JP2010135526A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 素子面積の増大を抑えながら、サージ電圧等による素子破壊を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 半導体装置10の中心領域は、n型の半導体基板20の表層部に設けられているとともにエミッタ電極42に電気的に接続されているp型の表層部半導体領域38と、その表層部半導体領域38内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域52を備えている。キャリア遮蔽領域52は、表層部半導体領域38の終端領域側のコーナー部36aと、表層部半導体領域38とエミッタ電極42が接触する接触面42aのうちの終端領域側のエッジ部42bと、を結ぶ範囲の少なくも一部を含むとともに、前記エッジ部42bの下方の部分の少なくとも一部も含むように設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体装置10の中心領域は、n型の半導体基板20の表層部に設けられているとともにエミッタ電極42に電気的に接続されているp型の表層部半導体領域38と、その表層部半導体領域38内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域52を備えている。キャリア遮蔽領域52は、表層部半導体領域38の終端領域側のコーナー部36aと、表層部半導体領域38とエミッタ電極42が接触する接触面42aのうちの終端領域側のエッジ部42bと、を結ぶ範囲の少なくも一部を含むとともに、前記エッジ部42bの下方の部分の少なくとも一部も含むように設けられている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
半導体装置では、オンからオフに移行する過渡期間において、過度な電流集中による素子破壊が発生することが知られている。特許文献1には、この種の素子破壊に対策するための技術の一例が開示されている。図9に、特許文献1に開示される技術が適用された半導体装置100の中心領域と終端領域の境界近傍の要部断面図を模式的に示す。なお、特許文献1では、ダイオードのみを例示しているが、図9に例示するように、特許文献1に係る技術はIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)にも適用することが可能である。
半導体装置100は、n型の半導体基板120を利用して形成されており、電流制御構造を含む中心領域とその中心領域の周囲に設けられているとともに電圧保持構造を含む終端領域を有している。半導体基板120には、中心領域と終端領域の双方に亘って延びているp+型のコレクタ領域122、n+型の電界抑止領域124及びn型のn型ベース領域126が形成されている。コレクタ領域122は、半導体基板120の裏面に形成されているコレクタ電極121に電気的に接続されている。半導体基板120の中心領域の表層部には、p型の表層部半導体領域138とトレンチゲート144が形成されている。表層部半導体領域138は、p型ベース領域137と周縁領域136を備えている。p型ベース領域137と周縁領域136はいずれも、接触面142aを介して半導体基板120の表面に形成されているエミッタ電極142に電気的に接続されている。エミッタ電極142は、半導体基板120の表面に設けられている層間絶縁膜135上にも延在している。半導体基板120の終端領域の表層部には、p型のガードリング133とn型の最外周領域128が形成されている。ガードリング133はガードリング電極134に電気的に接続されており、そのガードリング電極134の電位はフローティングである。最外周領域128は最外周電極132に電気的に接続されており、その最外周電極132の電位はコレクタ電極121と同一である。
半導体装置100は、周縁領域136の横方向の長さL136が大きく設定されていることを特徴としている。周縁領域136の横方向の長さL136が大きいと、周縁領域136のコーナー部136aにおける電界集中が緩和される。これにより、半導体装置100がオンからオフに移行する過渡期間において、コーナー部136a近傍での電流集中が抑制され、サージ電圧等による素子破壊が抑制される。
しかしながら、周縁領域136の横方向の長さL136を大きく設定すると、素子面積が増大するという問題がある。本発明は、素子面積の増大を抑えながら、サージ電圧等による素子破壊を抑制する技術を提供することを目的としている。
