TWI641078B - Laminated heating element - Google Patents

Abstract

提供一種可抑制供電路徑的發熱之積層發熱體。

一種積層發熱體，其係具備有：陶瓷基板(3)、電極(4)、加熱器(5、7)、端子(11、13、15、17)和供電路徑(19)之積層發熱體(1)，其特徵為：構成供電路徑的通路，係至少存在一個滿足以下的條件(1)及(2)之通路α、β、γ、及δ的組合；其中，條件(1)：當將陶瓷基板從表面(3a)側朝背面(3b)側觀看時，通路δ係位在與通路β重疊的位置或其附近。條件(2)：當將陶瓷基板從表面側朝背面側觀看時，通路γ的位置係位在通路α與通路δ之間的位置，或者與通路α重疊的位置或其附近。

Description

積層發熱體

本發明係關於積層發熱體。

以往，例如在半導體製造裝置中，為了將半導體晶圓(例如矽晶圓)固定以進行乾式蝕刻等加工，或將半導體晶圓吸附固定以矯正翹曲，或將半導體晶圓吸附以進行搬送等，係使用靜電夾頭。

在半導體製造裝置的乾式蝕刻裝置使用有靜電夾頭之情況下，當被靜電夾頭所固定之半導體晶圓的溫度依場所而產生偏差不均時，蝕刻的加工精度就會變差。因此，為了提高半導體晶圓的加工精度，必須使半導體晶圓的溫度均一。因此，期望在靜電夾頭的內部具備加熱器，藉由該加熱器將半導體晶圓均一地加熱。

內設有加熱器的靜電夾頭係具備從安裝於其背面側的一端之端子供電至加熱器之供電路徑，該供電路徑具有複數個導電層和複數個通路(through via)交互積層而成的構造。在供電路徑中，鄰接於加熱器的導電層，其 發熱量會變大，因該導電層發熱的關係，會造成靜電夾頭表面的溫度變得不均一，其結果，使得半導體晶圓的溫度變得不均一。

於是，有提議一種在與加熱器鄰接的導電層附近將供電路徑分成複數層，並降低各層的電流密度，藉此來抑制發熱之方法(參照專利文獻1)。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1 特開2014-75525號公報

在專利文獻1所記載的技術中，會有無法充分地抑制供電路徑的發熱之情況。本發明係鑑於以上的問題點而完成者，其目的在提供一種可解決上述的課題之積層發熱體。

本發明之積層發熱體係具備有：陶瓷基板，係具有表面及背面，且在前述表面支持被處理物；電極，係設置於前述陶瓷基板，用以吸附前述被處理物；加熱器，係設置於前述陶瓷基板，用以加熱前述被處理物；端子， 係安裝在前述陶瓷基板之前述背面側的一端；和供電路徑，係從前述端子供電至前述加熱器；該積層發熱體的特徵為：前述供電路徑係由設置於前述陶瓷基板內的複數個導電層及複數個通路組合而成；前述複數個通路係包含以下所定義之通路α、通路β、通路γ及通路δ；至少存在一個滿足以下的條件(1)及(2)之通路α、通路β、通路γ及通路δ的組合。

通路α：將前述加熱器與前述導電層之一的導電層X加以連接之通路。

通路β及通路γ：將前述導電層之一的導電層Y與前述導電層X加以連接之通路。

通路δ：將前述導電層之一的導電層Z或前述端子、與前述導電層Y加以連接之通路。

條件(1)：當將前述陶瓷基板從前述表面側朝前述背面側觀看時，前述通路δ係位在與前述通路β重疊的位置或其附近。

條件(2)：當將前述陶瓷基板從前述表面側朝前述背面側觀看時，前述通路γ的位置係位在前述通路α與前述通路δ之間的位置，或者與前述通路α重疊的位置或其附近。

在本發明之積層發熱體中，至少一個組合之通路β、δ的位置關係是滿足前述條件(1)。因此，從導電層Y的通路δ至通路β之部分的電阻會變低。藉此，可抑制導電層Y的發熱。

又，在本發明之積層發熱體中，於供電路徑，並列設置有通過通路β之路徑、和通過通路γ之路徑。且，由於至少一個組合之通路α、γ、δ的位置關係是滿足前述條件(2)，故電流不僅會充分流通於通過通路β之路徑，也會充分流經通過通路γ的路徑。其結果，可抑制流通於通過通路β的路徑之電流，而可抑制其路徑的發熱。

