JPH08201846A - レーザーアニール法及び液晶表示装置 - Google Patents
レーザーアニール法及び液晶表示装置Info
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- JPH08201846A JPH08201846A JP936995A JP936995A JPH08201846A JP H08201846 A JPH08201846 A JP H08201846A JP 936995 A JP936995 A JP 936995A JP 936995 A JP936995 A JP 936995A JP H08201846 A JPH08201846 A JP H08201846A
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑
え画像品質の低下が防止できるレーザーアニール法及び
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 パルスレーザービームのエッジ部分が半導体
層１７，１９を必ず照射する。この半導体層１７，１９
が、走査側の駆動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆
動用薄膜トランジスタを形成する。
え画像品質の低下が防止できるレーザーアニール法及び
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 パルスレーザービームのエッジ部分が半導体
層１７，１９を必ず照射する。この半導体層１７，１９
が、走査側の駆動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆
動用薄膜トランジスタを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示器の製造過程
におけるレーザーアニール法およびその液晶表示器を用
いた液晶表示装置に関するものである。
におけるレーザーアニール法およびその液晶表示器を用
いた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、液晶表示装置の製造におい
て、大面積ガラス基板上にポリシリコン薄膜トランジス
タを作成し、これを周辺駆動回路内蔵型液晶表示器（Ａ
Ｍ−ＬＣＤ）に活用することが、液晶表示装置の性能向
上やコスト削減の有力手段となると言われている。特
に、パルスレーザーを用いたレーザーアニール法により
ポリシリコン薄膜を形成してトランジスタを作成する方
法が注目されている。
て、大面積ガラス基板上にポリシリコン薄膜トランジス
タを作成し、これを周辺駆動回路内蔵型液晶表示器（Ａ
Ｍ−ＬＣＤ）に活用することが、液晶表示装置の性能向
上やコスト削減の有力手段となると言われている。特
に、パルスレーザーを用いたレーザーアニール法により
ポリシリコン薄膜を形成してトランジスタを作成する方
法が注目されている。
【０００３】従来、大面積ガラス基板上でパルスレーザ
ーを用いてポリシリコン薄膜を結晶化させる際に、連続
するパルスレーザービームを、その一部をオーバーラッ
プさせながらビーム位置をずらして（ビームは固定し、
相対的に基板を動かす場合もある）照射し、基板全面を
レーザーアニールする方法が用いられている。
ーを用いてポリシリコン薄膜を結晶化させる際に、連続
するパルスレーザービームを、その一部をオーバーラッ
プさせながらビーム位置をずらして（ビームは固定し、
相対的に基板を動かす場合もある）照射し、基板全面を
レーザーアニールする方法が用いられている。
【０００４】以下、従来のレーザーアニール法および液
晶表示装置について説明する。図３は従来のレーザーア
ニール法の工程を説明する概略図である。図３（ａ）に
おいて、１はガラス基板であり、この場合は、光学部品
によりほぼ長方形に形成されたレーザービーム２を、そ
の一部をオーバーラップさせながらアモルファスシリコ
ン薄膜３に照射し、このアモルファスシリコン薄膜３を
溶融結晶化させてポリシリコン薄膜４を作成している。
晶表示装置について説明する。図３は従来のレーザーア
ニール法の工程を説明する概略図である。図３（ａ）に
おいて、１はガラス基板であり、この場合は、光学部品
によりほぼ長方形に形成されたレーザービーム２を、そ
の一部をオーバーラップさせながらアモルファスシリコ
ン薄膜３に照射し、このアモルファスシリコン薄膜３を
溶融結晶化させてポリシリコン薄膜４を作成している。
【０００５】図３（ｂ）はガラス基板１の平面の一部を
しめした物であり、直前の照射位置Ａに対してビームサ
イズの３／４づつをオーバーラップさせながら照射した
場合の現在の照射位置Ｂの位置関係を示している。従っ
て、１ｃｍ四方の正方形ビームの場合、レーザービーム
２のずらし量Ｃは２．５ｍｍとなる。
しめした物であり、直前の照射位置Ａに対してビームサ
イズの３／４づつをオーバーラップさせながら照射した
場合の現在の照射位置Ｂの位置関係を示している。従っ
て、１ｃｍ四方の正方形ビームの場合、レーザービーム