素子破壊に至る現象をより詳細に検討すると、次のことが分かってきた。半導体装置がオンからオフに移行する過渡期間では、オン状態において素子内部に蓄積していたキャリアが表面電極を介して排出される。このため、終端領域に蓄積していたキャリアは、表層部半導体領域と表面電極の接触面のうちの終端領域側のエッジ部に集中する。さらに、高電圧が印加されるような状態になると、表層部半導体領域のコーナー部でアバランシェ現象が発生する。アバランシェ現象によって生成した多量のキャリアも、表面電極のエッジ部に集中する。素子が破壊に至る大きな原因は、アバランシェ現象によって生成した多量のキャリアによる電流集中である。本明細書で開示される技術は、表面電極のエッジ部に集中するキャリアのうちのアバランシェ現象で生成されたキャリアに対して対策することを特徴としている。本明細書で開示される技術は、アバランシェ現象で生成されたキャリアが表面電極のエッジ部に集中するのを抑制することで、表面電極のエッジ部における電流集中に伴う素子破壊を抑制することを特徴としている。この技術思想を具現化するために、以下の半導体装置が提供される。
本明細書で開示される半導体装置は、電流制御構造を含む中心領域とその中心領域の周囲に設けられているとともに電圧保持構造を含む終端領域を有する。中心領域は、第1導電型の半導体層の表層部に設けられているとともに表面電極に電気的に接続されている第2導電型の表層部半導体領域と、その表層部半導体領域内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域を備えている。キャリア遮蔽領域は、表層部半導体領域の終端領域側のコーナー部と、前記表層部半導体領域と前記表面電極が接触する接触面のうちの終端領域側のエッジ部と、を結ぶ範囲の少なくも一部を含むように設けられている。さらに、キャリア遮蔽領域は、表層部半導体領域と表面電極が接触する接触面のうちの終端領域側のエッジ部の下方の部分の少なくとも一部を含むように設けられている。
上記位置関係に設けられたキャリア遮蔽領域は、表層部半導体領域のコーナー部と表面電極のエッジ部の間に配置されることになる。このため、表層部半導体領域のコーナー部でアバランシェ現象が発生したとしても、キャリア遮蔽領域が存在することによって、生成したキャリアが表面電極のエッジ部に過度に集中することが物理的に阻害される。このため、表面電極のエッジ部における電流集中が抑制され、素子破壊が抑制される。本願明細書で開示される技術は、表層部半導体領域のコーナー部の電界集中を緩和するのではなく、電界集中によってアバランシェ現象が発生して生成されるキャリアが排出されるときの表面電極のエッジ部における電流集中を抑制する。このため、従来技術のように、コーナー部の電界集中を緩和するために表層部半導体領域の横方向の長さを大きく設定する必要がない。表層部半導体領域内にキャリア遮蔽領域を部分的に設ければよいので、素子面積は実質的に増加しない。本明細書で開示される半導体装置では、素子面積の増大を抑えながら、サージ電圧等による素子破壊が抑制される。
上記位置関係に設けられたキャリア遮蔽領域は、表層部半導体領域のコーナー部と表面電極のエッジ部の間に配置されることになる。このため、表層部半導体領域のコーナー部でアバランシェ現象が発生したとしても、キャリア遮蔽領域が存在することによって、生成したキャリアが表面電極のエッジ部に過度に集中することが物理的に阻害される。このため、表面電極のエッジ部における電流集中が抑制され、素子破壊が抑制される。本願明細書で開示される技術は、表層部半導体領域のコーナー部の電界集中を緩和するのではなく、電界集中によってアバランシェ現象が発生して生成されるキャリアが排出されるときの表面電極のエッジ部における電流集中を抑制する。このため、従来技術のように、コーナー部の電界集中を緩和するために表層部半導体領域の横方向の長さを大きく設定する必要がない。表層部半導体領域内にキャリア遮蔽領域を部分的に設ければよいので、素子面積は実質的に増加しない。本明細書で開示される半導体装置では、素子面積の増大を抑えながら、サージ電圧等による素子破壊が抑制される。
キャリア遮蔽領域は、表層部半導体領域とは反対導電型である第1導電型の半導体領域で形成されているのが好ましい。
中心領域は、表層部半導体領域を貫通するトレンチゲートと、そのトレンチゲート間の表層部半導体領域内に設けられている第1導電型のフローティング半導体領域をさらに備えていることが好ましい。フローティング半導体領域とキャリア遮蔽領域は同一深さの面内に配置されていることを特徴としている。