1‧‧‧靜電夾頭

3‧‧‧陶瓷基板

3a‧‧‧表面

3b‧‧‧背面

4‧‧‧吸附電極

5‧‧‧內部加熱器

5a、5aI、5aO、5b‧‧‧端部

7‧‧‧外部加熱器

7a、7b‧‧‧端部

9、11、13、15、17‧‧‧端子

19‧‧‧供電路徑

21、23、27、29‧‧‧連接部

25、31‧‧‧區域

L‧‧‧直線

X1、X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3、Y4‧‧‧導電層

圖1係表示靜電夾頭1的構成之側剖面圖。

圖2係表示靜電夾頭1的構成之上面圖。

圖3係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖4係表示從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時的位置關係之說明圖。

圖5係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖6係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖7係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖8係表示靜電夾頭1之通路αI、αO、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖9係表示靜電夾頭1之通路αI、αO、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖10係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖11係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖12係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖13係表示從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時的位置關係之說明圖。

圖14係表示從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時的位置關係之說明圖。

圖15係表示靜電夾頭1之通路α、β、γ、δ附近的構成之剖面圖。

圖16係表示通路α、β、γ、δ的其他形態之剖面圖。

[用以實施發明的形態]

說明本發明之實施形態。

<第1實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

依據圖1~圖4，說明積層發熱體的一實施形態之靜電夾頭1的構成。靜電夾頭1具備：圓盤狀陶瓷基板3；和設置於其內部之吸附電極4、內部加熱器5、外部加熱器7、及導電層X1、X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3、Y4。又，靜電夾頭1具備端子9、11、13、15、17。

陶瓷基板3係將陶瓷和有機成分所構成的層(生胚片)予以積層-燒製而成的圓盤狀構件。陶瓷基板3具有表面3a和背面3b。表面3a係將作為被處理物的半導體晶圓(例如矽晶圓)予以吸附且支持的面。以下，設從表面3a朝向背面3b的方向為厚度方向。又，設表面3a側為上側，設背面3b側為下側。構成陶瓷基板3的生胚片(green sheet)係積層於厚度方向。

吸附電極4係由W、Mo、Pt等所構成的金屬化層(metallized layer)。吸附電極4係以在靠近陶瓷基板3之表面3a的位置，與表面3a平行的方式設置。吸附電極4係藉由供電路徑19與端子9連接。吸附電極4係用以將被處理物吸附於表面3a之電極。

內部加熱器5係用於加熱被處理物之加熱器。內部加熱器5係由W、Mo、Pt等所構成的金屬化層，且係位在比吸附電極4靠下側之螺旋型加熱器。如圖2所示，從上方(從陶瓷基板3的厚度方向)觀看時，內部加熱器5的中心係與陶瓷基板3的中心一致，內部加熱器5係擴 展到陶瓷基板3的中間圓周。內部加熱器5之內周側的端部5a位於導電層X1上，外周側的端部5b位於導電層X2上。

外部加熱器7係用於加熱被處理物之加熱器。外部加熱器7係由W、Mo、Pt等所構成的金屬化層，且係在內部加熱器5同一平面上位於比內部加熱器5靠外側之螺旋狀加熱器。如圖2所示，由上方觀看時，外部加熱器7的中心係與陶瓷基板3的中心一致，外部加熱器7係擴展於內部加熱器5的最外周、與陶瓷基板3的外周端之間。外部加熱器7之內周側的端部7a位於導電層X3上，外周側的端部7b位於導電層X4上。

導電層X1、X2、X3、X4係分別在比內部加熱器5及外部加熱器7靠下側處，與該等加熱器鄰接之由W、Mo、Pt等所構成的金屬化層。導電層X1、X2、X3、X4係分別具有將圓分成4等分之形狀，由上方觀看時，配置成如圖2所示。

導電層X1與端部5a係如圖1、圖3所示那樣藉由通路α連接。通路α係在形成於構成陶瓷基板3之陶瓷的層的貫通孔中，填充有以W、Mo、Pt等為主成分的敷金屬而成者。後述之通路β、γ、δ亦同樣。

