 전기적 전도성 물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 경화된 전기적 전도성 물질은 경화된 텅스텐 합금인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기적 커넥터는 상기 다수의 전극 중 적어도 2개의 전극과 교차하고, 이들과 기계적 및 전기적으로 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기적 커넥터는 상기 적어도 하나의 플로팅 전극과 용량성으로 전기적 결합되는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 평행하게 이격된 다수의 전극 내에서 최상부 전극은 상기 전기적 커넥터와 교차하며 상기 전기적 커넥터와 결합되는 상기 전극들 중 적어도 하나의 전극에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기적 커넥터와 교차하며 상기 전기적 커넥터와 결합되는 상기 하나의 전극은, 상기 평행하게 이격된 다수의 전극 내에서 최하부 전극이고, 상기 최하부 전극은 상기 평행하게 이격된 다수의 전극 내에서 최상부 전극과 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 포함하는 장치.
- 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법으로서,다수의 세라믹 물질층을 제공하는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 증착하는 단계;상기 세라믹 바디를 형성하기 위해 상기 다수의 세라믹 물질층을 소결하는 단계, 및 상기 소결 단계 도중 상기 증착된 전기적 전도성 물질층을 경화시킴으로써 상기 증착된 전기적 전도성 물질층으로부터 평행하게 이격된 다수의 전극을 형성하는 단계 - 상기 평행하게 이격된 다수의 전극은 적어도 하나의 전력인가 전극 및 상기 적어도 하나의 전력인가 전극 위에 배치된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함함 - ;상기 세라믹 바디 내부로 수직으로 일부가 연장되는 보어를 형성하는 단계;상기 보어 속에 전기적 전도성 연결 부재를 삽입하는 단계; 및상기 전기적 전도성 연결 부재를 상기 증착된 물질의 경화된층 중 적어도 하나와 기계적 및 전기적으로 상호 연결시키는 단계를 포함하는, 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 증착하는 단계는 상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 실크 스크린하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 증착하는 단계는 상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 층 위에 티타늄, 티타늄 질화물, 또는 텅스텐과 같은 금속을 포함하는 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전도성 페이스트 물질층을 실크 스크린하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 소결하는 단계는 다수의 알루미늄 질화물층을 질소 분위기에서 약 2000℃에서 소결하여 상기 세라믹 바디를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 전기적 연결 부재를 상기 경화된 증착 물질층 중 적어도 하나의 층과 기계적 및 전기적으로 상호 연결시키는 단계는, 상기 전기적 연결 부재를 상기 경화된 증착 물질층 중 적어도 하나의 층에 솔더링하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 전기적 연결 부재를 상기 경화된 증착 물질층 중 적어도 하나의 층과 기계적 및 전기적으로 상호 연결시키는 단계는, 상기 전기적 연결 부재를 상기 경화된 증착 물질층 중 적어도 하나의 층에 브레이징하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법으로서,다수의 세라믹 물질층을 제공하는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 증착하는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층 중 적어도 하나를 통해 수직으로 연장되며 상기 다수의 전기적 전도성 물질층 중 적어도 하나와 교차하는, 적어도 하나의 보어를 형성하는 단계;상기 보어를 전기적 전도성 페이스트로 충진하는 단계; 및상기 세라믹 바디를 형성하기 위해 상기 다수의 세라믹 물질층을 소결하는 단계, 및 상기 전기적 전도성 페이스트가 경화된 전기적 전도성 증착 물질층 중 적어도 하나의 층과 기계적 및 전기적으로 상호 연결되도록, 상기 소결 단계 도중 상기 증착된 전기적 전도성 물질층을 경화시킴으로써 상기 증착된 전기적 전도성 물질층으로부터 평행하게 이격된 다수의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 평행하게 이격된 다수의 전극은 적어도 하나의 전력인가 전극 및 상기 적어도 하나의 전력인가 전극 위에 배치된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는, 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 증착하는 단계는 상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 하나의 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 실크 스크린하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 전도성 페이스트는 티타늄, 티타늄 질화물, 또는 텅스텐과 같은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 소결하는 단계는 상기 세라믹 바디를 형성하기 위해 다수의 알루미늄 질화물층을 질소 분위기에서 약 2000℃에서 소결하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법으로서,다수의 세라믹 물질층과 다수의 전기적 전도성 물질층을 제공하는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층 중 적어도 하나의 층과 상기 전기적 전도성 물질층들 중 적어도 하나의 층을 관통하는 보어를 형성하는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층의 보어를 상기 다수의 전기적 전도성 물질층의 보어와 정렬시키는 단계;상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 증착하는 단계;상기 보어를 전기적 전도성 페이스트로 충진시키는 단계; 및상기 세라믹 바디를 형성하기 위해 상기 다수의 세라믹 물질층을 소결하는 단계, 및 상기 전기적 전도성 페이스트가 경화된 전기적 전도성 증착 물질층 중 적어도 하나의 층과 기계적 및 전기적으로 상호 연결되도록, 상기 소결하는 단계 도중 상기 증착된 전기적 전도성 물질층을 경화시킴으로써 상기 증착된 전기적 전도성 물질층으로부터 평행하게 이격된 