JP2004513228A - 物理蒸着ターゲット及び金属材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、面心立方単位胞金属または合金で構成され、並びに均一な結晶粒度30ミクロン未満、好ましくは1ミクロン未満;及び均一な軸または平面<220>集合組織を有する物理蒸着ターゲットを含む。また、スパッタリングターゲットの製造方法を説明する。本方法は、ビレットの製造;処方された経路及びパス数を用いた等チャンネル角度押出し;並びに等チャンネル角度押出しに続くクロスローリングまたは鍛造を含み得る。
Description
【0001】
技術分野
本発明は、物理蒸着ターゲットの組成に関し、また、面心立方(f.c.c.)単位格子金属または合金を含む材料の製造方法に関する。
【0002】
発明の背景
物理蒸着法(PVD)は、基板上に薄い金属層及びセラミック層を堆積できる技術であり、例えばスパッタリングプロセスが挙げられる。PVDプロセスを例えば半導体装置の製造において利用して、半導体基板上に材料の薄膜を形成することができる。平坦でないトポグラフィ上で膜厚及び組成の均一性を維持しようと試みると、半導体基板上に薄膜を形成する際に困難が生じ得る。例えば、半導体基板はしばしばその中に形成されたトレンチ及びバイアを有し、スパッタリングプロセスの目標は、基板の表面全体にわたって並びにトレンチ及びバイア内部に均一な厚さを有する薄膜を提供することである。半導体装置はますます小型化しつつあるので、トレンチ及びバイアのアスペクト比は増大しており、トレンチ及びバイア内部に均一な薄膜を提供することがますます困難になりつつある。
【0003】
スパッタリングターゲットを製造する上で特に重要な材料は、面心立方(f.c.c.)金属の例えばアルミニウム、銅、金、及びニッケル、並びにこれらの合金である。スパッタリングターゲットの性能に影響を与えるターゲットの3つの冶金学的特性は、材料の均一性(析出物、ボイド、介在物及び他の欠陥がないこと)、結晶粒度(より微細な結晶粒度は一般に、より粗い結晶粒度よりも好ましい)、及び集合組織(集合組織は、特定の結晶学的配向の強度に関連する;“弱い”集合組織は、結晶学的配向の実質的にランダムな分布を含み、“強い”集合組織は、結晶学的配向の分布内に優先する結晶学的配向を含む)。
【0004】
強く<220>配向した集合組織は、堆積速度及び膜均一性の点から見て最適なターゲット性能を提供することができ、高いアスペクト比を有するトレンチ及びバイアの良好なサイドウォール及びステップカバレージをもたらすことができる。強い<220>配向を有するターゲットは、スパッタされた材料の角度分布がターゲット表面に垂直な方向の周辺に集中するような最適の場合に対応すると考えることができる。特に、f.c.c.材料の原子の放出は、<220>最密方向に沿って優先的に起きることができる。<220>配向集合組織に関連した利点は、方向性堆積技術(directional deposition technique)の例えば低圧遠隔スパッタリング及び自己イオン化プラズマPVDにおいて特に顕著となることができる。
【0005】
集合組織の適切な配向に加えて、小さな結晶粒度がスパッタリングターゲットの重要で所望の特性となり得る。特に、スパッタリングターゲット中の小さく均一な結晶粒度は、より粗い結晶粒を有するターゲットから形成されるかもしれないものよりも、より良好な品質の薄膜がターゲットから形成されることを可能にすることができる。より粗い結晶粒に対して小さな結晶粒を用いて実現することができるより良好な品質という局面としては、例えば、下にある基板の平坦でない表面トポグラフィ上のスパッタ被覆膜のより良好なステップカバレージが挙げられる。
【0006】
微細な結晶粒度及び強く<220>配向した集合組織(微細な結晶粒度は、平均結晶粒度約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を指す)を含むPVDターゲットを形成することが望ましいと思われる。しかしながら、このような組み合わせた特性を得るのは困難であることが判明しており、それどころか<220>配向集合組織を有するターゲット中の平均結晶粒度は少なくとも40ミクロンである。加えて、ターゲット製造の最中に<220>配向集合組織を保持することは困難となり得る。例えば、材料の円柱状ビレットを鍛造することによって、材料中に軸配向<220>集合組織を誘起することができる。しかしながら、冷間または温間鍛造は一般に鍛造済み材料の再結晶焼なましを含み、このようなものは<220>配向から<200>配向への集合組織の変化を誘起する。処理済み材料の静的再結晶の温度を超える温度で熱間鍛造を実行することでこのような有害な再結晶を避けるための努力がなされてきており、従って、熱間鍛造は、強く<220>配向した集合組織を用いてターゲットを製造するための広く使用されている方法となっている。熱間鍛造を利用する際の困難は、熱間鍛造において使用する高い加工温度及び限定されたひずみ付与が、30ミクロンよりもかなり大きく不均一な結晶粒度をもたらすという点である。加えて、大きな第二相析出物(>5ミクロン)が望ましくないことに熱間鍛造処理済みターゲット材料中に誘起され得る。
【0007】
上記に説明した問題及び手順は、軸配向<220>集合組織の形成に関し、同様の問題は、平面配向<220>集合組織の形成に関し得る。特定の用途において、例えば、長方形のターゲットを含む用途において、平面配向<220>集合組織は軸配向<220>集合組織よりも好ましいことがあるという点で、軸配向<220>集合組織に加えて平面配向<220>集合組織を生成することが望ましいと思われる。
【0008】
軸配向または平面配向<220>集合組織を有するPVDターゲットを従来の方法を用いて製造することは困難なので、このような集合組織の新規な形成方法を開発することが望ましいと思われる。
【0009】
発明の要約
本発明は、PVDターゲットを含む。本ターゲットは、f.c.c.金属の塊を含み、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、黄銅、セリウム、コバルト(例えばコバルトβ)、カルシウム(例えばカルシウムα)、鉄(例えば鉄γ)、鉛、パラジウム、白金、ロジウム、ストロンチウム、イッテルビウム、及びトリウムのうちの1種以上を含む。本ターゲットは、好ましくはアルミニウム、銅、金、ニッケル、及び白金のうちの1種以上を含むことができる。本ターゲットは、平均結晶粒度約30ミクロン未満、最も好ましくは1ミクロン未満を特徴とする均一な結晶粒度;均一で強い<220>配向集合組織;及びいかなる位置においても実質的に均質な組成を含むことができ、このような組成は気孔、パーティクル、ボイド、及び介在物を実質的に欠いている。
【0010】
1態様においては、本発明は、PVDターゲットの形成方法を包含する。本方法は、材料の鋳込インゴットからのビレットの製造と、ビレットの予備加工熱処理(thermomechanical treatment)とを含む。加工熱処理は、均質化、熱間鍛造、及び溶体化のうちの1つ以上を含むことができ;鋳造欠陥の例えば析出物、ボイド、及びザク巣を除去する温度、時間及び変形レベルで行うことができる。加工熱処理に加えて、時効を行って、ビレット内部に析出物の均一な分散を形成することができる。析出物は、実質的に全てが最大寸法0.5ミクロン未満を有し得る。
【0011】
ビレットを、互いと比較して実質的に等しい断面積を有する2つの連続的しかつ交差するチャンネルを有するダイを通して数回(例えば4〜8回)押出す(いわゆる等チャンネル角度押出しまたはECAE)。2つのチャンネルは180°以外の角度で互いに交差する。ビレットは、任意の変形経路を経てチャンネルを通過することができ、模範的な経路は、パスの間に同じ方向にビレットを90°回転させる(いわゆる“経路D”)ことを含む。
【0012】
ビレットの押出しの後、ビレットの材料は、動的再結晶済み平均結晶粒度1ミクロン未満を有し得る。また、押出しは、ビレットの材料内部に弱い、または全くランダムな集合組織でさえも生成し得る。
【0013】
ビレットの材料内部に弱い集合組織を形成した後、追加の加工を行って、ビレットの材料内部に所望の<220>配向集合組織を誘起する。追加の加工は、好ましくはビレットの材料内部にサブミクロンの平均結晶粒度を維持し、同時に<220>配向集合組織を誘起する。ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を形成する模範的な方法は、軸配向<220>集合組織を生成するための、丸形ビレットの鍛造を含む。ビレットの材料内部に<220>集合組織を形成する別の模範的な方法は、平面配向<220>集合組織を生成するための、直交する2方向(好ましくはビレット軸と一致する方向)に沿った長方形ビレットのクロスローリングを含む。ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を形成するさらに別の模範的な方法は、軸配向<220>集合組織を生成するための、4を超える方向に沿った丸形ビレットのクロスローリングを含む。熱間鍛造及びクロスローリングは、<220>配向集合組織の誘起の最中にビレットの材料内部に若干の結晶粒成長を誘起し得るが、好ましくは熱間鍛造及び/またはクロスローリング後の平均結晶粒度は30ミクロン未満である。
【0014】
ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を誘起した後、変形後回復焼なましを行って、<220>配向集合組織の強度を向上させることができる。変形後回復焼なましは、ビレットの材料内部にサブミクロンの平均結晶粒度を維持する条件下で行うことができる。変形後回復焼なましに加えてまたはこの他に、中間焼なましを、クロスローリングパスの間に及び/または鍛造パスの間にビレットの材料に行うことができる。また、再結晶焼なましを静的再結晶の最初の段階で行って、優先する<220>配向集合組織を保存し、ビレットの材料内部に数ミクロン〜30ミクロン未満を含む平均結晶粒度を有し得る。
【0015】
上記に説明した方法に加えて、本発明は、PVDターゲットの構成及び組成を包含する。
【0016】
本発明の好適な具体例を、以下の添付図面に関連して下記に説明する。
【0017】
好適な具体例の詳細な説明
本発明は、30ミクロン未満(好ましくは1ミクロン未満)の均一な平均結晶粒度と制御可能な強度を有する軸配向または平面配向<220>集合組織とを有する物理蒸着ターゲット、例えばスパッタリングターゲットの製造方法を包含する。本ターゲットはさらに、鋳造欠陥を実質的に含まず、特に例えばボイド、パーティクル、及び介在物を含まない(または非常に少数含む)。本発明は、金属材料中に所望の集合組織を誘起するための鍛造及びクロスローリングのうちの一方または両方と組み合わせた等チャンネル角度押出し(ECAE)の利用を包含する。ECAEは一般に米国特許第5,400,633号、同第5,513,512号、同第5,600,989号、同第5,850,755号、及び同第5,590,389号に説明されており、これらの全てを本文書において参考のために引用する。
【0018】
本発明の方法は、ECAEを利用してf.c.c.単位胞金属及び合金を変形することができる。変形は、弱いかまたはランダムな集合組織を生成するように選択された加工経路及びECAE装置を通るパス数を用いて、低温で起きることができる。変形はまた、加工済み材料内部に非常に微細な結晶粒度、好ましくは1ミクロン未満を生成するために構造を改良することができる。
【0019】
ECAE後に、変形済み材料の追加のクロスローリング及び/または鍛造を利用して、材料内部に平面配向または軸配向<220>集合組織を生成することができる。低温ECAEは、冷間または温間鍛造及び/またはクロスローリング後にも動的再結晶されたままでありかつ超微細粒のままであるような動的再結晶済み超微細粒材料を提供することができる(但し、加工は加工済み材料の静的再結晶の温度よりも低い温度で起きる)。超微細粒構造は動的再結晶されたままなので、再結晶焼なまし処理を避けることができる。こうした理由及び他の理由で、本発明の方法を利用して、微細で均一な平均結晶粒度、好ましくは1ミクロン未満を有し;また強い<220>配向集合組織を有するスパッタリングターゲットを形成することができる。
【0020】
本発明の他の態様においては、検討中の材料の静的再結晶温度を超える加工温度で熱間鍛造またはクロスローリングをECAE工程後に実行する。ECAE押出超微細粒材料の加工温度、再結晶、及び限定された結晶粒成長の注意深い制御を、熱間鍛造及び/またはクロスローリングの最中に利用して、優先する<220>配向集合組織及び均一な結晶粒度(平均サイズは30ミクロン未満である)を有するスパッタリングターゲットを形成することができる。
【0021】
本発明のさらに他の態様においては、低温ECAE;冷間または温間クロスローリング;及び/または鍛造後に、材料に回復焼なましを施すことができる。回復焼なましは、変形したままの<220>配向集合組織の強度を向上させることができ、同時にECAEによって生成した超微細粒構造の結晶粒度を維持する。平均結晶粒度は例えば1ミクロン未満となり得る。回復焼なまし処理を行った場合、上記材料から形成されたスパッタリングターゲットは、強い<220>配向集合組織及び均一で微細な結晶粒度、例えば1ミクロン未満を有することができる。
【0022】
本発明の幾つかの態様においては、クロスローリング及び/または鍛造に加えて材料に静的再結晶処理を施す。このような静的再結晶処理を材料に対して実行した場合、この材料から形成されたスパッタリングターゲットは、優先する<220>配向集合組織及び均一な結晶粒度を有し得、平均結晶粒度は30ミクロン未満である。
【0023】
本発明を利用してスパッタリングターゲットを形成した場合、本ターゲットは、f.c.c.単位胞金属(すなわち、f.c.c.単位胞によって定義することができる結晶学的構造を有する金属、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、黄銅、セリウム、コバルトβ、カルシウムα、鉄γ、鉛、パラジウム、白金、ロジウム、ストロンチウム、イッテルビウム、及びトリウムのうちの1種以上)を含むことができ、制御可能な強度を有する均一な<220>軸配向または平面配向集合組織を有する。本スパッタリングターゲットは、平均結晶粒度30ミクロン未満(及び特定の用途においては1ミクロン未満)と、全体にわたって均質な材料組成と、鋳造欠陥(例えば、気孔、ボイド、及び介在物)がないことと、極めて微細で均一に分布した析出物/相とをさらに含むことができ、析出物/相の最大寸法は0.5μm未満である(及び特定の用途においては析出物/相がないことを含むことがある)。
【0024】
特定の具体例においては、本発明の方法を、鋳込材料からのPVDターゲット(例えばスパッタリングターゲット)の形成において利用することができる。最初の工程は、鋳込材料から第二相析出物、気孔、ボイド、介在物、及び任意の他の鋳造欠陥を低減するかまたは除去すること、並びに、材料全体にわたって均質な組成を生成することとすることができる。等チャンネル角度押出し(ECAE)による任意の加工の前に、鋳造欠陥の低減を実行することができ、この低減は、鋳込インゴット材料の加工熱処理を含むことができる。一般的な加工熱処理の中で、均質化、溶体化、時効、及び熱間鍛造は、冶金学的加工のために比較的一般に利用される。均質化を利用して、鋳放しインゴット中に存在するマクロ及びミクロ偏析の完全な(または実質的に完全な)再分布を成し遂げることができ、また均質化を利用して、鋳放しインゴット材料から形成されるビレット全体にわたって構成元素及びドーパントの均一な組成を提供することができる。熱間鍛造を使用して、鋳放し樹枝状構造を分解することができ、鋳造欠陥の例えばボイド、ザク巣、空洞、及び介在物を除去することができる。溶体化を利用して、鋳込材料のミクロ構造内部に存在する任意の第二相析出物を溶液中に溶解させることで、析出物の無いビレットを鋳込材料から製造することができる。最後に、時効を利用して、鋳込材料のビレット全体にわたって第二相析出物の極めて微細で均一な分布を生成し得る。析出物は、例えば最大寸法0.5ミクロン未満を有し得る。析出物の微細で均一な分布は、変形プロセスによって形成されるミクロ構造の安定性を向上させることができる。溶体化工程後に、時効を熱処理として行うことができ、またECAEの前または後に行うことができる。
【0025】
均質化、熱間鍛造及び溶体化という上記に説明した加工熱処理は、処理済み材料内部の結晶粒及び粒度の劇的な増大を引き起こし得るが、それに続く本発明による材料のECAE処理は、結晶粒及び粒度を目標値にまで低減することができる。従って、予備処理の例えば均質化、熱間鍛造、溶体化及び/または時効を、最適化されたひずみ、時間及び温度で(このような最適化された条件が結晶粒度及び/または粒度に及ぼす影響に無関係に)実行することができる。