此外，導電層X2與端部5b之間、導電層X3與端部7a之間、導電層X4與端部7b之間，亦同樣藉由通路α連接。此外，以下，為了區別通路α，有時亦將連接於導電層Xi之通路α稱為通路αi(i=1~4)。

導電層Y1、Y2、Y3、Y4係分別在比導電層X1、X2、X3、X4靠下側處，與導電層X1、X2、X3、X4鄰接之由W、Mo、Pt等所構成的金屬化層。導電層Y1、Y2、Y3、Y4係分別具有與導電層X1、X2、X3、X4相同的形狀，從上方觀看時，係配置成如圖2所示。在此，導電層Y1位於導電層X1的下側，導電層Y2位於導電層X2的下側，導電層Y3位於導電層X3的下側，導電層Y4位於導電層X4的下側。

導電層X1與導電層Y1係如圖1及圖3所示那樣藉由通路β、γ連接。

又，導電層X2與導電層Y2之間、導電層X3與導電層Y3之間、及導電層X4與導電層Y4之間，亦同樣藉由通路β、γ連接。此外，以下，為了區別通路β、γ，有時亦將連接導電層Xi與導電層Yi之間的通路β、γ稱為通路βi、γi(i=1~4)。

端子9係設置在陶瓷基板3之背面3b側的一端之由導電性材料所構成的棒狀端子。如上所述，端子9係藉由供電路徑19與吸附電極4電性連接。供電路徑19係由導電層和通路所構成之周知構造的供電路徑。

端子11、13、15、17係設置在陶瓷基板3之背面3b側的一端之由導電性材料所構成的棒狀端子，由上方觀看時，係如圖2所示的配置般設置在端子9的周圍。

如圖3所示，端子11係藉由通路δ與導電層Y1連接。同樣地，端子13、15、17亦藉由通路δ分別與導電層Y2、Y3、Y4連接。此外，以下，為了區別通路δ，有時亦將與導電層Yi連接的通路δ稱為通路δi(i=1~4)

在具有上述構成的靜電夾頭1中，關於內部加熱器5，係形成有如下的電流路徑：端子11→通路δ1→導電層Y1→通路β1、γ1→導電層X1→通路α1→內部加熱器5→通路α2→導電層X2→通路β2、γ2→導電層Y2→通路δ2→端子13。

又，關於外部加熱器7，係形成有如下的電流路徑：端子15→通路δ3→導電層Y3→通路β3、γ3→導電層X3→通路α3→外部加熱器7→通路α4→導電層X4→通路β4、γ4→導電層Y4→通路δ4→端子17。

此外，上述之「端子11→通路δ1→導電層Y1→通路β1、γ1→導電層X1→通路α1→內部加熱器5」、「內部加熱器5→通路α2→導電層X2→通路β2、γ2→導電層Y2→通路δ2→端子13」、「端子15→通路δ3→導電層 Y3→通路β3、γ3→導電層X3→通路α3→外部加熱器7」、以及「外部加熱器7→通路α4→導電層X4→通路β4、γ4→導電層Y4→通路δ4→端子17」係分別為供電路徑的一實施形態。

由陶瓷基板3的厚度方向觀看構成各供電路徑的通路α、β、γ、δ時，通路α、β、γ、δ的位置關係如圖4所示。圖4係將通路α、β、γ、δ的位置投影在與陶瓷基板3的厚度方向正交的面(例如導電層X1、Y1的面)上之圖。

通路δ係在通路β的附近。在此，通路δ在通路β的附近是指：在上述正交的面中，通路δ至通路β的距離D是在通路δ之最大直徑rmax的20倍以內。距離D是從通路β的最外周部至通路δ的最外周部為止之最短距離。

在有複數個通路δ的情況下，只要有至少一個通路δ在通路β的附近即可，其他通路δ亦可不在任一通路β的附近。又，在有複數個通路β的情況下，通路δ只要在至少一個通路β的附近即可，亦可不在其他通路β的附近。

