JPWO2015114748A1 - 電力用半導体装置 - Google Patents

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Abstract

ドリフト領域（１）は第１の導電型を有する。ウエル領域は、少なくとも部分的にインタフェースエリア（ＡＲ２）に含まれ、インタフェースエリア（ＡＲ２）とエッジターミネーションエリア（ＡＲ３）との間に端部を有し、第２の導電型を有する。延長領域（９ｊ）は、ウエル領域から外側へ延び、ウエル領域よりも浅く、第２の導電型を有する。フィールドリミッティングリング（９ｇ）は、エッジターミネーションエリア（ＡＲ３）において延長領域（９ｊ）の外側に設けられる。フィールドリミッティングリング（９ｇ）のそれぞれは、内側に位置するドリフト領域（１）と共に単位構造（ＵＳ１〜ＵＳ６）を構成している。フィールドリミッティングリング（９ｇ）はより外側のものほど単位構造（ＵＳ１〜ＵＳ６）の幅に対してより小さい割合の幅を有する。単位構造（ＵＳ１〜ＵＳ６）はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。

Description

本発明は、電力用半導体装置に関するものである。
特開２０１２−２３１０１１号公報（特許文献１）によれば、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)において、トランジスタ領域とその周囲に配置された終端領域との間に抜き取り領域が配置されている。抜き取り領域において、ｎ-型ドリフト層上にｐ型層が設けられている。ｐ型層はエミッタ電極に接続されている。ｐ型層上に絶縁膜を介してダミーゲート電極が設けられている。ダミーゲート電極はゲート電極に接続されている。抜き取り領域と終端領域との境界、すなわちｐ型層の外端は、ＩＧＢＴのターンオフ動作時に電流密度が増加しやすく、その結果、熱破壊が生じ得る。この現象により、ターンオフ動作時の電流遮断能力が制限を受ける。
上記公報の記載によれば、終端領域に格子欠陥が導入される。これにより、終端領域に存在するキャリアが消滅し易くなるため、ＩＧＢＴのターンオフ動作時に抜き取り領域のキャリア濃度が下がる。従って、ｐ型層からコレクタ側への空乏化が促進され、電界強度が低下する。この結果、ＩＧＢＴのターンオフ動作時の電流遮断能力が向上する。一方、格子欠陥は抜き取り領域には導入されない。これは、オン電圧が上がることを避けることを意図したものである。以上のように、上記公報の技術は、ＩＧＢＴのオン電圧への悪影響なく、ターンオフ動作時の遮断能力を向上させることを意図している。
特開２０１２−２３１０１１号公報
上記技術によって、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を、ある程度確保することができる。しかしながら両者の間のトレードオフ関係はＩＧＢＴにおいて依然として改善が求められているものであり、さらなる技術が求められている。また類似の課題が他の電力用半導体装置においても存在しており、たとえばダイオードにおいて、低いオン電圧と、リカバリー動作時の高い遮断能力との間のトレードオフ関係の改善が求められている。加えて、上記のような基本性能を保障しながら半導体装置の製造コストを低減することが、強く求められている。もし性能を犠牲にすることなく半導体装置のチップサイズを小さくすることができれば、１枚のウエハから作製することができるチップの数が増えるので、製造コストを低減することができる。
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、小さいチップサイズと高い遮断能力との両方を有する電力用半導体装置を提供することである。
本発明の電力用半導体装置は、アクティブエリアと、アクティブエリアの外周に設けられたインタフェースエリアと、インタフェースエリアの外周に設けられたエッジターミネーションエリアと、を含むものである。電力用半導体装置は、半導体基板と、第１の電極と、第２の電極とを有する。半導体基板は、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有し、第１および第２の面の各々はアクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨っている。半導体基板は、第１の導電型のドリフト領域と、第１の導電型と異なる第２の導電型のウエル領域と、第２の導電型の延長領域と、第２の導電型の複数のフィールドリミッティングリングとを含む。ドリフト領域は、アクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨って設けられている。ウエル領域は、第１の面に設けられ、少なくとも部分的にインタフェースエリアに含まれ、第１の面においてインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとの間に端部を有する。延長領域は、第１の面においてウエル領域から外側へ延び、ウエル領域よりも浅い。フィールドリミッティングリングは、エッジターミネーションエリアにおいて延長領域の外側で第１の面に設けられている。第１の面上においてフィールドリミッティングリングの各々の内側にはドリフト領域が位置し、フィールドリミッティングリングのそれぞれは、内側に位置するドリフト領域と共に単位構造を構成している。フィールドリミッティングリングはより外側のものほど第１の面上において単位構造の幅に対してより小さい割合の幅を有する。単位構造はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。第１の電極は、アクティブエリアに設けられ、半導体基板の第１の面に接する。第２の電極は半導体基板の第２の面に接する。
本発明の一の局面に従う電力用半導体装置によれば、エッジターミネーションエリアに設けられるフィールドリミッティングリングによって構成される単位構造は、より外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。この構成により、より小さいエッジターミネーションエリアで、電界強度を十分に抑えることができる。よって、アクティブエリアの面積を大きく犠牲にすることなく、電力用半導体装置のチップサイズを小さくすることができる。その上、インタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとの境界での局所的な温度上昇を抑制し得る。すなわち、小さいチップサイズと高い静的およびダイナミックな遮断能力との両方を有することができる。
本発明の目的、特徴および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
本発明の実施の形態１における電力用半導体装置としてのＩＧＢＴの構造Ｂを概略的に示す平面図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う概略部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｂ、構造Ｂ）。 図２における半導体基板の第２の面の構成を概略的に示す平面図である。 比較例のＩＧＢＴの構造Ａを図２と同様の視野で示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ａ、構造Ａ）。 本発明の実施の形態１における電力用半導体装置としてのＩＧＢＴの構造Ｃを図２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｃ、構造Ｃ）。 本発明の実施の形態１における電力用半導体装置としてのＩＧＢＴの構造Ｄを図２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｄ、構造Ｄ）。 ＩＧＢＴのターンオフ動作のシミュレーションに用いた回路図である。 図７の回路を用いたシミュレーションによって得られたターンオフ波形を示すグラフ図である。 比較例の構造Ａ（破線）および実施例の構造Ｃ（実線）中の線Ｄ−Ｄ´におけるデバイス上面Ｓ１の温度分布を示すグラフ図である。 図９のピーク温度Ｔmaxとバラスト抵抗領域幅（ＬEEBR）との関係を示すグラフ図である。 構造Ａを有する比較例（破線）と、構造Ｄを有する実施例（実線）とにおける、コレクタ・エミッタ電圧ＶCEおよびコレクタ電流ＩCの各々のターンオフ波形を示すグラフ図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔON（図１１）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔpeak（図１１）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔON（図１１）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔpeak（図１１）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 比較例としての構造Ａのｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 実施例としての構造Ｄのｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す分布図である。 構造Ｄにおけるｐコレクタ層の割合λと、諸電気特性、すなわち、飽和電流密度ＪC(sat)、オン電圧ＶCE(sat)、ターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)および短絡時の最大遮断エネルギＥSCとの関係の例を示すグラフ図である。 