CN111455223B - 铝钪合金靶材及其制备方法 - Google Patents

铝钪合金靶材及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111455223B
CN111455223B CN201910728796.5A CN201910728796A CN111455223B CN 111455223 B CN111455223 B CN 111455223B CN 201910728796 A CN201910728796 A CN 201910728796A CN 111455223 B CN111455223 B CN 111455223B
Authority
CN
China
Prior art keywords
aluminum
scandium
scandium alloy
alloy target
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910728796.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111455223A (zh
Inventor
黄培
黄美松
王志坚
刘华
邓月华
马小波
文康
刘维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Gaochuang Rare Earth New Materials Co ltd
Hunan Rare Earth Metal Materials Research Institute Co ltd
Original Assignee
Hunan rare earth metal material research institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan rare earth metal material research institute filed Critical Hunan rare earth metal material research institute
Priority to CN201910728796.5A priority Critical patent/CN111455223B/zh
Publication of CN111455223A publication Critical patent/CN111455223A/zh
Priority to PCT/CN2020/107595 priority patent/WO2021023283A1/zh
Priority to US17/633,847 priority patent/US20220290279A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111455223B publication Critical patent/CN111455223B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • C22C1/026—Alloys based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/02—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Abstract

本发明公开了一种铝钪合金靶材及其制备方法。其中制备方法包括：选取纯度在99.99％以上的金属铝和金属钪；按金属钪的质量百分比含量为5％～40％，金属铝的质量百分比含量为60％～95％配料，将所述金属铝分多次对掺到所述金属钪中，反复熔炼，得到预期的铝钪合金；将所述铝钪合金浇铸到模具中，得到铝钪合金靶坯；将所述铝钪合金靶坯进行机加工得到所述铝钪合金靶材。采用本发明可以解决现有技术中靶材成分的均匀化难以实现，钪分布不均匀，靶材氧含量高，致密度低，合金纯度低，无法用来制备溅射镀膜的问题。