다수의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 평행하게 이격된 다수의 전극은 적어도 하나의 전력인가 전극 및 상기 적어도 하나의 전력인가 전극 위에 배치된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는, 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 증착하는 단계는 상기 다수의 세라믹 물질층 중에서 선택된 하나의 층 위에 정렬되고 평행하게 이격된 다수의 전기적 전도성 물질층을 실크 스크린하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 전도성 페이스트는 티타늄, 티타늄 질화물, 또는 텅스텐과 같은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 소결하는 단계는 상기 세라믹 바디를 형성하기 위해 다수의 알루미늄 질화물층을 질소 분위기에서 약 2000℃에서 소결하는 단계인 것을 특징으로 하는 세라믹 바디와 전극을 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/251,697 | 1999-02-17 | ||
US9/251,697 | 1999-02-17 | ||
US09/251,697 US6303879B1 (en) | 1997-04-01 | 1999-02-17 | Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000062564A KR20000062564A (ko) | 2000-10-25 |
KR100682172B1 true KR100682172B1 (ko) | 2007-02-12 |
Family
ID=22953036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000007504A KR100682172B1 (ko) | 1999-02-17 | 2000-02-17 | 다중층 전극을 가진 적층 세라믹 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6303879B1 (ko) |
EP (1) | EP1030364A3 (ko) |
JP (2) | JP5004376B2 (ko) |
KR (1) | KR100682172B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038949A2 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | (주)아이엠텍 | 격리 저항을 구비하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조 방법 |
KR101541051B1 (ko) * | 2014-03-24 | 2015-07-31 | (주)보부하이테크 | 다층 전극 구조를 갖는 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다층 전극 구조를 갖는 정전척 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6189209B1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing via resistance in small high aspect ratio holes filled using aluminum extrusion |
US6632512B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-10-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate |
US6723274B1 (en) | 1999-12-09 | 2004-04-20 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High-purity low-resistivity electrostatic chucks |
US6603650B1 (en) | 1999-12-09 | 2003-08-05 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Electrostatic chuck susceptor and method for fabrication |
CN1409871A (zh) | 1999-12-09 | 2003-04-09 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 采用平面薄膜电极的静电吸盘 |
US6593535B2 (en) * | 2001-06-26 | 2003-07-15 | Teradyne, Inc. | Direct inner layer interconnect for a high speed printed circuit board |
DE10205450A1 (de) * | 2002-02-08 | 2003-08-28 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsträger und Herstellung desselben |
KR100497953B1 (ko) * | 2002-08-05 | 2005-06-29 | 한국화학연구원 | 전도성 세라믹 전극 및 이를 포함하는 정전척 |
DE102004041049A1 (de) * | 2004-07-02 | 2006-01-26 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung mbH | Mobiler, elektrostatischer Substrathalter und Verfahren zur Herstellung des Substrathalters |
US20060118332A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Litton Systems, Inc. | Multilayered circuit board for high-speed, differential signals |
JP5072289B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-11-14 | 京セラ株式会社 | 気密端子 |
JP2008108703A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Covalent Materials Corp | 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置 |
JP2008153543A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック |
KR101398634B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2014-05-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조체 및 이를 채택하는 전자 소자 |
US8378495B2 (en) * | 2009-08-10 | 2013-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit (IC) having TSVS with dielectric crack suppression structures |
JP2011082450A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びこれを備える情報処理システム |