又，如圖4所示，通路γ係位在通路α與通路δ之間。通路γ亦可位在連結通路α與通路δ的直線L上，亦可位在偏離該直線L之處。

因此，當從陶瓷基板3的厚度方向觀看構成各供電路徑的通路α、β、γ、δ時，通路α、β、γ、δ的位置關滿足以下的條件(1)、(2)。

條件(1)：將陶瓷基板3從表面3a側朝背面3b側觀看時，通路δ係位在與通路β重疊的位置或其附近。

條件(2)：將陶瓷基板3從表面3a側朝背面3b側觀看時，通路γ的位置係位在通路α與通路δ之間、或者位在與通路α重疊處或其附近。

2.靜電夾頭1之製造方法

靜電夾頭1係可藉由以下之(i)~(viii)的步驟製造。

(i)作成以陶瓷、燒結助劑、有機黏合劑等作為原料之周知組成的生胚片(陶瓷的層)。

(ii)將生胚片切斷成所期望的尺寸。

(iii)在生胚片中，在之後會形成通路的部分將貫通孔穿孔。

(iv)在貫通孔中，填充以W、Mo、Pt等為主成分之敷金屬，而形成通路。

(v)使用網版印刷的方式，在生胚片塗布以W、Mo、Pt等為主成分之敷金屬，而形成吸附電極4、內部加熱器5、外部加熱器7、導電層X1、X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3、Y4等。

(vi)在生胚片，藉由鑽孔加工，形成安裝端子9、11、13、15、17的孔等。又，將生胚片的外徑因應靜電夾頭1的形狀作整理。

(vii)將陶瓷生胚片彼此積層壓接，而製造陶瓷基板3。

(viii)將所獲得的積層體脫脂-燒成，安裝端子9、11、13、15、17，而完成靜電夾頭1。

3.靜電夾頭1的作用效果

(1A)在靜電夾頭1中，通路β、δ的位置關係滿足前述條件(1)。因此，從導電層Y1、Y2、Y3、Y4的通路δ至通路β之部分的電阻變低。藉此，可抑制導電層Y1、Y2、Y3、Y4的發熱。

(1B)在靜電夾頭1中，於供電路徑，並列設置有通過通路β之路徑、和通過通路γ之路徑。且，由於通路α、γ、δ的位置關係是滿足前述條件(2)，故電流不僅會充分流經通過通路β之路徑，也會充分流經通過通路γ的路徑。其結果，可抑制流經通過通路β的路徑之電流，而可抑制其路徑的發熱。

4.通路α、β、γ、δ的位置關係之確認方法

靜電夾頭1中之通路α、β、γ、δ的位置關係可以下述方式確認。

(i)首先，使用穿透X線，特定通路α、β、γ、δ的大概位置。

(ii)接著，從表面3a側對靜電夾頭1進行研磨。每一次研磨的深度係設為比通路α、β、γ、δ之軸向的長度充分小的值。

(iii)在研磨後的表面中，觀察前述(i)所特定之位置的周圍，尋找通路α、β、γ、δ。

之後，交替地重複進行前述(ii)和(iii)，特定通路α、β、γ、δ的詳細位置關係。後述的第2~第11實施形態中，亦可以同樣方式特定通路α、β、γ、δ之位置關係。

<第2實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態之靜電夾頭1的構成，基本上與前述第1實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖5所示，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路δ係位在與通路β重疊的位置。本實施形態中，構成各供電路徑之通路α、β、γ、δ的位置關係亦滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1除了具有前述第1實施形態的效果(1A)、(1B)外，還具有以下的效果。

(2A)在靜電夾頭1中，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路δ係位在與通路β重疊的位置。因此，從導電層Y1、Y2、Y3、Y4的通路δ至通路β之部分的電阻會進一步降低。藉此，可進一步降低在導電層Y1、Y2、Y3、Y4的發熱。

<第3實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第2實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖6所示，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路γ係位在與通路α重疊的位置。本實施形態中，構成各供電路徑之通路α、β、γ、δ的位置關係滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1係具有與前述第2實施形態的效果(1A)、(1B)、(2A)同樣之效果。

<第4實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第2實施形態相同。

以下，主要說明相異點。

如圖7所示，靜電夾頭1具有複數個通路γ。即便選擇複數個通路γ中的任一者，該所選擇的通路γ與通路α、β、δ的位置關係仍是滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1，除了具有前述第2實施形態的效果(1A)、(1B)、(2A)外，還具有以下的效果。

(4A)靜電夾頭1具備複數個滿足前述條件(1)、(2)的通路γ。因此，可進一步分散流通於供電路徑的電流，而可進一步抑制發熱。

<第5實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第2實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