比較例としての構造Ａ（破線）および実施例としての構造Ｄ（実線）における、コレクタのドーズ量とターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)との関係を示すグラフ図である。 比較例としての構造Ａ（破線）および実施例としての構造Ｄ（実線）のＲＢＳＯＡ(Reverse Bias Safe Operating Area)を示すグラフ図である。 他の比較例としてのプレーナ型ＩＧＢＴの構成を、線ＩＩ−ＩＩ（図１）に対応する断面で示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｚ）。 実施例としての構造Ｄ（実線）、比較例としての構造Ａ（破線）、および他の比較例としてのプレーナ型ＩＧＢＴ（一点鎖線）における、オン電圧ＶCE(sat)とターンオフ損失ＥOFFとの間のトレードオフ特性を示すグラフ図である。 変形例の構造Ｅを図２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｅ、構造Ｅ）。 変形例の構造Ｆを概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｆ、構造Ｆ）。 本発明の実施の形態２における電力用半導体装置としてのＩＧＢＴの構造Ｇを概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｇ、構造Ｇ）。 図２７の領域ＸＸＶＩＩＩをより詳細に示す部分断面図である。 図２８のフィールドリミッティングリングによる疑似的ウエルの構成を概略的に示す部分断面図である。 構造Ａを有する比較例（破線）と、構造Ｇを有する実施例（実線）とにおける、コレクタ・エミッタ電圧ＶCEおよびコレクタ電流密度ＪCの各々のターンオフ波形のシミュレーション結果を示すグラフ図である。 構造Ａを有する比較例（破線）と、構造Ｇを有する実施例（実線）とにおける、デバイス内部のピーク温度のシミュレーション結果を示すグラフ図である。 構造Ａを有する比較例と、構造Ｇを有する実施例とにおける、デバイス内部の温度のシミュレーション結果を示す分布図である。 構造Ａを有する比較例と、構造Ｇを有する実施例とにおける、デバイス内部のインパクトイオン化率のシミュレーション結果を示す分布図である。 構造Ａを有する比較例における、位置Ｘと、基板の上面での電界強度Ｅedgeとの関係を、動的状態（実線）および静的状態（破線）の各々について示すグラフ図である。 構造Ｇを有する実施例における、位置Ｘと、基板の上面での電界強度Ｅedgeとの関係を、動的状態（実線）および静的状態（破線）の各々について示すグラフ図である。 構造Ａ（図４）を有する比較例（破線）と、構造Ｇ（図２７）を有する実施例（実線）とにおける、線Ｆ−Ｆ´に沿う位置Ｘedgeと、静的状態での電界強度Ｅとの関係を示すグラフ図である。 構造Ａを有する比較例と、構造Ｇを有する実施例とにおける、耐圧クラスＶclassとエッジターミネーションエリアの必要幅Ｗedgeとの関係を示すグラフ図である。 図２８の変形例の構造Ｈを概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｈ、構造Ｈ）。 図２８の変形例の構造Ｉを概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｉ、構造Ｉ）。 図２８の変形例の構造Ｉを概略的に示す部分断面図である（ＩＧＢＴ９００Ｊ、構造Ｊ）。 本発明の実施の形態３における電力用半導体装置としてのダイオードの構成を概略的に示す部分断面図である（ダイオード８００Ａ）。 比較例のダイオードの構成を示す部分断面図である（ダイオード８００Ｚ）。 実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、リカバリー動作時の電圧ＶAKおよび電流密度ＪAの波形と、デバイス内部のピーク温度Ｔとを示すグラフ図である。 実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、時刻ｔｄ（図３９）での、線Ｇ−Ｇ´（図３７および図３８）に沿う位置Ｘと、電流密度ＪAとの関係を示すグラフ図である。 実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、時刻ｔｄ（図３９）での、線Ｇ−Ｇ´（図３７および図３８）に沿う位置Ｘと、デバイス上面Ｓ１の温度Ｔとの関係を示すグラフ図である。 図３７の幅ＬABRおよびＷp0と、時刻ｔｄ（図３９）でのデバイス内部の温度との関係を示す分布図である。 図３７の幅ＬABRおよびＷp0と、時刻ｔｄ（図３９）でのデバイス内部の電流密度との関係を示す分布図である。 図４２Ａの各破線領域の拡大図である。 アクティブエリアの面積Ｓactive cellに対するバラスト抵抗領域の面積Ｓabrの割合γと、リカバリー動作時の最大遮断電流密度ＪA(break)およびデバイス内部最大温度Ｔmaxとの関係を示すグラフ図である。 アクティブエリアの面積Ｓactive cellおよびバラスト抵抗領域の面積Ｓabrについて説明する平面図である。 本発明の実施の形態４における電力用半導体装置としてのダイオードの構成を概略的に示す部分断面図である（ダイオード８００Ｂ）。 図４５Ａの変形例の構成を示す部分断面図である（ダイオード８００Ｃ）。 図４５Ａの変形例の構成を示す部分断面図である（ダイオード８００Ｄ）。 図４５Ａの変形例の構成を示す部分断面図である（ダイオード８００Ｅ）。 実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、リカバリー動作時の電圧ＶAKおよび電流密度ＪAの波形のシミュレーション結果を示すグラフ図である。 実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、リカバリー動作時のデバイス内部のピーク温度Ｔのシミュレーション結果を示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ5（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ6（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ5（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ6（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ2（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ3（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ5（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５）における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ6（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示すグラフ図である。 比較例（三角形の点で表記）および実施例（円形の点で表記）におけるリカバリー安全動作領域を説明するグラフ図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
＜実施の形態１＞
（ＩＧＢＴ９００Ｂについて）
図１を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｂ（電力用半導体装置）は、アクティブエリアＡＲ１と、アクティブエリアＡＲ１の外周に設けられたインタフェースエリアＡＲ２と、インタフェースエリアＡＲ２の外周に設けられたエッジターミネーションエリアＡＲ３とを含むものである。アクティブエリアＡＲ１は、電力用半導体装置の基本的な機能を担う部分であり、本実施の形態においてはＩＧＢＴの基本的な機能を担う部分である。エッジターミネーションエリアＡＲ３は、電力用半導体装置の静的状態における耐圧特性の向上、安定化および信頼性向上と、動的状態における破壊耐量の確保のための部分である。インタフェースエリアＡＲ２は、アクティブエリアＡＲ１およびエッジターミネーションエリアＡＲ３とを互いに接合する部分であり、動的状態における破壊耐量の確保のために特に重要な部分である。
ＩＧＢＴ９００ＢのアクティブエリアＡＲ１は、エミッタ電位のエミッタ電極１３ａと、ゲート電位のゲートパッド２９と、ゲートパッド２９から延びるゲート配線部２８と、を有する。
図２を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｂが有する構造（構造Ｂと称する）について説明する。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う断面構造を示す。ＩＧＢＴ９００Ｂは、基板ＳＢ（半導体基板）と、エミッタ電極１３ａ（第１の電極）と、ゲート接続電極１３ｂと、電極１３ｃおよび１３ｄと、コレクタ電極４（第２の電極）と、ゲート電極２２と、ゲート配線層２２ｗと、キャパシタ電極２３および３２と、トレンチ絶縁膜１０と、層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂと、パッシベーション膜１４および１５とを有する。本実施の形態においては基板ＳＢはシリコン（Ｓｉ）から作られている。基板ＳＢは上面Ｓ１（第１の面）および下面Ｓ２（第１の面と反対の第２の面）とを有する。上面Ｓ１および下面Ｓ２の各々はアクティブエリアＡＲ１とインタフェースエリアＡＲ２とエッジターミネーションエリアＡＲ３とに跨っている。基板ＳＢは、ｎ-ドリフト層１（ドリフト領域）と、ｎバッファ層２と、ｐコレクタ層３（コレクタ領域）と、ｎ+エミッタ層５と、ｐ+層６と、ｐベース層８と、ｎ層２４と、ｐガードリング９とを含む。
