RU2476954C2 - Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства - Google Patents

Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2476954C2
RU2476954C2 RU2011115083/28A RU2011115083A RU2476954C2 RU 2476954 C2 RU2476954 C2 RU 2476954C2 RU 2011115083/28 A RU2011115083/28 A RU 2011115083/28A RU 2011115083 A RU2011115083 A RU 2011115083A RU 2476954 C2 RU2476954 C2 RU 2476954C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
laser
base board
silicon
crystal
Prior art date
Application number
RU2011115083/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011115083A (ru
Inventor
Йохсуке ФУДЗИКАВА
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся
Publication of RU2011115083A publication Critical patent/RU2011115083A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2476954C2 publication Critical patent/RU2476954C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1229—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with different crystal properties within a device or between different devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456—Cell terminals located on one side of the display only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

Изобретение относится к базовой плате и способу ее производства. Сущность изобретения: базовая плата содержит множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную не ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, имеющей первый профиль кристаллов, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, причем подложки панели содержат первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов, при этом тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Изобретение позволяет создать базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную область бесполезно расходуемой подложки. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к базовой плате, способу производства базовой платы и подложке устройства. Более конкретно, настоящее изобретение относится к базовой плате, содержащей множество подложек панели, способу производства базовой платы и к подложке устройства, содержащей подложку панели, сформированную на базовой плате.
Уровень техники
В настоящее время ячейки устройства отображения, используемые в плоских панельных устройствах отображения, плоских панельных детекторах и т.п., обычно производят посредством вырезания множества ячеек устройства отображения одновременно из базовой платы, которая представляет собой большую подложку. Например, ячейки жидких кристаллов, которые являются типичными ячейками устройства отображения, используемыми в плоских панельных устройствах отображения, производят следующим образом. Базовую плату (далее также называемую первой базовой платой), на которой скомпоновано множество подложек панелей, предназначенных для использования в качестве подложек устройства, и базовую плату (далее также называемую второй базовой платой), на которой скомпоновано множество подложек панелей, предназначенных для использования в качестве подложек цветного фильтра (CF, ЦФ), соединяют друг с другом, используя герметизирующий материал так, что подложки панелей на соответствующих базовых платах обращены друг к другу. Каждую подложку панелей вырезают из соединенных базовых плат для получения множества ячеек. Жидкий кристалл впрыскивают в полученные ячейки посредством способа, такого как вакуумный впрыск.
В жидкокристаллической ячейке, получаемой посредством описанного выше способа, подложка устройства часто оборудована монолитной интегральной схемой, включающей в себя тонкопленочный транзистор, который изготовлен из тонкой пленки поликристаллического кремния, в соответствии с последними требованиями миниатюризации области рамки жидкокристаллической ячейки. Такую подложку устройства формируют, например, следующим образом.
Вначале формируют тонкую пленку из аморфного кремния на основной поверхности первой базовой платы. Затем эту тонкую пленку из кремния подвергают поликристаллизации, посредством лазерного отжига. И формируют шаблон полученной тонкой пленки из поликристаллического кремния в требуемую форму, и также обрабатывают другие необходимые материалы. Таким образом, на основной поверхности первой базовой платы формируют множество подложек панелей, каждая из которых оборудована монолитной схемой, включающей в себя тонкопленочный транзистор.
В процессе отжига лазером используют, например, эксимерный лазер, который может линейно излучать в предварительно определенном диапазоне. В этом процессе идеально, чтобы область излучаемого лазером света в тоже время (размер света лазера с одного конца до другого конца, далее называется лазерной длиной) была больше, чем ширина первой базовой платы. Однако эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, что связано с механизмом устройства и ограничениями стоимости. В настоящее время максимальная лазерная длина, обычно используемого в сравнительно недорогих устройствах, составляет приблизительно 300 мм.
С другой стороны, размер первой базовой платы имеет тенденцию к увеличению из года в год. Например, стеклянная подложка, имеющая размер приблизительно 730×920 мм, уже является коммерчески доступной в качестве первой базовой платы. Увеличение устройства эксимерного лазера отстает от увеличения первой базовой платы, и ширина первой базовой платы иногда больше, чем лазерная длина.
Здесь, в случае первой базовой платы, на которой скомпонованы подложки панели в шаблон матрицы, например, эксимерный лазер и первую базовую плату перемещают относительно друг друга вдоль направления строки или столбца в соответствии с компоновкой подложек панели, и эксимерный лазер несколько раз выполняет сканирование предварительно определенной части или всей основной поверхности первой базовой платы. Таким образом, поликристаллизуется только требуемая часть всей поверхности тонкой пленки из кремния.
