JP2011068992A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Mnを主成分とし、各部位の酸素量を全体の酸素量の平均値に対して±27%以内の範囲にあるスパッタリングターゲット、またはMnを主成分とし、各部位の窒素量を全体の酸素量の平均値に対して±75%以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Mnを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程とを有する。
【選択図】なし
Description
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをTiターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをNbターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをTaターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをAl−Cu合金ターゲットに適用した例について述べる。
に示す。また、Al−Cu合金膜の比抵抗分布を測定した。その結果を図9に示す。これらの測定結果から明らかなように、本発明のAl−Cu合金ターゲットはダストの発生数が少なく、かつ得られるAl−Cu合金膜の比抵抗分布を向上させることができる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをCo−Pt−Cr合金ターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをPt−Mn合金ターゲットに適用した例について述べる。
Claims (8)
- Mnを主成分とし、各部位の酸素量が全体の酸素量の平均値に対して±27%以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
Mnを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程(a)と、
前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程(b)と、
を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記ターゲット全体の酸素量の平均値が390ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - Mnを主成分とし、各部位の窒素量が全体の窒素量の平均値に対して±75%以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
Mnを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程(a)と、
前記溶解材に所定の処理および加工を施して所定の形状に成形する工程(b)と、
を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項3記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記ターゲット全体の窒素量の平均値が300ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記ターゲットの各部位の炭素量が全体の炭素量の平均値に対して±100%以内の範囲にあることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項5記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記ターゲット全体の炭素量の平均値が300ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記ターゲットは高純度Mn合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記工程(b)は、前記溶解材に対し加工率が合計で200%以上の塑性加工を施す工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011068992A true JP2011068992A (ja) | 2011-04-07 |
JP5808094B2 JP5808094B2 (ja) | 2015-11-10 |
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JP2010218591A Expired - Lifetime JP5808094B2 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5808094B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013105291A1 (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-18 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度マンガン及びその製造方法 |
KR20150125721A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-09 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 및 고순도 망간 |
KR20150126662A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-12 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03107453A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-07 | Hitachi Metals Ltd | Ti―Wターゲットおよびその製造方法 |
JPH03173704A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-29 | Osaka Titanium Co Ltd | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
JPH04116161A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Hitachi Metals Ltd | チタンターゲット材およびその製造方法 |
WO1998022636A1 (fr) * | 1996-11-20 | 1998-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cible pour pulverisation, et film antiferromagnetique et element a effet magnetoresistant formes a l'aide de ladite cible |
JPH11152528A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Japan Energy Corp | 高純度Mn材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Mn材料 |
JPH11264070A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Japan Energy Corp | 磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000104164A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-11 | Toshiba Corp | スパッタタ―ゲット |
JP2001335923A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
-
2010
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03107453A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-07 | Hitachi Metals Ltd | Ti―Wターゲットおよびその製造方法 |
JPH03173704A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-29 | Osaka Titanium Co Ltd | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
JPH04116161A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Hitachi Metals Ltd | チタンターゲット材およびその製造方法 |
WO1998022636A1 (fr) * | 1996-11-20 | 1998-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cible pour pulverisation, et film antiferromagnetique et element a effet magnetoresistant formes a l'aide de ladite cible |
JPH11152528A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Japan Energy Corp | 高純度Mn材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Mn材料 |
JPH11264070A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Japan Energy Corp | 磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Mn−Ir合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000104164A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-11 | Toshiba Corp | スパッタタ―ゲット |
JP2001335923A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013105291A1 (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-18 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度マンガン及びその製造方法 |
KR20160018850A (ko) | 2012-01-10 | 2016-02-17 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간 및 그 제조 방법 |
US9725814B2 (en) | 2012-01-10 | 2017-08-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity manganese and method for producing same |
KR20150125721A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-09 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 및 고순도 망간 |
KR20150126662A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-12 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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