ｎ-ドリフト層１はアクティブエリアＡＲ１とインタフェースエリアＡＲ２とエッジターミネーションエリアＡＲ３とに跨って設けられている。ｎ-ドリフト層１は、ｎ型（第１の導電型）を有し、たとえば１×１０12〜１×1015ｃｍ-3程度の不純物濃度を有する。ｎ-ドリフト層１は、フローティングゾーン（ＦＺ）法で製造するＦＺウエハ、またはエピタキシャル法で製造するエピタキシャルウエハによって準備され得る。この場合、基板ＳＢのうちｎ-ドリフト層１以外の部分はイオン注入およびアニーリング技術によって形成され得る。
ｎ層２４はｎ-ドリフト層１およびｐベース層８の間に設けられている。ｎ層２４は、ｎ型を有し、ｎ-ドリフト層１の不純物濃度に比して高濃度でｐベース層８に比して低濃度な不純物ピーク濃度を有し、たとえば１×１０15〜１×１０17ｃｍ-3程度の不純物ピーク濃度を有する。ｎ層２４が達する基板ＳＢにおける上面Ｓ１からの深さ位置は、ｐベース層８より深く、たとえば０．５〜１．０μｍ程度深い。
ｎバッファ層２は、アクティブエリアＡＲ１においてｎ-ドリフト層１およびｐコレクタ層３の間に位置する部分を有し、また本実施の形態においてはインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３においてｎ-ドリフト層１およびコレクタ電極４の間に位置する部分を有する。ｎバッファ層２は、ｎ型を有し、かつｎ-ドリフト層１の不純物濃度に比して高い不純物濃度を有し、たとえば１×１０15〜１×１０17ｃｍ-3程度の不純物ピーク濃度を有する。ｎバッファ層２が達する基板ＳＢにおける下面Ｓ２からの深さ位置は、たとえば１．５〜５０μｍ程度である。
上述したｎ-ドリフト層１、ｎ層２４およびｎバッファ層２は、全体として、ｎ型を有する領域（第１の領域）を構成している。なおｎ層２４およびｎバッファ層２の一方または両方は省略されてもよい。
ｐベース層８（第２の領域）は、ｎ-ドリフト層１およびｎ層２４を有する領域（第１の領域）上に設けられており、本実施の形態においてはｎ層２４の直上に設けられている。ｐベース層８が達する基板ＳＢにおける上面Ｓ１からの深さ位置は、ｎ+エミッタ層５より深く、ｎ層２４より浅い。ｐベース層８は、ｐ型（第１の導電型と異なる第２の導電型）を有し、たとえば不純物ピーク濃度１×１０16〜１×１０18ｃｍ-3程度を有する。
ｎ+エミッタ層５（第３の領域）は、ｐベース層８上に設けられており、上面Ｓ１に配置されている。ｎ+エミッタ層５は、たとえば０．２〜１．０μｍ程度の深さを有する。ｎ+エミッタ層５は、ｎ型を有し、たとえば１×１０18〜１×１０21ｃｍ-3程度の不純物ピーク濃度を有する。
ｐ+層６は、ｐベース層８上に設けられており、上面Ｓ１に配置されている。ｐ+層６は、たとえば表面不純物濃度１×１０18〜１×１０21ｃｍ-3程度を有する。ｐ+層６が達する基板ＳＢにおける上面Ｓ１からの深さ位置は、ｎ+エミッタ層５と同じかまたはより深いことが好ましい。
ｐコレクタ層３は、アクティブエリアＡＲ１にのみ設けられ、下面Ｓ２を部分的に成している。ｐコレクタ層３は、ｐ型を有し、たとえば１×１０16〜１×１０20ｃｍ-3程度の表面不純物濃度を有する。ｐコレクタ層３の、基板ＳＢにおける下面Ｓ２からの深さは、たとえば０．３〜１．０μｍ程度である。
ｐガードリング９は、上面Ｓ１に設けられ、ｐ型を有する。ｐガードリング９は、ｐウエル領域９ａおよびｐエッジ領域９ｂを有する。ｐウエル領域９ａは、アクティブエリアＡＲ１において上面Ｓ１に設けられたｐ+層６を介してエミッタ電極１３ａに接続されている。ｐウエル領域９ａは、少なくとも部分的にインタフェースエリアＡＲ２に含まれ、上面Ｓ１においてインタフェースエリアＡＲ２とエッジターミネーションエリアＡＲ３との間に端部を有する。ｐウエル領域９ａにより、ＩＧＢＴ９００Ｂの遮断能力がより高められる。
ｐエッジ領域９ｂは、エッジターミネーションエリアＡＲ３に含まれており、インタフェースエリアＡＲ２から離れている。なお図２においてはｐエッジ領域９ｂは模式的に１つのみ示されているが、保持する電圧に応じて複数のｐエッジ領域９ｂを互いに離れて配置するような設計がなされる。
アクティブエリアＡＲ１において基板ＳＢの上面Ｓ１上にゲートトレンチＴＧおよびキャパシタトレンチＴＣが設けられている。ゲートトレンチＴＧの側壁は、ｎ-ドリフト層１およびｎ層２４（第１の領域）と、ｐベース層８と、ｎ+エミッタ層５と、の各々に面している。キャパシタトレンチＴＣの側壁は、本実施の形態においては、ｎ-ドリフト層１とｎ層２４とｐベース層８との各々に面している。またアクティブエリアＡＲ１において最も外側に位置するキャパシタトレンチＴＣは、ｐガードリング９のｐウエル領域９ａ内に達している。トレンチ絶縁膜１０は基板ＳＢのゲートトレンチＴＧおよびキャパシタトレンチＴＣを覆っている。
ゲート電極２２は、トレンチ絶縁膜１０を介してゲートトレンチＴＧに埋め込まれた部分を有し、トレンチ絶縁膜１０を介してｎ+エミッタ層５およびｎ層２４（第１の領域）の間のｐベース層８に対向している。キャパシタ電極２３は、トレンチ絶縁膜１０を介してキャパシタトレンチＴＣに埋め込まれた部分を有する。キャパシタ電極２３が設けられることで、ＩＧＢＴ９００Ｂの飽和電流密度が抑制され、かつ、ＩＧＢＴ９００Ｂの負荷が短絡された場合のゲート電圧の発振現象が抑制される。なおキャパシタトレンチＴＣおよびキャパシタ電極２３は省略されてもよい。
層間絶縁膜１２ａは基板ＳＢの上面Ｓ１上に設けられている。層間絶縁膜１２ａ上には、エミッタ電極１３ａと、ゲート接続電極１３ｂと、電極１３ｃおよび１３ｄとが設けられている。エミッタ電極１３ａは、アクティブエリアＡＲ１に設けられ、基板ＳＢの上面Ｓ１に接している。具体的には、エミッタ電極１３ａは、層間絶縁膜１２ａに設けられたコンタクトホールを介して、ｎ+エミッタ層５およびｐ+層６の各々に接している。ゲート接続電極１３ｂはコンタクトホールを介してゲート配線層２２ｗに接している。よってゲート接続電極１３ｂはゲート電極２２と短絡されておりゲート電位を有する。電極１３ｃはコンタクトホールを介してｐウエル領域９ａに接している。電極１３ｃはエミッタ電極１３ａと短絡されていてもよい。電極１３ｄは、フローティング電極であり、ＩＧＢＴ９００Ｂにおいてはコンタクトホールを介してｐエッジ領域９ｂに接している。
層間絶縁膜１２ｂは基板ＳＢの上面Ｓ１上に設けられている。層間絶縁膜１２ｂは基板ＳＢとゲート配線層２２ｗとを互いに絶縁している。層間絶縁膜１２ｂは、層間絶縁膜１２ａの一部と基板ＳＢとの間に位置する部分を有してもよい。
コレクタ電極４は基板ＳＢの下面Ｓ２に設けられている。コレクタ電極４はアクティブエリアＡＲ１においてｐコレクタ層３に接している。コレクタ電極４は、図２に示すように、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３において、ｎバッファ層２（より一般的には、前述した第１の領域）に接していてもよい。
エッジターミネーションエリアＡＲ３にはチャネルストップ構造ＣＳが設けられることが好ましい。本実施の形態においては、基板ＳＢの上面Ｓ１に、ｎ領域３４と、ｐ領域３８と、ｎ+領域３５とが順に形成されている。また上面Ｓ１に、これらの領域を貫通してｎ-ドリフト層１に至るチャネルストップトレンチＴＳが設けられている。チャネルストップトレンチＴＳ内には、トレンチ絶縁膜１０を介してチャネルストップ電極３２が設けられている。チャネルストップ電極３２上にフローティング電位の電極１３ｄが設けられてもよい。なお上述したチャネルストップ構造ＣＳの代わりに他の構造が用いられてもよく、たとえば単純にｎ+領域３５からなる構造が用いられてもよい。
図３を参照して、基板ＳＢの下面Ｓ２においてｐコレクタ層３が占める面積の割合をλとすると、λは５５％以上７０％以下であることが好ましい。つまり、５５≦１００×（Ｘp×Ｙp）／（Ｘn×Ｙn）≦７０が満たされることが好ましい。ここで、ＸnおよびＹnがＩＧＢＴ９００Ｂのチップサイズを示す。λ＜５５％となると、ＩＧＢＴのアクティブエリアＡＲ１のｐコレクタ層３からのホール注入が不十分となり、オン電圧（ＶCE(sat)）が上昇する。λ＞７０％となると、後述するようにＩＧＢＴのターンオフ動作時の局所的な温度上昇によるウィークスポット（図２の矢印ＷＳ）の電界強度がＩＧＢＴのオン状態からｐコレクタ層３からのキャリア注入が起こり、矢印ＷＳ部分にキャリアが存在することで緩和されず、遮断能力が低下する。以上より、λ値にはＩＧＢＴの性能バランスから、適切な領域が存在する。なお下面Ｓ２においてアクティブエリアＡＲ１およびインタフェースエリアＡＲ２が占める割合の合計は、７０％超であることが好ましく、たとえば７５％程度である。
（ＩＧＢＴ９００Ａについて）
図４を参照して、比較例のＩＧＢＴ９００Ａには、上記ＩＧＢＴ９００Ｂと異なり、アクティブエリアＡＲ１以外にもｐコレクタ層３が設けられている。具体的には、基板ＳＢの下面Ｓ２全体にｐコレクタ層３が設けられている。これら以外の構成は、上述したＩＧＢＴ９００Ｂとほぼ同様である。
ＩＧＢＴ９００Ａは、ターンオフ動作を繰り返すと、基板ＳＢの上面Ｓ１におけるアクティブエリアＡＲ１とインタフェースエリアＡＲ２との境界、すなわち矢印ＷＳ（図２）、の局所的温度上昇が特に生じやすい。この現象がＩＧＢＴ９００Ａの遮断能力を制限し得る。
（ＩＧＢＴ９００Ｂの作用効果について）
ＩＧＢＴ９００Ａと異なり、図２に示すＩＧＢＴ９００Ｂによれば、ｐコレクタ層３がエッジターミネーションエリアＡＲ３およびインタフェースエリアＡＲ２に設けられていない。これにより、ＩＧＢＴ９００Ｂの遮断動作において、矢印ＷＳでの温度上昇が抑制される。またアクティブエリアＡＲ１の構成についてはＩＧＢＴ９００Ａと同様であるため、オン電圧が上昇するような悪影響はない。以上から、ＩＧＢＴ９００Ｂは、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を有する。
