CN112170753B - 一种半导体铜背靶加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；(2)在650℃条件下将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下将墩粗后的T2紫铜铜材锻打成长方体状；(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。本发明的半导体铜背靶加工方法可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材，工艺简单，加工成本低。

Description

一种半导体铜背靶加工方法
技术领域
本发明涉及一种半导体铜背靶加工方法。
背景技术
在半导体芯片生产中，要用到靶材制作晶圆，在靶材加工中往往会用到溅射工艺对靶材表面能进行溅射处理，这对靶材的纯度和晶粒尺寸有很高的要求，一般晶粒尺寸都要求在30-300微米左右，甚至更小，否则会影响晶圆质量。铜背靶作为一种靶材也很常用，但是普通的铜材料要加工成合乎要求的靶材往往工艺复杂，加工难度大，加工成本高，因此成本低的铜靶材加工方法是很有成本优势的。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种半导体铜背靶加工方法，可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材，工艺简单，加工成本低。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：提供一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：
(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；
(2)在650℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；
(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的T2紫铜铜材进行锻打，将T2紫铜铜材锻打成长方体状；
(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
在本发明一个较佳实施例中，步骤(1)和步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对对T2紫铜铜材进行锻打的时间为2小时。
在本发明一个较佳实施例中，步骤(3)中在350℃条件下对T2紫铜铜材进行锻打的时间为1小时。
在本发明一个较佳实施例中，在步骤(1)中将直径为200mm高为370mm的圆柱体状T2紫铜铜材在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变为257mm高变为225mm，后放置冷却至650℃，然后将直径为257mm高为225mm的T2紫铜铜材翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材锻打成为长445mm、宽160mm、高160mm的长方体形状。
在本发明一个较佳实施例中，在步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对将长445mm、宽160mm、高160mm的长方体T2紫铜铜材进行墩粗锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材墩粗为的长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材。
在本发明一个较佳实施例中，将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材进行锻打，将长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材锻打成长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材。
在本发明一个较佳实施例中，继续在350℃条件下继续使用锻压机对长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材进行锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材锻打成直径为560mm高为50mm的圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
本发明的有益效果是：本发明的半导体铜背靶加工方法通过锻压机在一定的温度条件下对T2紫铜铜材进行多次锻打，可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材，工艺简单，加工成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本发明的半导体铜背靶加工方法的加工工序流程图。
附图中各部件的标记如下：1、紫铜铜材。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明实施例包括：一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：
(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材1在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材1的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材1翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材1锻打成一长方体的形状；
(2)在650℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材1进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材1进行墩粗；
(3)将T2紫铜铜材1放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的T2紫铜铜材1进行锻打，将T2紫铜铜材1锻打成长方体状；
(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材1进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材1锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
优选的，步骤(1)和步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对对T2紫铜铜材1进行锻打的时间为2小时。
优选的，步骤(3)中在350℃条件下对T2紫铜铜材1进行锻打的时间为1小时。
优选的，在步骤(1)中将直径为200mm高为370mm的圆柱体状T2紫铜铜材1在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材1的直径变为257mm高变为225mm，后放置冷却至650℃，然后将直径为257mm高为225mm的T2紫铜铜材1翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材1锻打成为长445mm、宽160mm、高160mm的长方体形状，使T2紫铜铜材1的晶粒尺寸变小。
优选的，在步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对将长445mm、宽160mm、高160mm的长方体T2紫铜铜材1进行墩粗锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材1墩粗为的长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材1。
优选的，将T2紫铜铜材1放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材1进行锻打，将长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材1锻打成长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材1。
优选的，继续在350℃条件下继续使用锻压机对长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材1进行锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材1锻打成直径为560mm高为50mm的圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
经过上述的锻打步骤后，T2紫铜铜材1的晶粒尺寸可以达到300微米，满足半导体铜背靶的材料要求，可以在靶材表面溅射处理时不容易产生尖端放电，不容易形成杂质粒子，从而不影响晶圆质量。而且上述的加工方法工艺比较简单，可以降低企业的生产加工成本。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种半导体铜背靶加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；
(2)在650℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；
(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的T2紫铜铜材进行锻打，将T2紫铜铜材锻打成长方体状；
(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
2.根据权利要求1所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对T2紫铜铜材进行锻打的时间为2小时。
3.根据权利要求1或2所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，步骤(3)中在350℃条件下对T2紫铜铜材进行锻打的时间为1小时。
4.根据权利要求1或2所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，在步骤(1)中将直径为200mm高为370mm的圆柱体状T2紫铜铜材在真空炉中加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变为257mm高变为225mm，后放置冷却至650℃，然后将直径为257mm高为225mm的T2紫铜铜材翻转90°继续锻打，将T2紫铜铜材锻打成为长445mm、宽160mm、高160mm的长方体形状。
5.根据权利要求4所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，在步骤(2)中在650℃条件下继续使用锻压机对长445mm、宽160mm、高160mm的长方体T2紫铜铜材进行墩粗锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材墩粗为长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材。
6.根据权利要求5所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下继续使用锻压机对墩粗后的长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材进行锻打，将长290mm、宽200mm、高200mm的T2紫铜铜材锻打成长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材。
7.根据权利要求6所述的半导体铜背靶加工方法，其特征在于，继续在350℃条件下继续使用锻压机对长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材进行锻打，将长445mm、宽160mm、高160mm的T2紫铜铜材锻打成直径为560mm高为50mm的圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。
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