２のずらし量Ｃは２．５ｍｍとなる。
【０００６】図３に示すレーザーアニール法において、
レーザービーム２をその一部をオーバーラップさせなが
ら照射する理由を、以下に簡単に説明する。現在、ＬＣ
Ｄ用のガラス基板は３６ｃｍ×４６ｃｍ程度のものが主
流であり、シリコンの結晶化には１平方ｃｍあたり数百
ｍＪのエネルギー密度が必要である。デバイスサイズに
もよるが、オーバーラップ照射を避けようとすると数百
〜数十Ｊ／パルスのレーザーが必要となるが、現時点で
は、量産工程に使える程の安定性を持ちかつ高コストで
ない大出力レーザーは存在しない。近年、加工用に工業
的に用いられている大出力レーザーでも数百ｍＪ／パル
ス程度であり、この場合、ビーム面積は１ｃｍ2 程度で
ありオーバーラップ照射が必須になる。
レーザービーム２をその一部をオーバーラップさせなが
ら照射する理由を、以下に簡単に説明する。現在、ＬＣ
Ｄ用のガラス基板は３６ｃｍ×４６ｃｍ程度のものが主
流であり、シリコンの結晶化には１平方ｃｍあたり数百
ｍＪのエネルギー密度が必要である。デバイスサイズに
もよるが、オーバーラップ照射を避けようとすると数百
〜数十Ｊ／パルスのレーザーが必要となるが、現時点で
は、量産工程に使える程の安定性を持ちかつ高コストで
ない大出力レーザーは存在しない。近年、加工用に工業
的に用いられている大出力レーザーでも数百ｍＪ／パル
ス程度であり、この場合、ビーム面積は１ｃｍ2 程度で
ありオーバーラップ照射が必須になる。
【０００７】図４は、図３に示す従来のレーザーアニー
ル法によって作成された周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣ
Ｄ用の薄膜トランジスタ基板１０の要部配置図である。
ここでは、ＴＦＴに関連する部分のみを示しており、一
部の構成要素を省略している。また、図４は液晶表示装
置の左上部のみを示している。
ル法によって作成された周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣ
Ｄ用の薄膜トランジスタ基板１０の要部配置図である。
ここでは、ＴＦＴに関連する部分のみを示しており、一
部の構成要素を省略している。また、図４は液晶表示装
置の左上部のみを示している。
【０００８】図４において、５はＬＣＤの画素に対応す
る画面用薄膜トランジスタであり、走査線６を介して走
査側の駆動用薄膜トランジスタ７と接続され、信号線８
を介して信号側の駆動用薄膜トランジスタ９に接続され
ている。通常の画素ピッチは０．０５〜０．３ｍｍ程度
である。
る画面用薄膜トランジスタであり、走査線６を介して走
査側の駆動用薄膜トランジスタ７と接続され、信号線８
を介して信号側の駆動用薄膜トランジスタ９に接続され
ている。通常の画素ピッチは０．０５〜０．３ｍｍ程度
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来のレーザーアニール法では、連続するパルスレ
ーザービームをその一部をオーバーラップさせながらビ
ーム位置をずらして照射しており、この場合、駆動用薄
膜トランジスタ７，９に用いられる半導体薄膜が、ビー
ムエッジ部により照射されたりされなかったりし、特
に、その場所のシリコン薄膜にとって最初に照射された
ビームのエッジ部（以下、第１照射のビームエッジ部と
称する）が照射された部分で作成された素子の特性が、
他の部分に比べて異なるという現象がおこり、その素子
能力にばらつきが生じるという問題点を有していた。
うな従来のレーザーアニール法では、連続するパルスレ
ーザービームをその一部をオーバーラップさせながらビ
ーム位置をずらして照射しており、この場合、駆動用薄
膜トランジスタ７，９に用いられる半導体薄膜が、ビー
ムエッジ部により照射されたりされなかったりし、特
に、その場所のシリコン薄膜にとって最初に照射された
ビームのエッジ部（以下、第１照射のビームエッジ部と
称する）が照射された部分で作成された素子の特性が、
他の部分に比べて異なるという現象がおこり、その素子
能力にばらつきが生じるという問題点を有していた。
【００１０】この現象は、レーザービーム２のレーザー
としてエキシマレーザーのような紫外線パルスレーザー
を用い、アモルファスシリコン薄膜３を結晶化させる場
合に顕著に現れる。
としてエキシマレーザーのような紫外線パルスレーザー
を用い、アモルファスシリコン薄膜３を結晶化させる場
合に顕著に現れる。
【００１１】また、従来のレーザーアニール法によって
作成された周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣＤ用の薄膜ト
ランジスタ基板１０を使った液晶表示装置では、この液
晶表示装置で画像表示を行った場合、縦方向や横方向の
表示ムラとなって認識されるようになり、特に、第１照
射のビームエッジ部に着目すると、たとえば、数個に１
個の割合で周期的に特性の異なる駆動用薄膜トランジス
タが出来ることになるため、周期的な画像ムラが生じ、
この画像ムラが人間に非常に認識されやすく、とりわけ
動作スピードの高い信号側の駆動用薄膜トランジスタ９