この形態の半導体装置は、フローティング半導体領域とキャリア遮蔽領域が同一の製造工程を利用して形成されていることを反映している。したがって、この形態の半導体装置では、キャリア遮蔽領域を形成するために専用の工程を別途追加することなく、キャリア遮蔽領域をフローティング半導体領域と同時に形成することができる。
この形態の半導体装置は、フローティング半導体領域とキャリア遮蔽領域が同一の製造工程を利用して形成されていることを反映している。したがって、この形態の半導体装置では、キャリア遮蔽領域を形成するために専用の工程を別途追加することなく、キャリア遮蔽領域をフローティング半導体領域と同時に形成することができる。
本明細書で開示される半導体装置では、表層部半導体領域と表面電極の接触面のうちの終端領域側のエッジ部にキャリアが集中するのが物理的に阻害され、素子破壊が抑制される。
本明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
(電流制御構造)
電流制御構造とは、電流が流れる部分に設けられている様々な構造を広く意味している。例えば、電流制御構造には、p型アノード領域とn型カソード領域を含むダイオード型の構造、p型コレクタ領域とn型ベース領域とp型ベース領域とn型エミッタ領域とゲートを含むIGBT型の構造、n型ドレイン領域とn型ドリフト領域とp型ボディ領域とn型ソース領域とゲートを含むMOSFET型の構造等が含まれる。
(電圧保持構造)
電圧保持構造とは、半導体装置がオフしたときに、空乏層を横方向に伸展させることで電圧を保持する様々な構造を広く意味している。例えば、電圧保持構造には、ガードリング型の構造、リサーフ型の構造が含まれる。
(キャリア遮蔽領域)
キャリア遮蔽領域とは、表面電極に排出されるキャリアの移動を物理的に阻害する様々な構造を広く意味している。例えば、キャリア遮蔽領域には、n型又はp型の半導体領域、絶縁体、空洞等が含まれる。絶縁体には、酸化シリコン、窒化シリコン等が含まれる。
(電流制御構造)
電流制御構造とは、電流が流れる部分に設けられている様々な構造を広く意味している。例えば、電流制御構造には、p型アノード領域とn型カソード領域を含むダイオード型の構造、p型コレクタ領域とn型ベース領域とp型ベース領域とn型エミッタ領域とゲートを含むIGBT型の構造、n型ドレイン領域とn型ドリフト領域とp型ボディ領域とn型ソース領域とゲートを含むMOSFET型の構造等が含まれる。
(電圧保持構造)
電圧保持構造とは、半導体装置がオフしたときに、空乏層を横方向に伸展させることで電圧を保持する様々な構造を広く意味している。例えば、電圧保持構造には、ガードリング型の構造、リサーフ型の構造が含まれる。
(キャリア遮蔽領域)
キャリア遮蔽領域とは、表面電極に排出されるキャリアの移動を物理的に阻害する様々な構造を広く意味している。例えば、キャリア遮蔽領域には、n型又はp型の半導体領域、絶縁体、空洞等が含まれる。絶縁体には、酸化シリコン、窒化シリコン等が含まれる。
以下、図面を参照して実施例を詳細に説明する。以下の実施例では、半導体材料にシリコンを用いた例を説明するが、シリコンに代えて窒化ガリウム、炭化シリコン、ガリウム砒素等の化合物半導体を用いてもよい。
(第1実施例)
図1に、第1実施例の半導体装置10の中心領域と終端領域の境界近傍の要部断面図を模式的に示す。半導体装置10は、n型のシリコン単結晶の半導体基板20を利用して形成されており、電流制御構造を含む中心領域とその中心領域の周囲に設けられているとともに電圧保持構造を含む終端領域を有している。中心領域の電流制御構造は、バイポーラで流れる電流を制御するためのIGBT型の構造を有する。終端領域の電圧保持構造は、半導体装置10がオフしたときに横方向に空乏層を伸展させ、横方向で電圧を保持するためのガードリング型の構造を有する。
図1に、第1実施例の半導体装置10の中心領域と終端領域の境界近傍の要部断面図を模式的に示す。半導体装置10は、n型のシリコン単結晶の半導体基板20を利用して形成されており、電流制御構造を含む中心領域とその中心領域の周囲に設けられているとともに電圧保持構造を含む終端領域を有している。中心領域の電流制御構造は、バイポーラで流れる電流を制御するためのIGBT型の構造を有する。終端領域の電圧保持構造は、半導体装置10がオフしたときに横方向に空乏層を伸展させ、横方向で電圧を保持するためのガードリング型の構造を有する。