靜電夾頭1係並列具備有兩個內部加熱器5，如圖8所示，其中一個內部加熱器5的端部5aI及另一個內部加熱器5的端部5aO，係分別藉由通路α連接於導電層X1。以下，將連接於端部5aI的通路α設為通路αI，將連接於端部5aO的通路α設為通路αO。

從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路αI、β、γ、δ的位置關係，係與前述第2實施形態之通路α、β、γ、δ的位置關係同樣。又，通路αO、β、γ、δ的位置關係亦與前述第2實施形態之通路α、β、γ、δ的位置關係同樣。

因此，通路αI、β、γ、δ的組合及通路αO、β、γ、δ的組合，係分別滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1，係具有與前述第2實施形態的效果(1A)、(1B)、(2A)同樣之效果。

<第6實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第5實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖9所示，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路γ的位置不在通路αI和通路δ之間。亦即，通路αI、β、γ、δ的組合未滿足前述條件(2)。

另一方面，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路αO、β、γ、δ的位置關係，係與前述第2實施形態之通路α、β、γ、δ的位置關係同樣。因此，通路αO、β、γ、δ的組合滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1，係具有與前述第2實施形態之效果(1A)、(1B)、(2A)同樣的效果。

<第7實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第2實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖10所示，導電層X1係包含與通路β連接的連接部21、及與通路γ連接的連接部23，且具有膜厚比周圍大的區域25。區域25係在導電層X1上從連接部21連續至連接部23為止。亦即，區域25係與通路β連接的區域，且係膜厚比周圍大的區域。

又，導電層Y1係包含與通路δ連接的連接部27、及與通路γ連接的連接部29，且具有膜厚比周圍大的區域31。區域31係在導電層Y1上從連接部27連續至連接部29為止。亦即，區域31係與通路δ連接的區域，且係膜厚比周圍大的區域。

從厚度方向觀看陶瓷基板3時之區域25、31的形狀係可適當地設定，可設成例如帶形、圓形、橢圓形、矩形、梯形、三角形等。導電層X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3、Y4亦具有與導電層X1同樣的構成。

區域25係可以如下方式形成。形成陶瓷基板3時，在會成為導電層X1的下側之生胚片的上面，塗布與導電層X1的整個區域對應之敷金屬(metallize)。又，在會成為導電層X1的上側之生胚片的下面，塗布與導電層X1的區域25對應之敷金屬。藉由將會成為導電層X1的下側之生胚片、和會成為導電層X1的上側之生胚片相互重疊，而形成區域25的膜厚比周圍還厚的導電層X1。又，區域31亦可以同樣方式形成。

此外，區域25係如圖10所示般，亦可為導電層X1的上面比周圍還隆起一段，亦可為導電層X1的下面比周圍還隆起一段，亦可為導電層X1的上面及下面兩者皆比周圍還隆起一段。關於區域31，亦同樣。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1除了具有前述第2實施形態的效果(1A)、(1B)、(2A)外，還具有以下的效果。

(7A)導電層X1係與通路β連接的區域，且具有膜厚比周圍大的區域25。因此，可進一步抑制從通路β導入導電層X1的電流所導致的發熱。

又，導電層Y1係與通路δ連接的區域，且具有膜厚比周圍大的區域31。因此，可進一步抑制從通路δ導入導電層Y1的電流所導致的發熱。

(7B)區域25係連續至與通路γ連接的連接部23為止。因此，抑制導電層X1的發熱之效果更為顯著。又，區域31係連續至與通路γ連接的連接部29為止。因此，抑制導電層Y1的發熱之效果更為顯著。

<第8實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第7實施形態同樣。以下，主要說明相異點。

如圖11所示，導電層X1的區域25雖包含與通路β連接的連接部21，但是未到達通路γ。又，導電層Y1的區域31雖包含與通路δ連接的連接部27，但是未到達通路γ。導電層X2、X3、X4、Y1、Y2、Y3、Y4亦具有與導電層X1同樣的構成。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1係具有與前述第7實施形態的效果(1A)、(1B)、(2A)、(7A)同樣之效果。

<第9實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第1實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖12所示，連接端部5a和導電層X1的通路α係存在有複數個。又，連接導電層X1和導電層Y1的通路β、γ亦存在有複數個。再者，連接導電層Y1和端子11的通路δ亦存在有複數個。