（トランスファーゲート構成の場合が多い）に、周期的
な出力ムラが生じた場合は画像品質に大きな影響を与
え、画像品質を大きく低下させるという問題点を有して
いた。
作成された周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣＤ用の薄膜ト
ランジスタ基板１０を使った液晶表示装置では、この液
晶表示装置で画像表示を行った場合、縦方向や横方向の
表示ムラとなって認識されるようになり、特に、第１照
射のビームエッジ部に着目すると、たとえば、数個に１
個の割合で周期的に特性の異なる駆動用薄膜トランジス
タが出来ることになるため、周期的な画像ムラが生じ、
この画像ムラが人間に非常に認識されやすく、とりわけ
動作スピードの高い信号側の駆動用薄膜トランジスタ９
（トランスファーゲート構成の場合が多い）に、周期的
な出力ムラが生じた場合は画像品質に大きな影響を与
え、画像品質を大きく低下させるという問題点を有して
いた。
【００１２】本発明は、走査側の駆動用薄膜トランジス
タおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタの素子能力の
ばらつきを抑えることができ、画像ムラの発生をなくし
て画像品質の低下を防止することができるレーザーアニ
ール法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
タおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタの素子能力の
ばらつきを抑えることができ、画像ムラの発生をなくし
て画像品質の低下を防止することができるレーザーアニ
ール法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のレーザーアニール法は、液晶表示器に用い
られる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザー
ビームをその一部が重なるようにずらして照射し、前記
薄膜トランジスタ基板に薄膜トランジスタを形成するレ
ーザーアニール法において、画面用の薄膜トランジスタ
を駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体
薄膜に対して、前記パルスレーザービームのエッジ部分
を照射する方法とする。
に、本発明のレーザーアニール法は、液晶表示器に用い
られる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザー
ビームをその一部が重なるようにずらして照射し、前記
薄膜トランジスタ基板に薄膜トランジスタを形成するレ
ーザーアニール法において、画面用の薄膜トランジスタ
を駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体
薄膜に対して、前記パルスレーザービームのエッジ部分
を照射する方法とする。
【００１４】また、本発明の液晶表示装置は、液晶表示
器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルス
レーザービームをその一部が重なるようにずらして照射
するレーザーアニール処理により、薄膜トランジスタが
形成された前記薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示
装置において、前記薄膜トランジスタ基板に対する前記
レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービー
ムのエッジ部分により照射された半導体薄膜が、画面用
の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジス
タを形成する構成とする。
器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルス
レーザービームをその一部が重なるようにずらして照射
するレーザーアニール処理により、薄膜トランジスタが
形成された前記薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示
装置において、前記薄膜トランジスタ基板に対する前記
レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービー
ムのエッジ部分により照射された半導体薄膜が、画面用
の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジス
タを形成する構成とする。
【００１５】
【作用】上記の方法および構成によると、パルスレーザ
ービームのエッジ部分が半導体薄膜を必ず照射する。
ービームのエッジ部分が半導体薄膜を必ず照射する。
【００１６】この半導体薄膜が、走査側の駆動用薄膜ト
ランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを形
成する。
ランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを形
成する。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例のレーザーアニール法
及び液晶表示装置について、図面を参照しながら説明す
る。
及び液晶表示装置について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１８】図１は本発明の第１の実施例のレーザーア
ニール法と液晶表示装置を説明するための図面である。
本実施例の液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ
基板は、基本的には、図４に示す周辺駆動回路内蔵型Ａ
Ｍ−ＬＣＤ用の従来の薄膜トランジスタ基板と同様に構
成される。
ニール法と液晶表示装置を説明するための図面である。
本実施例の液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ
基板は、基本的には、図４に示す周辺駆動回路内蔵型Ａ
Ｍ−ＬＣＤ用の従来の薄膜トランジスタ基板と同様に構
成される。
【００１９】図１（ａ）は、信号線を介して画面用薄膜
トランジスタと接続される信号側の駆動用薄膜トランジ
スタを形成する半導体薄膜としての半導体層１９と、レ
ーザービーム２１ａ，２１ｂ，２１ｃとの関係を示した
ものである。
トランジスタと接続される信号側の駆動用薄膜トランジ
スタを形成する半導体薄膜としての半導体層１９と、レ
ーザービーム２１ａ，２１ｂ，２１ｃとの関係を示した
ものである。
【００２０】ここでは、関係のない他の構成要素は省略
している。また、レーザービームの一部を重ねながら複
数回ずらし照射するレーザーアニール法において、連続
する３照射２１ａ，２１ｂ，２１ｃのみに着目して書か
れているが、この前後にも同様のずらし量でレーザーが
照射される。
している。また、レーザービームの一部を重ねながら複
数回ずらし照射するレーザーアニール法において、連続
する３照射２１ａ，２１ｂ，２１ｃのみに着目して書か
れているが、この前後にも同様のずらし量でレーザーが
照射される。
【００２１】レーザー結晶化前の半導体層１９にはアモ
ルファスシリコン薄膜を用い、レーザーにはパルスレー
ザーであるＸｅＣｌエキシマレーザーを用いている。レ
ーザービームは横方向Ｗ１の幅の長方形に形成されてお
り、図では横方向にＸ１のずらし量（Ｗ１＞Ｘ１）で連
続して半導体層１９に照射される。なお、ビームの長軸
長は液晶表示装置の縦幅より長くなるように設定してい
る。
ルファスシリコン薄膜を用い、レーザーにはパルスレー
ザーであるＸｅＣｌエキシマレーザーを用いている。レ
ーザービームは横方向Ｗ１の幅の長方形に形成されてお
り、図では横方向にＸ１のずらし量（Ｗ１＞Ｘ１）で連
続して半導体層１９に照射される。なお、ビームの長軸
長は液晶表示装置の縦幅より長くなるように設定してい
る。
【００２２】この時、半導体層１９のビームずらし方向
の幅をＹ１とすると、この実施例では特に２・Ｘ１＝Ｙ
１となるようなレーザーアニール法を行った。図１
（ｂ）は、走査線を介して画面用薄膜トランジスタと接
続される走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成する半
導体薄膜としての半導体層１７と、レーザービーム２２
ａ，２２ｂ，２２ｃとの関係を示したものである。
の幅をＹ１とすると、この実施例では特に２・Ｘ１＝Ｙ
１となるようなレーザーアニール法を行った。図１
（ｂ）は、走査線を介して画面用薄膜トランジスタと接
続される走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成する半
導体薄膜としての半導体層１７と、レーザービーム２２
ａ，２２ｂ，２２ｃとの関係を示したものである。
【００２３】なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）と同一の
薄膜トランジスタ基板２０上の別の部分に相当する。こ
こでも、レーザービームの一部を重ねながら複数回ずら
し照射するレーザーアニール法において、連続する３照
射２２ａ，２２ｂ，２２ｃのみに着目して書かれている
が、この前後にも同様のずらし量でレーザーが照射され
る。
薄膜トランジスタ基板２０上の別の部分に相当する。こ
こでも、レーザービームの一部を重ねながら複数回ずら
し照射するレーザーアニール法において、連続する３照
射２２ａ，２２ｂ，２２ｃのみに着目して書かれている
が、この前後にも同様のずらし量でレーザーが照射され
る。
【００２４】この時、半導体層１７のビームずらし方向
の幅をＹ２とすると、この実施例では、特に、５・Ｘ１
＝Ｙ２となるように薄膜トランジスタ基板２０が設計さ
れている。
の幅をＹ２とすると、この実施例では、特に、５・Ｘ１
＝Ｙ２となるように薄膜トランジスタ基板２０が設計さ
れている。
【００２５】本実施例ではＹ１，Ｙ２をＸ１の整数倍と
した関係から明らかなように、駆動用薄膜トランジスタ
に用いる半導体層が必ずビームエッジ部で照射されるよ
うになる。
