JPWO2017213185A1 - スパッタリングターゲット及び、その製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかるに、スカンジウム等の希土類金属は、酸素と非常に活性であるので、アルミニウムとスカンジウムからなる合金のスパッタリングターゲットは、特にアトマイズ法により製造すると、酸素含有量が1.0質量%程度と極めて多くなる。それ故に、従来のスパッタリングターゲットでは、圧電性薄膜の圧電特性を向上させることができなかった。
しかしながら、溶解法では、粉末法のような出発原料(微粒子、アトマイズ等)の選定ができないことから、溶解法により製造されてスカンジウムを比較的多い量で含有するスパッタリングターゲットは、ターゲット全体で硬さにばらつきが生じ、スパッタリングの際などに割れるという問題がある。
また、この発明のスパッタリングターゲットでは、ビッカース硬さ(Hv)のばらつきは、5%以下であることが好ましい。
この発明のスパッタリングターゲットは、Li、Na、K、Fe、Co及びNiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計0.1質量%以下でさらに含有することができる。
そしてまた、鍛造工程では、前記インゴットを500℃〜1200℃に加熱した状態で塑性加工を行うことが好適である。
この発明の一の実施形態のスパッタリングターゲットは、AlとScとの合金であって、Scを25原子%〜50原子%で含有する合金からなり、酸素含有量が2000質量ppm以下であり、ビッカース硬さのばらつきが20%以下である。スパッタリングターゲットは、一般には円板状等の平板状をなすが、その他にも円筒状等の筒状といった様々な形状とすることができる。
上記のスパッタリングターゲットは、アルミニウム(Al)とスカンジウム(Sc)との合金で構成されるものである。
この発明では、Scは、25原子%以上かつ50原子%以下で含まれる。状態図より、この範囲でAlSc合金は、Al−Sc相、Al2−Sc相及びAl3−Sc相のうちの少なくとも1つの相、一般にはそのうちの2つの相となる。Scの含有量が少ない場合、Al相が現れ、この一方で、Scの含有量が多い場合、Al−Sc2相および/またはSc相が現れる。具体的にはScの含有量は、たとえば、25原子%以上かつ33原子%未満または、33原子%以上かつ50原子%以下とすることができる。状態図より、Scの含有量が25原子%以上かつ33原子%未満である場合、AlSc合金はAl−Sc相及びAl2−Sc相となることが多く、またScの含有量が33原子%以上かつ50原子%以下である場合、AlSc合金はAl2−Sc相及びAl3−Sc相となることが多い。
アルミニウムとスカンジウムの金属間化合物としては、Al−Sc相および/またはAl2−Sc相が存在することが好ましい。このような相の有無は、X線回折(XRD)等により確認することができる。
スパッタリングターゲットの酸素含有量は、2000質量ppm以下とする。この少ない酸素含有量は、後述するような溶解法により製造することで実現することができる。
このような低酸素のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより圧電し材料を形成した場合、酸素欠陥の減少により、その圧電性材料の圧電特性を有効に向上させることができる。
スパッタリングターゲットの炭素含有量もまた少ないほうが、圧電特性の向上の観点から好ましい。これは、炭化物による欠陥生成の理由による。したがって、炭素含有量は、たとえば1000質量ppm以下、好ましくは500質量ppm以下、より好ましくは100質量ppm以下、さらに好ましくは100質量ppm以下とし、特に50質量ppm以下とすることがより一層好適である。
上述したように酸素含有量を低減するため、スパッタリングターゲットを溶解法により製造した場合は、ターゲット全体におけるビッカース硬さのばらつきが大きくなり、それにより、スパッタリング時にスパッタリングターゲットが割れるという問題がある。
この問題に対し、製造時の溶解工程後に後述の鍛造工程を行うことで、スパッタリングターゲットのビッカース硬さ(Hv)のばらつきを、20%以下とする。これにより、スパッタリング時の割れを有効に防止することができる。
なお、ビッカース硬さは、JIS Z2244(2009)に規定されるビッカース硬さ試験に基いて測定する。
以上の述べたスパッタリングターゲットは、たとえば次のようにして製造することができる。
はじめに、Al原料とSc原料を混ぜ合わせて、真空または不活性ガス中での溶解法に基いて溶解炉内で溶解させた後、これを冷却し、ターゲット素材としてのAlとScとの合金のインゴットを得る。ここで、Sc原料は、Sc含有量が25原子%〜50原子%(25原子%以上かつ33原子%未満または、33原子%以上かつ50原子%以下)となるように添加する。なおここでの冷却は、たとえば、不活性ガス中で常温になるまで放置する自然冷却とすることができるが、これに限定されるものではない。
