JPWO2010032519A1 - 母基板及びその製造方法、並びにデバイス基板 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、第1の母基板の主面に、非晶質のシリコン薄膜を形成する。次いで、このシリコン薄膜をレーザアニールによって多結晶化する。そして、得られた多結晶シリコン薄膜を所望の形状にパターニングして、さらに必要な他の材料等の加工を行う。これにより、第1の母基板の主面には、薄膜トランジスタを含むモノリシック回路を備えた複数のパネル基板が形成される。
以下に本発明を詳述する。
これは以下の理由による。
まず、第1の母基板301の主面にシリコン薄膜を堆積する工程を行う。シリコン薄膜の堆積は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等の従来公知の方法が適用される。堆積されたシリコン薄膜は、非晶質のシリコン薄膜である。
これにより、第1のレーザ照射領域R1には、図3(c)に示すように、全面が多結晶化されたパネル基板302aと、トランジスタ形成領域303のみが多結晶化されたパネル基板302bとが存在する。すなわち、1行目にある6個のパネル基板302は全て、トランジスタ形成領域303aと端子領域304aとが多結晶化されたパネル基板302aとなり、2行目にある6個のパネル基板302は、トランジスタ形成領域303bは多結晶化されるが、端子領域304bは、非結晶のままのパネル基板302bとなる。
製造工程管理マーク151は、例えば、品種名やバーコード、位置確認マーク等がシリコン薄膜、金属薄膜等を用いてパターニングされたものであり、読み取り装置にてマークの形状が読み取られる。読み取り装置では、マークの形状を読み取るだけであるので、マークが形成される材質については、何ら影響を与えるものではない。したがって、不均一な多結晶シリコン薄膜、非晶質のシリコン薄膜、又は、均一な多結晶シリコン薄膜のいずれでパターニングされたマークであっても形状は同一であるので、マークとして機能上なんら不都合は生じない。
実施形態1においては、第1の母基板をレーザアニールする工程について具体例を挙げて説明する。図5は、実施形態1に係る複数のパネル基板502を備えた第1の母基板501の構成を示す斜視図である。図5において、パネル基板502は、レーザアニールによりシリコン薄膜を結晶化した後に行なわれる各種工程を経てパターニングされた回路550や端子557の位置等を概念的に示したものである。第1の母基板501上のシリコン薄膜がアニールされる際には、ゲートドライバ回路等の具体的な回路550はまだパターニングされていないため、第1の母基板501上に示されるパネル基板502は、結晶化工程後に行なわれる各種工程を経てパターニングされる回路の位置等を概念的に図示したものである。
具体的には、1回目のレーザ照射を第1の母基板501上のシリコン薄膜506に対して実行する。続いて2回目のレーザ照射を行うが、このとき、1回目のレーザ照射領域R1と2回目のレーザ照射領域R2との間に生成されるレーザ継ぎ領域RGに関して、以下の関係が成立するようにする。
D1<D2
RG=D2≦T+D1
ここで、T:パネル基板の端子長
D1:本実施形態における隣接するレーザ照射領域間のパネル基板の行間
D2:比較実施形態における隣接するレーザ照射領域間のパネル基板の行間
である。
T、D1、及び、D2は、一般には数mm程度である。レーザ継ぎ領域RGは、レーザ照射の不安定照射部としたり、または、レーザ照射を実行しない領域として設定できる。
(1)端子領域504に配置されている製造工程管理マーク551やTEG552の一部を構成するシリコン薄膜が均一に多結晶されているパネル基板502(A、C、E)と、
(2)端子領域504に配置されている製造工程管理マーク551やTEG552の一部を構成するシリコン薄膜が不均一に多結晶化されたり、又は、非晶質であるパネル基板502(B、D、F)とが混在することになる。
図6は、従来の母基板の製造方法におけるレーザアニール工程を示す平面模式図である。レーザ605及びシリコン薄膜606が堆積された第1の母基板601の構成は、上記図5と同様である。
しかし、レーザ605が第1の母基板601の膜面を複数回スキャンするときには、第1の母基板601上に配置されている全てのパネル基板602について同一のレーザアニールが施こされるようする。
そして、各回毎のレーザ照射領域R1〜R3では、各領域に含まれる全てのパネル基板602を構成するトランジスタ形成領域661と端子領域604の全面が多結晶化される。
110 デバイス基板
111、303、303a、303b、503、603 トランジスタ形成領域
112、304、304a、304b、504、604 端子領域
113 表示領域
114 ゲートドライバ回路
115 ソースドライバ回路
116、550 回路
117、557 端子
118 配線
120 CF基板
130 シール材
140 封止樹脂
151、551 製造工程管理マーク
152、552 TEG
301、501 第1の母基板
302、302a、302b、502、602 パネル基板
305、505、605 レーザ
506、606 シリコン薄膜
R1〜R4 レーザ照射領域
RG レーザ継ぎ領域
RL レーザ長
Claims (18)
- 複数のパネル基板を備えた母基板であって、
該母基板は、主面に形成されたシリコン薄膜を備え、
該パネル基板は、トランジスタ形成領域と端部領域とを各々備え、
該トランジスタ形成領域は、該シリコン薄膜が多結晶化されてなり、
該端部領域は、各パネル基板の外縁に設けられ、
少なくとも一つのパネル基板は、該端部領域において、該トランジスタ形成領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルとは異なる結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む領域を有することを特徴とする母基板。 - 前記パネル基板は、前記端部領域の配列方向が揃うようにマトリクス状に配置されており、