Description

铝钪合金靶材及其制备方法
技术领域
本发明涉及铝合金靶材加工制备技术领域，特别是涉及一种铝钪合金靶材及其制备方法。
背景技术
铝钪合金主要用于特殊领域溅射靶材，例如，集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统(MEMS)的制备过程中。一般采用铝钪合金靶作为溅射源溅射形成铝钪合金薄膜。而金属钪的熔点高达1541℃，化学性质活泼，与铝的熔点相差较大，直接熔合时两者不易混合均匀，偏析严重，严重影响膜层的质量。
因此，研究开发出一种高纯致密的铝钪合金靶材的制备方法，对于关键领域用溅射靶材的发展具有十分重要的现实意义。
现有技术中，制备铝钪合金及铝钪合金靶材的方法有以下几种：
一、采用对掺法制备铝钪合金，即直接将金属钪加到铝合金中，通过浇铸获得铝钪合金，然后制备得到铝钪合金靶材。该方法制备得到的铝钪合金中的钪含量范围为0.1～15％，且得到的靶材成分均匀化难以实现，钪分布也不均匀。
二、采用粉末冶金法，将钪粉和铝粉直接混合、压制、烧结成靶材。该方法制备的铝钪合金靶材较均匀，钪含量可选范围较大，但是靶材的氧含量高，致密度低。
三、热还原法和熔盐电解法制备铝钪合金。该方法制备出来的合金纯度低，无法用来制备溅射镀膜用铝钪合金靶材。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高性能的铝钪合金靶材及其制备方法，以解决现有技术中的靶材成分不均匀，氧含量高，致密度低，钪含量可选范围小，合金纯度低，无法溅射镀膜的问题。
上述目的是通过以下技术方案实现的：
根据本发明的一个方面，本发明提供一种铝钪合金靶材的制备方法，包括：选取纯度在99.99％以上的金属铝和金属钪；按金属钪的质量百分比含量为5％～40％，金属铝的质量百分比含量为60％～95％配料，将所述金属铝分多次对掺到所述金属钪中，反复熔炼，得到预期的铝钪合金；将所述铝钪合金浇铸到模具中，得到铝钪合金靶坯；将所述铝钪合金靶坯进行机加工得到所述铝钪合金靶材。
优选地，将所述金属铝分多次对掺到金属钪中，每次所掺金属铝的质量不超过所述钪的总质量的200％。
优选地，每次熔炼保温5～15min，冷却后，继续进行下一次的对掺及熔炼，直至达到预期的铝钪合金。其中，预期的铝钪合金一般是所含钪含量的铝钪合金，本发明优选地，所述预期的铝钪合金为钪含量为5％～40％的铝钪合金。
优选地，所述熔炼过程是在优于1Pa真空状态和惰性气体保护下的悬浮炉中进行。
优选地，将所述铝钪合金靶坯进行机加工之前，还包括：对所述铝钪合金靶坯进行剥皮，模锻，热轧，整平，以及退火。
进一步地，对所述铝钪合金靶坯进行剥皮，模锻，热轧，整平，退火的步骤，包括：将所述铝钪合金靶坯剥皮(即去掉表皮，车至表面平整)；将剥皮后的靶坯在300℃～750℃保温60min后，在100MPa～400MPa压力下进行模锻，其中，锻造比为1.05～1.2，锻造过程随着锻造比的增大，使内部孔隙压合，铸态树枝晶被打碎，极大细化晶粒；将模锻后的铝钪靶材，在300℃～750℃保温20～50min后进行轧制，其中，总压下率不超过35％；轧制完将铝钪靶材整平；最后在真空退火炉中，惰性气氛保护下，保温温度300℃～750℃，保温时间30min～60min，去应力退火。
进一步地，得到的所述铝钪合金靶材的含氧量低于100ppm，平均晶粒尺寸低于100μm。
根据本发明的另一个方面，本发明提供一种铝钪合金靶材，所述铝钪合金靶材根据上述的铝钪合金靶材制备方法制备得到。
优选地，得到的所述铝钪合金靶材其钪含量为5％～40％。
与现有技术相比，本发明通过对金属铝和金属钪进行选取以及合理配比，将金属铝分多次对掺到金属钪中，通过反复悬浮熔炼铸造得到预期铝钪合金，将其浇铸到模具中，得到的铝钪合金靶坯，再经过机加工得到铝钪合金靶材，所述铝钪合金靶材含氧量低，致密度高，纯度高，晶粒细小，成分组织均匀；可以作为溅射镀膜用铝钪合金靶材，从而提高膜层质量；且具有铝钪合金的纯度高，钪含量可选范围大的优点。
其中，通过反复悬浮熔炼铸造得到的铝钪合金靶坯，其成分组织均匀，纯度高、含氧量低；通过对铝钪合金靶坯进行压力加工和热处理等工艺，可以获得纯度高、致密度高、晶粒细小且均匀一致的内部组织，满足集成电路溅射镀膜用的高纯高致密铝钪合金靶材。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明实施例2获得的铝钪合金靶胚铸态的内部显微组织照片；