（ＩＧＢＴ９００Ｃについて）
図５を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｃにおいては、ｐウエル領域９ａへの電極１３ｃのコンタクト（図４参照）が設けられていない。ｐウエル領域９ａは、上面Ｓ１においてエミッタ電極１３ａとｐウエル領域９ａの端部（図中、矢印ＷＳ）との間をｐ型の領域でつなぐ電気的経路を構成している。この電気的経路は、アクティブエリアＡＲ１およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の間でインタフェースエリアＡＲ２を横断しており、幅ＬEEBRを有する抵抗領域を有する。この抵抗領域はその全体が層間絶縁膜１２ｂに覆われている。詳しくは後述するが、幅ＬEEBRは、ＩＧＢＴの遮断動作時に抵抗領域の両端にて温度上昇を分担することで両端の一方での局所的な温度上昇を抑制するように定められている。ＩＧＢＴ９００Ａ（図４）では矢印ＷＳの箇所にて局所的な温度上昇が発生するところを、ＩＧＢＴ９００Ｃにおいては上記抵抗領域が設けられることで、抵抗領域の両端にて温度上昇が分担される。このような効果をバラスト抵抗と称し、また上記抵抗領域のことをバラスト抵抗領域とも称する。
なお上記以外の構成は、上述したＩＧＢＴ９００Ｂとほぼ同様である。
ＩＧＢＴ９００Ｃによれば、動作時に、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界の位置（図５の矢印ＷＳ）に対応するバラスト抵抗領域の一方端（図中、幅ＬEEBRの右端）の位置だけでなく、他方端（図中、幅ＬEEBRの左端）の位置においても局所的な昇温が生じる。これにより昇温が分散されるので、矢印ＷＳでの局所的な昇温を緩和することができる。ここで、アクティブエリアＡＲ１の構成についてはＩＧＢＴ９００Ａと同様であるため、オン電圧への悪影響はみられない。以上から、ＩＧＢＴ９００Ｃは、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を有する。
（ＩＧＢＴ９００Ｄについて）
図６を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｄは、上述したＩＧＢＴ９００Ｂおよび９００Ｃの各々の特徴を有している。具体的には、ＩＧＢＴ９００Ｂと同様に、ｐコレクタ層３がアクティブエリアＡＲ１にのみ設けられている。またＩＧＢＴ９００Ｃと同様に、幅ＬEEBRを有するバラスト抵抗領域が設けられている。これら以外の構成は、上述したＩＧＢＴ９００Ｂまたは９００Ｃとほぼ同様である。ＩＧＢＴ９００Ｄによれば、上述したＩＧＢＴ９００Ｂおよび９００Ｃの各々の作用によって、低いオン電圧と高い遮断能力との両方が得られる。
（ＩＧＢＴ９００Ｃの効果の検証）
図７は、４５００ＶクラスＩＧＢＴのターンオフ動作のシミュレーションに用いた回路図である。図８は、図７の回路を用いて得られたターンオフ波形、すなわち時間ｔとコレクタ・エミッタ電圧ＶCEとの関係を示す。図９は、比較例としてのＩＧＢＴ９００Ａ（破線）と、ＬEEBR＝２００μｍの実施例としてのＩＧＢＴ９００Ｃ（実線）の各々について、コレクタ電流密度ＪCが急激に低下する直前（図８の矢印に示す時点）での、線Ｄ−Ｄ´（図４および図５）に沿う座標Ｘにおける温度分布を示す。図１０は、デバイス内部のピーク温度ＴmaxとＬEEBRとの関係を示す。
上記シミュレーションの結果から、バラスト抵抗領域で電圧分担が行われることで、デバイス内部のピーク温度Ｔmaxを抑えられることができ、特にＬEEBRを１００μｍ以上とすることで、Ｔmaxを８００Ｋ以下とすることができた。以上のように、バラスト抵抗領域を設けることで、発熱による破壊を防止することができること、言い換えればＩＧＢＴの遮断能力が高められることがわかった。
（ＩＧＢＴ９００Ｂおよび９００Ｄの効果の検証）
図１１は、比較例としてのＩＧＢＴ９００Ａ（破線）と、実施例としてのＩＧＢＴ９００Ｄ（実線）との各々のターンオフ波形の例を示す。図１２Ａは、比較例のオン状態時（図１１のｔON）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を図４の視野で示す。図１２Ｂは、比較例のターンオフ中のコレクタ・エミッタ電圧ＶCEのピーク時（図１１の破線のｔpeak）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を図４の視野で示す。図１３Ａは、実施例のオン状態時（図１１のｔON）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を図６の視野で示す。図１３Ｂは、実施例のターンオフ中のコレクタ・エミッタ電圧ＶCEのピーク時（図１１の実線のｔpeak）における電流ポテンシャルおよびホール濃度を図４の視野で示す。図１４Ａおよび図１４Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す。図１５Ａおよび図１５Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す。図１６Ａおよび図１６Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部のキャリア濃度を示す。図１７Ａおよび図１７Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔON（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す。図１８Ａおよび図１８Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔpeak（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す。図１９Ａおよび図１９Ｂのそれぞれは、比較例および実施例のｔ＝ｔtail（図１１）におけるデバイス内部の電界強度を示す。
図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａおよび図１６Ｂから、実施例のＩＧＢＴ９００Ｄ（構造Ｄ）のキャリア濃度は、アクティブエリアＡＲ１においては比較例のＩＧＢＴ９００Ａと同程度であるものの、エッジターミネーションエリアＡＲ３においては低くなった。これはｐコレクタ層３からのホール注入がインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３では生じないためと考えられる。なおこの作用は、ＩＧＢＴ９００Ｄと同様のコレクタ構造を有するＩＧＢＴ９００Ｂ（構造Ｂ）においても同様と考えられる。
また上記作用から、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、ターンオフ動作中のインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３における電界緩和および空乏化が促進される。特に図１９Ａおよび図１９Ｂを参照して、上面Ｓ１におけるインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界での電界緩和は、遮断能力の向上に寄与する。
図２０を参照して、高い遮断能力と低いオン電圧との適切な均衡を取るには、基板ＳＢの下面Ｓ２においてｐコレクタ層３が有する面積の割合λが適切である必要がある。図中、λ＝１００％は、比較例のＩＧＢＴ９００Ａのコレクタ構造に対応する。図示された結果から、λは５５％以上７０％以下であることが好ましい。λ値を５５〜７０％とすることで、オン電圧ＶCE(sat)を上昇させる悪影響なく、高いターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)との両方を実現することができる。
なおグラフにおけるλ＝７５％の結果は、ｐコレクタ層３がアクティブエリアＡＲ１およびインタフェースエリアＡＲ２に設けられエッジターミネーションエリアＡＲ３には設けられない構造に対応している。λが７５％にまで増大すると、ターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)の顕著な低下が見られた。このことから、ｐコレクタ層３をインタフェースエリアＡＲ２に設けないことが、ＪC(break)を高める上で重要であることが分かった。
図２１は、比較例としてのＩＧＢＴ９００Ａ（破線）および実施例としてのＩＧＢＴ９００Ｄ（実線）における、ｐコレクタ層３の形成のためのイオン注入のドーズ量とターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)との関係の例を示す。図２２は、比較例（破線）および実施例（実線）のＲＢＳＯＡとして、電源電圧ＶCCと、飽和電流密度ＪC(sat)および最大パワー密度Ｐmaxとの間の関係を示す。図２２中の各線で囲まれる領域がリカバリー安全動作領域（Safe Operating Area：ＳＯＡ）といわれる領域である。ＩＧＢＴのターンオフ時の遮断能力には、ｐコレクタ層３からのホール注入効率が影響する。またｐコレクタ層３のドーズ量は、ＩＧＢＴにおけるオン電圧ＶCE(sat)とターンオフ損失ＥOFFとの間のトレードオフ特性を制御するパラメータである。このＶCE(sat)とＥOFFとのトレードオフ特性の制御のためにｐコレクタ層３のドーズ量が調整される場合であっても、図２１から、比較例（破線）よりも実施例（実線）の方が高いＪC(break)を確保することができ、かつＪc(break)に対するｐコレクタ層３のドーズ量依存性が小さく、優れたＩＧＢＴである。その上、図２２より、実施例はＲＢＳＯＡを拡大し、かつターンオフ時の遮断するパワー密度が向上し、優れた効果を示す。