このような溶解法によれば、真空または不活性ガス雰囲気で溶解法を行うことにより、製造されるスパッタリングターゲットの酸素濃度を十分に低減でき、スカンジウムの組成を均一なものに調整することが可能になる。なお、大気雰囲気では酸素濃度が上昇するため所望のインゴットを得ることが難しい。真空雰囲気の場合、ハイパワーで即座に溶解・合金化することにより、Alの揮発を防止し組成調整を行いつつ酸素濃度を有効に低減できることが解かった。
ここで用いる不活性ガスは、AlやScと反応しない不活性ガスであれば様々なガスとすることができるが、たとえば、窒素ガスやアルゴンガスとすることができる。
また、Al−Scインゴットは冷間での鍛造は困難であることから、500℃〜1200℃に加熱した状態で、プレス鍛造を行うことができる。
Sc含有量が38原子%になるようにAl原料とSc原料を混合し、Ar雰囲気下で高周波加熱により融点1150℃の溶解を実施し、電源をオフにして当該不活性ガス中で2時間放置して自然冷却させ、AlとScの合金のインゴットを作製した。ここで、Sc原料の炭素含有量は40質量ppmであり、酸素含有量は1400質量ppmであった。次いで、鍛造工程を行い、インゴットをAr雰囲気で1000℃に加熱した状態で、当該インゴットに対して、加工率85%のプレス加工を1回施した後、所要の加工を行って、スパッタリングターゲットを製造した。
表3に示すところから、製造したスパッタリングターゲットの酸素含有量は、有効に低減されたことが解かる。なお、スパッタリングターゲットの炭素含有量及び酸素含有量は、表3に示すインゴットの炭素含有量及び酸素含有量とほぼ同等になる。
Sc含有量が30原子%になるようにAl原料とSc原料を混合したことを除いて、実施例1と実質的に同様に製造したスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様にして、Sc含有量、不純物含有量、炭素含有量及び酸素含有量ならびに、ビッカース硬さを測定した。その結果をそれぞれ表5〜8に示す。
酸素濃度が高いSc原料を用いたことを除いて、実施例1と実質的に同様に製造したスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様にして、Sc含有量、不純物含有量、炭素含有量及び酸素含有量ならびに、ビッカース硬さを測定した。その結果をそれぞれ表9〜12に示す。
Claims (10)
- AlとScとの合金からなり、Scを25原子%〜50原子%で含有するスパッタリングターゲットであって、酸素含有量が2000質量ppm以下であり、ビッカース硬さ(Hv)のばらつきが20%以下であるスパッタリングターゲット。
- 酸素含有量が1000質量ppm以下である請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- ビッカース硬さ(Hv)のばらつきが5%以下である請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 炭素含有量が1000質量ppm以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- Al−Sc相、Al2−Sc相およびAl3−Sc相からなる群から選択される少なくとも1つの相を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- Li、Na、K、Fe、Co及びNiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を合計0.1質量%以下でさらに含有する請求項1〜5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 不活性ガス又は真空雰囲気下、Al原料を、酸素含有量が3000質量ppm以下のSc原料とともに溶解させ、Scを25原子%〜50原子%で含有するAlとScとの合金のインゴットを得る溶解工程と、前記インゴットに圧力を加えて塑性加工を施す鍛造工程とを含むスパッタリングターゲットの製造方法。
- 溶解工程で、酸素含有量が100質量ppm〜3000質量ppmのSc原料を用いる請求項7に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 鍛造工程での塑性加工の加工率を、50%〜95%とする請求項7又は8に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 鍛造工程で、前記インゴットを500℃〜1200℃に加熱した状態で塑性加工を行う請求項7〜9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
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