JP5348439B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-11-20 | Toto株式会社 | 静電チャック |
CN103050859B (zh) * | 2011-10-14 | 2015-05-13 | 利宝嘉电业(深圳)有限公司 | 音频信号插头自动化生产工艺及其设备 |
US9276504B2 (en) | 2012-03-07 | 2016-03-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Carrier device and ceramic member |
US9518326B2 (en) * | 2013-10-21 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming an electrostatic chuck using film printing technology |
US9101038B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-08-04 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping |
US9374910B2 (en) | 2013-12-31 | 2016-06-21 | International Business Machines Corporation | Printed circuit board copper plane repair |
US10002782B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough |
US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
KR102513443B1 (ko) * | 2016-03-15 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
TWI641078B (zh) * | 2016-05-31 | 2018-11-11 | 日商日本特殊陶業股份有限公司 | Laminated heating element |
US10892179B2 (en) * | 2016-11-08 | 2021-01-12 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including clamp electrode assembly forming portion of Faraday cage for RF delivery and associated methods |
US11289355B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
US20180374736A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic carrier for die bonding applications |
WO2020195636A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | ウエハ載置構造体、ウエハ載置装置及び基体構造体 |
JP7213953B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-01-27 | 京セラ株式会社 | 基体構造体及びウエハ載置装置 |
JP2022143488A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び基板固定装置 |
JP2022148714A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
WO2022255118A1 (ja) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び基板支持器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0869553A2 (en) * | 1997-04-01 | 1998-10-07 | Applied Materials, Inc. | Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3346689A (en) | 1965-01-29 | 1967-10-10 | Philco Ford Corp | Multilayer circuit board suing epoxy cards and silver epoxy connectors |
US4095866A (en) | 1977-05-19 | 1978-06-20 | Ncr Corporation | High density printed circuit board and edge connector assembly |
US4456786A (en) * | 1979-11-19 | 1984-06-26 | James C. Kyle | Terminal assembly for heart pacemaker |
FR2567684B1 (fr) | 1984-07-10 | 1988-11-04 | Nec Corp | Module ayant un substrat ceramique multicouche et un circuit multicouche sur ce substrat et procede pour sa fabrication |
JPH0760849B2 (ja) | 1986-06-05 | 1995-06-28 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック板 |
JPS63193844U (ko) * | 1987-05-30 | 1988-12-14 | ||
JPH01171229A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2610487B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | セラミック積層回路基板 |
JPH0797705B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1995-10-18 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板 |
JP2838810B2 (ja) * | 1990-07-16 | 1998-12-16 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
JPH03163849A (ja) | 1990-11-07 | 1991-07-15 | Toshiba Mach Co Ltd | 静電チャック |
US5155652A (en) | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
US5191506A (en) | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
JP3079699B2 (ja) * | 1991-11-08 | 2000-08-21 | 石川島播磨重工業株式会社 | アークヒータにおけるガス注入方法及びアークヒータ |
JP2960276B2 (ja) * | 1992-07-30 | 1999-10-06 | 株式会社東芝 | 多層配線基板、この基板を用いた半導体装置及び多層配線基板の製造方法 |
JPH06148687A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-27 | Casio Comput Co Ltd | 液晶駆動装置 |
US5450290A (en) | 1993-02-01 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Printed circuit board with aligned connections and method of making same |