從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時，通路α、β、γ、δ的位置關係會成為如圖13所示者。

複數個通路δ中的至少一個，係在一部分或全部的通路β附近。因此，通路β、δ係滿足前述條件(1)。又，從複數個通路α、γ、δ選擇的至少一組通路α、γ、δ係滿足前述條件(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1除了具有前述第1實施形態的效果(1A)、(1B)外，還具有以下的效果。

(9A)靜電夾頭1由於分別具有複數個通路α、β、γ、δ，所以可進一步分散電流的路徑，而可進一步抑制在導電層X1、Y1的發熱。

<第10實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第1實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時，通路α、β、γ、δ的位置關係會成為如圖14所示者。圖14係將通路α、β、γ、δ的位置投影在與陶瓷基板3的厚度方向正交之面(例如，導電層X1、Y1的面)上之圖。

在圖14中，通路γ雖不在通過通路α及通路δ的直線L上，但通路γ在直線L的方向之位置係在通路α和通路δ之間的位置。

又，從通路α經由通路γ到通路δ之路徑的長度L₁(連結通路α和通路γ之線段的長度L1a、與連結通路γ和通路δ之線段的長度L1b的和)，係在從通路α直接到通路δ之直線路徑的長度L₂的1.3倍以內。長度L₁係以在長度L₂的1.2倍以內較佳，在1.1倍內更佳。通路β、δ的位置關係與前述第1實施形態同樣。

因此，從陶瓷基板3的厚度方向觀看通路α、β、γ、δ時，通路α、β、γ、δ的位置關係滿足前述條件(1)、(2)。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1係具有與前述第1實施形態的效果(1A)、(1B)同樣之效果。

<第11實施形態> 1.靜電夾頭1的構成

本實施形態的靜電夾頭1的構成，基本上與前述第1實施形態同樣。

以下，主要說明相異點。

如圖15所示，通孔δ係在端子11側將與導電層Y1鄰接的導電層Z1、和導電層Y1加以連接。同樣地，在導電層Y2、Y3、Y4，通孔δ係與導電層Z2、Z3、Z4連接。

2.靜電夾頭1的作用效果

本實施形態的靜電夾頭1係具有與前述第1實施形態的效果(1A)、(1B)同樣的效果。

此外，本發明一點都不受限於前述實施形態，在不脫離本發明的要旨之範圍內，當然可以各種態樣來實施。

(1)在前述第1~第11實施形態中，導電層X1、X2、X3、X4亦可不是與內部加熱器5及外部加熱器7鄰接的導電層。例如，在導電層X1、X2、X3、X4、與內部加熱器5及外部加熱器7之間，亦可存在有其他的導電層、或構成通路α的導電墊(後述)。

又，在前述第1~第11實施形態中，導電層Y1、Y2、Y3、Y4亦可不是與導電層X1、X2、X3、X4鄰接的導電層。例如，在導電層Y1、Y2、Y3、Y4、與導電層X1、X2、X3、X4之間，亦可存在有其他的導電層、或構成通路β、γ的導電墊。

又，在前述第1~第10實施形態中，導電層Y1、Y2、Y3、Y4亦可不是與端子11、13、15、17鄰接的導電層。例如，在導電層Y1、Y2、Y3、Y4、與端子11、13、15、17之間，亦可存在有其他的導電層、或構成通路δ的導電墊。

又，在前述第11實施形態中，導電層Y1、Y2、Y3、Y4亦可不是與導電層Z1、Z2、Z3、Z4鄰接的導電層。例如，在導電層Y1、Y2、Y3、Y4、與導電層Z1、Z2、Z3、Z4之間，亦可存在有其他的導電層、或構成通路δ的導電墊。

(2)在前述第1~第11實施形態中，如圖16所示，通路α亦可為串聯有通路α_h、導電墊α_m、和通路α_X而成者。通路α_h係連接加熱器與導電墊α_m的通路。導電墊α_m為導電層的1種，可以與導電層X、Y同樣的方式形成。通路α_X係連接導電墊α_m與導電層X之通路。通路α_h與通路α_X在與厚度方向正交之方向的位置係彼此偏離。

同樣地，通路β亦可為串聯有通路β_X、導電墊β_m、和通路β_Y而成者。通路β_X係連接導電層X與導電墊β_m之通路。導電墊β_m係與導電層α_m同樣。通路β_Y係連接導電墊β_m與導電層Y之通路。