した関係から明らかなように、駆動用薄膜トランジスタ
に用いる半導体層が必ずビームエッジ部で照射されるよ
うになる。
【００２６】特に、最もばらつきに影響する第１照射の
ビームエッジ部に関しては、信号側の駆動用薄膜トラン
ジスタを形成する半導体層１９においては、必ず２カ所
づつ含まれ、走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成す
る半導体層１７においては、必ず５カ所づづ含まれるこ
とになる。
ビームエッジ部に関しては、信号側の駆動用薄膜トラン
ジスタを形成する半導体層１９においては、必ず２カ所
づつ含まれ、走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成す
る半導体層１７においては、必ず５カ所づづ含まれるこ
とになる。
【００２７】図１に示すレーザーアニール法を施した薄
膜トランジスタ基板２０を用いて液晶表示装置を作製し
た。図２は本発明の第２の実施例のレーザーアニール法
と液晶表示装置を説明するための図面である。本実施例
の液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板は、
基本的には、図４に示す周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣ
Ｄ用の従来の薄膜トランジスタ基板と同様に構成され
る。
膜トランジスタ基板２０を用いて液晶表示装置を作製し
た。図２は本発明の第２の実施例のレーザーアニール法
と液晶表示装置を説明するための図面である。本実施例
の液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板は、
基本的には、図４に示す周辺駆動回路内蔵型ＡＭ−ＬＣ
Ｄ用の従来の薄膜トランジスタ基板と同様に構成され
る。
【００２８】図２（ａ）は、信号線を介して画面用薄膜
トランジスタと接続される信号側の駆動用薄膜トランジ
スタを形成する半導体薄膜としての半導体層２９と、レ
ーザービーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃとの関係を示した
ものである。
トランジスタと接続される信号側の駆動用薄膜トランジ
スタを形成する半導体薄膜としての半導体層２９と、レ
ーザービーム２３ａ，２３ｂ，２３ｃとの関係を示した
ものである。
【００２９】ここでは、関係のない他の構成要素は省略
している。また、レーザービームの一部を重ねながら複
数回ずらし照射するレーザーアニール法において、連続
する３照射２３ａ，２３ｂ，２３ｃのみに着目して書か
れているが、この前後にも同様のずらし量でレーザーが
照射される。
している。また、レーザービームの一部を重ねながら複
数回ずらし照射するレーザーアニール法において、連続
する３照射２３ａ，２３ｂ，２３ｃのみに着目して書か
れているが、この前後にも同様のずらし量でレーザーが
照射される。
【００３０】レーザー結晶化前の半導体層２９にはアモ
ルファスシリコン薄膜を用い、レーザーにはパルスレー
ザーであるＸｅＣｌエキシマレーザーを用いている。レ
ーザービームは長方形に形成されており、その長軸はビ
ームのずらし方向（図面右方向）と４５度の角度をなす
ように設定している。レーザービームは右方向にＸ２の
ずらし量で連続して半導体層２９に照射される。なお、
ビームの紙面縦方向長は液晶表示装置の縦幅より長くな
るように設定している。
ルファスシリコン薄膜を用い、レーザーにはパルスレー
ザーであるＸｅＣｌエキシマレーザーを用いている。レ
ーザービームは長方形に形成されており、その長軸はビ
ームのずらし方向（図面右方向）と４５度の角度をなす
ように設定している。レーザービームは右方向にＸ２の
ずらし量で連続して半導体層２９に照射される。なお、
ビームの紙面縦方向長は液晶表示装置の縦幅より長くな
るように設定している。
【００３１】この時、半導体層２９のビームずらし方向
の幅をＹ３とすると、この実施例では、特に、２・Ｘ２
＝Ｙ３となるようなレーザーアニール法を行った。図２
（ｂ）は、走査線を介して画面用薄膜トランジスタと接
続される走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成する半
導体薄膜としての半導体層２７と、レーザービーム２４
ａ，２４ｂ，２４ｃとの関係を示したものである。
の幅をＹ３とすると、この実施例では、特に、２・Ｘ２
＝Ｙ３となるようなレーザーアニール法を行った。図２
（ｂ）は、走査線を介して画面用薄膜トランジスタと接
続される走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成する半
導体薄膜としての半導体層２７と、レーザービーム２４
ａ，２４ｂ，２４ｃとの関係を示したものである。
【００３２】図２（ｂ）は、図２（ａ）と同一の基板上
の別の部分に相当する。ここでは、レーザービームの一
部を重ねながら複数回ずらし照射するレーザーアニール
法において、連続する３照射２４ａ，２４ｂ，２４ｃの
みに着目して書かれているが、この前後にも同様のずら