图2是本发明实施例2获得的铝钪合金靶材的内部显微组织照片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述：
本发明实施例提供一种铝钪合金靶材的制备方法，该方法包括：选取纯度在99.99％以上的金属铝和金属钪(无粒径要求)；按金属钪的质量百分比含量为5％～40％，金属铝的质量百分比含量为60％～95％，将金属铝分多次对掺到金属钪中，每次所掺金属铝的质量不超过所述钪的总质量的200％，每次保温5～15min，经多次熔炼得到预期的铝钪合金；再将铝钪合金熔体浇铸到模具中，得到铝钪合金靶坯；将铝钪合金靶坯经过压力加工和热处理得到铝钪合金靶材。其中，模具可选水冷铜模具、或铸铁模具加气冷等急冷的浇铸方式。
本发明通过对金属铝和金属钪进行选取以及合理配比，将金属铝分多次对掺到金属钪中，且每次所掺金属铝的质量不超过所述钪的总质量的200％，通过反复悬浮熔炼铸造得到预期铝钪合金，将其浇铸到模具中，得到的铝钪合金靶坯，再经过机加工得到铝钪合金靶材，其成分组织均匀，纯度高，含氧量低，晶粒细小，致密度高，作为溅射镀膜用铝钪合金靶材可提高膜层质量。而且具有铝钪合金纯度高，钪含量可选范围大的优点。
实施例1
选取纯度在99.99％以上的金属铝3600g，选取纯度在99.99％以上的金属钪400g，将金属铝分7份。金属钪放入水冷铜坩埚中，第一份金属铝放入加料器中，将悬浮炉抽真空至1Pa以下，充入惰性气体；把金属钪融化后，加入铝，熔炼保温10min，冷却取出后将合金锭掉头放入水冷铜坩埚内，再在加料器中加入第二份金属铝，按以上方法再次熔炼保温，重复上述步骤直至得到钪含量10％的铝钪合金；最后将合金溶液浇铸到Φ200mm的水冷铜模具中，得到铝钪合金靶坯。
将上述的铝钪合金铸锭剥皮后，将铸锭和Φ215mm的钢模具，在520℃保温60min。将保温好的铝钪合金铸锭和模具放在锻压压机下以100MPa的压力进行模锻。将模锻好的铝钪合金靶坯在520℃保温20min后，进行轧制。靶坯轧制到达到Φ320mm，最后将铝钪靶趁热整平。
在真空退火炉中退火，抽气充氩后，在420℃保温30min；待炉冷后，将靶材表面机加工，得到最终钪含量10％、Φ310mm的铝钪靶材。经检测，靶材氧含量56ppm，纯度高，致密度高，平均晶粒尺寸67μm。
实施例2
选取纯度在99.99％以上的金属铝3200g，选取纯度在99.99％以上的金属钪800g，将金属铝分3份。金属钪放入水冷铜坩埚中，第一份金属铝放入加料器中，将悬浮炉抽真空至1Pa以下，充入惰性气体。把金属钪融化后，加入铝，熔炼保温10min，冷却取出后将合金锭掉头放入水冷铜坩埚内，再在加料器中加入第二份金属铝，按以上方法反复熔炼直到钪含量达到20％的铝钪合金。最后将合金溶液浇铸到Φ200mm的水冷铜模具中，得到铝钪合金靶坯。铝钪合金靶胚的内部显微组织照片如图1所示。
将上述的铝钪合金铸锭剥皮后，将铝钪合金铸锭和Φ215mm的钢模具在610℃保温60min。将保温好的铝钪合金铸锭和模具放在压机下以150MPa的压力锻压。
将模锻好的铝钪合金靶坯在610℃保温20min后，进行轧制。轧制到靶材大于Φ290mm，最后将铝钪靶趁热整平。
在真空退火炉中退火，抽气充氩后，在510℃保温30min；待炉冷后，将靶材表面机加工，得到最终钪含量20％、Φ280mm的铝钪靶材。所述铝钪靶材的内部显微组织照片如图2所示。经检测，最终靶材氧含量48ppm，纯度高，致密度高，平均晶粒尺寸58μm。
实施例3
选取纯度在99.99％以上的金属铝2800g，选取纯度在99.99％以上的金属钪1200g，将金属铝分2份。金属钪放入水冷铜坩埚中，第一份金属铝放入加料器中，将悬浮炉抽真空至1Pa以下，充入惰性气体。把金属钪融化后，加入铝，熔炼保温10min，冷却取出后将合金锭掉头放入水冷铜坩埚内，再在加料器中加入第二份金属铝，按以上方法反复熔炼直到钪含量达到30％的铝钪合金。最后将合金溶液浇铸到Φ200mm的水冷铜模具中，得到铝钪合金靶坯。
将上述的铝钪合金铸锭剥皮后，将铝钪合金铸锭和Φ210mm的钢模具在700℃保温60min。将保温好的铝钪合金铸锭和模具放在压机下以200MPa的压力锻压。
将模锻好的铝钪合金靶坯在700℃保温20min后，进行轧制。轧制到靶材直径达到270mm，最后将铝钪靶趁热整平。
在真空退火炉中退火，抽气充氩后，在600℃保温30min；待空冷后，将靶材表面机加工，得到最终钪含量30％、Φ260mm的铝钪靶材。经检测，最终靶材氧含量73ppm，纯度高，致密度高，平均晶粒尺寸80μm。

