JP5808094B2 - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをTiターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをNbターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをTaターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをAl−Cu合金ターゲットに適用した例について述べる。
に示す。また、Al−Cu合金膜の比抵抗分布を測定した。その結果を図9に示す。これらの測定結果から明らかなように、本発明のAl−Cu合金ターゲットはダストの発生数が少なく、かつ得られるAl−Cu合金膜の比抵抗分布を向上させることができる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをCo−Pt−Cr合金ターゲットに適用した例について述べる。
この実施例では、本発明のスパッタリングターゲットをPt−Mn合金ターゲットに適用した例について述べる。
Claims (1)
- 下記(i)〜(iii)の要件を満たす高純度Mn合金からなるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
Mn合金を構成する粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程(a)と、
前記溶解材を回転電極として使用して、REP法により前記Mn合金組成を有する粉末を作製する工程(b)と、
前記工程(b)で得られた粉末をふるいにかけて粒径100μm以下の粉末を選別し、この粉末に対し予圧なしで脱ガス、脱炭素および脱窒素処理を行い、真空ホットプレスする工程(c)と、
を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
(i)各部位の酸素量がターゲット全体の酸素量の平均値の+20%以下である
(ii)各部位の窒素量がターゲット全体の窒素量の平均値の+30%以下である
(iii)各部位の炭素量がターゲット全体の炭素量の平均値の+50%以下である
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