下記の表１に、ＩＧＢＴ９００Ａ〜９００Ｄ（構造Ａ〜Ｄ）の構造上の特徴と、定格電流密度Ｊc(rated)を基準としたターンオフ時最大遮断電流密度ＪC(break)との関係をまとめる。
上記のように、構造Ａ（ＩＧＢＴ９００Ａ）に比して構造Ｂ〜Ｄ（ＩＧＢＴ９００Ｂ〜９００Ｄ）は、高いＪC(break)、すなわち高いターンオフ遮断能力を有し、特に構造Ｄ（ＩＧＢＴ９００Ｄ）は顕著に高い能力を有する。
図２３は、他の比較例としてのＩＧＢＴ９００Ｚの構成を示す。ＩＧＢＴ９００Ｚは、上述したＩＧＢＴ９００Ａ〜９００Ｄと異なり、プレーナ型のゲート電極１１を有する。図２４は、実施例としてのＩＧＢＴ９００Ｄ（実線）、比較例としてのＩＧＢＴ９００Ａ（破線）およびＩＧＢＴ９００Ｚ（一点鎖線）における、オン電圧ＶCE(sat)とターンオフ損失ＥOFFとの間のトレードオフ特性を示す。この結果から、ＩＧＢＴ９００Ｄは、図２１および表１で説明したように高いターンオフ遮断能力を有しつつ、オン電圧ＶCE(sat)およびターンオフ損失ＥOFF間のトレードオフ特性においても優れたものであることがわかる。
（ＩＧＢＴ９００Ｅおよび９００Ｆについて）
図２５を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｄ（図６）の変形例のＩＧＢＴ９００Ｅにおいては、ｎバッファ層２がアクティブエリアＡＲ１にのみ設けられており、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３には設けられていない。ｎバッファ層２のパターンはｐコレクタ層３のパターンと同じであってもよい。なおこのような構造がＩＧＢＴ９００Ｄに代わりＩＧＢＴ９００Ｂと組み合わされてもよい。
図２６を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｂ（図２）の変形例のＩＧＢＴ９００Ｆにおいては、アクティブエリアＡＲ１は、ＭＩＳ(Metal Semiconductor Semiconductor)構造セルが配置されたＭＩＳ構造部分（図中、左部および右部）と、ＭＩＳ構造セルが配置されていない非ＭＩＳ構造部分（図中、中央部）とを有する。図中、中央部は、アクティブエリアＡＲ１におけるゲート配線部２８およびゲートパッド２９（図１）が設けられた部分ＡＲ１ｇである。部分ＡＲ１ｇにはｐコレクタ層３が設けられておらず、この結果、下面Ｓ２でバッファ層２とコレクタ電極４とが接している。ＭＩＳ構造は典型的にはＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)構造である。このような構造も、ＩＧＢＴ９００Ｄによるものと同様の効果を示す。
＜実施の形態２＞
図２７を参照して、本実施の形態のＩＧＢＴ９００Ｇが有する構造（構造Ｇと称する）について説明する。
構造Ｇにおいて基板ＳＢは、ｎ-ドリフト層１と、ｎバッファ層２と、ｐコレクタ層３と、ｎ+エミッタ層５と、ｐ+層６と、ｐベース層８と、ｎ層２４と、ｐウエル領域９ａと、ｐ-延長領域９ｊと、複数のｐ-フィールドリミッティングリング９ｇとを含む。ｐウエル領域９ａはインタフェースエリアＡＲ２において層間絶縁膜１２ｂに覆われている。
ｐ-延長領域９ｊは、上面Ｓ１においてｐウエル領域９ａから外側（図中、右側）へ延び、ｐウエル領域９ａよりも浅い。ｐ-延長領域９ｊは、ｐ型を有し、ｐウエルに比して低いピーク不純物濃度および表面不純物濃度を有する。
さらに図２８を参照して、ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇはｐ型を有する。ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇは、エッジターミネーションエリアＡＲ３においてｐ-延長領域９ｊの外側に上面Ｓ１に設けられている。上面Ｓ１上においてｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの各々の内側にはｎ-ドリフト層１が位置し、ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇのそれぞれは、内側に位置するｎ-ドリフト層１と共に単位構造ＵＳ１〜ＵＳ６（総称してＵＳともいう）を構成している。また単位構造ＵＳの幅Ｗcellpitchは一定の値である。ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇはより外側（図中、右側）のものほど上面Ｓ１上において単位構造ＵＳの幅Ｗcellpitchに対してより小さい割合の、ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの幅Ｗp-を有する。単位構造ＵＳはより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。ここで単位構造ＵＳの平均ドーズ量とは、特定の単位構造ＵＳのｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの形成のために注入されたイオン数を、当該単位構造ＵＳが上面Ｓ１上において有する面積で除した数値である。言い換えれば、単位構造ＵＳの平均ドーズ量は、単位構造ＵＳの内部構造を無視した、より巨視的な観点でのドーズ量である。
図２８で例示した構造においては、基板ＳＢの上面Ｓ１上において単位構造ＵＳの各々は一定の幅Ｗcellpitchを有する。またｐ-フィールドリミッティングリング９ｇはより外側（図中、右側）のものほど上面Ｓ１上において小さい幅Ｗp-を有する。このような単位構造ＵＳを得るには、たとえば、フィールドリミッティングリング９ｇを形成するためのイオン注入工程において、外側のものほどより小さい幅を有する複数の開口が一定ピッチで設けられたイオン注入マスクを用いればよい。なお、イオン注入がより狭い幅でなされたフィールドリミッティングリング９ｇほど、活性化アニール後、すなわち拡散後、の最終的な深さは小さくなる。なお図２８ではｐ-フィールドリミッティングリング９ｇは個々に存在するように示しているが、不純物領域として当初形成されていた複数のｐ-フィールドリミッティングリング９ｇのうちの１／３〜１／２程度が活性化アニールに起因してｐ-延長領域９ｊとつながる。
好ましくは、幅Ｗp-は、外側に向かって単位構造ＵＳごとに一定寸法だけ減じている。この場合、幅Ｗcellpitch一定という条件下では、単位構造ＵＳの平均ドーズ量は、外側に向かって単位構造ＵＳごとに線形に変化する。単位構造ＵＳの内部構造を無視した、より巨視的な観点では、図２９に示すように、図中矢印方向に一定の濃度勾配で不純物濃度が減少するような疑似的ｐ-ウエル９ｐが設けられていることになる。この構成では、上面Ｓ１上において、ｐ-延長領域９ｊ（図２７）では不純部濃度がおおよそ一定であるのに対して、その外側に位置する疑似的ｐ-ウエル９ｐでは外側に向かって不純物濃度が線形に小さくなる。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１のＩＧＢＴ９００Ｄの構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によれば、エッジターミネーションエリアＡＲ３に設けられるｐ-フィールドリミッティングリング９ｇによって構成される単位構造ＵＳは、より外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。この構成により、上述したような平均ドーズ量の制御がなされていないものに比してより小さいエッジターミネーションエリアＡＲ３であっても、インタフェースエリアＡＲ２における電界強度を十分に抑えることができる。よって、アクティブエリアＡＲ１の面積を大きく犠牲にすることなく、アクティブエリアＡＲ１とインタフェースエリアＡＲ２との境界での温度上昇を抑制し得る。すなわち、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を有することができる。特に、単位構造ＵＳの各々が一定の幅Ｗcellpitchを有する場合、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を、より確実に得ることができる。
次に上述した作用効果の検証結果について、以下に説明する。
図３０Ａは、比較例（破線）としてのＩＧＢＴ９００Ａ（図４）と、実施例（実線）としてのＩＧＢＴ９００Ｇ（図２７）とにおける、コレクタ・エミッタ電圧ＶCEおよびコレクタ電流密度ＪCの各々のターンオフ波形のシミュレーション結果を示す。図３０Ｂは、これら比較例（破線）および実施例（実線）における、デバイス内部のピーク温度のシミュレーション結果を示すグラフ図である。図３０Ａおよび図３０Ｂにおける「×」はデバイスの破壊を意味する。図３０Ａの矢印で示す時点でのデバイス内部状態に関するより詳しいシミュレーション結果を図３１Ａおよび図３１Ｂに示す。図３１Ａは、比較例および実施例における、デバイス内部の温度を示す。図３１Ｂは、比較例および実施例におけるデバイス内部のインパクトイオン化率を示す。図３１Ａおよび図３１Ｂにおいて、矢印で示す破線部が、インタフェースエリアＡＲ２に対応している。このシミュレーション結果から、比較例に比して実施例の方がインタフェースエリアＡＲ２の局所的温度上昇が小さい。よって実施例の方が、ＩＧＢＴのターンオフ動作時のデバイス内部温度上昇が小さく、高い遮断能力を有すると考えられる。