し量でレーザーが照射される。
の別の部分に相当する。ここでは、レーザービームの一
部を重ねながら複数回ずらし照射するレーザーアニール
法において、連続する３照射２４ａ，２４ｂ，２４ｃの
みに着目して書かれているが、この前後にも同様のずら
し量でレーザーが照射される。
【００３３】この時、半導体層２７のビームずらし方向
の幅をＹ４とすると、この実施例では、特に、６・Ｘ２
＝Ｙ４となるように薄膜トランジスタ基板３０が設計さ
れている。
の幅をＹ４とすると、この実施例では、特に、６・Ｘ２
＝Ｙ４となるように薄膜トランジスタ基板３０が設計さ
れている。
【００３４】本実施例では、Ｙ１，Ｙ２をＸ１の整数倍
とした関係から明らかなように、駆動用薄膜トランジス
タに用いる半導体層がビームエッジ部で同様に照射され
るようになる。
とした関係から明らかなように、駆動用薄膜トランジス
タに用いる半導体層がビームエッジ部で同様に照射され
るようになる。
【００３５】図２に示すレーザーアニール法を施した薄
膜トランジスタ基板３０を用いて液晶表示装置を作成し
た。以上の第１および第２の実施例により、走査側の駆
動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トラン
ジスタの素子能力のばらつきを抑えることができ、画像
ムラの発生をなくして画像品質の低下を防止することが
できる。
膜トランジスタ基板３０を用いて液晶表示装置を作成し
た。以上の第１および第２の実施例により、走査側の駆
動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トラン
ジスタの素子能力のばらつきを抑えることができ、画像
ムラの発生をなくして画像品質の低下を防止することが
できる。
【００３６】なお、上記の各実施例では、レーザービー
ムの移動方向を横方向にした場合について説明したが、
レーザービームの移動方向を縦方向としても、同様に実
施でき同様の効果が得られる。
ムの移動方向を横方向にした場合について説明したが、
レーザービームの移動方向を縦方向としても、同様に実
施でき同様の効果が得られる。
【００３７】また、上記の各実施例において、レーザー
ビームの移動方向に配列する駆動用薄膜トランジスタの
配置ピッチを、パルスレーザービームのずらし量の整数
倍に設定すれば、照射周期と素子配置が同期するため、
素子能力のばらつきがよりいっそう低減され、さらに大
きな効果が得られる。
ビームの移動方向に配列する駆動用薄膜トランジスタの
配置ピッチを、パルスレーザービームのずらし量の整数
倍に設定すれば、照射周期と素子配置が同期するため、
素子能力のばらつきがよりいっそう低減され、さらに大
きな効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、パルスレ
ーザービームのエッジ部分により、走査側の駆動用薄膜
トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを
形成する半導体薄膜を必ず照射することができる。
ーザービームのエッジ部分により、走査側の駆動用薄膜
トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを
形成する半導体薄膜を必ず照射することができる。
【００３９】そのため、走査側の駆動用薄膜トランジス
タおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタの素子能力の
ばらつきを抑えることができ、画像ムラの発生をなくし
て画像品質の低下を防止することができる。
タおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタの素子能力の
ばらつきを抑えることができ、画像ムラの発生をなくし
て画像品質の低下を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施例のレーザーアニール法と
液晶表示装置の説明図
液晶表示装置の説明図
【図２】本発明の第２の実施例のレーザーアニール法と
液晶表示装置の説明図
液晶表示装置の説明図
【図３】従来のレーザーアニール法の説明図
【図４】同従来例のレーザーアニール法と液晶表示装置
の関係説明図
の関係説明図
１７，２７ 走査側の駆動用薄膜トランジスタを形成
する半導体層 １９，２９ 信号側の駆動用薄膜トランジスタを形成
する半導体層 ２１ａ〜２１ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２２ａ〜２２ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２３ａ〜２３ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２４ａ〜２４ｃ レーザーアニールの連続する３照射
する半導体層 １９，２９ 信号側の駆動用薄膜トランジスタを形成