半導体基板20には、中心領域と終端領域の双方に亘って延びているp+型のコレクタ領域22、n+型の電界抑止領域24及びn型のn型ベース領域26が形成されている。コレクタ領域22は、半導体基板20の裏面に形成されているコレクタ電極21に電気的に接続されている。コレクタ領域22及び電界抑止領域24は、イオン注入技術を利用して、半導体基板20の裏面から不純物を導入することによって形成される。
半導体基板20の中心領域の表層部には、p型の表層部半導体領域38とトレンチゲート44が形成されている。表層部半導体領域38は、p型ベース領域37と周縁領域36を備えている。p型ベース領域37は中心領域のうちの中心側の位置に配置され、周縁領域36は中心領域のうちのp型ベース領域37の周囲を取囲む位置に配置される。周縁領域36は、p型ベース領域37よりも深く形成されている。また、周縁領域36のp型不純物の濃度は、p型ベース領域37のp型不純物の濃度よりも濃い。トレンチゲート44は、p型ベース領域37を貫通して設けられており、酸化シリコンのゲート絶縁膜とそのゲート絶縁膜で被覆されているポリシリコンのトレンチゲート電極を有している。p型ベース領域37と周縁領域36はいずれも、接触面42aを介して半導体基板20の表面に形成されているエミッタ電極42(表面電極の一例)に電気的に接続されている。なお、図示は省略しているが、p型ベース領域37の表層部にはトレンチゲートの側面に接するようにn型エミッタ領域が形成されている。
表層部半導体領域38は、イオン注入技術を利用して、半導体基板20の表面から不純物を導入することによって形成される。このため、表層部半導体領域38のうちの周縁領域36の終端領域側の端部は、不純物が等方的に拡散するので、曲率を有する曲面を有する。本実施例では、拡散領域の端部において曲率を有する曲面をコーナー部36aという。エミッタ電極42は、層間絶縁膜35上に延在しており、周縁領域36の一部に層間絶縁膜35を介して対向している。トレンチゲート44は、エッチング技術を利用して、半導体基板20の表層部にトレンチを形成することによって形成される。
半導体基板20の終端領域の表層部には、p型のガードリング33とn型の最外周領域28が形成されている。ガードリング33はガードリング電極34に電気的に接続されており、そのガードリング電極34の電位はフローティングである。最外周領域28は最外周電極32に電気的に接続されており、その最外周電極32の電位はコレクタ電極21と同一である。ガードリング33は、平面視したときに、終端領域に沿って中心領域の周囲を一巡して設けられている。図示では2個のガードリング33のみが示されているが、実際はさらに多くのガードリング33で構成されることが多い。最外周領域28も、平面視したときに、終端領域に沿って中心領域の周囲を一巡して設けられている。
半導体装置10はさらに、周縁領域36内に部分的に形成されているn型のキャリア遮蔽領域52を備えている。キャリア遮蔽領域52は、表層部半導体領域38とエミッタ電極42の接触面42aのうちの終端領域側のエッジ部42bの下方に設けられている。キャリア遮蔽領域52は、平面視したときに、エッジ部42bに沿って周縁領域36内を一巡して形成されている。キャリア遮蔽領域52は、周縁領域36によってエミッタ電極42から隔てられており、フローティングである。図1に示すように、キャリア遮蔽領域52は、横方向に延びた略扁平な形態を有している。
次に、キャリア遮蔽領域52が設けられている位置に関してより詳細に説明する。図2及び図3は、周縁領域36が形成される過程を示している。周縁領域36は、イオン注入技術を利用して、半導体基板20の表面から不純物を導入して形成される。
図2に示すように、半導体基板20の表面に開口を有するマスク62をパターニングし、その開口を通して半導体基板20の表面にボロンを照射する。次に、図3に示すように、半導体基板20に熱処理を実施し、導入したボロンを熱拡散させ、周縁領域36を形成する。この熱拡散を実施すると、周縁領域36の一部は、マスク62の下方において等方的に拡散する。即ち、マスク62の下方に拡散する周縁領域36の一部は、その横方向の幅W36及び深さ方向の幅D36が等しい。このように、マスク62の下方において等方的に拡散すると、周縁領域36の端部には、曲率を有する曲面のコーナー部36aが形成される。次に、図4に示すように、マスク62を除去した後に、半導体基板20の表面に層間絶縁膜35をパターニングし、半導体基板20の表面にエミッタ電極42を形成する。