図３２Ａは、比較例としてのＩＧＢＴ９００Ａ（図４）における、位置Ｘと、基板の上面での電界強度Ｅedgeとの関係を、動的状態（実線）および静的状態（破線）の各々について示す。図３２Ｂは、実施例としてのＩＧＢＴ９００Ｇ（図２７）における、位置Ｘと、基板の上面での電界強度Ｅedgeとの関係を、動的状態（実線）および静的状態（破線）の各々について示す。ここで静的状態の条件としては、コレクタ・エミッタ電圧ＶCES＝３６００Ｖ、ゲート電圧ＶG＝０Ｖ、温度Ｔ＝４２３Ｋを用いた。動的状態としては、図３０Ａにおいて矢印で示す状態を用いた。この結果から、ＩＧＢＴ９００Ａに比してＩＧＢＴ９００Ｇの方が、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界近傍において、電界強度Ｅedgeが、静的状態だけでなく動的状態においても小さくなる。このようにＩＧＢＴ９００ＧではＩＧＢＴ９００Ａより電界強度が抑制されることで、インパクトイオン化が抑制されることにより（図３１Ｂ）、局所的温度上昇が抑制される（図３１Ａ）と考えられる。
上述したように本実施の形態によればターンオフ遮断能力を高めることができる。その上、アクティブエリアＡＲ１の構成は、比較例のＩＧＢＴ９００Ａ（図４）と同様とすることができるので、他の特性への特段の悪影響はない。よって本実施の形態においても、前述したＩＧＢＴ９００Ｄ（図６）と同程度の諸特性を確保することができる。
また本実施の形態によれば、エッジターミネーションエリアＡＲ３の幅を小さくすることができる。シミュレーションによる見積もりでは、幅寸法を４０〜５０％程度低減することが可能である。このことについて、以下に説明する。
図３３は、コレクタ・エミッタ電圧ＶCES＝４５００Ｖかつ温度Ｔ＝２９８Ｋの下での、比較例（破線）としてのＩＧＢＴ９００Ａ（図４）と、実施例（実線）としてのＩＧＢＴ９００Ｇ（図２７）とにおける、線Ｆ−Ｆ´に沿う位置Ｘedgeと、電界強度Ｅとの関係を示す。この結果から、同じコレクタ・エミッタ電圧ＶCESの保持時に、比較例に比して実施例の方が、電界強度Ｅをより抑制しつつ（図中、下向き矢印参照）、位置Ｘedgeに必要な寸法が抑制される（図中、左向き矢印参照）。
図３４は、上記比較例（破線）および実施例（実線）における、耐圧クラスＶclassとエッジターミネーションエリアＡＲ３の必要幅Ｗedgeとの関係を示すグラフ図である。比較例に比して実施例の方が、耐圧クラスＶclassに関わらず、エッジターミネーションエリアＡＲ３の必要幅Ｗedgeを４０〜５０％小さくすることができる。つまり本実施例の図２７のデバイス構造により、半導体装置に占めるアクティブエリアＡＲ１のサイズを変えることなく、図３に示す半導体装置のチップサイズであるＸnおよびＹnを小さくする、チップサイズのシュリンク効果が見込まれる。つまり、本実施例により半導体装置を作り込むウエハ１枚当たりの半導体装置の数（理論チップ数）を増やすことができ、チップコストを低減することができる。
次に変形例について説明する。図３５を参照して、ＩＧＢＴ９００Ｈは、ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの各々の上に層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂを介してフローティング電極１３ｅを有する。フローティング電極１３ｅの各々は、幅方向（図３５における横方向）において、層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂを介して直下にあるｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの内側に配置されている。図３６Ａを参照して、ＩＧＢＴ９００Ｉにおいては、ゲート接続電極１３ｂ（図２７参照）が、ｐ-延長領域９ｊを覆う層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂを介して、ｐ-延長領域９ｊ上にまで延びている。ただし幅方向（図中、横方向）において、ゲート接続電極１３ｂはｐ-延長領域９ｊの内側に位置するように形成され、またフローティング電極１３ｅは前述したようにｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの内側に位置するように形成される。図３６Ｂを参照して、ＩＧＢＴ９００Ｊは、ＩＧＢＴ９００Ｉ（図３６Ａ）においてフローティング電極１３ｅが省略された構造を有する。これらの構造により、図３２Ｂ、図３３中のＩＧＢＴ９００Ｇによる特徴的なエッジターミネーションエリアＡＲ３の電界強度分布を、ＩＧＢＴの性能を保障する動作温度範囲で、電気的なストレスが印加されても経時変化せず安定化させた上で、より高い耐圧やより高い遮断能力が得られる。
＜実施の形態３＞
本実施の形態においては、実施の形態１で説明したバラスト抵抗領域（図５：ＩＧＢＴ９００Ｃにおけるｐウエル領域９ａの幅ＬEEBRを有する部分）と同様の構成を有するダイオードについて説明する。なおＩＧＢＴ９００Ｃと同様の構成については、一部、説明を繰り返さない。
図３７を参照して、本実施の形態のダイオード８００Ａ（電力用半導体装置）は、図１１に示すＩＧＢＴと同様に、アクティブエリアＡＲ１と、アクティブエリアの外周に設けられたインタフェースエリアＡＲ２と、インタフェースエリアＡＲ２の外周に設けられたエッジターミネーションエリアＡＲ３と、を含むものである。アクティブエリアＡＲ１は、本実施の形態においてはダイオードの基本的な機能を担う部分である。
ダイオード８００Ａは、基板ＳＢ（半導体基板）と、アノード電極１３（第１の電極）と、カソード電極４Ｄ（第２の電極）と、層間絶縁膜１２とを有する。基板ＳＢは、ｎ-ドリフト層１（ドリフト領域）と、ｎバッファ層２と、アノード層８Ｄと、ｐガードリング９と、ｐ層２６と、ｎ+層２７と、ｎ+領域３５とを含む。アノード電極１３は、アクティブエリアＡＲ１に設けられ、基板ＳＢの上面Ｓ１においてアノード層８Ｄに接している。アノード層８Ｄはｎ-ドリフト層１上に設けられている。カソード電極４Ｄは基板ＳＢの下面Ｓ２において、ｐ層２６およびｎ+層２７からなる半導体層に接している。ｎ+層２７はアクティブエリアＡＲ１にのみ設けられている。ｎバッファ層２は、上記半導体層と、ｎ-ドリフト層１との間に設けられている。層間絶縁膜１２は、アクティブエリアＡＲ１に開口を有する。
アノード層８Ｄは、たとえば０．５〜１０μｍ程度の深さを有する。アノード層８Ｄは、ｐ型を有し、たとえば１×１０16〜１×1020ｃｍ-3程度のピーク不純物濃度を有する。ｐガードリング９は、たとえば５〜１０μｍ程度の深さを有する。ｐガードリング９は、たとえば１×１０16〜１×1020ｃｍ-3程度のピーク不純物濃度を有する。ｎ+領域３５は、たとえば０．２〜１μｍ程度の深さを有する。ｎ+領域３５は、ｎ型を有し、たとえば１×１０18〜１×1021ｃｍ-3程度のピーク不純物濃度を有する。ｐ層２６は、たとえば０．３〜５μｍ程度の深さを有する。ｐ層２６は、たとえば１×１０16〜１×1020ｃｍ-3程度の表面不純物濃度を有する。ｎ+層２７は、たとえば０．３〜５μｍ程度の深さを有する。ｎ+層２７は、たとえば１×１０18〜１×1020ｃｍ-3程度の表面不純物濃度を有する。
ダイオード８００Ａにおいてｐウエル領域９ａは、上面Ｓ１においてアノード電極１３とｐウエル領域９ａの端部（図中、右端）との間をｐ型の領域でつなぐ電気的経路を構成している。この電気的経路は、アクティブエリアＡＲ１およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の間でインタフェースエリアＡＲ２を横断しており、幅ＬABRを有する抵抗領域を有する。この抵抗領域はその全体が層間絶縁膜１２に覆われている。ｐウエル領域９ａは幅Ｗp0を有する。インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界と、ｎ+層２７の外周端とは、幅ＷGRの間隔を有する。
幅ＬABR、Ｗp0およびＷGRは、ダイオード８００Ａの設計上、重要なパラメータである。幅ＬABRは、ダイオードのリカバリー動作時に抵抗領域の両端にて温度上昇を分担することで両端の一方での局所的な温度上昇を抑制する、バラスト抵抗効果が得られるように定められている。具体的には、図３７に示す矢印ＷＳでの局所的な電流集中による温度上昇が分担されることで、局所的な温度上昇が抑制される。この観点で幅ＬABRは、具体的には１００μｍ以上とされている。
比較例のダイオード８００Ｚ（図３８）には、上述したバラスト抵抗領域が設けられていない。なお図３８においては模式的に１つのｐエッジ領域９ｂが示されているが、図３７と同様の複数のｐエッジ領域９ｂが存在する。ダイオード８００Ｚは、リカバリー動作時、基板ＳＢの上面Ｓ１におけるアクティブエリアＡＲ１とインタフェースエリアＡＲ２との境界、すなわち矢印ＷＳ、の局所的温度上昇が生じやすい。この現象がダイオード８００Ｚの遮断能力を制限する。
これに対して本実施の形態によれば、ダイオードのリカバリー動作時に、後述する図４０Ａのように、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界の位置に対応するバラスト抵抗領域で電流分散することで、インタフェースエリアＡＲ２とエッジターミネーションエリアＡＲ３との境界での電流集中による局所的な温度上昇を抑制する。ここで、アクティブエリアＡＲ１の構成については従来のダイオードと同様とすることができるため、オン電圧上昇のような悪影響は見られない。以上のように、ＩＧＢＴ９００Ｃと同様、ダイオード８００Ａも、低いオン電圧と高い遮断能力との両方を有する。
次に上述した作用効果の検証結果について、以下に説明する。