JP3170101B2 (ja) * | 1993-04-15 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0731349U (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 発熱体 |
JP3134674B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2001-02-13 | 三菱電機株式会社 | ガス絶縁電気機器の電圧検出装置 |
JP2573809B2 (ja) * | 1994-09-29 | 1997-01-22 | 九州日本電気株式会社 | 電子部品内蔵のマルチチップモジュール |
US5886863A (en) * | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
JPH09213455A (ja) * | 1996-02-05 | 1997-08-15 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置の給電構造 |
US5656093A (en) | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
JPH1091099A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-02-17 US US09/251,697 patent/US6303879B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-15 EP EP00301157A patent/EP1030364A3/en not_active Withdrawn
- 2000-02-17 KR KR1020000007504A patent/KR100682172B1/ko active IP Right Grant
- 2000-02-17 JP JP2000104115A patent/JP5004376B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-04-06 JP JP2012087521A patent/JP5475824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0869553A2 (en) * | 1997-04-01 | 1998-10-07 | Applied Materials, Inc. | Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010038949A2 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | (주)아이엠텍 | 격리 저항을 구비하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조 방법 |
WO2010038949A3 (ko) * | 2008-09-30 | 2010-07-15 | (주)아이엠텍 | 격리 저항을 구비하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조 방법 |
KR101541051B1 (ko) * | 2014-03-24 | 2015-07-31 | (주)보부하이테크 | 다층 전극 구조를 갖는 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다층 전극 구조를 갖는 정전척 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5004376B2 (ja) | 2012-08-22 |
JP2001007190A (ja) | 2001-01-12 |
US6303879B1 (en) | 2001-10-16 |
KR20000062564A (ko) | 2000-10-25 |
EP1030364A3 (en) | 2003-09-03 |
JP5475824B2 (ja) | 2014-04-16 |
EP1030364A2 (en) | 2000-08-23 |
JP2012142615A (ja) | 2012-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100682172B1 (ko) | 다중층 전극을 가진 적층 세라믹 및 그 제조방법 | |
JP4354545B2 (ja) | セラミック体のための導電性フィードスルー及びその製造方法 | |
US6768079B2 (en) | Susceptor with built-in plasma generation electrode and manufacturing method therefor | |
KR100779551B1 (ko) | 웨이퍼 지지 부재 및 이것을 이용한 반도체 제조장치 | |
US7364624B2 (en) | Wafer handling apparatus and method of manufacturing thereof | |
US9779975B2 (en) | Electrostatic carrier for thin substrate handling | |
US10886157B2 (en) | Wafer holding unit | |
JP6804878B2 (ja) | 加熱部材及び静電チャック | |
JP2002512448A (ja) | セラミックと金属の一体焼結による静電チャック | |
US20110221145A1 (en) | Electrostatic chuck | |
JPH09213455A (ja) | ウエハ保持装置の給電構造 | |
JP4858319B2 (ja) | ウェハ保持体の電極接続構造 | |
KR101397133B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
KR101541051B1 (ko) | 다층 전극 구조를 갖는 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다층 전극 구조를 갖는 정전척 | |
JP2019075585A (ja) | ウェハ保持体 | |
JP2003086663A (ja) | 被処理物保持体、処理装置および半導体製造装置用セラミックスサセプタ | |
JP7512279B2 (ja) | 多重ヒータアレイを備えた静電チャックのための長寿命かつ拡張温度範囲の埋め込みダイオード設計 | |
KR20180016946A (ko) | 기판 고정 장치 및 그 제조방법 | |
JP2001345372A (ja) | ウエハ支持部材及びその製造方法 | |
JP2004259805A (ja) | 静電チャック | |
TWI843772B (zh) | 用於具有多工加熱器陣列之靜電卡盤的長壽命延伸溫度範圍嵌入式二極體設計 | |
JP2019040939A (ja) | ウエハ載置台 | |
KR101397132B1 (ko) | 정전척의 제조방법 | |
JPH11220011A (ja) | 端子構造 | |
JP2024526585A (ja) | 圧電基板に原子種を注入する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130130 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140129 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150129 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161229 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190207 Year of fee payment: 13 |