図4に、周縁領域36のコーナー部36aと、周縁領域36とエミッタ電極42が接触する接触面42aのうちの終端領域側のエッジ部42bと、を結ぶ範囲を破線36bで示す。接触面42aのエッジ部42bの下方を破線36cで示す。周縁領域36のコーナー部36aは、電界が集中する場所である。例えば、半導体装置10がオンからオフに移行する過渡期間において、周縁領域36のコーナー部36aに電界が集中すると、アバランシェ現象によって電子・正孔が生成する。電子は裏面のコレクタ電極21に排出され、正孔は表面のエミッタ電極42に排出される。このとき、排出される正孔は最短距離でエミッタ電極42に排出されるので、その経路は破線36bとなる。このため、アバランシェ現象によって生成した正孔は、エミッタ電極42のエッジ部42bに集中する。
図5に示すように、少なくともこの破線36bの範囲内にキャリア遮蔽領域52が形成されていると、アバランシェ現象によって生成した正孔は、最短距離を通ってエッジ部42bに移動することが物理的に阻害される。また、キャリア遮蔽領域52が破線36bの範囲からエッジ部42bの下方の破線36cの部分に亘って設けられているので、図中52aに示すように、阻害された正孔の一部はエミッタ電極42のエッジ部42bから離れた位置で排出される。このため、エミッタ電極42のエッジ部42bにおける電流集中が抑制される。また、キャリア遮蔽領域52は、周縁領域36内に部分的に形成されているので、阻害された正孔の排出経路は確保されている。このため、正孔がエミッタ電極42に排出される時間が著しく遅くなることがない。このため、スイッチング時間が著しく長期化することもない。これにより、半導体装置10では、エミッタ電極42のエッジ部42aに正孔が集中するのが物理的に阻害され、アバランシェ現象による素子破壊が抑制される。
以下、キャリア遮蔽領域52を形成するのに好ましい位置を整理しておく。
(1)キャリア遮蔽領域52は、破線36bの範囲を含むとともに、破線36cの部分も含むように形成されているのが好ましい。エミッタ電極42のエッジ部42aに正孔が集中するのが物理的に阻害され、アバランシェ現象による素子破壊が抑制される。
(2)素子設計に応じてコーナー部26aのなかでも、最も電界が集中する箇所が存在する。キャリア遮蔽領域52は、そのコーナー部26aのうちの最大電界集中箇所とエミッタ電極42のエッジ部42aを結ぶ線上に設けられているのが好ましい。アバランシェ現象による素子破壊が顕著に抑制される。
(3)キャリア遮蔽領域52は、破線36cの部分を線対称の対称軸として、中心領域側と終端領域側に同じ幅だけ伸びているのが好ましい。エミッタ電極42のエッジ部42aに正孔が集中するのが物理的に阻害され、素子破壊が抑制される。さらに、阻害された正孔の排出経路は確保されているので、正孔がエミッタ電極42に排出される時間が著しく遅くなることがない。
(1)キャリア遮蔽領域52は、破線36bの範囲を含むとともに、破線36cの部分も含むように形成されているのが好ましい。エミッタ電極42のエッジ部42aに正孔が集中するのが物理的に阻害され、アバランシェ現象による素子破壊が抑制される。
(2)素子設計に応じてコーナー部26aのなかでも、最も電界が集中する箇所が存在する。キャリア遮蔽領域52は、そのコーナー部26aのうちの最大電界集中箇所とエミッタ電極42のエッジ部42aを結ぶ線上に設けられているのが好ましい。アバランシェ現象による素子破壊が顕著に抑制される。
(3)キャリア遮蔽領域52は、破線36cの部分を線対称の対称軸として、中心領域側と終端領域側に同じ幅だけ伸びているのが好ましい。エミッタ電極42のエッジ部42aに正孔が集中するのが物理的に阻害され、素子破壊が抑制される。さらに、阻害された正孔の排出経路は確保されているので、正孔がエミッタ電極42に排出される時間が著しく遅くなることがない。
(第2実施例)
図6に、第2実施例の半導体装置11の要部断面図を模式的に示す。半導体装置11は、終端領域の電圧保持構造がリサーフ層39であることを特徴としている。キャリア遮蔽領域52を設ける技術は、終端領域の様々な耐圧保持構造において効果を発揮することができる。
図6に、第2実施例の半導体装置11の要部断面図を模式的に示す。半導体装置11は、終端領域の電圧保持構造がリサーフ層39であることを特徴としている。キャリア遮蔽領域52を設ける技術は、終端領域の様々な耐圧保持構造において効果を発揮することができる。
(第3実施例)
図7に、第3実施例の半導体装置12の要部断面図を模式的に示す。半導体装置12は、キャリア遮蔽領域53の終端領域側の端部が層間絶縁膜35に接していることを特徴としている。この形態のキャリア遮蔽領域53によると、コーナー部36aのうちのどこでアバランシェ現象が発生したとしても、生成した正孔がエミッタ電極42のエッジ部42aに集中するのが物理的に阻害され、アバランシェ現象による素子破壊が抑制される。