【0026】
ビレット形成、均質化、熱間鍛造、溶体化、及び/または時効という予備プロセスの後、金属材料に過酷な塑性変形(severe plastic deformation)を施して、材料の結晶学的配向をランダム化し(すなわち、集合組織を弱くし)、結晶粒度を低減する。過酷な塑性変形を誘起する模範的な方法はECAEである。図1は、模範的なECAE装置10を示す。装置10は、一対の交差するチャンネル14及び16を規定する金型アセンブリ12を含む。交差するチャンネル14及び16は断面積が同一である(または少なくとも実質的に同一であり、“実質的に同一”という用語は、チャンネル同士はECAE装置の許容差の範囲内で同一であることを示す)。
【0027】
運転中には、金属材料のビレット18を、チャンネル14及び16を通して押出す。このような押出しは、チャンネル同士が交差する面に位置する薄い帯域において、層に次々に起きる単純剪断(simple shear, layer after layer)によってビレットの塑性変形をもたらす。
【0028】
ECAEは過酷な塑性変形をビレット形状の材料中に導入することができ、同時にビレットの寸法を変化しないままで保つ。ECAEは、ECAEを低い負荷及び圧力で利用して、厳密に均一で均質なひずみ付与を誘起することができるという点で、金属材料中に過酷なひずみを誘起する好ましい方法となり得る。加えて、ECAEは、パス当り高い変形を実現することができ(ε=1.17);ECAEは、ECAE装置を通る多数のパスを用いて高い蓄積されたひずみを実現することができ(N=4パスで、ε=4.64);ECAEを利用して、様々な変形経路を利用することで(すなわち、ECAE装置を通るパスの間でビレットの向きを変えることで)、材料内部に様々な集合組織/ミクロ構造を生成することができる。
【0029】
本発明の模範的な方法においては、金属材料のビレット内部に所望のミクロ構造(すなわち、弱い集合組織及び小さな結晶粒度)を得るのに十分な、またビレット全体にわたって均一な応力−ひずみ状態を生じるのに十分なひずみ速度及び加工温度でECAEを行う。多数の経路を用い、材料の冷間または熱間加工に対応することができる温度で、材料のビレットを、ECAE装置に数回通過させることができる。ECAE装置を通る多数のパスと共に利用する好ましい経路は、いわゆる“経路D”とすることができ、これは、連続的な各パスの前に常にビレットを90°回転させることに対応する。ECAE装置を通る模範的なパス数は4パス〜8パスである。このような模範的な数は一般に、機械的に誘起した動的再結晶によってサブミクロンサイズまでの結晶粒微細化を促進するのに十分であることが見い出された。例えば、平均で約0.2〜約0.5ミクロンである典型的な結晶粒度は、模範的な金属材料の例えば0.5%のCuを有するAl;0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAl;1%のSi及び0.5%のCuを有するAl;0.2%のTi及び0.5%のCuを有するAl;並びに99.999%のCuから得られる。全ての列記する百分率組成は、特に断らない限り重量%であることは理解できるはずである。上記に列記した金属材料を一般にターゲット製造のために使用し、材料中に形成される結晶粒度は、ECAE以外の方法によって加工された同一の材料中に見い出される結晶粒度と比較して、少なくともファクターで約100小さくすることができる。また、材料の集合組織の強度は、ECAE以外の方法によって加工された同一の材料中に見い出される集合組織の強度と比較して、ファクターで約3〜約5低減させることができる。
【0030】
回復焼なまし処理を行って、ECAEによって形成されたサブミクロン構造を安定化することができる。
【0031】
ECAEを利用して、結晶粒度を低減し、金属材料の集合組織を弱くした後、それに続く加工(例えば、鍛造及び/またはクロスローリング)を利用して、材料内部に強く均一な<220>配向集合組織を誘起することができる。ECAEによって金属材料中に生成した動的再結晶済みサブミクロン構造は、さらなるクロスローリングまたは鍛造による強く均一な<220>配向集合組織の発達に適合したものに関連した特性を有することができる。例えば、ECAEを施した材料は、それに続いて、ほぼ理想的な塑性機械的挙動(plastic mechanical behavior)を示すことができる(すなわち、塑性の理論に従って結晶学的集合組織を発達させるのにほぼ最適の物体となり得る)。また、ECAEを施した材料は、それに続いて、弱いかまたはランダムに近い集合組織を示す。このような集合組織は、例えば鍛造またはクロスローリングによるその後の集合組織の発達にとって有益となり得、というのは、集合組織発達工程によって強いられる最終的な配向に各結晶粒が到達するための統計的に等しい機会が存在するからである。それに反して、強い集合組織を有する材料は、それに続く集合組織の発達を誘起するために利用するのはより困難である。
【0032】
また、ECAE動的再結晶済みサブミクロン構造は、結晶粒度数ミクロンを有するミクロ構造とは異なった方法で、さらなるひずみ付与(例えば、それに続く集合組織発達工程において誘起されるひずみ付与)に対処することができる。粒界すべり及び結晶粒回転の機構は、古典的な結晶粒内の結晶学的すべりと比較して、サブミクロン構造の場合にはより重要になる。この結果、ECAE形成サブミクロン構造は、さらなる加工(例えば、冷間または温間クロスローリング若しくは鍛造)の最中に動的再結晶されたままであることができ、より大きな結晶粒度を有する構造よりも少ない結晶粒内転位を有する全体等軸(globally equiaxed)サブミクロン結晶粒度を維持することができる。従って、<220>配向集合組織を、ECAE形成サブミクロン構造中に例えばクロスローリングまたは鍛造によって誘起することができ、同時に構造の平均結晶粒度1ミクロン未満を維持する。
【0033】
ECAEによって形成されたサブミクロン構造に、静的再結晶に対処する条件下で焼なましを施すことができるが、このようなものは一般に構造の結晶粒度を増大させ、従って単にこのような焼なましを避けるよりも好ましくないことがあるという点に注目すべきである。しかしながら、追加の加工(例えば、熱間鍛造またはクロスローリング)を、ECAE形成サブミクロン構造の静的再結晶の温度を超える温度で行う場合、ECAE形成サブミクロン構造の均一で微細な結晶粒度は依然として利点を有することができる。例えば、たとえ静的再結晶の温度を超える温度が原因で結晶粒が成長しても、結晶粒度の均一性が保たれて、平均サイズが例えば約1ミクロン〜約30ミクロンの均一な結晶粒を有する材料を形成することができる。
【0034】
多数の変形方法のいずれでも利用して、ECAE後に材料中にひずみ付与を誘起することができ、それによって所望の方向に所望の集合組織を生成する。3つの具体例を、本明細書において図2〜14に関連して説明する。
【0035】
まず図2を参照すると、円形ビレット20に鍛造操作を施して、ビレットの材料内部に軸配向<220>集合組織を誘起するためのプロセスが示される。ビレット20は、円形の上面22及び円形の下面24を有し、後にこのビレット20を利用して、円形の上面22または円形の下面24によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。自明のこととして、PVDターゲット内部の軸配向または繊維<220>集合組織は、ターゲットのスパッタリング表面に及びスパッタリングターゲット表面に直角な(またはほぼ直角な)結晶格子の方向<uvw>に平行な<220>面と同方向に主として配向する結晶粒を有する。
【0036】
ECAEを典型的には長方形または正方形ビレットを用いて行うという点に注目すべきである。正方形ビレットのECAE後に正方形ビレットを切削して円形にすることで、円形ビレット20を形成することができる。図2は、正方形のECAEビレット形状をファントム図で25として示し、円形ビレット20をこのような正方形ビレットから切削できることを示す。ビレット20の円形の幾何学的形状は、適切な鍛造によって誘起した軸対称据込み変形(axi−symmetrical upsetting deformation)を確実なものにすることができ、これは、ビレット全体にわたって均一な<220>配向を提供することができる。
【0037】
鍛造装置30を図2に線図で示し、互いに移動してプレート間にビレット20を押し付けることができる一対のプレート32及び34を含むことを示す。プレート32及び34は、例えば電源(図示せず)の例としてモーターまたは水圧ラムによって移動することができる。プレート32及び34の移動は、プレートのうちの1つのみの移動、またはプレートの両方の移動を含むことができるという点に注目すべきである。
【0038】
示される鍛造を好ましくは、集合組織の均一性を最適化する無摩擦条件(frictionless condition)下で実行する。無摩擦鍛造を実現する1方法は、ポケット36及び38をそれぞれプレート32及び34中に機械加工し、次にポケットに潤滑剤を充填することである。潤滑剤は、鍛造装置と接触するビレット20の表面を潤滑することができる。
【0039】
図2の鍛造において重要な役割を果たすことができる2つのパラメータは、鍛造によって実現する変形の全量(すなわち、パーセント圧下(percent reduction))及び鍛造の最中のビレット20の温度である。ビレット20の温度が鍛造の最中に静的再結晶の温度未満のままである場合、鍛造温度及び全変形量のうちの一方または両方の上昇は<220>軸配向集合組織の強度を向上させることができ、同時に好ましくは1ミクロン未満の超微細なECAE結晶粒度を維持する。
【0040】
図5及び6は、ECAE及び様々な鍛造プロセスの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。特に、示されるデータは、温度150℃で、50%までの圧下(図5a)、62%までの圧下(図5c)及び72%までの圧下(図5e、5g)で変形してビレットを鍛造した後に得られる。集合組織の軸配向の特徴は、図5gの<220>極点図の環状パターンによって認識できる。図5の示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は0.5ミクロンである。図5のデータは、逆極点図中の最大値は、2.7から7.76倍ランダム(t.r.)にまで徐々に増大することを示す(図5a、5c、5e)。図6は、<220>比のパーセントを示し、このようなパーセントが60%から85%にまで徐々に増大することを示す。特に、図6は、150℃、75%圧下で鍛造した場合の、変形したままの条件で(124)、100℃で1時間焼なましをした後(122)、及び175℃で1時間焼なましをした後(120)の<220>面のパーセント比の進展を示す。
【0041】
ビレット20の温度が鍛造の最中に静的再結晶の温度を超える場合、鍛造変形及び温度を最適化して、<220>集合組織を得、再結晶済み結晶粒度を30ミクロン未満に制限することができる。図7は、ECAE及び様々な鍛造プロセスの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。図7(a)及び7(b)は、ECAE、250℃で熱間鍛造、及びさらに225℃で0.5時間焼なましをした後に発達した強い<220>軸配向集合組織を示す。図7(a)及び7(b)のデータを得る際に利用した材料の平均結晶粒度は約10ミクロンである。図7(c)及び7(d)は、350℃で熱間鍛造した後の強い<220>軸配向集合組織を示す。図7(c)及び7(d)のデータを得る際に利用した材料の平均結晶粒度は約30ミクロンであり、対応する<220>比は約80%である。
【0042】
再度図2を参照すると、鍛造後のビレット20を、鍛造前よりも平らな円形材料として示す。ビレット20を、鍛造後にスパッタリングターゲットとして直接に利用することができ、ここで表面22及び24のうちの1つがスパッタリング表面であるか、または、ビレット20に機械加工を施して、ビレットを所望のターゲット形状に形成することができる。また、特定のターゲット構成にとって変更された組成が望ましい場合、図2の鍛造後にビレット20にさらなる熱処理を施して、ビレット20内部の組成を変更する(例えば、ビレット20内部の平均結晶粒度を増大させる及び/またはビレット20内部の材料の集合組織を安定化する)ことができる。
【0043】
図2の具体例は、強い軸配向<220>集合組織を生成し、サブミクロンのECAE平均結晶粒度を維持するか、または、例えば1ミクロンよりも大きくかつ約30ミクロン以下であるより大きな平均結晶粒度を生成するための、適切なひずみ及び鍛造温度での円形ECAEビレットの鍛造を包含する。しかしながら、大きな直径対厚さの比を有する薄い円板状製品(特定のスパッタリングターゲット構成のような)の鍛造は複雑になり得るという点に注目すべきである。特に、低温でかつ大型のターゲットの場合には、高価なツーリング並びに高い負荷及び圧力が望ましくなり得る。このような実用上の困難は、ECAE工程後に<220>集合組織を発達させるためのクロスローリングを含む本発明の具体例を使用することで解決することができる。
【0044】
クロスローリングを包含する本発明の具体例を、図3に関連して説明する。図3の具体例は、直交する2方向に沿ったクロスローリングを使用することで、制御可能な強度と結晶粒度約30ミクロン以下、好ましくは1ミクロン未満とを有する<220>平面配向集合組織を生成することができる。立方体ビレット50は、正方形の上面52、正方形の下面54(図3では見えない)、及び4つの側面56(図3ではこのうちの3つのみが見える)を含むのが示される。ビレット50は、立方体として示すもの以外の他の形状を含むことができ、これは、表面のうちの少なくと2つは正方形ではなく長方形であるような形状を含む。ビレット50を最終的には利用して、上面52または下面54によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。自明のこととして、平面配向またはシート<220>集合組織は、ターゲット表面に及びターゲット表面に属する結晶格子の方向<uvw>に平行な<220>面を主として有する結晶粒を有する。
【0045】
上面52に沿って延在する第1の軸X1が示され、軸X1と直交して延在する第2の軸X2が示される。図3は、一対のローラー62及び64を含むクロスローリング装置60を線図で示す。ビレット50はローラー62及び64の間を通過して、ビレット50は圧縮され、それによってビレット50が変形される。示されるように、ビレット50をまず軸X1または軸X2のうちの1つに沿って圧延し、次に軸X1または軸X2のもう一方に沿って圧延して、直交する2方向に沿ったビレット50のクロスローリングを成し遂げる。クロスローリング装置60を通るビレット50の各パスの最中にほぼ均一な平面応力−ひずみ状態を提供するローリング条件を利用することができる。好ましくは、示されるように、ビレット軸と一致するクロスローリング方向を選択する。
【0046】
図3のクロスローリングの最中に重要となり得る3つのパラメータは、クロスローリングの最中のビレット50の温度;クロスローリングによって誘起される変形の全量(すなわち、全クロスローリング圧下(total cross−rolling reduction));及びビレット50がさらされるクロスローリングパスの数(これはまた、パス当りに実現されるビレット50の増分変形(incremental deformation)として表すことができる)である。
【0047】
図3のクロスローリングを好ましくは、ビレット50の材料がその静的再結晶温度未満のままであるような温度で行う。こうしたことは、ECAE加工によって導入された超微細な結晶粒度が、クロスローリングの最中にビレットの材料中に保たれることを可能にすることができる。しかしながら、クロスローリングを、ビレット50の材料がその静的再結晶温度を超えるような温度で行う場合、加工温度を最適化して、ビレット50の材料中の<220>集合組織及び平均結晶粒度約30ミクロン未満を有するマイクロメートルレベルの構造(micrometer structure)を生成することができる。
【0048】
より大きなレベルの全クロスローリング圧下及び/または漸増するクロスローリングパスの数は、ビレット50の材料中に誘起される<220>平面配向集合組織の強度を徐々に増大させることができる。クロスローリング圧下の全量は好ましくは50〜60%を超え、ローリングパスの数は、好ましくは5%から20%の間の増分クロスローリング圧下が各パスによって実現されるように選択される。十分なクロスローリング圧下及びローリングパスの適切な数の利用は、ビレット50の厚さ全体にわたって、ひずみ−応力状態の最適分布を実現することを可能にすることができる。