Claims (5)

1.一种铝钪合金靶材的制备方法，其特征在于，该方法包括：
选取纯度在99.99%以上的金属铝和纯度在99.99%以上的金属钪；
按金属钪的质量百分比含量为5%～40%，金属铝的质量百分比含量为60%～95% 配料，金属钪熔化后将所述金属铝分多次对掺到所述金属钪中，反复熔炼，得到预期的铝钪合金；其中，每次所掺金属铝的质量不超过所述钪的总质量的200%；熔炼时将悬浮炉抽真空至1Pa以下并充入惰性气体，且每次熔炼保温5～15min，冷却后继续进行下一次的对掺及熔炼；
将所述铝钪合金浇铸到模具中，得到铝钪合金靶坯；
将所述铝钪合金靶坯进行机加工得到所述铝钪合金靶材。
2.根据权利要求1所述的铝钪合金靶材的制备方法，其特征在于，将所述铝钪合金靶坯进行机加工之前，还包括：对所述铝钪合金靶坯进行剥皮，模锻，热轧，整平，以及退火。
3.根据权利要求2所述的铝钪合金靶材的制备方法，其特征在于，对所述铝钪合金靶坯进行剥皮，模锻，热轧，整平，退火的步骤，包括：
将所述铝钪合金靶坯剥皮；
将剥皮后的靶坯在300℃～750℃ 保温60min，然后在100MPa～400MPa压力下进行模锻，其中，锻造比为1.05～1.2；
将模锻后的铝钪靶材，在300℃～750℃保温20～50min后进行轧制，其中，总压下率不超过35%；
轧制完将铝钪靶材整平；
在真空退火炉中，以惰性气体保护，保温温度300℃～750℃，保温时间30min～60min，去应力退火。
4.根据权利要求3所述的铝钪合金靶材的制备方法，其特征在于，得到的所述铝钪合金靶材的含氧量低于100ppm，平均晶粒尺寸低于100μm。
5.一种铝钪合金靶材，其特征在于，所述铝钪合金靶材根据权利要求1～4任一项所述的铝钪合金靶材的制备方法制备得到。
CN201910728796.5A 2019-08-08 2019-08-08 铝钪合金靶材及其制备方法 Active CN111455223B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910728796.5A CN111455223B (zh) 2019-08-08 2019-08-08 铝钪合金靶材及其制备方法
PCT/CN2020/107595 WO2021023283A1 (zh) 2019-08-08 2020-08-07 铝钪合金靶材及其制备方法
US17/633,847 US20220290279A1 (en) 2019-08-08 2020-08-07 Aluminum scandium alloy target and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910728796.5A CN111455223B (zh) 2019-08-08 2019-08-08 铝钪合金靶材及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111455223A CN111455223A (zh) 2020-07-28
CN111455223B true CN111455223B (zh) 2021-10-01

Family

ID=71679121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910728796.5A Active CN111455223B (zh) 2019-08-08 2019-08-08 铝钪合金靶材及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220290279A1 (zh)
CN (1) CN111455223B (zh)
WO (1) WO2021023283A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111455223B (zh) * 2019-08-08 2021-10-01 湖南稀土金属材料研究院 铝钪合金靶材及其制备方法
CN110983262B (zh) * 2019-11-19 2022-01-18 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种铝钪合金靶材的制备方法
CN112548069B (zh) * 2020-11-04 2022-06-03 深圳市众诚达应用材料科技有限公司 铝钪合金靶材的制备方法
CN112538598B (zh) * 2020-12-02 2021-12-24 爱发科电子材料（苏州）有限公司 铝硅靶材的制作方法
CN112695283A (zh) * 2020-12-22 2021-04-23 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铝钪合金靶材的成型方法
CN112962072B (zh) * 2021-02-02 2023-07-07 长沙淮石新材料科技有限公司 一种低氧大尺寸含铝基金属间化合物的合金靶材及其制备方法
CN112962069B (zh) * 2021-02-02 2023-04-28 长沙淮石新材料科技有限公司 一种含金属间化合物的铝合金靶材及其制备方法
CN113584333B (zh) * 2021-07-14 2022-05-13 先导薄膜材料有限公司 一种提高铝钪合金靶材均匀性的方法
CN114134353A (zh) * 2021-11-25 2022-03-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铝钪合金及其制备方法与应用
CN114941080B (zh) * 2022-05-25 2023-04-28 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铝钪合金的制备方法
CN115433911B (zh) * 2022-09-30 2024-01-23 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种铝钪靶材及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104480445A (zh) * 2014-12-30 2015-04-01 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 铝合金靶材及其制备方法
CN107841639A (zh) * 2017-12-11 2018-03-27 基迈克材料科技（苏州）有限公司 铝钪合金靶坯及其制备方法及应用
CN109252142A (zh) * 2018-09-29 2019-01-22 有研新材料股份有限公司 一种铝钪合金靶坯及其制备方法和应用