する半導体層 ２１ａ〜２１ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２２ａ〜２２ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２３ａ〜２３ｃ レーザーアニールの連続する３照射 ２４ａ〜２４ｃ レーザーアニールの連続する３照射
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶表示器に用いられる薄膜トランジス
タ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重
なるようにずらして照射し、前記薄膜トランジスタ基板
に薄膜トランジスタを形成するレーザーアニール法にお
いて、画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄
膜トランジスタを形成する半導体薄膜に対して、前記パ
ルスレーザービームのエッジ部分を照射するレーザーア
ニール法。 - 【請求項２】 パルスレーザービームのずらし量を、前
記パルスレーザービームのずらし方向に対する半導体薄
膜の幅以下とする請求項１に記載のレーザーアニール
法。 - 【請求項３】 パルスレーザービームのずらし方向に対
する半導体薄膜の幅を、前記パルスレーザービームのず
らし量の整数倍とする請求項２に記載のレーザーアニー
ル法。 - 【請求項４】 液晶表示器に用いられる薄膜トランジス
タ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重
なるようにずらして照射するレーザーアニール処理によ
り、薄膜トランジスタが形成された前記薄膜トランジス
タ基板を用いた液晶表示装置において、画面用の薄膜ト
ランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成
する半導体薄膜が、前記薄膜トランジスタ基板に対する
前記レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザー
ビームのエッジ部分により照射された液晶表示装置。 - 【請求項５】 薄膜トランジスタ基板が、パルスレーザ
ービームのずらし量を、前記パルスレーザービームのず
らし方向に対する半導体薄膜の幅以下としたパルスレー
ザービームによりレーザーアニール処理された請求項４
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 薄膜トランジスタ基板が、パルスレーザ
ービームのずらし方向に対する半導体薄膜の幅を、前記
パルスレーザービームのずらし量の整数倍としてレーザ
ーアニール処理された請求項５に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP936995A JPH08201846A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | レーザーアニール法及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP936995A JPH08201846A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | レーザーアニール法及び液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001352480A Division JP2002231632A (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | レーザーアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201846A true JPH08201846A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11718568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP936995A Pending JPH08201846A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | レーザーアニール法及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201846A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-01-25 JP JP936995A patent/JPH08201846A/ja active Pending
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| WO2020090396A1 (ja) * | 2018-11-02 | 2020-05-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
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