【0049】
図8及び9は、ECAE及びそれに続く直交する2方向に沿ったクロスローリングの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示し;また、全クロスローリング圧下及びクロスローリングパスの数という2つの組み合わせたパラメータが及ぼす影響を示す。特に、図8は、材料内部の集合組織を示すグラフを含み、図9は、クロスローリング圧下(50%、75%及び90%)の関数としての<220>配向のパーセントの進展を示すグラフ(a)、及びODインデックスの進展を示すグラフ(b)を含む。図9のデータは、変形したままの条件(グラフ(a)の300及びグラフ(b)の310);100℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の302及びグラフ(b)の312);及び150℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の304及びグラフ(b)の314)の材料に関して作図されている。グラフ9(a)の<220>比を、4つの面<200>、<220>、<113>、及び<111>から計算する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【0050】
4パスの場合の50%圧下で(図8(a))、弱い<220>集合組織が存在し、<220>比は約58%であり(図9(a))、ODインデックスは3倍ランダムである(図9(b))。焼なまし無しで8パスの場合の75%圧下の後(図8(c))及び12パスの場合の90%圧下の後(図8(e)及び8(g))、中程度から強い<220>集合組織が徐々に得られ、これは、逆極点図の最大値の増大(図8(c)及び8(e))、<220>比(それぞれ、図9(a)で82%及び93%)及びODインデックス(それぞれ、図9(b)で7及び15倍ランダム)で示される。また、<220>極点図は、環状パターンの代わりに個別の極のみを示す(図8(g))。
【0051】
図10は、高純度Cu(特に、純度99.9998%)もまた図3の方法に従って加工することができ、アルミニウム/銅合金に関して上記に検討したものと同様の結果を実現することを示す。特に、図10は、ECAE及び直交する2方向に沿った75%クロスローリング(8パスを経る)は銅中に強い<220>集合組織を誘起することを示し、<220>比は84%である。
【0052】
再度図3を参照すると、鍛造後のビレット50を、鍛造前よりも平らな材料として示す。ビレット50を、鍛造後にスパッタリングターゲットとして直接に利用することができ、ここで上面52または下面54がスパッタリング表面であるか;または、ビレット50に機械加工を施して、所望のターゲット形状を形成することができる。図3は、クロスローリング後にビレット50から切削または他の方法で機械加工することができる円形ターゲット形状65のファントム図を示す。特定のターゲット構成にとって変更された組成が望ましい場合、図3のクロスローリング後にビレット50の材料にさらなる熱処理を施して、ビレット50内部の組成を変更する(例えば、ビレット50内部の平均結晶粒度を増大させる及び/またはビレット50の材料の集合組織を安定化する)ことができる。
【0053】
図3の具体例は、平面配向<220>集合組織を誘起し、同時にECAEによるサブミクロンの結晶粒度を維持するかまたはより大きな結晶粒度を生成するための、適切なひずみ付与、クロスローリングパスの数及び加工温度での、直交する2方向に沿った好ましくは長方形ECAEビレットのクロスローリングを包含する。より大きな結晶粒度は、例えば1ミクロンよりも大きくかつ約30ミクロン以下とすることができる。
【0054】
図3の具体例は、クロスローリングを利用して平面配向<220>集合組織を形成する。別の具体例を図4に関連して説明し、ここではECAE後にクロスローリングを利用して軸配向<220>集合組織を形成する。クロスローリングはしばしば鍛造よりも低い加工コストで利用することができるという点で、軸配向<220>集合組織を形成するためのクロスローリングの利用は、図2に関連して説明した鍛造と比較して好ましくなり得る。
【0055】
図4の具体例は、ECAE後にクロスローリングを使用することで、制御可能な強度と結晶粒度約30ミクロン以下、好ましくは1ミクロン未満とを有する<220>軸配向集合組織を生成することができる。クロスローリングは、ほぼ軸対称な変形を確実なものにするために互いに均等に間隔を置かれた4つ以上の異なるローリング方向に沿っている。円形ビレット70を示し、正方形ビレット71(これから円形ビレットを切削することができる)(ファントム図)と比較して示す。ビレット70の円形の形状は、図4の加工によって集合組織の最適均一性を実現することを可能にすることができる。円形ビレット70は、図2に関連して説明した円形ビレット20と同一とすることができ、ビレット20に関して前に説明した加工と同一の加工によって形成することができる。
【0056】
ビレット70は、前面72及び対向する裏面(図4では見えない)を含む。ビレット70を最終的には利用して、前面72または裏面によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。
【0057】
前面72に沿って延在する第1の軸Xが示され、軸Xと直交して延在する第2の軸Yが示される。図4は、クロスローリング装置(図4には図示しないが、図3に関連して上記に説明したクロスローリング装置60と同一とすることができる)を通るビレット70の4つのパスの方向を線図で示す。示されるように、ビレット70をまず軸Y(ローリング方向74)に沿って圧延し、次に軸X(ローリング方向76)に沿って圧延する。それに続いて、ビレット70を、軸Yから45°からずれた軸78に沿って圧延し(軸78は軸Yから45°の角度に位置することが理解できるように、図4の第3のローリング順序において軸Yを仮想的に示す)、次に、軸78から90°からずれた軸80に沿って圧延する(軸80は軸78から90°の角度に位置することが理解できるように、図4の第4のローリング順序において軸78を仮想的に示す)。図4は、4つのクロスローリングパスを、隣接するパスから45°の位置で行うような具体例を示すが、本発明は、4を超えるパスを利用するような具体例を包含することは理解できるはずである。例えば、本発明は、8つのパスを利用するような具体例を包含し、パスの各々は、隣接するパスから22.5°の角度で位置する。すなわち、多数のローリングパスをビレット70の表面全体にわたって行い、各パスはビレット70の直径に沿い、他のパスとは別個の軸に沿って延在し、別個の軸は、ビレット70の円形の外周部に沿って互いに等距離で間隔を置かれている。本発明はまた、少なくとも幾つかのパスは他のパスと同じ軸に沿っているような具体例を包含することができるという点に注目すべきである。
【0058】
図4のクロスローリングの最中に重要となり得るパラメータの中には、クロスローリングの最中のビレットの温度;クロスローリングによって誘起される変形の全量;及びビレットがさらされるクロスローリングパスの数(またはパス当りに実現されるビレットの増分変形)がある。このようなパラメータは、図3のクロスローリングに関して前に説明したものと同様の影響を有し得る。
【0059】
図11は、ECAE及びそれに続く互いに22.5°の角度で位置する8つの方向に沿った75%圧下のクロスローリングの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。強い<220>配向集合組織が存在し、<220>比は89%である。<220>及び<111>極点図は、軸配向集合組織に特徴的な環状パターンを示す(図11(a)を図5(g)と比較して、図5(g)は、図11(a)の集合組織を生じるクロスローリング条件(すなわち約75%の全圧下及び温間加工)と同様の加工条件下で鍛造によって得られる軸配向集合組織を示すという点に注目すべきである)。
【0060】
図2、3及び4の加工は、材料の集合組織がECAEによってランダム化された後、最終的には材料中に<220>配向集合組織を形成する。図2、3及び4の具体例は、例えば、鍛造プロセス(例えば、図2のプロセス)とクロスローリングプロセス(例えば、図3及び4のプロセスうちの一方または両方)とを組み合わせることで組み合わせることができる。<220>集合組織の平面配向を生成するプロセスを、<220>集合組織の軸配向を生成するプロセスと組み合わせた場合、加工順序における最後のプロセスが<220>集合組織の最終的な配向を決定することができるという点に注目すべきである。従って、<220>集合組織の軸配向を生成する鍛造プロセスを、<220>集合組織の平面配向を生成するクロスローリングプロセスと組み合わせた場合、鍛造プロセスが加工順序において最後である場合、最終的な集合組織は<220>集合組織の軸配向を有し得る。
【0061】
上記に説明したプロセスのうちの1つ以上によって材料中に<220>集合組織を形成した後、材料に焼なましを施して、材料内部の結晶粒度を安定化するかまたは増大させることができ及び/または材料の集合組織を安定化するかまたは強化することができる。加えて、中間焼なましを、図3及び4に関連して説明したクロスローリング工程のうちの1つ以上の間に行うことができる。利用することができる2つのタイプの焼なましは、回復焼なまし及び再結晶焼なましである。
【0062】
回復焼なましは超微細なECAE結晶粒度を維持することができ、しかもなお軸配向または平面配向<220>集合組織の強度を向上させることができる。回復焼なましは好ましくは、クロスローリング及び/または鍛造が<220>集合組織を誘起した後に行われる変形後焼なましである。回復焼なましを好ましくは材料の全てのクロスローリング及び/または鍛造処理が完了した後に行うが、クロスローリング及び/または鍛造パスの間に中間回復焼なましも実行するかまたは中間回復焼なましを代わりに実行することには幾つかの利点が存在し得ることは理解できるはずである。
【0063】
回復焼なましを好ましくは、処理済み材料の静的再結晶の時間及び温度未満の時間及び温度の条件下で行い、個々の条件は、加工される個々の材料に依存して変化する。模範的な回復焼なまし条件は、材料を少なくとも約150℃の温度に少なくとも約1時間さらすことを含む。回復焼なましは集合組織を強化することができ、従って集合組織内部の<220>配向を強化することができる。回復焼なましが集合組織を強化することができる可能な機構としては、さらなる結晶粒成長も結晶粒配向の変化も無い結晶粒内部領域の清浄化、転位の除去、及び内部応力の除去が挙げられる。変形後回復焼なまし効果の例を、図5(b、d、f、及びh)、図6(Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE+鍛造の後)、図8(b、d、f、及びh)、図9(a及びb)、図12(a、b、及びc)、図13(Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE+2方向に沿ったクロスローリングの後)、及び図14(Al、0.2%のSi、及び0.5%のCuを含む材料のECAE+2方向に沿ったクロスローリング)に示す。
【0064】
全ての調査した場合において、100℃で1時間の焼なましは、試験した材料の特性に明白な影響を及ぼさない(図6及び9)。それに反して、Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE及び150℃での鍛造後の175℃で1時間の焼なましは、全ての調査した場合において<220>集合組織の強度を向上させた(図5b、5d、5f、及び5h並びに図6)。特に、<220>比は76%〜90%の範囲にまで増大することが見い出された。また、Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE及び2方向に沿ったクロスローリング後の150℃で1時間の焼なましは、集合組織の進展に大きな影響を及ぼす。これは、75%圧下で8パスの場合(図8d)及び90%圧下で12パスの場合(図8f及び8h)に起きることが見い出された。ODインデックス(図9b)はファクターで2増大し、91%及び97%という非常に高い<220>比を有する非常に強い<220>集合組織が、それぞれ75%及び90%圧下で存在する(図9(a))。強い集合組織は、比較的に安定なままであることが見い出された。例えば、Al及び0.5%のCuを含む材料の90%圧下の場合(図12、13)、150℃で2時間(図12a)、175℃で1時間(図12b)、または200℃で1時間(図12c)というより厳しい焼なまし(more stringent annealing)は、非常に強い<220>集合組織を提供し、それぞれ<220>比は98%、96%及び91%であり(図13a)、ODインデックスは37倍ランダム、23倍ランダム、及び22倍ランダム(図13b)であることが見い出された。
【0065】
図14は、0.5%のCuを有するAlを含む材料に関して上記に検討したものと同様の挙動を有する0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む比較的に熱的に安定な材料を示す。特に、図14は、150℃で3時間、175℃で3時間、及び200℃で3時間焼なましをした後に、0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む材料に関して得られるデータを示す。また、ECAEによるサブミクロンの結晶粒度約0.5ミクロンは、0.5%のCuを有するAlを含む材料または0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む材料の焼なまし後に安定なままであることが見い出された。
【0066】
図2、3及び4の加工によって生成した材料を処理するために利用することができることが上記に示された第2のタイプの焼なましは、再結晶焼なましである。再結晶焼なましを、静的再結晶に対処する時間及び温度の条件で行う場合、再結晶焼なましを利用して、優先する<220>軸配向または平面配向集合組織を維持することができ、また結晶粒度5〜30ミクロンを生成することができる。再結晶焼なましを好ましくは、静的再結晶の第1の段階でかつ結果として起こる任意の結晶粒成長の前に実行する。例えば、図12(d)は、アルミニウム及び0.5%の銅を含む材料は、225℃で1時間の完全な静的再結晶の後に<220>に近いままである集合組織を有することを示す。さらに、図13は、中程度の<220>集合組織が存在し、<220>比は50%であり(図13(a))、ODインデックスは7倍ランダムである(図13(b))ことを示す。図13に関連して説明した材料の場合、結晶粒度は約5ミクロンである。
【0067】
図15は、本発明の方法に従って製造することができるPVDターゲット100の断面図を示す。ターゲット100は、スパッタリング表面102及びスパッタリング表面102と対向する関係にある裏面104を含む。また、ターゲット100は、表面102と104との間の厚さを含む。ターゲット100は模範的なターゲットであり、ターゲットをターゲット100の形状以外の他の形状に製造することができることは理解できるはずである。ターゲット100の一部分106を、破線より上にあるように示し、これはそれに続くスパッタリングプロセスの最中に最終的には除去されるターゲット100の一部分であると定義される。好ましくは、ターゲット100は、スパッタリング表面102全体にわたって及び一部分106全体にわたって強い<220>配向結晶学的集合組織を含む。ターゲット100は、例えば強い<220>配向集合組織をその全体にわたって、特に表面102及び104の間並びにこれらの表面を含む厚さ全体にわたって含むことができる。“強い”<220>集合組織(または強い<220>配向集合組織)を、f.c.c.単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約75%を含み、例えばこのような比として少なくとも約80%、少なくとも約85%または少なくとも約90%を含むことができる集合組織と定義する。集合組織の<220>配向は、軸配向または平面配向とすることができる。幾つかの具体例においては、“強い”<220>集合組織の代わりに“優先する”<220>集合組織に言及する。優先する<220>集合組織(または優先する<220>配向集合組織)を、f.c.c.単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも50%を含む集合組織と定義する。
【0068】