Однако процедура формирования большого количества подложек панели на первой базовой плате является проблематично усложненной и трудоемкой в способе (например, см. Патентный документ 1) выполнения отжига лазером только требуемой части тонкой пленки из кремния.
Кроме того, способ выполнения отжига лазером всей поверхности базовой платы является проблематично трудоемким, поскольку облучение лазером выполняется также в области, в которой не требуется выполнять поликристаллизацию.
Кроме того, сканирование лазером основной поверхности базовой платы выполняют несколько раз в обоих способах. Поэтому, если предположить, что область, облученная в первую очередь эксимерным лазером от одного конца до другого конца базовой платы, представляет собой первую область облучения лазером, и область, где выполняли следующее облучение лазером, представляет собой вторую область облучения лазером, существует область, называемая областью лазерного соединения между первой областью облучения лазером и второй областью облучения лазером. Область лазерного соединения представляет собой область, облучаемую дважды лазером или не облученную вовсе лазером, для того, чтобы оставить тонкую пленку аморфного кремния в том виде, как она есть.
Кристаллизация тонкой пленки из кремния в области лазерного соединения с трудом подвергается управлению в соответствии с требованиями. Кроме того, степени кристаллизации области лазерного соединения, такие как средний размер зерен кристаллов, распределение размера зерен кристаллов и шероховатость поверхности кристаллов существенно отличаются от них же в первой и второй областях облучения лазером. В соответствии с этим, тонкопленочный транзистор, имеющий высокую мобильность, не может быть соответствующим образом сформирован в области лазерного соединения. Таким образом, поскольку область лазерного соединения не пригодна для образования подложки панели, количество подложек панели, которые могут быть скомпонованы на базовой плате, ограничивается, когда ширина области лазерного соединения большая. Это приводит к большому количеству непригодных областей (далее называется бесполезно расходуемой областью подложки), включая в себя область лазерного соединения.
Кроме того, как упомянуто выше, поскольку эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, лазерная длина может быть несколько короче, в зависимости от размера подложки панели. Это может привести к случаю, когда уменьшается количество строк (столбцов) на подложках панели, которые могут быть подвергнуты отжигу при одном облучении лазером на базовой плате. В приведенном выше примере количество подложек панели в каждой из первой и второй областей облучения лазером ограничено. Поэтому количество подложек панели, которые могут быть скомпонованы по всей поверхности базовой платы, уменьшается, в результате чего возникает проблема дополнительных затрат на производство.
Для решения описанной выше проблемы раскрыты способы облучения более широкого промежутка светом лазера, в которых свет от источника света подвергают дисперсии с использованием зеркала и т.п. (например, см. патентные документы 2 и 3). Однако такие способы требуют улучшения устройства облучения лазером. Кроме того, бесполезно расходуемая область подложки, упомянутая выше, все еще присутствует между первой и второй областями облучения лучами лазера, которые были подвергнуты дисперсии. В соответствии с этим, эффективное использование базовой платы все еще может быть улучшено посредством уменьшения бесполезно расходуемой области подложки.
[Патентный документ 1]
JP-A Sho-63-11989
[Патентный документ 2]
JP-A Hei-11-186163
[Патентный документ 3]
JP-A 2000-12460
Сущность изобретения
Настоящее изобретение было разработано с учетом описанного выше состояния уровня техники и его задача состоит в том, чтобы предоставить базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную бесполезно расходуемую область подложки, способ производства базовой платы и подложки устройства, содержащей подложки панели, сформированные на базовой плате.
Авторы настоящей заявки выполнили различные исследования базовой платы, оборудованной множеством подложек панели, и способа ее производства. В результате, авторы настоящей заявки выяснили, что описанные выше задачи могут быть решены посредством следующей конфигурации. А именно, по меньшей мере, в одной подложке панели, область края имеет область, которая содержит тонкую пленку из кремния, имеющую профиль кристаллов, отличный от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Такая конфигурация обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки на базовой плате. В соответствии с этим было выполнено настоящее изобретение. Кроме того, авторы настоящей заявки выяснили, что следующий отжиг лазером обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки для решения описанных выше задач. А именно, этап отжига лазером выполняют следующим образом: область формирования транзистора формируют с использованием поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области посредством относительного передвижения луча лазера и базовой платы; и область, включающую в себя тонкую пленку из кремния, формируют в, по меньшей мере, одной области края подложки панели, причем тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Таким образом было выполнено настоящее изобретение. Кроме того, подложка устройства, содержащая подложки панели, сформированные на описанной выше базовой плате, имеет область, включающую в себя тонкую пленку из кремния в области края. Тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора. В соответствии с этим, было выполнено настоящее изобретение.
