JPWO2011018895A1 - スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
これにより、直方形状のインゴットに対して、その縦、横及び高さ方向だけでなく、斜め方向にも容易に辷り変形を生じさせることができる。
これにより、粒子サイズの更なる緻密化を図ることが可能となる。
図1は、本発明の一実施形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法を示す工程図である。図2は、各工程におけるインゴットの変形の様子を示す概略図である。
本実施形態では、インゴット10としてAlを主体とする結晶性合金が用いられる。アルミニウム合金としては、Al−Cu合金、Al−Si合金、Al−Si−Cu合金などが適用可能である。また、インゴット10の構成金属はアルミニウム及びその合金に限られず、例えば、タンタル、チタン、銅等の純金属又はこれらの何れかを主成分とする合金が適用可能である。
第1の熱間鍛造工程ST2aでは、インゴット10は円柱形状から直方体形状に変形される(図2(b))。この工程では、250〜420℃に加熱されたインゴット10に対して、高さ方向であるz軸方向(第1の軸方向)に沿って圧縮応力を印加する。これとともに、z軸と直交するxy平面方向に応力を印加することで、円柱形状のインゴット10から直方体形状のインゴット11を作製する(図2(b))。
第2の熱間鍛造工程ST2bでは、直方形状のインゴット片の対角又は対辺の間で当該インゴット片12を圧縮変形させる。すなわち、図2(c)に示すように、例えばインゴット片12の長辺方向をz軸方向に向けたときに、z軸と平行な方向に関して斜めに交差する軸方向(例えばc11、c12、c21、c22)に沿って応力を印加する。このときの処理温度は、第1の熱間鍛造工程と同様に、例えば、250〜420℃とすることができる。
冷間鍛造工程ST3aでは、円柱形状のインゴット片14が図2(f)に示すような円盤形状の成形体15に変形される。成形体15は、インゴット片14をz軸方向に圧縮変形させることで形成される。成形体15の大きさは特に限定されず、例えば、直径が360mm、厚みが30mmである。成形体15の作製には、例えば、型打ち鍛造法や圧延法を採用することができる。処理温度は特に限定されず、例えば室温とすることができる。
熱処理工程ST3bは、第1及び第2の鍛造工程ST2a,ST2bを経て作製されたインゴット片15を再結晶温度以上の所定の温度に所定時間加熱することで、成形体15の内部組織を再結晶化させる工程である。処理温度は、例えば、280℃以上350℃以下の温度とされ、処理時間は例えば1時間とされる。
図6は、本発明の他の実施形態を示している。本実施形態では、インゴットの向きを変えて、斜め方向からの鍛造処理を繰り返す処理方法について説明する。この鍛造処理は熱間又は温間で実施され、各工程の詳細は上述の第1の実施形態と同様であるので、ここでは重複する説明を省略する。
15、31…成形体
Claims (5)
- 第1の軸方向及び前記第1の軸方向と直交する平面方向に応力を加えることで、金属のインゴットを鍛造し、
前記第1の軸方向と平行な方向に斜めに交差する第2の軸方向に応力を加えることで、前記インゴットをさらに鍛造し、
前記インゴットをその再結晶温度以上の温度で加熱処理する
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記第1の軸方向と直交する平面方向に応力を加える工程は、前記インゴットを円柱形状から直方体形状に変形させることを含み、
前記第2の軸方向に応力を加える工程は、前記直方体形状のインゴットの対辺又は対角の間で前記インゴットを圧縮変形させることを含む
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項2に記載のスパッタリングターゲットであって、さらに、
前記第1の軸方向と平行な方向に斜めに交差する、前記第2の軸方向とは非平行な第3の軸方向に応力を加えることで、前記インゴットを鍛造する
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記金属は、タンタル、チタン、アルミニウム、銅又はこれらの何れかを主成分とする合金である
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 金属で構成された板状のターゲット本体と、
前記ターゲット本体の表面を形成し、70μm以下の平均結晶粒径と、(200)面に対する(111)面のX線強度比が0.3以下である結晶方位とを有する被スパッタ面と
を具備するスパッタリングターゲット。
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