本発明の方法は、小さく均一な結晶粒度を有するターゲット100を形成することができる。スパッタリング表面102全体にわたって、好ましくは一部分106全体にわたって、平均結晶粒度は好ましくは約30ミクロン未満であり、1ミクロン未満となり得る。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、平均結晶粒度は約30ミクロン未満であり、例えば1ミクロン未満となり得る。さらに、スパッタリング表面102の結晶粒の実質的に全て(好ましくは一部分106全体にわたって)は、最大寸法約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を有し得る(“実質的に全て”は約70%を超えると定義される)。幾つかの具体例においては、スパッタリング表面102の結晶粒の99%を超えるもの(好ましくは一部分106全体にわたって)は、最大寸法約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を有し得る。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、結晶粒の実質的に全ては最大寸法約30ミクロン未満を有し得、例えば最大寸法1ミクロン未満となり得;さらに他の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、結晶粒の少なくとも99%は最大寸法約30ミクロン未満を有し得、例えば最大寸法1ミクロン未満となり得る。
【0069】
ECAE(単独でまたは溶体化、均質化及び時効のうちの1つ以上と組み合わせて)によって処理した場合、ターゲット100を鋳込材料から形成することができ、しかもなお、ボイド、気孔または他の鋳造欠陥を実質的に含まない。好ましくは、表面102に近接した(proximate)(“近接した”という用語は、表面102からの材料のスパッタリングに影響し得る表面102の付近の及び表面102を含む領域を指す)鋳造欠陥は存在しないであろうし、また好ましくは、領域106内部に鋳造欠陥は存在しないであろう。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって鋳造欠陥は存在しない。加えて、何らかの析出物がターゲット100の材料中に存在する場合、このような析出物は全て最大寸法0.5ミクロン以下を有し得る。
【0070】
本開示における組成に関連して、x%の第2の材料を有する第1の材料という用語は、第1及び第2の材料を含む組成、本質的に第1及び第2の材料からなる組成、または第1及び第2の材料からなる組成を包含することを意図しているいう点に注目すべきである。従って、0.5%のCuを有するAlを含む組成に対する言及は、Al及びCuを含む組成、本質的にAl及びCuからなる組成、またはAl及びCuからなる組成を包含する。同様に、1%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む組成に対する言及は、Al、Si及びCuを含む組成、本質的にAl、Si及びCuからなる組成、またはAl、Si及びCuからなる組成を包含する。
【図面の簡単な説明】
【図1】
ECAE装置を用いて処理される材料の、線図による断面図である。
【図2】
円形ビレットを鍛造するプロセスを示す。
【図3】
長方形ビレットを直交する2方向に沿ってクロスローリングするプロセスを示す。
【図4】
円形ビレットを4方向にクロスローリングするプロセスを示す。
【図5】
(a)〜(h)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の強度の進展の図である。グラフは、ECAE後、並びに、加工温度150℃で50%まで(a、b)、62%まで(c、d)及び72%まで(e、f)の圧下でさらに鍛造した後、変形したままの条件で(a、c、e)、または175℃で1時間焼なましをした後(b、d、f)の材料内部の集合組織を示し、逆極点図に対応するものである。<220>極点図(g)及び(h)はそれぞれ逆極点図(e)及び(f)に対応する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図6】
ECAE及び温間鍛造後のAl及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の強度の進展の図である。特に、図は、150℃で50%、62%または72%鍛造した場合の、変形したままの条件で(124)、100℃で1時間焼なましをした後(122)、及び175℃で1時間焼なましをした後(120)の<220>面のパーセント比の進展を示す。
【図7】
(a)〜(d)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の図である。グラフ(a)及び(b)は、ECAE、250℃で75%鍛造、及び225℃で0.5時間焼なましをした後の材料に対応し;(a)は<220>極点図を示し、(b)は<001>逆極点図を示す。(a)及び(b)にグラフで示す材料の平均結晶粒度は約10ミクロンである。グラフ(c)及び(d)は、ECAE、350℃で75%鍛造、及び自己焼なましをした後の材料に対応し;(c)は<220>極点図を示し、(d)は<001>逆極点図を示す。(c)及び(d)にグラフで示す材料の平均結晶粒度は約30ミクロンである。
【図8】
(a)〜(h)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の図である。グラフは、ECAE後、並びに、50%(a、b)、75%(c、d)、及び90%(e、f)の2方向に沿ったクロスローリングをした後、変形したままの条件で(a、c、e)、並びに150℃で1時間焼なましをした後(b、d、f)の材料内部の集合組織を示し、逆極点図に対応するものである。<220>極点図(g)及び(h)はそれぞれ逆極点図(e)及び(f)に対応する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図9】
(a)及び(b)は、ECAE及び直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後のAl及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の図である。グラフ(a)は、クロスローリング圧下(50%、75%及び90%)の関数としての<220>配向のパーセントの進展を示し、グラフ(b)は、ODインデックスの進展を示す。データを、変形したままの条件(グラフ(a)の300及びグラフ(b)の310);100℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の302及びグラフ(b)の312);及び150℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の304及びグラフ(b)の314)の材料に関して作図する。グラフ(a)の<220>比を、4つの面<200>、<220>、<113>、及び<111>から計算する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図10】
(a)及び(b)は、ECAE及び8パスの場合の75%クロスローリング後の純度99.9998%のCu中に得られる強い<220>平面配向集合組織をグラフで示し、(a)は<220>極点図を示し、(b)は<001>逆極点図を示す。平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図11】
(a)〜(c)は、ECAE及び互いに22.5°の角度で位置する8つの方向に沿った75%クロスローリング後の軸配向<220>集合組織をグラフで示し、(a)は<220>極点図を示し;(b)は<111>極点図を示し;(c)は<001>逆極点図を示す。平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図12】
(a)〜(d)は、Al及び0.5%のCuを含む材料の平面配向<220>集合組織の図である。変形は、ECAE及びそれに続く90%で12パスの場合のクロスローリングを含む。回復焼なましが平面<220>集合組織の強度に及ぼす影響を、逆極点図(a)(b)及び(c)によって示し;(a)は150℃で2時間回復焼なましをした後の材料を示し、(b)は175℃で1時間回復焼なましをした後の材料を示し、(c)は200℃で1時間回復焼なましをした後の材料を示す。図12(a)〜(c)に関する試料の全ては、安定な平均結晶粒度約0.5ミクロンを有した。<220>配向集合組織は再結晶焼なましをした後に逆極点図(d)によって示され、特に225℃で1時間焼なましをした後及び静的再結晶の第1の段階に対処した後に示される。図12(d)に関して利用した試料は、平均結晶粒度約5ミクロンを有した。
【図13】
(a)及び(b)は、ECAE及び90%で12パスの間の直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後の、Al及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の、回復焼なましの関数としての図である。グラフ(a)は、<220>、<200>、<113>及び<111>面のそれぞれのパーセント比の進展を示し、グラフ(b)は、ODインデックスの進展を示す。データを、150℃で2時間回復焼なましをした後;175℃で1時間焼なましをした後;及び200℃で1時間焼なましをした後の材料に関して作図する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図14】
ECAE及び75%で8パスの間の直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後の、Al、0.2%のケイ素及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の、回復焼なましの関数としての図である。<220>、<200>、<113>及び<111>面のそれぞれのパーセント比の進展が、150℃で3時間、170℃で3時間、及び200℃で3時間回復焼なましをした後に示される。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図15】
本発明によって包含されるスパッタリングターゲットの、線図による断面図である。
技術分野
本発明は、物理蒸着ターゲットの組成に関し、また、面心立方(f.c.c.)単位格子金属または合金を含む材料の製造方法に関する。
【0002】
発明の背景
物理蒸着法(PVD)は、基板上に薄い金属層及びセラミック層を堆積できる技術であり、例えばスパッタリングプロセスが挙げられる。PVDプロセスを例えば半導体装置の製造において利用して、半導体基板上に材料の薄膜を形成することができる。平坦でないトポグラフィ上で膜厚及び組成の均一性を維持しようと試みると、半導体基板上に薄膜を形成する際に困難が生じ得る。例えば、半導体基板はしばしばその中に形成されたトレンチ及びバイアを有し、スパッタリングプロセスの目標は、基板の表面全体にわたって並びにトレンチ及びバイア内部に均一な厚さを有する薄膜を提供することである。半導体装置はますます小型化しつつあるので、トレンチ及びバイアのアスペクト比は増大しており、トレンチ及びバイア内部に均一な薄膜を提供することがますます困難になりつつある。
【0003】
スパッタリングターゲットを製造する上で特に重要な材料は、面心立方(f.c.c.)金属の例えばアルミニウム、銅、金、及びニッケル、並びにこれらの合金である。スパッタリングターゲットの性能に影響を与えるターゲットの3つの冶金学的特性は、材料の均一性(析出物、ボイド、介在物及び他の欠陥がないこと)、結晶粒度(より微細な結晶粒度は一般に、より粗い結晶粒度よりも好ましい)、及び集合組織(集合組織は、特定の結晶学的配向の強度に関連する;“弱い”集合組織は、結晶学的配向の実質的にランダムな分布を含み、“強い”集合組織は、結晶学的配向の分布内に優先する結晶学的配向を含む)。
【0004】
強く<220>配向した集合組織は、堆積速度及び膜均一性の点から見て最適なターゲット性能を提供することができ、高いアスペクト比を有するトレンチ及びバイアの良好なサイドウォール及びステップカバレージをもたらすことができる。強い<220>配向を有するターゲットは、スパッタされた材料の角度分布がターゲット表面に垂直な方向の周辺に集中するような最適の場合に対応すると考えることができる。特に、f.c.c.材料の原子の放出は、<220>最密方向に沿って優先的に起きることができる。<220>配向集合組織に関連した利点は、方向性堆積技術(directional deposition technique)の例えば低圧遠隔スパッタリング及び自己イオン化プラズマPVDにおいて特に顕著となることができる。
【0005】
集合組織の適切な配向に加えて、小さな結晶粒度がスパッタリングターゲットの重要で所望の特性となり得る。特に、スパッタリングターゲット中の小さく均一な結晶粒度は、より粗い結晶粒を有するターゲットから形成されるかもしれないものよりも、より良好な品質の薄膜がターゲットから形成されることを可能にすることができる。より粗い結晶粒に対して小さな結晶粒を用いて実現することができるより良好な品質という局面としては、例えば、下にある基板の平坦でない表面トポグラフィ上のスパッタ被覆膜のより良好なステップカバレージが挙げられる。
【0006】
微細な結晶粒度及び強く<220>配向した集合組織(微細な結晶粒度は、平均結晶粒度約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を指す)を含むPVDターゲットを形成することが望ましいと思われる。しかしながら、このような組み合わせた特性を得るのは困難であることが判明しており、それどころか<220>配向集合組織を有するターゲット中の平均結晶粒度は少なくとも40ミクロンである。加えて、ターゲット製造の最中に<220>配向集合組織を保持することは困難となり得る。例えば、材料の円柱状ビレットを鍛造することによって、材料中に軸配向<220>集合組織を誘起することができる。しかしながら、冷間または温間鍛造は一般に鍛造済み材料の再結晶焼なましを含み、このようなものは<220>配向から<200>配向への集合組織の変化を誘起する。処理済み材料の静的再結晶の温度を超える温度で熱間鍛造を実行することでこのような有害な再結晶を避けるための努力がなされてきており、従って、熱間鍛造は、強く<220>配向した集合組織を用いてターゲットを製造するための広く使用されている方法となっている。熱間鍛造を利用する際の困難は、熱間鍛造において使用する高い加工温度及び限定されたひずみ付与が、30ミクロンよりもかなり大きく不均一な結晶粒度をもたらすという点である。加えて、大きな第二相析出物(>5ミクロン)が望ましくないことに熱間鍛造処理済みターゲット材料中に誘起され得る。
【0007】
上記に説明した問題及び手順は、軸配向<220>集合組織の形成に関し、同様の問題は、平面配向<220>集合組織の形成に関し得る。特定の用途において、例えば、長方形のターゲットを含む用途において、平面配向<220>集合組織は軸配向<220>集合組織よりも好ましいことがあるという点で、軸配向<220>集合組織に加えて平面配向<220>集合組織を生成することが望ましいと思われる。
【0008】
軸配向または平面配向<220>集合組織を有するPVDターゲットを従来の方法を用いて製造することは困難なので、このような集合組織の新規な形成方法を開発することが望ましいと思われる。
【0009】
発明の要約
本発明は、PVDターゲットを含む。本ターゲットは、f.c.c.金属の塊を含み、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、黄銅、セリウム、コバルト(例えばコバルトβ)、カルシウム(例えばカルシウムα)、鉄(例えば鉄γ)、鉛、パラジウム、白金、ロジウム、ストロンチウム、イッテルビウム、及びトリウムのうちの1種以上を含む。本ターゲットは、好ましくはアルミニウム、銅、金、ニッケル、及び白金のうちの1種以上を含むことができる。本ターゲットは、平均結晶粒度約30ミクロン未満、最も好ましくは1ミクロン未満を特徴とする均一な結晶粒度;均一で強い<220>配向集合組織;及びいかなる位置においても実質的に均質な組成を含むことができ、このような組成は気孔、パーティクル、ボイド、及び介在物を実質的に欠いている。
【0010】
1態様においては、本発明は、PVDターゲットの形成方法を包含する。本方法は、材料の鋳込インゴットからのビレットの製造と、ビレットの予備加工熱処理(thermomechanical treatment)とを含む。加工熱処理は、均質化、熱間鍛造、及び溶体化のうちの1つ以上を含むことができ;鋳造欠陥の例えば析出物、ボイド、及びザク巣を除去する温度、時間及び変形レベルで行うことができる。加工熱処理に加えて、時効を行って、ビレット内部に析出物の均一な分散を形成することができる。析出物は、実質的に全てが最大寸法0.5ミクロン未満を有し得る。