同樣地，通路γ亦可為串聯有通路γ_X、導電墊γ_m、和通路γ_Y而成者。通路γ_X係連接導電層X與導電墊γ_m之通路。導電墊γ_m係與導電層α_m同樣。通路γ_Y係連接導電墊γ_m與導電層Y之通路。

同樣地，通路δ亦可為串聯有通路δ_Y、導電墊δ_m、和通路δ_Z而成者。通路δ_Y係連接導電層Y與導電墊δ_m之通路。導電墊δ_m係與導電層α_m同樣。通路δ_Z係將導電墊δ_m與導電層Z或端子加以連接之通路。

在通路β、δ為前述構成的情況下，“通路δ係在通路β的附近”意指：通路β_Y與通路δ_Y係處在上述之附近的位置關係。

(3)在前述第1~第11實施形態中，從厚度方向觀看陶瓷基板3時，通路γ的位置亦可為通路α的附近。在此，“附近”的意思，係與通路β、δ的附近同樣的意思。亦即，通路γ的位置為通路α的附近意指：從通路γ至通路α為止的距離是在通路γ之最大直徑的20倍以內。在此，從通路γ至通路α為止的距離是指，從通路γ的最外周部至通路α的最外周部為止的最短距離。

(4)亦可將第1~第11實施形態之構成的一部分或全部加以適當地組合。

(5)亦可製造與第1~第11實施形態基本上具有同樣構成的陶瓷加熱器。此陶瓷加熱器係可設為將吸附電極4、端子9及供電路徑19自第1~11實施形態的靜電夾頭1去除者。

(6)靜電夾頭1亦可具備單一加熱器，來取代具備內部加熱器5及外部加熱器7。此外，亦可具備三個以上的加熱器。

Claims (6)

1. 一種積層發熱體，其係具備有：陶瓷基板，係具有表面及背面，且在前述表面支持被處理物；電極，係設置於前述陶瓷基板，用以吸附前述被處理物；加熱器，係設置於前述陶瓷基板，用以加熱前述被處理物；端子，係安裝於前述陶瓷基板之前述背面側的一端；和供電路徑，係從前述端子供電至前述加熱器；該積層發熱體的特徵為：前述供電路徑係由設置於前述陶瓷基板內的複數個導電層及複數個通路組合而成；前述複數個通路係包含以下所定義之通路α、通路β、通路γ及通路δ；至少存在一個滿足以下的條件(1)及(2)之通路α、通路β、通路γ及通路δ的組合；其中，通路α：將前述加熱器與前述導電層之一的導電層X加以連接之通路；通路β及通路γ：將前述導電層之一的導電層Y與前述導電層X加以連接之通路；通路δ：將前述導電層之一的導電層Z或前述端子、與前述導電層Y加以連接之通路；條件(1)：當將前述陶瓷基板從前述表面側朝前述背面側觀看時，前述通路δ係位在與前述通路β重疊的位置或其附近。條件(2)：當將前述陶瓷基板從前述表面側朝前述背面側觀看時，前述通路γ的位置係位在前述通路α與前述通路δ之間的位置，或者與前述通路α重疊的位置或其附近。
2. 如請求項1之積層發熱體，其中前述通路δ的附近是指：從前述通路δ至任一前述通路β為止的距離，係在會成為前述通路δ之最大直徑的20倍以內的長度之範圍。
3. 如請求項1之積層發熱體，其中將前述通路α、前述通路γ及前述通路δ的位置投影在與從前述表面側朝向前述背面側的方向正交的面上時，從前述通路α經由前述通路γ到前述通路δ之路徑的長度L₁，係在從前述通路α直接到前述通路δ之路徑的長度L₂的1.3倍以內。
4. 如請求項1至3項中任一項之積層發熱體，其中前述導電層X係與前述通路β連接的區域，且具有膜厚比周圍還厚的區域。
5. 如請求項1至3項中任一項之積層發熱體，其中前述導電層Y係與前述通路δ連接的區域，且具有膜厚比周圍還厚的區域。
6. 如請求項4之積層發熱體，其中前述導電層Y係與前述通路δ連接的區域，且具有膜厚比周圍還厚的區域。