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197579B2 (ja) * 1997-12-24 2008-12-17 株式会社東芝 スパッタリングターゲットとそれを用いたＡｌ配線膜の製造方法および電子部品の製造方法
CN1370853A (zh) * 2001-02-23 2002-09-25 光洋应用材料科技股份有限公司 金属溅镀靶材的制造方法
JP2006161082A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Ishifuku Metal Ind Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
TWI296286B (en) * 2005-12-20 2008-05-01 Chung Shan Inst Of Science Method of manufacturing al and al alloy sputtering target
US20110318607A1 (en) * 2009-03-02 2011-12-29 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Aluminum alloy reflective film, automobile light, illuminator, ornamentation, and aluminum alloy sputtering target
TW201040050A (en) * 2009-05-11 2010-11-16 Univ Nat Central Aluminum scandium alloy film for use in vehicle lamp and production method thereof
EP3467142B1 (en) * 2016-06-07 2022-08-03 JX Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target and production method therefor
CN107761062B (zh) * 2016-08-16 2020-06-16 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶坯及靶材组件的制造方法
CN111455223B (zh) * 2019-08-08 2021-10-01 湖南稀土金属材料研究院 铝钪合金靶材及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104480445A (zh) * 2014-12-30 2015-04-01 山东昊轩电子陶瓷材料有限公司 铝合金靶材及其制备方法
CN107841639A (zh) * 2017-12-11 2018-03-27 基迈克材料科技（苏州）有限公司 铝钪合金靶坯及其制备方法及应用
CN109252142A (zh) * 2018-09-29 2019-01-22 有研新材料股份有限公司 一种铝钪合金靶坯及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20220290279A1 (en) 2022-09-15
WO2021023283A1 (zh) 2021-02-11
CN111455223A (zh) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111455223B (zh) 铝钪合金靶材及其制备方法
CN108103381B (zh) 一种高强度FeCoNiCrMn高熵合金及其制备方法
CN110983262B (zh) 一种铝钪合金靶材的制备方法
CN108441827A (zh) 铝钪合金靶材制备方法
CN111455327B (zh) 高钪含量铝钪合金靶材及其制备方法
CN108754436B (zh) 一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法
CN111560585B (zh) 一种铝钪靶材的制备方法
JP2004100000A (ja) 珪化鉄スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN113881875B (zh) 一种三维骨架结构金属增强铝基复合材料及制备方法
CN111945089A (zh) 一种增材制造钛制件及其热处理工艺
CN105648407A (zh) 一种高致密度钼铌合金靶材及其制备工艺
WO2016141872A1 (zh) 消除粉末冶金高温合金原始颗粒边界和孔洞缺陷的方法
CN111549244A (zh) 一种Ti35钛合金铸锭的制备方法
CN110904364B (zh) 一种铝合金靶材的制备方法
TWI617680B (zh) Cu-Ga alloy sputtering target and manufacturing method thereof
CN111101105B (zh) 一种钛铝合金靶材的制备方法
CN104942271A (zh) 一种铍铝合金板材及其制备方法
TW201103999A (en) Method for manufacturing nickel alloy target
CN112809002B (zh) 一种铝硅合金靶坯的制备方法
CN103938002A (zh) 一种铜铬锆合金铸棒降低偏析的真空熔炼工艺
CN114393197A (zh) 高锡含量高塑性铜锡合金的定向凝固法制备方法
CN111593224B (zh) 一种铜铬电弧熔炼用自耗电极棒的制备方法
JP2003226964A (ja) スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法
CN112296606B (zh) 一种真空离心TiAl金属间化合物板材的制备方法
CN101582316B (zh) 高耐蚀性烧结钕铁硼永磁材料的生产工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 410000, No. 108 Longyuan Second Road, Longping High tech Park, Furong District, Changsha City, Hunan Province

Patentee after: Hunan rare earth metal materials Research Institute Co.,Ltd.

Address before: 108 Longyuan 2nd Road, Longping hi tech park, Furong district, Changsha City, Hunan Province

Patentee before: HUNAN RARE EARTH METAL MATERIAL Research Institute

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231215

Address after: Room 243, Phase I Comprehensive Building, Changsha E Center, No. 18 Xiangtai Road, Liuyang Economic and Technological Development Zone, Changsha City, Hunan Province, 410300

Patentee after: Hunan Gaochuang Rare Earth New Materials Co.,Ltd.

Address before: 410000, No. 108 Longyuan Second Road, Longping High tech Park, Furong District, Changsha City, Hunan Province

Patentee before: Hunan rare earth metal materials Research Institute Co.,Ltd.