図３９は、実施例（実線）としてのダイオード８００Ａおよび比較例（破線）としてのダイオード８００Ｚの各々について、リカバリー動作時の電圧ＶAKおよび電流密度ＪAの波形と、デバイス内部のピーク温度Ｔとを示す。図４０Ａは、実施例（実線）および比較例（破線）の各々について、時刻ｔｄ（図３９）での、線Ｇ−Ｇ´（図３７および図３８）に沿う位置Ｘと、電流密度ＪAとの関係を示し、図４０Ｂは位置Ｘと温度Ｔとの関係を示す。バラスト抵抗領域を設けていない比較例（破線）では、インタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３の境界近傍に位置するインタフェースエリアＡＲ２の端部にて、電流密度ＪAの集中が生じ、また温度Ｔの局所的上昇が生じる。その結果、図３９に示すように、ダイオード８００Ｚは遮断動作を完了することができずに破壊に至る。これに対してダイオード８００Ａは、電流密度ＪAがインタフェースエリアＡＲ２内で極端な集中なしに分散され、またデバイス破壊の目安となる８００Ｋ以上の昇温が生じた箇所も存在しない。ダイオード８００Ａは、バラスト抵抗領域が電流を分担することで、破壊することなく遮断動作を行う。よって実施例のダイオードの遮断能力が向上する。
図４１、図４２Ａおよび図４２Ｂは、ダイオード８００Ａの幅ＬABRおよびＷp0（図３７）と、時刻ｔｄ（図３９）でのデバイス内部の温度および電流密度との関係を示す。この結果から、ダイオードの遮断能力向上のために電流密度の集中および局所的昇温を抑制するには、ＬABR＜Ｗp0とする必要がある。
図４３は、アクティブエリアＡＲ１（図３７）の面積Ｓactive cell（すなわちアノード電極１３の面積）に対するバラスト抵抗領域の面積Ｓabrの割合γと、リカバリー動作時の最大遮断電流密度ＪA(break)およびデバイス内部最大温度Ｔmaxとの関係を示す。図３７の例では、図４４に示すように、面積Ｓabrは実質的にインタフェースエリアＡＲ２の面積と同じである。ＪA(break)は実デバイスでの実験結果であり、Ｔmaxはシミュレーション結果である。シミュレーションによってＴmaxが８００Ｋ以下となるγが選択されると（図中、安全領域ＳＺ）、高いＪA(break)を有する実デバイスが得られる。具体的には、γが２％以上４０％以下であることにより、高いＪA(break)が得られることが分かる。
また図３７を参照して、幅ＷGRは幅Ｗp0よりも大きくされることが好ましい。諸パラメータの議論をまとめると、ダイオード８００Ａの遮断能力を高めるためには、以下の関係を満たす必要がある。
ＬABR ＜ Ｗp0
２％ ≦ γ ≦ ４０％
ＷGR ＞ Ｗp0
＜実施の形態４＞
本実施の形態においては、実施の形態２で説明したＩＧＢＴ９００Ｇ（図２８）が有する単位構造ＵＳと同様の構成を有するダイオードについて説明する。なおこのＩＧＢＴ９００Ｇ、または前述したダイオード８００Ａ（図３７）と同様の構成については、一部、説明を繰り返さない。
図４５Ａを参照して、本実施の形態のダイオード８００Ｂは、基板ＳＢの上面Ｓ１上に層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂをインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３において有する。また基板ＳＢは、上面Ｓ１に設けられｐ型を有するアノード層８Ｄ（不純物層）を有する。また基板ＳＢは、エッジターミネーションエリアＡＲ３において上面Ｓ１にｐ-延長領域９ｊおよび複数のｐ-フィールドリミッティングリング９ｇを有する。実施の形態３と同様に、上面Ｓ１上においてｐ-フィールドリミッティングリング９ｇの各々の内側にはｎ-ドリフト層１が位置し、ｐ-フィールドリミッティングリング９ｇのそれぞれは、内側に位置するｎ-ドリフト層１と共に単位構造ＵＳ（図２８）を構成している。なお図４５Ｂ〜図４５Ｄのそれぞれは変形例のダイオード８００Ｃ〜８００Ｅを示す。ダイオード８００Ｃ（図４５Ｂ）はＩＧＢＴ９００Ｈ（図３５）と同様にフローティング電極１３ｅを有する。ダイオード８００Ｄ（図４５Ｃ）においては、ＩＧＢＴ９００Ｉ（図３６Ａ）のゲート接続電極１３ｂと同様に、アノード電極１３が層間絶縁膜１２ａおよび１２ｂを介してｐ-延長領域９ｊ上にまで延びている。ダイオード８００Ｅ（図４５Ｄ）は、ダイオード８００Ｄ（図４５Ｃ）においてフローティング電極１３ｅが省略された構造を有する。
図４６Ａは、実施例（実線）としてのダイオード８００Ｂと、比較例（破線）としてのダイオード８００Ｚ（図３８）との各々について、リカバリー動作時の電圧ＶAKおよび電流密度ＪAの波形を示し、図４６Ｂはリカバリー動作時のデバイス内部のピーク温度Ｔを示す。比較例においては、ｔ＝５．５μｓでＶAKの急激な低下とＴ＞８００Ｋへの急激な温度上昇とが生じている。すなわちリカバリー動作途中でダイオードの破壊が生じている。これに対して実施例においては破壊なしに遮断が完了している。
図４７Ａ〜図４７Ｄのそれぞれは、比較例の線Ｈ−Ｈ´（図３８）における位置Ｘと表面電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ4（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示す。図４８Ａ〜図４８Ｆのそれぞれは、実施例の線Ｈ−Ｈ´（図４５Ａ）における位置Ｘと表面電界強度Ｅsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ6（図４６Ａおよび図４６Ｂ）において示す。図４９Ａ〜図４９Ｄのそれぞれは、比較例の線Ｈ−Ｈ´における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ4において示す。図５０Ａ〜図５０Ｆのそれぞれは、実施例の線Ｈ−Ｈ´における位置Ｘと電流密度ｊsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ6において示す。図５１Ａ〜図５１Ｄのそれぞれは、比較例の線Ｈ−Ｈ´における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ4において示す。図５２Ａ〜図５２Ｆのそれぞれは、実施例の線Ｈ−Ｈ´における位置Ｘとデバイス上面Ｓ１の温度Ｔsurfaceとの関係をｔ＝ｔ1〜ｔ6において示す。
これらの結果より、比較例に比して実施例においては、リカバリー動作中にインタフェースエリアＡＲ２およびエッジターミネーションエリアＡＲ３、特にインタフェースエリアＡＲ２、の電界強度が低く、またインタフェースエリアＡＲ２の温度上昇が抑制された。よってダイオード８００Ｂは、ＩＧＢＴ９００Ｇと同様に、高い遮断能力を有すると考えられる。この結果、ＳＯＡを拡大する効果が得られる。
図５３は、比較例（三角形で表記）および実施例（円形で表記）におけるリカバリーＳＯＡを説明するグラフ図である。ここで、（ｄｊ／ｄｔ）maxは、遮断時に許容される電流密度の時間微分の最大値であり、Ｐmaxは最大パワー密度である。ｄｊ／ｄｔ値は、たとえば図４６Ａに示すような領域での電流密度波形の傾きであり、この値が大きいほどダイオードは高速でリカバリー動作が可能である（つまり、ダイオードのリカバリー動作時の遮断能力が大きい）。この結果から、実施例によれば、従来例より約３倍の大きなｄｊ／ｄｔ値により高速なリカバリー動作が可能でありまた５０倍以上の大きなパワー密度の遮断が可能なため、リカバリーＳＯＡが向上することがわかる。
上記各実施の形態の電力用半導体装置は３３００〜６５００Ｖ程度の高耐圧クラスに特に適したものであるが、電力用半導体装置の耐圧の大きさは特に限定されるものではなく、たとえば６００Ｖ程度以上であってもよい。また半導体基板の材料はシリコンに限定されるものではなく、たとえば、炭化珪素（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）などのワイドバンドギャップ材料であってもよい。また半導体基板の第１および第２の導電型としてのｎ型およびｐ型は互いに入れ替えられてもよい。
本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。本発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
１ ｎ-ドリフト層（ドリフト領域）、２ ｎバッファ層（バッファ層）、３ ｐコレクタ層（コレクタ領域）、４ コレクタ電極（第２の電極）、４Ｄ カソード電極（第２の電極）、５ ｎ+エミッタ層、６ ｐ+層、８ ｐベース層、８Ｄ アノード層（不純物層）、９ ｐガードリング、９ａ ｐウエル領域、９ｂ ｐエッジ領域、９ｇ ｐ-フィールドリミッティングリング、９ｊ ｐ-延長領域、１０ トレンチ絶縁膜、１１ ゲート電極、１２，１２ａ，１２ｂ 層間絶縁膜、１３ アノード電極（第１の電極）、１３ａ エミッタ電極（第１の電極）、１３ｂ ゲート接続電極、１３ｃ，１３ｄ 電極、１３ｅ フローティング電極、１４，１５ パッシベーション膜、２２ ゲート電極、２２ｗ ゲート配線層、２３ キャパシタ電極、２４ ｎ層、２６ ｐ層、２７ ｎ+層、２８ ゲート配線部、２９ ゲートパッド、３２ チャネルストップ電極、３４ ｎ領域、３５ ｎ+領域、３８ ｐ領域、８００Ａ，８００Ｂ ダイオード、９００Ａ〜９００Ｉ ＩＧＢＴ、ＡＲ１ アクティブエリア、ＡＲ２ インタフェースエリア、ＡＲ３ エッジターミネーションエリア、ＣＳ チャネルストップ構造、Ｓ１ 上面（第１の面）、Ｓ２ 下面（第２の面）、ＳＢ 基板（半導体基板）、ＴＣ キャパシタトレンチ、ＴＧ ゲートトレンチ、ＴＳ チャネルストップトレンチ、ＵＳ，ＵＳ１〜ＵＳ６ 単位構造。