А именно, настоящее изобретение является базовой платой, содержащей множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и, по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора. Это обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки, и поэтому может быть снижена стоимость.
Кроме того, настоящее изобретение является способом производства базовой платы, содержащей множество подложек панели, каждая из которых имеет область формирования транзистора и область края, при этом способ содержит этапы, на которых: наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность базовой платы; и выполняют отжиг лазером тонкой пленки из кремния для каждой предварительно определенной области, причем этап отжига лазером осуществляют таким образом, чтобы сформировать область формирования транзистора посредством перемещении лазера и базовой платы относительно друг друга для поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области и для формирования области с тонкой пленкой из кремния, по меньшей мере, в одной области края, причем тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора. Такой способ производства обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки, и поэтому могут быть снижены затраты.
Кроме того, настоящее изобретение является подложкой устройства, содержащей область формирования транзистора и область края, в которой область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, область края предусмотрена на внешней кромке подложки устройства, и область края включает в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора. Эта подложка устройства содержит подложку панели на базовой плате согласно настоящему изобретению.
На базовой плате подложки панели могут быть скомпонованы в шаблон матрицы так, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели, причем первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.
Профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора может быть таким же, как и первый профиль кристаллов.
Область формирования транзистора может включать в себя монолитную схему, содержащую тонкую пленку из кремния.
Тонкая пленка из кремния может формировать метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Метка управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон могут включать в себя метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, которые включают в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, и метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, которые включают в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов.
Профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора и профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области края могут отличаться, меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристаллов, распределения размера зерен кристаллов и шероховатости поверхности кристаллов.
Первый профиль кристаллов и второй профиль кристаллов могут отличаться, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристалла, распределения размера зерен кристалла и шероховатости поверхности кристаллов. Первый профиль кристаллов может быть поликристаллическим, и второй профиль кристаллов может быть нестабильно-кристаллическим и/или аморфным.
Каждая из подложек панели может иметь область формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область края, сформированную с одной стороны внешней кромки подложки панели.
В способе производства базовой платы этап отжига лазером может включать в себя относительное перемещение базовой платы и лазера вдоль направления строки или столбца так, что подложки панели скомпонованы в шаблоне матрицы на основной поверхности базовой платы, и выполнение отжига лазером подложек панели так, что подложки панели включают в себя первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов. Здесь этап отжига лазером может осуществляться так, что профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора является таким же, как и первый профиль кристаллов.
Способ производства базовой платы может дополнительно содержать этап формирования шаблона тонкой пленки из кремния в области края, для формирования метки управления процессом изготовления и/или оценочного шаблона. Тонкая пленка из кремния для формирования шаблона может быть тонкой пленкой нестабильного кристаллизовавшегося кремния и/или тонкой пленкой из аморфного кремния.
В способе производства базовой платы лазер может представлять собой эксимерный лазер.
На подложке устройства тонкая пленка из нестабильно кристаллизовавшегося кремния или тонкая пленка аморфного кремния формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.
В настоящем изобретении область края относится к области, предусмотренной на оконечном участке подложки панели, и включает в себя область, в которой не присутствует монолитная схема. Например, в ее состав включена область выводов для формирования соединительного вывода. Обычно область края также называется областью рамки.
Настоящее изобретение более подробно поясняется ниже.
Базовая плата согласно настоящему изобретению содержит множество подложек панели. Базовая плата представляет собой большую подложку, из которой, например, вырезают подложку устройства и подложку CF, которые составляют жидкокристаллическую ячейку, и т.п. Стеклянная подложка обычно используется в качестве базовой платы. В дальнейшем базовая плата для формирования подложки устройства жидкокристаллической ячейки, а именно первая упомянутая выше базовая плата, поясняется как пример базовой платы. В настоящем изобретении подложка панели относится ко множеству подложек, скомпонованных на базовой плате, и подложка устройства относится к тому, что отделяют от базовой платы путем отсоединения, вырезания и т.п.