第1の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む端部領域を備えた第1のパネル基板と、該第1の結晶プロファイルとは異なる第2の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む端部領域を備えた第2のパネル基板とを有することを特徴とする請求項1記載の母基板。 - 前記トランジスタ形成領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルは、前記第1の結晶プロファイルと同一であることを特徴とする請求項2記載の母基板。
- 前記トランジスタ形成領域は、前記シリコン薄膜からなるモノリシック回路を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の母基板。
- 前記端部領域には、前記シリコン薄膜からなる製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンが形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の母基板。
- 前記製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンは、
前記第1の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜にて形成された製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンと、
前記第2の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜にて形成された製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンとを含むことを特徴とする請求項5記載の母基板。 - 前記トランジスタ形成領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルと、端部領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルとは、平均結晶粒径、結晶粒径の分布、及び、結晶の表面ラフネスから選ばれる少なくとも1つが異なることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の母基板。
- 前記第1の結晶プロファイルと前記第2の結晶プロファイルとは、平均結晶粒径、結晶粒径の分布、及び、結晶の表面ラフネスから選ばれる少なくとも1つが異なることを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載の母基板。
- 前記第1の結晶プロファイルは多結晶質であり、前記第2の結晶プロファイルは不安定な結晶質及び/又は非晶質であることを特徴とする請求項2〜6のいずれかに記載の母基板。
- 前記パネル基板は、
矩形状の表示領域を含むトランジスタ形成領域と、
該パネル基板の外縁における1辺に形成された端部領域とを備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の母基板。 - トランジスタ形成領域と端部領域とを有するパネル基板を複数備えた母基板の製造方法であって、
基板の主面にシリコン薄膜を堆積する工程と、
該シリコン薄膜を所定の領域毎にレーザアニールする工程とを備え、
該レーザアニールする工程は、
レーザと該母基板とを相対的に移動させて所定の領域における該シリコン薄膜を多結晶化させて該トランジスタ形成領域を形成するとともに、
少なくとも一つの該端部領域において、該トランジスタ形成領域を形成するシリコン薄膜の結晶プロファイルとは異なる結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む領域が形成されるようにレーザアニールすることを特徴とする母基板の製造方法。 - 前記レーザアニールする工程は、
前記パネル基板が前記母基板の主面にマトリクス状に配置されるように、行方向又は列方向に沿って前記母基板と前記レーザとを相対移動させ、
該パネル基板が、
第1の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む端部領域を備えた第1のパネル基板と、該第1の結晶プロファイルとは異なる第2の結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む端部領域を備えた第2のパネル基板とを有するようにレーザアニールすることを特徴とする請求項11記載の母基板の製造方法。 - 前記レーザアニールする工程は、
前記トランジスタ形成領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルと前記第1の結晶プロファイルとが同一となるようにレーザアニールすることを特徴とする請求項12記載の母基板の製造方法。 - 前記端部領域におけるシリコン薄膜をパターニングして、製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の母基板の製造方法。
- パターニングされる前記シリコン薄膜は、不安定に結晶化されたシリコン薄膜及び/又は非晶質のシリコン薄膜であることを特徴とする請求項14記載の母基板の製造方法。
- 前記レーザは、エキシマレーザであることを特徴とする請求項11〜14記載のいずれかに母基板の製造方法。
- トランジスタ形成領域と端部領域とを備えたデバイス基板であって、
シリコン薄膜が多結晶化されてなるトランジスタ形成領域と、
該デバイス基板の外縁に設けられた端部領域とを備え、
該端部領域は、該トランジスタ形成領域を形成するシリコン薄膜の結晶プロファイルとは異なる結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む領域を有することを特徴とするデバイス基板。 - 前記端部領域には、不安定に結晶化されたシリコン薄膜又は非晶質のシリコン薄膜からなる製造工程管理マーク及び/又は評価専用パターンが形成されていることを特徴とする請求項17記載のデバイス基板。
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