【0011】
ビレットを、互いと比較して実質的に等しい断面積を有する2つの連続的しかつ交差するチャンネルを有するダイを通して数回(例えば4〜8回)押出す(いわゆる等チャンネル角度押出しまたはECAE)。2つのチャンネルは180°以外の角度で互いに交差する。ビレットは、任意の変形経路を経てチャンネルを通過することができ、模範的な経路は、パスの間に同じ方向にビレットを90°回転させる(いわゆる“経路D”)ことを含む。
【0012】
ビレットの押出しの後、ビレットの材料は、動的再結晶済み平均結晶粒度1ミクロン未満を有し得る。また、押出しは、ビレットの材料内部に弱い、または全くランダムな集合組織でさえも生成し得る。
【0013】
ビレットの材料内部に弱い集合組織を形成した後、追加の加工を行って、ビレットの材料内部に所望の<220>配向集合組織を誘起する。追加の加工は、好ましくはビレットの材料内部にサブミクロンの平均結晶粒度を維持し、同時に<220>配向集合組織を誘起する。ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を形成する模範的な方法は、軸配向<220>集合組織を生成するための、丸形ビレットの鍛造を含む。ビレットの材料内部に<220>集合組織を形成する別の模範的な方法は、平面配向<220>集合組織を生成するための、直交する2方向(好ましくはビレット軸と一致する方向)に沿った長方形ビレットのクロスローリングを含む。ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を形成するさらに別の模範的な方法は、軸配向<220>集合組織を生成するための、4を超える方向に沿った丸形ビレットのクロスローリングを含む。熱間鍛造及びクロスローリングは、<220>配向集合組織の誘起の最中にビレットの材料内部に若干の結晶粒成長を誘起し得るが、好ましくは熱間鍛造及び/またはクロスローリング後の平均結晶粒度は30ミクロン未満である。
【0014】
ビレットの材料内部に<220>配向集合組織を誘起した後、変形後回復焼なましを行って、<220>配向集合組織の強度を向上させることができる。変形後回復焼なましは、ビレットの材料内部にサブミクロンの平均結晶粒度を維持する条件下で行うことができる。変形後回復焼なましに加えてまたはこの他に、中間焼なましを、クロスローリングパスの間に及び/または鍛造パスの間にビレットの材料に行うことができる。また、再結晶焼なましを静的再結晶の最初の段階で行って、優先する<220>配向集合組織を保存し、ビレットの材料内部に数ミクロン〜30ミクロン未満を含む平均結晶粒度を有し得る。
【0015】
上記に説明した方法に加えて、本発明は、PVDターゲットの構成及び組成を包含する。
【0016】
本発明の好適な具体例を、以下の添付図面に関連して下記に説明する。
【0017】
好適な具体例の詳細な説明
本発明は、30ミクロン未満(好ましくは1ミクロン未満)の均一な平均結晶粒度と制御可能な強度を有する軸配向または平面配向<220>集合組織とを有する物理蒸着ターゲット、例えばスパッタリングターゲットの製造方法を包含する。本ターゲットはさらに、鋳造欠陥を実質的に含まず、特に例えばボイド、パーティクル、及び介在物を含まない(または非常に少数含む)。本発明は、金属材料中に所望の集合組織を誘起するための鍛造及びクロスローリングのうちの一方または両方と組み合わせた等チャンネル角度押出し(ECAE)の利用を包含する。ECAEは一般に米国特許第5,400,633号、同第5,513,512号、同第5,600,989号、同第5,850,755号、及び同第5,590,389号に説明されており、これらの全てを本文書において参考のために引用する。
【0018】
本発明の方法は、ECAEを利用してf.c.c.単位胞金属及び合金を変形することができる。変形は、弱いかまたはランダムな集合組織を生成するように選択された加工経路及びECAE装置を通るパス数を用いて、低温で起きることができる。変形はまた、加工済み材料内部に非常に微細な結晶粒度、好ましくは1ミクロン未満を生成するために構造を改良することができる。
【0019】
ECAE後に、変形済み材料の追加のクロスローリング及び/または鍛造を利用して、材料内部に平面配向または軸配向<220>集合組織を生成することができる。低温ECAEは、冷間または温間鍛造及び/またはクロスローリング後にも動的再結晶されたままでありかつ超微細粒のままであるような動的再結晶済み超微細粒材料を提供することができる(但し、加工は加工済み材料の静的再結晶の温度よりも低い温度で起きる)。超微細粒構造は動的再結晶されたままなので、再結晶焼なまし処理を避けることができる。こうした理由及び他の理由で、本発明の方法を利用して、微細で均一な平均結晶粒度、好ましくは1ミクロン未満を有し;また強い<220>配向集合組織を有するスパッタリングターゲットを形成することができる。
【0020】
本発明の他の態様においては、検討中の材料の静的再結晶温度を超える加工温度で熱間鍛造またはクロスローリングをECAE工程後に実行する。ECAE押出超微細粒材料の加工温度、再結晶、及び限定された結晶粒成長の注意深い制御を、熱間鍛造及び/またはクロスローリングの最中に利用して、優先する<220>配向集合組織及び均一な結晶粒度(平均サイズは30ミクロン未満である)を有するスパッタリングターゲットを形成することができる。
【0021】
本発明のさらに他の態様においては、低温ECAE;冷間または温間クロスローリング;及び/または鍛造後に、材料に回復焼なましを施すことができる。回復焼なましは、変形したままの<220>配向集合組織の強度を向上させることができ、同時にECAEによって生成した超微細粒構造の結晶粒度を維持する。平均結晶粒度は例えば1ミクロン未満となり得る。回復焼なまし処理を行った場合、上記材料から形成されたスパッタリングターゲットは、強い<220>配向集合組織及び均一で微細な結晶粒度、例えば1ミクロン未満を有することができる。
【0022】
本発明の幾つかの態様においては、クロスローリング及び/または鍛造に加えて材料に静的再結晶処理を施す。このような静的再結晶処理を材料に対して実行した場合、この材料から形成されたスパッタリングターゲットは、優先する<220>配向集合組織及び均一な結晶粒度を有し得、平均結晶粒度は30ミクロン未満である。
【0023】
本発明を利用してスパッタリングターゲットを形成した場合、本ターゲットは、f.c.c.単位胞金属(すなわち、f.c.c.単位胞によって定義することができる結晶学的構造を有する金属、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、黄銅、セリウム、コバルトβ、カルシウムα、鉄γ、鉛、パラジウム、白金、ロジウム、ストロンチウム、イッテルビウム、及びトリウムのうちの1種以上)を含むことができ、制御可能な強度を有する均一な<220>軸配向または平面配向集合組織を有する。本スパッタリングターゲットは、平均結晶粒度30ミクロン未満(及び特定の用途においては1ミクロン未満)と、全体にわたって均質な材料組成と、鋳造欠陥(例えば、気孔、ボイド、及び介在物)がないことと、極めて微細で均一に分布した析出物/相とをさらに含むことができ、析出物/相の最大寸法は0.5μm未満である(及び特定の用途においては析出物/相がないことを含むことがある)。
【0024】
特定の具体例においては、本発明の方法を、鋳込材料からのPVDターゲット(例えばスパッタリングターゲット)の形成において利用することができる。最初の工程は、鋳込材料から第二相析出物、気孔、ボイド、介在物、及び任意の他の鋳造欠陥を低減するかまたは除去すること、並びに、材料全体にわたって均質な組成を生成することとすることができる。等チャンネル角度押出し(ECAE)による任意の加工の前に、鋳造欠陥の低減を実行することができ、この低減は、鋳込インゴット材料の加工熱処理を含むことができる。一般的な加工熱処理の中で、均質化、溶体化、時効、及び熱間鍛造は、冶金学的加工のために比較的一般に利用される。均質化を利用して、鋳放しインゴット中に存在するマクロ及びミクロ偏析の完全な(または実質的に完全な)再分布を成し遂げることができ、また均質化を利用して、鋳放しインゴット材料から形成されるビレット全体にわたって構成元素及びドーパントの均一な組成を提供することができる。熱間鍛造を使用して、鋳放し樹枝状構造を分解することができ、鋳造欠陥の例えばボイド、ザク巣、空洞、及び介在物を除去することができる。溶体化を利用して、鋳込材料のミクロ構造内部に存在する任意の第二相析出物を溶液中に溶解させることで、析出物の無いビレットを鋳込材料から製造することができる。最後に、時効を利用して、鋳込材料のビレット全体にわたって第二相析出物の極めて微細で均一な分布を生成し得る。析出物は、例えば最大寸法0.5ミクロン未満を有し得る。析出物の微細で均一な分布は、変形プロセスによって形成されるミクロ構造の安定性を向上させることができる。溶体化工程後に、時効を熱処理として行うことができ、またECAEの前または後に行うことができる。
【0025】
均質化、熱間鍛造及び溶体化という上記に説明した加工熱処理は、処理済み材料内部の結晶粒及び粒度の劇的な増大を引き起こし得るが、それに続く本発明による材料のECAE処理は、結晶粒及び粒度を目標値にまで低減することができる。従って、予備処理の例えば均質化、熱間鍛造、溶体化及び/または時効を、最適化されたひずみ、時間及び温度で(このような最適化された条件が結晶粒度及び/または粒度に及ぼす影響に無関係に)実行することができる。
【0026】
ビレット形成、均質化、熱間鍛造、溶体化、及び/または時効という予備プロセスの後、金属材料に過酷な塑性変形(severe plastic deformation)を施して、材料の結晶学的配向をランダム化し(すなわち、集合組織を弱くし)、結晶粒度を低減する。過酷な塑性変形を誘起する模範的な方法はECAEである。図1は、模範的なECAE装置10を示す。装置10は、一対の交差するチャンネル14及び16を規定する金型アセンブリ12を含む。交差するチャンネル14及び16は断面積が同一である(または少なくとも実質的に同一であり、“実質的に同一”という用語は、チャンネル同士はECAE装置の許容差の範囲内で同一であることを示す)。
【0027】
運転中には、金属材料のビレット18を、チャンネル14及び16を通して押出す。このような押出しは、チャンネル同士が交差する面に位置する薄い帯域において、層に次々に起きる単純剪断(simple shear, layer after layer)によってビレットの塑性変形をもたらす。
【0028】
ECAEは過酷な塑性変形をビレット形状の材料中に導入することができ、同時にビレットの寸法を変化しないままで保つ。ECAEは、ECAEを低い負荷及び圧力で利用して、厳密に均一で均質なひずみ付与を誘起することができるという点で、金属材料中に過酷なひずみを誘起する好ましい方法となり得る。加えて、ECAEは、パス当り高い変形を実現することができ(ε=1.17);ECAEは、ECAE装置を通る多数のパスを用いて高い蓄積されたひずみを実現することができ(N=4パスで、ε=4.64);ECAEを利用して、様々な変形経路を利用することで(すなわち、ECAE装置を通るパスの間でビレットの向きを変えることで)、材料内部に様々な集合組織/ミクロ構造を生成することができる。
【0029】
本発明の模範的な方法においては、金属材料のビレット内部に所望のミクロ構造(すなわち、弱い集合組織及び小さな結晶粒度)を得るのに十分な、またビレット全体にわたって均一な応力−ひずみ状態を生じるのに十分なひずみ速度及び加工温度でECAEを行う。多数の経路を用い、材料の冷間または熱間加工に対応することができる温度で、材料のビレットを、ECAE装置に数回通過させることができる。ECAE装置を通る多数のパスと共に利用する好ましい経路は、いわゆる“経路D”とすることができ、これは、連続的な各パスの前に常にビレットを90°回転させることに対応する。ECAE装置を通る模範的なパス数は4パス〜8パスである。このような模範的な数は一般に、機械的に誘起した動的再結晶によってサブミクロンサイズまでの結晶粒微細化を促進するのに十分であることが見い出された。例えば、平均で約0.2〜約0.5ミクロンである典型的な結晶粒度は、模範的な金属材料の例えば0.5%のCuを有するAl;0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAl;1%のSi及び0.5%のCuを有するAl;0.2%のTi及び0.5%のCuを有するAl;並びに99.999%のCuから得られる。全ての列記する百分率組成は、特に断らない限り重量%であることは理解できるはずである。上記に列記した金属材料を一般にターゲット製造のために使用し、材料中に形成される結晶粒度は、ECAE以外の方法によって加工された同一の材料中に見い出される結晶粒度と比較して、少なくともファクターで約100小さくすることができる。また、材料の集合組織の強度は、ECAE以外の方法によって加工された同一の材料中に見い出される集合組織の強度と比較して、ファクターで約3〜約5低減させることができる。
【0030】
回復焼なまし処理を行って、ECAEによって形成されたサブミクロン構造を安定化することができる。
【0031】
ECAEを利用して、結晶粒度を低減し、金属材料の集合組織を弱くした後、それに続く加工(例えば、鍛造及び/またはクロスローリング)を利用して、材料内部に強く均一な<220>配向集合組織を誘起することができる。ECAEによって金属材料中に生成した動的再結晶済みサブミクロン構造は、さらなるクロスローリングまたは鍛造による強く均一な<220>配向集合組織の発達に適合したものに関連した特性を有することができる。例えば、ECAEを施した材料は、それに続いて、ほぼ理想的な塑性機械的挙動(plastic mechanical behavior)を示すことができる(すなわち、塑性の理論に従って結晶学的集合組織を発達させるのにほぼ最適の物体となり得る)。また、ECAEを施した材料は、それに続いて、弱いかまたはランダムに近い集合組織を示す。このような集合組織は、例えば鍛造またはクロスローリングによるその後の集合組織の発達にとって有益となり得、というのは、集合組織発達工程によって強いられる最終的な配向に各結晶粒が到達するための統計的に等しい機会が存在するからである。それに反して、強い集合組織を有する材料は、それに続く集合組織の発達を誘起するために利用するのはより困難である。
【0032】
また、ECAE動的再結晶済みサブミクロン構造は、結晶粒度数ミクロンを有するミクロ構造とは異なった方法で、さらなるひずみ付与(例えば、それに続く集合組織発達工程において誘起されるひずみ付与)に対処することができる。粒界すべり及び結晶粒回転の機構は、古典的な結晶粒内の結晶学的すべりと比較して、サブミクロン構造の場合にはより重要になる。この結果、ECAE形成サブミクロン構造は、さらなる加工(例えば、冷間または温間クロスローリング若しくは鍛造)の最中に動的再結晶されたままであることができ、より大きな結晶粒度を有する構造よりも少ない結晶粒内転位を有する全体等軸(globally equiaxed)サブミクロン結晶粒度を維持することができる。従って、<220>配向集合組織を、ECAE形成サブミクロン構造中に例えばクロスローリングまたは鍛造によって誘起することができ、同時に構造の平均結晶粒度1ミクロン未満を維持する。
【0033】
ECAEによって形成されたサブミクロン構造に、静的再結晶に対処する条件下で焼なましを施すことができるが、このようなものは一般に構造の結晶粒度を増大させ、従って単にこのような焼なましを避けるよりも好ましくないことがあるという点に注目すべきである。しかしながら、追加の加工(例えば、熱間鍛造またはクロスローリング)を、ECAE形成サブミクロン構造の静的再結晶の温度を超える温度で行う場合、ECAE形成サブミクロン構造の均一で微細な結晶粒度は依然として利点を有することができる。例えば、たとえ静的再結晶の温度を超える温度が原因で結晶粒が成長しても、結晶粒度の均一性が保たれて、平均サイズが例えば約1ミクロン〜約30ミクロンの均一な結晶粒を有する材料を形成することができる。
【0034】
多数の変形方法のいずれでも利用して、ECAE後に材料中にひずみ付与を誘起することができ、それによって所望の方向に所望の集合組織を生成する。3つの具体例を、本明細書において図2〜14に関連して説明する。
【0035】
まず図2を参照すると、円形ビレット20に鍛造操作を施して、ビレットの材料内部に軸配向<220>集合組織を誘起するためのプロセスが示される。ビレット20は、円形の上面22及び円形の下面24を有し、後にこのビレット20を利用して、円形の上面22または円形の下面24によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。自明のこととして、PVDターゲット内部の軸配向または繊維<220>集合組織は、ターゲットのスパッタリング表面に及びスパッタリングターゲット表面に直角な(またはほぼ直角な)結晶格子の方向<uvw>に平行な<220>面と同方向に主として配向する結晶粒を有する。