Фиг. 1 является видом в перспективе, иллюстрирующим конфигурацию жидкокристаллической ячейки, с использованием подложки устройства, получаемой в настоящем изобретении, и фиг. 2 является видом сверху жидкокристаллической ячейки, показанной на фиг. 1. Здесь описана жидкокристаллическая ячейка, имеющая структуру трех свободных сторон, в которой подложка устройства и подложка CF отличаются по размеру, и область вывода как область края предусмотрена только с одной стороны внешней кромки подложки устройства. Поскольку жидкокристаллическая ячейка, имеющая структуру с тремя свободными сторонами, может уменьшить количество компонентов внешних схем, это предпочтительно для уменьшения размера жидкокристаллической ячейки и также предпочтительно относительно надежности соединения и снижения затрат.
Жидкокристаллическая ячейка 100 включает в себя подложку (подложка на стороне TFT) 110 устройства, на которой сформированы различные схемы, и подложку 120 CF, включающую в себя слой CF, как показано на фиг. 1 и 2. Обе подложки скомпонованы так, что поверхности с пленкой обращены друг к другу, и зафиксированы посредством помещения между ними герметизирующего материала 130 таким образом, что между ними поддерживается предварительно определенный зазор. Герметизирующий материал 130 сформирован вдоль четырех сторон жидкокристаллической ячейки 100 на предварительно определенном расстоянии от оконечного участка жидкокристаллической ячейки 100 и с шириной строки приблизительно 1 мм. Жидкий кристалл (не показан) расположен в промежутке, окруженном герметизирующим материалом 130 между этими подложками. Жидкий кристалл, например, впрыскивают посредством вакуумного впрыска и закрывают герметизирующей смолой 140. Жидкокристаллическая ячейка 100, в которую был выполнен вакуумный впрыск жидкого кристалла, имеет отдельную микросхему в герметизирующем материале 130 и включает в себя жидкий кристалл, закрытый посредством герметизирующей смолы 140. В последние годы на практике также используется капиллярный способ, в котором герметизирующий материал 130 не имеет микросхемы.
Подложка 110 устройства включает в себя область 111 формирования транзистора и область 112 выводов. Область 111 формирования транзистора имеет тонкопленочный транзистор, который включает в себя активный слой, выполненный из поликристаллизованной тонкой пленки из кремния. Поскольку тонкопленочный транзистор имеет предпочтительные характеристики устройства, он может сформировать не только матрицу пикселей, составляющую область 113 отображения, которая выполняет отображение изображения, но также и различные монолитные схемы. Примеры монолитных схем включают в себя схему 114 управления затвором и схему 115 управления истоком. В дополнение к этим схемам могут быть сформированы другие схемы 116, такие как схема подачи питания. Подложка 110 устройства, включающая в себя монолитную схему, скомбинирована со свободной на трех сторонах структурой для получения более компактной и легкой жидкокристаллической ячейки (ячейки устройства отображения).
Область 112 выводов представляет собой область для формирования на ней соединительного вывода (далее называется выводом) 117. Вывод 117 предназначен для подсоединения монолитной схемы и внешней схемы управления (не показана), которая подает питание для управления на монолитную схему через межсоединения 118. Область 112 выводов сформирована на одной стороне внешней кромки подложки 110 устройства, которая больше, чем подложка 120 CF на фиг. 1 и 2. В области 112 выводов могут быть скомпонованы метка 151 управления процессом изготовления и оценочный шаблон (TEG (ГЭТ), группа элементов тестирования) 152, в дополнение к выводу 117. Примеры оценочных шаблонов включают в себя шаблоны для оценки электрического свойства, толщины тонкой пленки, размерной точности , оптических свойств и т.п.
Метка 151 управления процессом изготовления сформирована посредством формирования шаблона на тонкой пленке из кремния, тонкой пленке из металла и т.п., для обозначения, например, вида жидкокристаллической ячейки и штрих-кода, метки проверки положения и т.п. При сборке жидкокристаллической ячейки для формирования жидкокристаллического устройства отображения и т.п., форму метки считывают посредством устройства считывания таким образом, что проверяют номер элемента и т.п. На фиг. 1 и 2 номер элемента обозначен, как метка 151 управления процессом изготовления.
TEG 152 сформирован посредством формирования шаблона на тонкой пленке из кремния, тонкой пленке из металла и т.п. в области 112 выводов, и для оценки элемента области 111 формирования транзистора.
В случае, когда формируют шаблон тонкой пленки из кремния для формирования TEG 152, поскольку TEG 152 имеет ту же степень кристаллизации, что и тонкая пленка из кремния в области 111 формирования транзистора, измерение степени кристаллизации TEG 152 может определить, является ли тонкопленочный транзистор в области 111 формирования транзистора предпочтительно поликристаллизованным.