図7に、第3実施例の半導体装置12の要部断面図を模式的に示す。半導体装置12は、キャリア遮蔽領域53の終端領域側の端部が層間絶縁膜35に接していることを特徴としている。この形態のキャリア遮蔽領域53によると、コーナー部36aのうちのどこでアバランシェ現象が発生したとしても、生成した正孔がエミッタ電極42のエッジ部42aに集中するのが物理的に阻害され、アバランシェ現象による素子破壊が抑制される。
(第4実施例)
図8に、第4実施例の半導体装置13の要部断面図を模式的に示す。半導体装置13は、中心領域のp型ベース領域37内にn型のフローティング領域54が設けられていることを特徴としている。フローティング領域54は、トレンチゲート44の間に設けられており、p型ベース領域37によってエミッタ電極42から隔てられている。フローティング領域54は、半導体装置13がオンのときに、正孔を素子内に蓄積させることによってオン電圧を低減させるために設けられている。半導体装置13では、このフローティング領域54とキャリア遮蔽領域52が同一深さの面内に配置されていることを特徴としている。
図8に、第4実施例の半導体装置13の要部断面図を模式的に示す。半導体装置13は、中心領域のp型ベース領域37内にn型のフローティング領域54が設けられていることを特徴としている。フローティング領域54は、トレンチゲート44の間に設けられており、p型ベース領域37によってエミッタ電極42から隔てられている。フローティング領域54は、半導体装置13がオンのときに、正孔を素子内に蓄積させることによってオン電圧を低減させるために設けられている。半導体装置13では、このフローティング領域54とキャリア遮蔽領域52が同一深さの面内に配置されていることを特徴としている。
半導体装置13では、フローティング領域54とキャリア遮蔽領域52が同一の製造工程を利用して形成されている。フローティング領域54とキャリア遮蔽領域52は、イオン注入技術を利用して、半導体基板20の表面から不純物を導入することで形成される。即ち、フローティング領域54とキャリア遮蔽領域52は、共通のマスクと共通のイオン照射によって形成される。したがって、半導体装置13では、キャリア遮蔽領域52を形成するために専用の工程を別途追加することなく、キャリア遮蔽領域52をフローティング領域54と同時に形成することができる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
36:周縁領域
37:p型ベース領域
38:表層部半導体領域
42:エミッタ電極
52,53:キャリア遮蔽領域
54:フローティング領域
37:p型ベース領域
38:表層部半導体領域
42:エミッタ電極
52,53:キャリア遮蔽領域
54:フローティング領域
Claims (3)
- 電流制御構造を含む中心領域とその中心領域の周囲に設けられているとともに電圧保持構造を含む終端領域を有する半導体装置であって、
前記中心領域は、
第1導電型の半導体層の表層部に設けられているとともに表面電極に電気的に接続されている第2導電型の表層部半導体領域と、
その表層部半導体領域内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域と、を備えており、
前記キャリア遮蔽領域は、前記表層部半導体領域の終端領域側のコーナー部と、前記表層部半導体領域と前記表面電極が接触する接触面のうちの終端領域側のエッジ部と、を結ぶ範囲の少なくも一部を含むとともに、前記エッジ部の下方の部分の少なくとも一部も含むように設けられている半導体装置。 - 前記キャリア遮蔽領域は、第1導電型の半導体領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記中心領域は、
表層部半導体領域を貫通するトレンチゲートと、
そのトレンチゲート間の表層部半導体領域内に設けられている第1導電型のフローティング半導体領域と、をさらに備えており、
フローティング半導体領域とキャリア遮蔽領域は同一深さの面内に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008309287A JP2010135526A (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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