【0036】
ECAEを典型的には長方形または正方形ビレットを用いて行うという点に注目すべきである。正方形ビレットのECAE後に正方形ビレットを切削して円形にすることで、円形ビレット20を形成することができる。図2は、正方形のECAEビレット形状をファントム図で25として示し、円形ビレット20をこのような正方形ビレットから切削できることを示す。ビレット20の円形の幾何学的形状は、適切な鍛造によって誘起した軸対称据込み変形(axi−symmetrical upsetting deformation)を確実なものにすることができ、これは、ビレット全体にわたって均一な<220>配向を提供することができる。
【0037】
鍛造装置30を図2に線図で示し、互いに移動してプレート間にビレット20を押し付けることができる一対のプレート32及び34を含むことを示す。プレート32及び34は、例えば電源(図示せず)の例としてモーターまたは水圧ラムによって移動することができる。プレート32及び34の移動は、プレートのうちの1つのみの移動、またはプレートの両方の移動を含むことができるという点に注目すべきである。
【0038】
示される鍛造を好ましくは、集合組織の均一性を最適化する無摩擦条件(frictionless condition)下で実行する。無摩擦鍛造を実現する1方法は、ポケット36及び38をそれぞれプレート32及び34中に機械加工し、次にポケットに潤滑剤を充填することである。潤滑剤は、鍛造装置と接触するビレット20の表面を潤滑することができる。
【0039】
図2の鍛造において重要な役割を果たすことができる2つのパラメータは、鍛造によって実現する変形の全量(すなわち、パーセント圧下(percent reduction))及び鍛造の最中のビレット20の温度である。ビレット20の温度が鍛造の最中に静的再結晶の温度未満のままである場合、鍛造温度及び全変形量のうちの一方または両方の上昇は<220>軸配向集合組織の強度を向上させることができ、同時に好ましくは1ミクロン未満の超微細なECAE結晶粒度を維持する。
【0040】
図5及び6は、ECAE及び様々な鍛造プロセスの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。特に、示されるデータは、温度150℃で、50%までの圧下(図5a)、62%までの圧下(図5c)及び72%までの圧下(図5e、5g)で変形してビレットを鍛造した後に得られる。集合組織の軸配向の特徴は、図5gの<220>極点図の環状パターンによって認識できる。図5の示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は0.5ミクロンである。図5のデータは、逆極点図中の最大値は、2.7から7.76倍ランダム(t.r.)にまで徐々に増大することを示す(図5a、5c、5e)。図6は、<220>比のパーセントを示し、このようなパーセントが60%から85%にまで徐々に増大することを示す。特に、図6は、150℃、75%圧下で鍛造した場合の、変形したままの条件で(124)、100℃で1時間焼なましをした後(122)、及び175℃で1時間焼なましをした後(120)の<220>面のパーセント比の進展を示す。
【0041】
ビレット20の温度が鍛造の最中に静的再結晶の温度を超える場合、鍛造変形及び温度を最適化して、<220>集合組織を得、再結晶済み結晶粒度を30ミクロン未満に制限することができる。図7は、ECAE及び様々な鍛造プロセスの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。図7(a)及び7(b)は、ECAE、250℃で熱間鍛造、及びさらに225℃で0.5時間焼なましをした後に発達した強い<220>軸配向集合組織を示す。図7(a)及び7(b)のデータを得る際に利用した材料の平均結晶粒度は約10ミクロンである。図7(c)及び7(d)は、350℃で熱間鍛造した後の強い<220>軸配向集合組織を示す。図7(c)及び7(d)のデータを得る際に利用した材料の平均結晶粒度は約30ミクロンであり、対応する<220>比は約80%である。
【0042】
再度図2を参照すると、鍛造後のビレット20を、鍛造前よりも平らな円形材料として示す。ビレット20を、鍛造後にスパッタリングターゲットとして直接に利用することができ、ここで表面22及び24のうちの1つがスパッタリング表面であるか、または、ビレット20に機械加工を施して、ビレットを所望のターゲット形状に形成することができる。また、特定のターゲット構成にとって変更された組成が望ましい場合、図2の鍛造後にビレット20にさらなる熱処理を施して、ビレット20内部の組成を変更する(例えば、ビレット20内部の平均結晶粒度を増大させる及び/またはビレット20内部の材料の集合組織を安定化する)ことができる。
【0043】
図2の具体例は、強い軸配向<220>集合組織を生成し、サブミクロンのECAE平均結晶粒度を維持するか、または、例えば1ミクロンよりも大きくかつ約30ミクロン以下であるより大きな平均結晶粒度を生成するための、適切なひずみ及び鍛造温度での円形ECAEビレットの鍛造を包含する。しかしながら、大きな直径対厚さの比を有する薄い円板状製品(特定のスパッタリングターゲット構成のような)の鍛造は複雑になり得るという点に注目すべきである。特に、低温でかつ大型のターゲットの場合には、高価なツーリング並びに高い負荷及び圧力が望ましくなり得る。このような実用上の困難は、ECAE工程後に<220>集合組織を発達させるためのクロスローリングを含む本発明の具体例を使用することで解決することができる。
【0044】
クロスローリングを包含する本発明の具体例を、図3に関連して説明する。図3の具体例は、直交する2方向に沿ったクロスローリングを使用することで、制御可能な強度と結晶粒度約30ミクロン以下、好ましくは1ミクロン未満とを有する<220>平面配向集合組織を生成することができる。立方体ビレット50は、正方形の上面52、正方形の下面54(図3では見えない)、及び4つの側面56(図3ではこのうちの3つのみが見える)を含むのが示される。ビレット50は、立方体として示すもの以外の他の形状を含むことができ、これは、表面のうちの少なくと2つは正方形ではなく長方形であるような形状を含む。ビレット50を最終的には利用して、上面52または下面54によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。自明のこととして、平面配向またはシート<220>集合組織は、ターゲット表面に及びターゲット表面に属する結晶格子の方向<uvw>に平行な<220>面を主として有する結晶粒を有する。
【0045】
上面52に沿って延在する第1の軸X1が示され、軸X1と直交して延在する第2の軸X2が示される。図3は、一対のローラー62及び64を含むクロスローリング装置60を線図で示す。ビレット50はローラー62及び64の間を通過して、ビレット50は圧縮され、それによってビレット50が変形される。示されるように、ビレット50をまず軸X1または軸X2のうちの1つに沿って圧延し、次に軸X1または軸X2のもう一方に沿って圧延して、直交する2方向に沿ったビレット50のクロスローリングを成し遂げる。クロスローリング装置60を通るビレット50の各パスの最中にほぼ均一な平面応力−ひずみ状態を提供するローリング条件を利用することができる。好ましくは、示されるように、ビレット軸と一致するクロスローリング方向を選択する。
【0046】
図3のクロスローリングの最中に重要となり得る3つのパラメータは、クロスローリングの最中のビレット50の温度;クロスローリングによって誘起される変形の全量(すなわち、全クロスローリング圧下(total cross−rolling reduction));及びビレット50がさらされるクロスローリングパスの数(これはまた、パス当りに実現されるビレット50の増分変形(incremental deformation)として表すことができる)である。
【0047】
図3のクロスローリングを好ましくは、ビレット50の材料がその静的再結晶温度未満のままであるような温度で行う。こうしたことは、ECAE加工によって導入された超微細な結晶粒度が、クロスローリングの最中にビレットの材料中に保たれることを可能にすることができる。しかしながら、クロスローリングを、ビレット50の材料がその静的再結晶温度を超えるような温度で行う場合、加工温度を最適化して、ビレット50の材料中の<220>集合組織及び平均結晶粒度約30ミクロン未満を有するマイクロメートルレベルの構造(micrometer structure)を生成することができる。
【0048】
より大きなレベルの全クロスローリング圧下及び/または漸増するクロスローリングパスの数は、ビレット50の材料中に誘起される<220>平面配向集合組織の強度を徐々に増大させることができる。クロスローリング圧下の全量は好ましくは50〜60%を超え、ローリングパスの数は、好ましくは5%から20%の間の増分クロスローリング圧下が各パスによって実現されるように選択される。十分なクロスローリング圧下及びローリングパスの適切な数の利用は、ビレット50の厚さ全体にわたって、ひずみ−応力状態の最適分布を実現することを可能にすることができる。
【0049】
図8及び9は、ECAE及びそれに続く直交する2方向に沿ったクロスローリングの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示し;また、全クロスローリング圧下及びクロスローリングパスの数という2つの組み合わせたパラメータが及ぼす影響を示す。特に、図8は、材料内部の集合組織を示すグラフを含み、図9は、クロスローリング圧下(50%、75%及び90%)の関数としての<220>配向のパーセントの進展を示すグラフ(a)、及びODインデックスの進展を示すグラフ(b)を含む。図9のデータは、変形したままの条件(グラフ(a)の300及びグラフ(b)の310);100℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の302及びグラフ(b)の312);及び150℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の304及びグラフ(b)の314)の材料に関して作図されている。グラフ9(a)の<220>比を、4つの面<200>、<220>、<113>、及び<111>から計算する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【0050】
4パスの場合の50%圧下で(図8(a))、弱い<220>集合組織が存在し、<220>比は約58%であり(図9(a))、ODインデックスは3倍ランダムである(図9(b))。焼なまし無しで8パスの場合の75%圧下の後(図8(c))及び12パスの場合の90%圧下の後(図8(e)及び8(g))、中程度から強い<220>集合組織が徐々に得られ、これは、逆極点図の最大値の増大(図8(c)及び8(e))、<220>比(それぞれ、図9(a)で82%及び93%)及びODインデックス(それぞれ、図9(b)で7及び15倍ランダム)で示される。また、<220>極点図は、環状パターンの代わりに個別の極のみを示す(図8(g))。
【0051】
図10は、高純度Cu(特に、純度99.9998%)もまた図3の方法に従って加工することができ、アルミニウム/銅合金に関して上記に検討したものと同様の結果を実現することを示す。特に、図10は、ECAE及び直交する2方向に沿った75%クロスローリング(8パスを経る)は銅中に強い<220>集合組織を誘起することを示し、<220>比は84%である。
【0052】
再度図3を参照すると、鍛造後のビレット50を、鍛造前よりも平らな材料として示す。ビレット50を、鍛造後にスパッタリングターゲットとして直接に利用することができ、ここで上面52または下面54がスパッタリング表面であるか;または、ビレット50に機械加工を施して、所望のターゲット形状を形成することができる。図3は、クロスローリング後にビレット50から切削または他の方法で機械加工することができる円形ターゲット形状65のファントム図を示す。特定のターゲット構成にとって変更された組成が望ましい場合、図3のクロスローリング後にビレット50の材料にさらなる熱処理を施して、ビレット50内部の組成を変更する(例えば、ビレット50内部の平均結晶粒度を増大させる及び/またはビレット50の材料の集合組織を安定化する)ことができる。
【0053】
図3の具体例は、平面配向<220>集合組織を誘起し、同時にECAEによるサブミクロンの結晶粒度を維持するかまたはより大きな結晶粒度を生成するための、適切なひずみ付与、クロスローリングパスの数及び加工温度での、直交する2方向に沿った好ましくは長方形ECAEビレットのクロスローリングを包含する。より大きな結晶粒度は、例えば1ミクロンよりも大きくかつ約30ミクロン以下とすることができる。
【0054】
図3の具体例は、クロスローリングを利用して平面配向<220>集合組織を形成する。別の具体例を図4に関連して説明し、ここではECAE後にクロスローリングを利用して軸配向<220>集合組織を形成する。クロスローリングはしばしば鍛造よりも低い加工コストで利用することができるという点で、軸配向<220>集合組織を形成するためのクロスローリングの利用は、図2に関連して説明した鍛造と比較して好ましくなり得る。
【0055】
図4の具体例は、ECAE後にクロスローリングを使用することで、制御可能な強度と結晶粒度約30ミクロン以下、好ましくは1ミクロン未満とを有する<220>軸配向集合組織を生成することができる。クロスローリングは、ほぼ軸対称な変形を確実なものにするために互いに均等に間隔を置かれた4つ以上の異なるローリング方向に沿っている。円形ビレット70を示し、正方形ビレット71(これから円形ビレットを切削することができる)(ファントム図)と比較して示す。ビレット70の円形の形状は、図4の加工によって集合組織の最適均一性を実現することを可能にすることができる。円形ビレット70は、図2に関連して説明した円形ビレット20と同一とすることができ、ビレット20に関して前に説明した加工と同一の加工によって形成することができる。
【0056】
ビレット70は、前面72及び対向する裏面(図4では見えない)を含む。ビレット70を最終的には利用して、前面72または裏面によって規定されるスパッタリング表面を有するPVDターゲットを形成することができる。
【0057】
前面72に沿って延在する第1の軸Xが示され、軸Xと直交して延在する第2の軸Yが示される。図4は、クロスローリング装置(図4には図示しないが、図3に関連して上記に説明したクロスローリング装置60と同一とすることができる)を通るビレット70の4つのパスの方向を線図で示す。示されるように、ビレット70をまず軸Y(ローリング方向74)に沿って圧延し、次に軸X(ローリング方向76)に沿って圧延する。それに続いて、ビレット70を、軸Yから45°からずれた軸78に沿って圧延し(軸78は軸Yから45°の角度に位置することが理解できるように、図4の第3のローリング順序において軸Yを仮想的に示す)、次に、軸78から90°からずれた軸80に沿って圧延する(軸80は軸78から90°の角度に位置することが理解できるように、図4の第4のローリング順序において軸78を仮想的に示す)。図4は、4つのクロスローリングパスを、隣接するパスから45°の位置で行うような具体例を示すが、本発明は、4を超えるパスを利用するような具体例を包含することは理解できるはずである。例えば、本発明は、8つのパスを利用するような具体例を包含し、パスの各々は、隣接するパスから22.5°の角度で位置する。すなわち、多数のローリングパスをビレット70の表面全体にわたって行い、各パスはビレット70の直径に沿い、他のパスとは別個の軸に沿って延在し、別個の軸は、ビレット70の円形の外周部に沿って互いに等距離で間隔を置かれている。本発明はまた、少なくとも幾つかのパスは他のパスと同じ軸に沿っているような具体例を包含することができるという点に注目すべきである。
【0058】
図4のクロスローリングの最中に重要となり得るパラメータの中には、クロスローリングの最中のビレットの温度;クロスローリングによって誘起される変形の全量;及びビレットがさらされるクロスローリングパスの数(またはパス当りに実現されるビレットの増分変形)がある。このようなパラメータは、図3のクロスローリングに関して前に説明したものと同様の影響を有し得る。
【0059】