本発明の一の局面に従う電力用半導体装置は、アクティブエリアと、アクティブエリアの外周に設けられたインタフェースエリアと、インタフェースエリアの外周に設けられたエッジターミネーションエリアと、を含むものである。電力用半導体装置は、半導体基板と、第１の電極と、第２の電極とを有する。半導体基板は、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有し、第１および第２の面の各々はアクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨っている。半導体基板は、第１の導電型のドリフト領域と、第１の導電型と異なる第２の導電型のウエル領域と、第２の導電型の延長領域と、第２の導電型の複数のフィールドリミッティングリングとを含む。ドリフト領域は、アクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨って設けられている。ウエル領域は、第１の面に設けられ、少なくとも部分的にインタフェースエリアに含まれ、第１の面においてインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとの間に端部を有する。延長領域は、第１の面においてウエル領域から外側へ延び、ウエル領域よりも浅い。フィールドリミッティングリングは、エッジターミネーションエリアにおいて延長領域の外側で第１の面に設けられている。第１の面上においてフィールドリミッティングリングの各々の内側にはドリフト領域が位置し、フィールドリミッティングリングのそれぞれは、内側に位置するドリフト領域と共に単位構造を構成している。フィールドリミッティングリングはより外側のものほど第１の面上において単位構造の幅に対してより小さい割合の幅を有する。単位構造はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。半導体基板の第１の面上において単位構造の各々は一定の幅（Ｗ cellpitch ）を有する。第１の電極は、アクティブエリアに設けられ、半導体基板の第１の面に接する。第２の電極は半導体基板の第２の面に接する。
本発明の他の局面に従う電力用半導体装置は、アクティブエリアと、アクティブエリアの外周に設けられたインタフェースエリアと、インタフェースエリアの外周に設けられたエッジターミネーションエリアと、を含むものである。電力用半導体装置は、半導体基板と、第１の電極と、第２の電極とを有する。半導体基板は、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有し、第１および第２の面の各々はアクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨っている。半導体基板は、第１の導電型のドリフト領域と、第１の導電型と異なる第２の導電型のウエル領域と、第２の導電型の延長領域と、第２の導電型の複数のフィールドリミッティングリングとを含む。ドリフト領域は、アクティブエリアとインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとに跨って設けられている。ウエル領域は、第１の面に設けられ、少なくとも部分的にインタフェースエリアに含まれ、第１の面においてインタフェースエリアとエッジターミネーションエリアとの間に端部を有する。延長領域は、第１の面においてウエル領域から外側へ延び、ウエル領域よりも浅い。フィールドリミッティングリングは、エッジターミネーションエリアにおいて延長領域の外側で第１の面に設けられている。第１の面上においてフィールドリミッティングリングの各々の内側にはドリフト領域が位置し、フィールドリミッティングリングのそれぞれは、内側に位置するドリフト領域と共に単位構造を構成している。フィールドリミッティングリングはより外側のものほど第１の面上において単位構造の幅に対してより小さい割合の幅を有する。単位構造はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有する。フィールドリミッティングリングは、第１の面上から拡散された不純物拡散層のみによって構成されている。第１の電極は、アクティブエリアに設けられ、半導体基板の第１の面に接する。第２の電極は半導体基板の第２の面に接する。

Claims (12)

  1. アクティブエリア（ＡＲ１）と、前記アクティブエリアの外周に設けられたインタフェースエリア（ＡＲ２）と、前記インタフェースエリアの外周に設けられたエッジターミネーションエリア（ＡＲ３）と、を含む電力用半導体装置（８００Ｂ〜８００Ｅ、９００Ｇ〜９００Ｊ）であって、
    第１の面（Ｓ１）と前記第１の面と反対の第２の面（Ｓ２）とを有する半導体基板（ＳＢ）を備え、前記第１および第２の面の各々は前記アクティブエリアと前記インタフェースエリアと前記エッジターミネーションエリアとに跨っており、前記半導体基板は、
    前記アクティブエリアと前記インタフェースエリアと前記エッジターミネーションエリアとに跨って設けられ第１の導電型を有するドリフト領域（１）と、
    前記第１の面に設けられ少なくとも部分的に前記インタフェースエリアに含まれ前記第１の面において前記インタフェースエリアと前記エッジターミネーションエリアとの間に端部を有し前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有するウエル領域（９ａ）と、
    前記第１の面において前記ウエル領域から外側へ延び、前記ウエル領域よりも浅く、前記第２の導電型を有する延長領域（９ｊ）と、
    前記エッジターミネーションエリアにおいて前記延長領域の外側で前記第１の面に設けられ、前記第２の導電型を有する複数のフィールドリミッティングリング（９ｇ）と、を含み、前記第１の面上において前記フィールドリミッティングリングの各々の内側には前記ドリフト領域が位置し、前記フィールドリミッティングリングのそれぞれは、内側に位置する前記ドリフト領域と共に単位構造（ＵＳ１〜ＵＳ６）を構成しており、前記フィールドリミッティングリングはより外側のものほど前記第１の面上において前記単位構造の幅に対してより小さい割合の幅を有し、前記単位構造はより外側のものほどより小さい平均ドーズ量を有し、前記電力用半導体装置はさらに
    前記アクティブエリアに設けられ前記半導体基板の前記第１の面に接する第１の電極（１３ａ）と、
    前記半導体基板の前記第２の面に接する第２の電極（４）と
    を備える、電力用半導体装置。
  2. 前記半導体基板の前記第１の面上において前記単位構造の各々は一定の幅（Ｗcellpitch）を有する、請求項１に記載の電力用半導体装置。
  3. 前記半導体基板は、前記アクティブエリアにのみ設けられ前記第２の面を部分的に成し前記第２の導電型を有するコレクタ領域（３）を含み、前記エッジターミネーションエリアにおいて前記第２の面は前記第１の導電型のみを有する、請求項１に記載の電力用半導体装置。
  4. 前記半導体基板の前記第２の面において前記コレクタ領域は５５％以上７０％以下の面積を有する、請求項１に記載の電力用半導体装置。
  5. 前記半導体基板の前記第１の面において前記第１の電極と前記ウエル領域の前記端部との間を前記第２の導電型の領域でつなぐ電気的経路が構成されており、前記電気的経路は、前記ウエル領域によって構成され幅Ｌを有するバラスト抵抗領域を有し、幅Ｌは前記電力用半導体装置の遮断動作時に前記バラスト抵抗領域の両端に局所的な昇温が生じるように定められている、請求項１に記載の電力用半導体装置。
  6. 幅Ｌは１００μｍ以上である、請求項５に記載の電力用半導体装置。
  7. 前記アクティブエリアにおいて前記半導体基板の前記第１の面は面積Ｓactを有し、前記インタフェースエリアにおいて前記半導体基板の前記第１の面で前記バラスト抵抗領域は面積Ｓabrを有し、面積Ｓabrは面積Ｓactの２％以上４０％以下である、請求項５に記載の電力用半導体装置。
  8. 前記フィールドリミッティングリング上に設けられたフローティング電極（１３ｅ）をさらに備える、請求項１に記載の電力用半導体装置（８００Ｃ、９００Ｈ）。
  9. 前記延長領域を覆う層間絶縁膜（１２ａ，１２ｂ）と、
    ゲート電極（２２）と、
    前記層間絶縁膜を介して前記延長領域上に設けられ、前記ゲート電極と短絡されたゲート接続電極（１３ｂ）と
    をさらに備える、請求項１に記載の電力用半導体装置（９００Ｊ）。
  10. 前記フィールドリミッティングリング上に設けられたフローティング電極（１３ｅ）と、
    前記延長領域を覆う層間絶縁膜（１２ａ，１２ｂ）と、
    ゲート電極（２２）と、
    前記層間絶縁膜を介して前記延長領域上に設けられ、前記ゲート電極と短絡されたゲート接続電極（１３ｂ）と
    をさらに備える、請求項１に記載の電力用半導体装置（９００Ｉ）。
  11. 前記半導体基板は、前記第１の面に設けられ前記第２の導電型を有する不純物層（８Ｄ）を含み、
    前記電力用半導体装置は、
    前記延長領域を覆う層間絶縁膜（１２ａ，１２ｂ）と、
    前記アクティブエリアにおいて前記不純物層に接する部分と、前記層間絶縁膜を介して前記延長領域上に位置する部分とを有する第１の電極（１３）と、
    前記半導体基板の前記第２の面上に設けられた第２の電極（４）とをさらに備える、請求項１に記載の電力用半導体装置（８００Ｅ）。
  12. 前記半導体基板は、前記第１の面に設けられ前記第２の導電型を有する不純物層（８Ｄ）を含み、
    前記電力用半導体装置は、
    前記フィールドリミッティングリング上に設けられたフローティング電極（１３ｅ）と、
    前記延長領域を覆う層間絶縁膜（１２ａ，１２ｂ）と、
    前記アクティブエリアにおいて前記不純物層に接する部分と、前記層間絶縁膜を介して前記延長領域上に位置する部分とを有する第１の電極（１３）と、
    前記半導体基板の前記第２の面上に設けられた第２の電極（４）とをさらに備える、請求項１に記載の電力用半導体装置（８００Ｄ）。
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