JP4963037B2 - スパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(比較例1)
Claims (11)
- スパッタリング用のコバルトターゲットにおいて、
このコバルトターゲットを表面に配置するバッキングプレートの裏面側に配置するマグネットとして、バッキングプレートの裏面に平行で、所定長さを有する直線マグネットを用い、
この直線マグネットは、バッキングプレートを貫通してその表面に漏洩する磁束の水平方向漏洩磁束密度のばらつきが、直線マグネットの両端部を除く所定範囲で±5%以下となるものであり、
裏面側に前記直線マグネットを配置したパッキングプレートの表面にコバルトターゲットを配置した状態で、バッキングプレートとコバルトターゲットとを貫通してその表面に漏洩する磁束の水平方向漏洩磁束密度のばらつきが、直線マグネットの両端部を除く所定範囲で±5%以内であり、
前記コバルトターゲットが、コバルトインゴットから熱間鍛造と熱間圧延とを施して得られた正方形の板材で、その厚みが均一に加工された板材を、正方形の2組の対辺の対向方向に夫々平行な2軸方向へ同じ圧延率で圧延して得られたものであることを特徴とするスパッタリング用コバルトターゲット。 - 前記コバルトターゲットが、正方形の2組の対辺の対向方向に夫々平行な2軸方向への圧延加工の圧延率を10〜16%とした冷間圧延工程と、熱処理温度を420〜600℃とした熱処理工程とを繰り返すことにより製作されたものであることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング用コバルトターゲット。
- 前記冷間圧延工程と熱処理工程との繰り返し工程の後、最終工程を冷間圧延工程として、ターゲット表面での漏洩磁束密度が大きくなるようにして、(0002)面への配向が強まるように((0002)/(10-11))面の配向比を増大させたものであることを特徴とする請求項2記載のスパッタリング用コバルトターゲット。
- 前記コバルトターゲットの表面での漏洩磁束密度が大きくなるように、このターゲット表面の平行な方向の透磁率が、ターゲット面と垂直な方向の透磁率に比較して小さくなるようにして異方性を持たせたものであることを特徴とする請求項3記載のスパッタリング用コバルトターゲット。
- 前記コバルトターゲットの純度が、3N5〜5Nであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のスパッタリング用コバルトターゲット。
- コバルトインゴットに対して熱間鍛造と熱間圧延とを施して正方形の板材を製作し、この板材の厚みを均一にした後、正方形の2組の対辺の対向方向に夫々平行な2軸方向への同じ圧延率での冷間圧延工程と所定の温度での熱処理工程とを繰り返し施すことを特徴とするスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
- 前記板材を圧延前に平面研削あるいはフライス盤等の機械加工によりその厚みを均一に加工してなることを特徴とする請求項6記載のスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
- 前記冷間圧延加工の圧延率が10〜16%であり、前記熱処理温度が420〜600℃であることを特徴とする請求項6または7記載のスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
- 前記冷間圧延工程における加工中の板材の割れを防止するように、また、磁気特性がターゲット面内で均一となるように制御することを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載のスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
- 前記冷間圧延工程と熱処理工程との繰り返し工程の後、最終工程を冷間圧延工程として、ターゲット表面での漏洩磁束密度が大きくなるようにして、(0002)面への配向が強まるように((0002)/(10-11))面の配向比を増大させることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載のスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
- 前記コバルトターゲットとして、その純度が3N5〜5Nのものを用いることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載のスパッタリング用コバルトターゲットの製造方法。
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