図11は、ECAE及びそれに続く互いに22.5°の角度で位置する8つの方向に沿った75%圧下のクロスローリングの後に、Al及び0.5%のCuを含むビレットから得た模範的なデータを示す。強い<220>配向集合組織が存在し、<220>比は89%である。<220>及び<111>極点図は、軸配向集合組織に特徴的な環状パターンを示す(図11(a)を図5(g)と比較して、図5(g)は、図11(a)の集合組織を生じるクロスローリング条件(すなわち約75%の全圧下及び温間加工)と同様の加工条件下で鍛造によって得られる軸配向集合組織を示すという点に注目すべきである)。
【0060】
図2、3及び4の加工は、材料の集合組織がECAEによってランダム化された後、最終的には材料中に<220>配向集合組織を形成する。図2、3及び4の具体例は、例えば、鍛造プロセス(例えば、図2のプロセス)とクロスローリングプロセス(例えば、図3及び4のプロセスうちの一方または両方)とを組み合わせることで組み合わせることができる。<220>集合組織の平面配向を生成するプロセスを、<220>集合組織の軸配向を生成するプロセスと組み合わせた場合、加工順序における最後のプロセスが<220>集合組織の最終的な配向を決定することができるという点に注目すべきである。従って、<220>集合組織の軸配向を生成する鍛造プロセスを、<220>集合組織の平面配向を生成するクロスローリングプロセスと組み合わせた場合、鍛造プロセスが加工順序において最後である場合、最終的な集合組織は<220>集合組織の軸配向を有し得る。
【0061】
上記に説明したプロセスのうちの1つ以上によって材料中に<220>集合組織を形成した後、材料に焼なましを施して、材料内部の結晶粒度を安定化するかまたは増大させることができ及び/または材料の集合組織を安定化するかまたは強化することができる。加えて、中間焼なましを、図3及び4に関連して説明したクロスローリング工程のうちの1つ以上の間に行うことができる。利用することができる2つのタイプの焼なましは、回復焼なまし及び再結晶焼なましである。
【0062】
回復焼なましは超微細なECAE結晶粒度を維持することができ、しかもなお軸配向または平面配向<220>集合組織の強度を向上させることができる。回復焼なましは好ましくは、クロスローリング及び/または鍛造が<220>集合組織を誘起した後に行われる変形後焼なましである。回復焼なましを好ましくは材料の全てのクロスローリング及び/または鍛造処理が完了した後に行うが、クロスローリング及び/または鍛造パスの間に中間回復焼なましも実行するかまたは中間回復焼なましを代わりに実行することには幾つかの利点が存在し得ることは理解できるはずである。
【0063】
回復焼なましを好ましくは、処理済み材料の静的再結晶の時間及び温度未満の時間及び温度の条件下で行い、個々の条件は、加工される個々の材料に依存して変化する。模範的な回復焼なまし条件は、材料を少なくとも約150℃の温度に少なくとも約1時間さらすことを含む。回復焼なましは集合組織を強化することができ、従って集合組織内部の<220>配向を強化することができる。回復焼なましが集合組織を強化することができる可能な機構としては、さらなる結晶粒成長も結晶粒配向の変化も無い結晶粒内部領域の清浄化、転位の除去、及び内部応力の除去が挙げられる。変形後回復焼なまし効果の例を、図5(b、d、f、及びh)、図6(Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE+鍛造の後)、図8(b、d、f、及びh)、図9(a及びb)、図12(a、b、及びc)、図13(Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE+2方向に沿ったクロスローリングの後)、及び図14(Al、0.2%のSi、及び0.5%のCuを含む材料のECAE+2方向に沿ったクロスローリング)に示す。
【0064】
全ての調査した場合において、100℃で1時間の焼なましは、試験した材料の特性に明白な影響を及ぼさない(図6及び9)。それに反して、Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE及び150℃での鍛造後の175℃で1時間の焼なましは、全ての調査した場合において<220>集合組織の強度を向上させた(図5b、5d、5f、及び5h並びに図6)。特に、<220>比は76%〜90%の範囲にまで増大することが見い出された。また、Al及び0.5%のCuを含む材料のECAE及び2方向に沿ったクロスローリング後の150℃で1時間の焼なましは、集合組織の進展に大きな影響を及ぼす。これは、75%圧下で8パスの場合(図8d)及び90%圧下で12パスの場合(図8f及び8h)に起きることが見い出された。ODインデックス(図9b)はファクターで2増大し、91%及び97%という非常に高い<220>比を有する非常に強い<220>集合組織が、それぞれ75%及び90%圧下で存在する(図9(a))。強い集合組織は、比較的に安定なままであることが見い出された。例えば、Al及び0.5%のCuを含む材料の90%圧下の場合(図12、13)、150℃で2時間(図12a)、175℃で1時間(図12b)、または200℃で1時間(図12c)というより厳しい焼なまし(more stringent annealing)は、非常に強い<220>集合組織を提供し、それぞれ<220>比は98%、96%及び91%であり(図13a)、ODインデックスは37倍ランダム、23倍ランダム、及び22倍ランダム(図13b)であることが見い出された。
【0065】
図14は、0.5%のCuを有するAlを含む材料に関して上記に検討したものと同様の挙動を有する0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む比較的に熱的に安定な材料を示す。特に、図14は、150℃で3時間、175℃で3時間、及び200℃で3時間焼なましをした後に、0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む材料に関して得られるデータを示す。また、ECAEによるサブミクロンの結晶粒度約0.5ミクロンは、0.5%のCuを有するAlを含む材料または0.2%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む材料の焼なまし後に安定なままであることが見い出された。
【0066】
図2、3及び4の加工によって生成した材料を処理するために利用することができることが上記に示された第2のタイプの焼なましは、再結晶焼なましである。再結晶焼なましを、静的再結晶に対処する時間及び温度の条件で行う場合、再結晶焼なましを利用して、優先する<220>軸配向または平面配向集合組織を維持することができ、また結晶粒度5〜30ミクロンを生成することができる。再結晶焼なましを好ましくは、静的再結晶の第1の段階でかつ結果として起こる任意の結晶粒成長の前に実行する。例えば、図12(d)は、アルミニウム及び0.5%の銅を含む材料は、225℃で1時間の完全な静的再結晶の後に<220>に近いままである集合組織を有することを示す。さらに、図13は、中程度の<220>集合組織が存在し、<220>比は50%であり(図13(a))、ODインデックスは7倍ランダムである(図13(b))ことを示す。図13に関連して説明した材料の場合、結晶粒度は約5ミクロンである。
【0067】
図15は、本発明の方法に従って製造することができるPVDターゲット100の断面図を示す。ターゲット100は、スパッタリング表面102及びスパッタリング表面102と対向する関係にある裏面104を含む。また、ターゲット100は、表面102と104との間の厚さを含む。ターゲット100は模範的なターゲットであり、ターゲットをターゲット100の形状以外の他の形状に製造することができることは理解できるはずである。ターゲット100の一部分106を、破線より上にあるように示し、これはそれに続くスパッタリングプロセスの最中に最終的には除去されるターゲット100の一部分であると定義される。好ましくは、ターゲット100は、スパッタリング表面102全体にわたって及び一部分106全体にわたって強い<220>配向結晶学的集合組織を含む。ターゲット100は、例えば強い<220>配向集合組織をその全体にわたって、特に表面102及び104の間並びにこれらの表面を含む厚さ全体にわたって含むことができる。“強い”<220>集合組織(または強い<220>配向集合組織)を、f.c.c.単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約75%を含み、例えばこのような比として少なくとも約80%、少なくとも約85%または少なくとも約90%を含むことができる集合組織と定義する。集合組織の<220>配向は、軸配向または平面配向とすることができる。幾つかの具体例においては、“強い”<220>集合組織の代わりに“優先する”<220>集合組織に言及する。優先する<220>集合組織(または優先する<220>配向集合組織)を、f.c.c.単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも50%を含む集合組織と定義する。
【0068】
本発明の方法は、小さく均一な結晶粒度を有するターゲット100を形成することができる。スパッタリング表面102全体にわたって、好ましくは一部分106全体にわたって、平均結晶粒度は好ましくは約30ミクロン未満であり、1ミクロン未満となり得る。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、平均結晶粒度は約30ミクロン未満であり、例えば1ミクロン未満となり得る。さらに、スパッタリング表面102の結晶粒の実質的に全て(好ましくは一部分106全体にわたって)は、最大寸法約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を有し得る(“実質的に全て”は約70%を超えると定義される)。幾つかの具体例においては、スパッタリング表面102の結晶粒の99%を超えるもの(好ましくは一部分106全体にわたって)は、最大寸法約30ミクロン未満、好ましくは約1ミクロン未満を有し得る。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、結晶粒の実質的に全ては最大寸法約30ミクロン未満を有し得、例えば最大寸法1ミクロン未満となり得;さらに他の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって、結晶粒の少なくとも99%は最大寸法約30ミクロン未満を有し得、例えば最大寸法1ミクロン未満となり得る。
【0069】
ECAE(単独でまたは溶体化、均質化及び時効のうちの1つ以上と組み合わせて)によって処理した場合、ターゲット100を鋳込材料から形成することができ、しかもなお、ボイド、気孔または他の鋳造欠陥を実質的に含まない。好ましくは、表面102に近接した(proximate)(“近接した”という用語は、表面102からの材料のスパッタリングに影響し得る表面102の付近の及び表面102を含む領域を指す)鋳造欠陥は存在しないであろうし、また好ましくは、領域106内部に鋳造欠陥は存在しないであろう。特定の具体例においては、ターゲット100の厚さ全体にわたって鋳造欠陥は存在しない。加えて、何らかの析出物がターゲット100の材料中に存在する場合、このような析出物は全て最大寸法0.5ミクロン以下を有し得る。
【0070】
本開示における組成に関連して、x%の第2の材料を有する第1の材料という用語は、第1及び第2の材料を含む組成、本質的に第1及び第2の材料からなる組成、または第1及び第2の材料からなる組成を包含することを意図しているいう点に注目すべきである。従って、0.5%のCuを有するAlを含む組成に対する言及は、Al及びCuを含む組成、本質的にAl及びCuからなる組成、またはAl及びCuからなる組成を包含する。同様に、1%のSi及び0.5%のCuを有するAlを含む組成に対する言及は、Al、Si及びCuを含む組成、本質的にAl、Si及びCuからなる組成、またはAl、Si及びCuからなる組成を包含する。
【図面の簡単な説明】
【図1】
ECAE装置を用いて処理される材料の、線図による断面図である。
【図2】
円形ビレットを鍛造するプロセスを示す。
【図3】
長方形ビレットを直交する2方向に沿ってクロスローリングするプロセスを示す。
【図4】
円形ビレットを4方向にクロスローリングするプロセスを示す。
【図5】
(a)〜(h)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の強度の進展の図である。グラフは、ECAE後、並びに、加工温度150℃で50%まで(a、b)、62%まで(c、d)及び72%まで(e、f)の圧下でさらに鍛造した後、変形したままの条件で(a、c、e)、または175℃で1時間焼なましをした後(b、d、f)の材料内部の集合組織を示し、逆極点図に対応するものである。<220>極点図(g)及び(h)はそれぞれ逆極点図(e)及び(f)に対応する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図6】
ECAE及び温間鍛造後のAl及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の強度の進展の図である。特に、図は、150℃で50%、62%または72%鍛造した場合の、変形したままの条件で(124)、100℃で1時間焼なましをした後(122)、及び175℃で1時間焼なましをした後(120)の<220>面のパーセント比の進展を示す。
【図7】
(a)〜(d)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の軸配向<220>集合組織の図である。グラフ(a)及び(b)は、ECAE、250℃で75%鍛造、及び225℃で0.5時間焼なましをした後の材料に対応し;(a)は<220>極点図を示し、(b)は<001>逆極点図を示す。(a)及び(b)にグラフで示す材料の平均結晶粒度は約10ミクロンである。グラフ(c)及び(d)は、ECAE、350℃で75%鍛造、及び自己焼なましをした後の材料に対応し;(c)は<220>極点図を示し、(d)は<001>逆極点図を示す。(c)及び(d)にグラフで示す材料の平均結晶粒度は約30ミクロンである。
【図8】
(a)〜(h)は、Al及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の図である。グラフは、ECAE後、並びに、50%(a、b)、75%(c、d)、及び90%(e、f)の2方向に沿ったクロスローリングをした後、変形したままの条件で(a、c、e)、並びに150℃で1時間焼なましをした後(b、d、f)の材料内部の集合組織を示し、逆極点図に対応するものである。<220>極点図(g)及び(h)はそれぞれ逆極点図(e)及び(f)に対応する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図9】
(a)及び(b)は、ECAE及び直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後のAl及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の図である。グラフ(a)は、クロスローリング圧下(50%、75%及び90%)の関数としての<220>配向のパーセントの進展を示し、グラフ(b)は、ODインデックスの進展を示す。データを、変形したままの条件(グラフ(a)の300及びグラフ(b)の310);100℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の302及びグラフ(b)の312);及び150℃で1時間焼なましをした後(グラフ(a)の304及びグラフ(b)の314)の材料に関して作図する。グラフ(a)の<220>比を、4つの面<200>、<220>、<113>、及び<111>から計算する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図10】
(a)及び(b)は、ECAE及び8パスの場合の75%クロスローリング後の純度99.9998%のCu中に得られる強い<220>平面配向集合組織をグラフで示し、(a)は<220>極点図を示し、(b)は<001>逆極点図を示す。平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図11】
(a)〜(c)は、ECAE及び互いに22.5°の角度で位置する8つの方向に沿った75%クロスローリング後の軸配向<220>集合組織をグラフで示し、(a)は<220>極点図を示し;(b)は<111>極点図を示し;(c)は<001>逆極点図を示す。平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図12】
(a)〜(d)は、Al及び0.5%のCuを含む材料の平面配向<220>集合組織の図である。変形は、ECAE及びそれに続く90%で12パスの場合のクロスローリングを含む。回復焼なましが平面<220>集合組織の強度に及ぼす影響を、逆極点図(a)(b)及び(c)によって示し;(a)は150℃で2時間回復焼なましをした後の材料を示し、(b)は175℃で1時間回復焼なましをした後の材料を示し、(c)は200℃で1時間回復焼なましをした後の材料を示す。図12(a)〜(c)に関する試料の全ては、安定な平均結晶粒度約0.5ミクロンを有した。<220>配向集合組織は再結晶焼なましをした後に逆極点図(d)によって示され、特に225℃で1時間焼なましをした後及び静的再結晶の第1の段階に対処した後に示される。図12(d)に関して利用した試料は、平均結晶粒度約5ミクロンを有した。
【図13】
(a)及び(b)は、ECAE及び90%で12パスの間の直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後の、Al及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の、回復焼なましの関数としての図である。グラフ(a)は、<220>、<200>、<113>及び<111>面のそれぞれのパーセント比の進展を示し、グラフ(b)は、ODインデックスの進展を示す。データを、150℃で2時間回復焼なましをした後;175℃で1時間焼なましをした後;及び200℃で1時間焼なましをした後の材料に関して作図する。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図14】
ECAE及び75%で8パスの間の直交する2方向に沿ったクロスローリングをした後の、Al、0.2%のケイ素及び0.5%のCuを含む材料中の<220>平面配向集合組織の強度の進展の、回復焼なましの関数としての図である。<220>、<200>、<113>及び<111>面のそれぞれのパーセント比の進展が、150℃で3時間、170℃で3時間、及び200℃で3時間回復焼なましをした後に示される。示した場合の全てにおいて、平均結晶粒度は約0.5ミクロンである。
【図15】
本発明によって包含されるスパッタリングターゲットの、線図による断面図である。
Claims (66)
- 面心立方単位胞を有する材料を含み、スパッタリング表面を有し、並びに、
前記スパッタリング表面全体にわたる優先する<220>結晶学的集合組織;及び、
前記スパッタリング表面全体にわたる平均結晶粒度約30ミクロン以下;
を含む、物理蒸着ターゲット。 - 前記スパッタリング表面全体にわたる前記平均結晶粒度は1ミクロン以下である、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- さらに前記スパッタリング表面に近接した気孔またはボイドを実質的に含まない、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記優先する<220>結晶学的集合組織は強い<220>結晶学的集合組織である、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約80%を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約90%を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記スパッタリング表面全体にわたる結晶粒度の実質的に全ては約30ミクロン未満である、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記スパッタリング表面全体にわたる結晶粒度の実質的に全ては1ミクロン未満である、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- <220>集合組織は優先して軸<220>配向を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記<220>集合組織は優先して平面<220>配向を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、黄銅、セリウム、コバルト、カルシウム、鉄、鉛、パラジウム、白金、ロジウム、ストロンチウム、イッテルビウム、及びトリウムのうちの1種以上を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- アルミニウム、銅、金、ニッケル、及び白金のうちの1種以上を含む、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 前記ターゲット中に存在する任意の析出物は最大寸法0.5ミクロンを有する、請求項1に記載の物理蒸着ターゲット。
- 面心立方単位胞を有する金属材料の製造方法であって:
該金属材料内部に実質的にランダムな結晶学的配向の分布を生成するのに十分な回数前記材料を押出しすることと;
該押出しの後、前記材料をクロスローリングして、前記材料内部に、優先する<220>結晶学的集合組織を誘起することと;
を含む方法。 - 誘起された集合組織は強い<220>集合組織である、請求項14に記載の方法。
- 前記誘起された集合組織は、前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約80%を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記誘起された集合組織は、前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約90%を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記金属材料は鋳込材料である、請求項14に記載の方法。
- 前記押出しは、前記材料をECAE装置に少なくとも4回通すことを含み;該装置を通る各パスは、前記材料を、ほぼ等しい断面積を有し互いに約90°の角度で配置された2つの交差する通路に通すことを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記押出しは、押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われる、請求項14に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの前に前記材料を実質的に長方形の形状に成形することを含む、請求項14に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの前に前記材料を実質的に円形の形状に成形することを含む、請求項14に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの後に前記材料を物理蒸着ターゲットの形状に成形することを含む、請求項14に記載の方法。
- さらに前記材料内部に結晶粒成長を誘起するために前記クロスローリングの後に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を平面<220>配向として生成する、請求項24に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を軸<220>配向として生成する、請求項24に記載の方法。
- 前記押出しは、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われ;さらに前記材料内部に結晶粒成長を誘起するために及び前記材料内部の実質的に全ての結晶粒度1ミクロン〜約30ミクロンを得るために、前記材料の静的再結晶温度を超える温度で前記クロスローリングを行うことを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を平面<220>配向として生成する、請求項27に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を軸<220>配向として生成する、請求項27に記載の方法。
- 前記押出しは、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われ;さらに前記クロスローリングの最中に前記押出し材料の結晶粒度を維持するために、前記材料の静的再結晶温度未満の温度で前記クロスローリングを行うことを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を平面<220>配向として生成する、請求項30に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を軸<220>配向として生成する、請求項30に記載の方法。
- 前記押出しは、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われ;さらに前記材料内部の平均結晶粒度1ミクロン〜約30ミクロンを得るために前記材料内部に結晶粒成長を誘起するために、前記クロスローリングの後に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記押出しは、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われ;さらに、前記クロスローリングの後に前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記材料の回復焼なましは、少なくとも約150℃の温度で少なくとも約1時間である、請求項34に記載の方法。
- 前記クロスローリング及び回復焼なましの後に、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全ては1ミクロン未満のままである、請求項34に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を平面<220>配向として生成する、請求項34に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、前記材料内部に、優先する<220>集合組織を軸<220>配向として生成する、請求項34に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの前に前記材料を鍛造することを含む、請求項14に記載の方法。
- さらに前記鍛造の後でかつ前記クロスローリングの前に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項39に記載の方法。
- さらに前記鍛造の後でかつ前記クロスローリングの前に前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項39に記載の方法。
- 前記回復焼なましは、少なくとも約150℃の温度で少なくとも約1時間である、請求項41に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、クロスローリング装置を通る前記材料の少なくとも2つのパスを含み;さらに該少なくとも2つのパスの間に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、クロスローリング装置を通る前記材料の少なくとも2つのパスを含み;さらに該少なくとも2つのパスの間に前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記クロスローリングは、クロスローリング装置を通る前記材料の少なくとも2つのパスを含み、該少なくとも2つのパスは、前記材料の互いに直交する方向で行われる、請求項14に記載の方法。
- 前記材料は、前記クロスローリングの最中に長方形の形状である、請求項45に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの前に前記材料を実質的に円形の形状に成形することを含み、前記クロスローリングは、前記材料の表面全体にわたる少なくとも4つのクロスローリングパスを含む、請求項14に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの前に前記材料を実質的に円形の形状に成形することを含み;前記クロスローリングは、前記材料の表面全体にわたる少なくとも4つのクロスローリングパスを含み;該少なくとも4つのクロスローリングパスは、互いに別個の軸に沿い;該別個の軸は、前記材料の前記円形の形状の円形の外周部の周りに互いに等距離で間隔を置かれている、請求項14に記載の方法。
- 面心立方単位胞を有する金属材料の製造方法であって:
該金属材料内部に実質的にランダムな結晶学的配向の分布を生成するのに十分な回数前記材料を押出しすることと;
該押出しの後、前記材料を鍛造して、前記材料内部に、優先する<220>結晶学的集合組織を誘起することと;
を含む方法。 - 誘起された集合組織は強い<220>集合組織である、請求項49に記載の方法。
- 前記誘起された集合組織は、前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約80%を含む、請求項49に記載の方法。
- 前記誘起された集合組織は、前記面心立方単位胞の<220>結晶学的配向対全ての他の配向の比として少なくとも約90%を含む、請求項49に記載の方法。
- 前記金属材料は鋳込材料である、請求項49に記載の方法。
- 前記押出しは、前記材料をECAE装置に少なくとも4回通すことを含み;該装置を通る各パスは、前記材料を、ほぼ等しい断面積を有し互いに約90°の角度で配置された2つの交差する通路に通すことを含む、請求項49に記載の方法。
- さらに前記鍛造の前に前記材料を実質的に円形の形状に成形することを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記押出しは、押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われる、請求項49に記載の方法。
- 前記鍛造は、前記材料の静的再結晶温度を超える温度で行われ、前記鍛造は、前記材料内部に、軸<220>配向を有するように、優先する<220>集合組織を生成し、前記押出しによって生成した結晶粒度は、前記鍛造の最中に平均結晶粒度1ミクロン〜約30ミクロンにまで増大する、請求項56に記載の方法。
- 前記鍛造は、前記材料内部に、軸<220>配向であるように、優先する<220>集合組織を生成するために、及び前記押出しによって生成した結晶粒度を実質的に維持するために、前記材料の静的再結晶温度未満の温度で行われる、請求項56に記載の方法。
- さらに前記鍛造の後に前記材料を物理蒸着ターゲットの形状に成形することを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記押出しは、前記押出し材料内部の結晶粒度の実質的に全てが1ミクロン未満であるように十分な回数行われ、さらに前記材料内部の平均結晶粒度1ミクロン〜約30ミクロンを得るために前記材料内部に結晶粒成長を誘起するために、前記鍛造の後に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項49に記載の方法。
- さらに前記鍛造の後に、前記材料の静的再結晶を提供する温度及び時間未満の温度及び時間で前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項49に記載の方法。
- さらに前記鍛造の後に少なくとも約150℃の温度で少なくとも約1時間前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項49に記載の方法。
- さらに前記鍛造の前に前記材料をクロスローリングすることを含む、請求項49に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの後でかつ前記鍛造の前に、前記材料の静的再結晶を提供する温度及び時間未満の温度及び時間で前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項63に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの後でかつ前記鍛造の前に、少なくとも約150℃の温度で少なくとも約1時間前記材料の回復焼なましをすることを含む、請求項63に記載の方法。
- さらに前記クロスローリングの後でかつ前記鍛造の前に前記材料の再結晶焼なましをすることを含む、請求項63に記載の方法。
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