И метка 151 управления процессом изготовления, и TEG 152 могут быть сформированы, или альтернативно, только один из них может быть сформирован.
Подложка 110 устройства, составляющая описанную выше конфигурацию, сформирована с использованием первой базовой платы, как упомянуто выше. Фиг. 3(a) является схематичным видом сверху для пояснения первой базовой платы в настоящем изобретении, и способа ее производства. Фиг. 3(b) является схематичным видом подложки панели, скомпонованной на первой базовой плате. На фиг. 3(a) первая базовая плата 301 включает в себя тонкую пленку из кремния (не показана), сформированную на основной поверхности, и множество подложек 302 панели, скомпонованных в шаблон матрицы. Подложки 302 панели, показанные на фиг. 3(b), предназначены для формирования подложки 110 устройства, показанной на фиг. 1 и 2, и каждая из подложек 302 панели включает в себя область 303 формирования транзистора для формирования области 111 формирования транзистора, и область 304 выводов для формирования области 112 выводов.
Область 303 формирования транзистора изготовлена из тонкой пленки из поликристаллизованного кремния и включает в себя монолитные схемы, такие как матрица пикселей, схема управления затвором и схема управления истоком. Тонкая пленка из кремния, формирующая область 303 формирования транзистора, влияет на свойства отображения, и поэтому необходимо обеспечить равномерную поликристаллизацию тонких пленок из кремния в отношении всех подложек 302 панели.
Область 304 выводов предусмотрена на внешней кромке подложки 302 панели. Что касается области 303 формирования транзистора и области 304 выводов, различные компоненты сформированы в них после отжига лазером тонких пленок кремния, и они могут иметь такие же конфигурации, как и область 111 формирования транзистора, и область 112 выводов, на этапе перед их отделением от первой базовой платы 301.
В настоящем изобретении, по меньшей мере, одна из скомпонованных подложек 302 панели должна иметь область, включающую в себя тонкую пленку из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область 303 формирования транзистора в области 304 выводов.
Это основано на следующих причинах.
Вначале авторы настоящего изобретения отметили, что область 112 выводов ячейки устройства отображения, такой как жидкокристаллическая ячейка, обычно не имеет сформированной на ней монолитной схемы, и часто занята выводом 117, меткой 151 управления процессом изготовления и TEG 152, как показано на фиг. 1 и 2. Например, поскольку большее количество схем монолитно сформированы в области 111 формирования транзистора, в случае жидкокристаллической ячейки 100, вмещающей схему подачи питания и имеющей функциональную возможность датчика, количество сигнальных строк, для соединения с внешними устройствами увеличено так, что большая часть области 112 вывода, более вероятно, будет занята выводом 117.
В соответствии с этим, авторы настоящей заявки пришли к мысли это, если монолитная схема не сформирована в области 112 выводов жидкокристаллической ячейки 100, как упомянуто выше, тонкая пленка из кремния в области 304 вывода на подложке 302 панели, показанной на фиг. 3, не обязательно должна иметь такую же степень кристаллизации, как и все подложки 302 панели, и не обязательно должна быть предпочтительно поликристаллизованной. Вкратце, авторы настоящего изобретения пришли к мысли, что даже нет необходимости выполнять отжиг тонкой пленки из кремния в области 304 выводов.
Основываясь на этой идее, авторы настоящего изобретения обнаружили, что на этапе производства первой базовой платы 301, включающей в себя подложки 302 панели, область 304 выводов каждой из подложек 302 панели можно использовать как область лазерного соединения. В соответствии с этим, авторы настоящего изобретения обнаружили, что посредством компоновки подложек 302 панели на первой базовой плате 301 таким образом, что область 304 выводов из каждой из подложек 302 панели включена в состав обычной области лазерного соединения, можно эффективно скомпоновать подложки 302 панели. В результате, могут быть решены описанные выше задачи.
В дальнейшем приведено пояснение на примере способа производства первой базовой платы 301, включающей в себя подложку 302 панели, в настоящем изобретении.
Вначале наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность первой базовой платы 301. Нанесение тонкой пленки из кремния выполняют посредством обычно известного способа, такого как способ CVD (ХОП, химическое осаждение из паровой фазы) и т.п. Нанесенная тонкая пленка из кремния представляет собой тонкую пленку из аморфного кремния.
Далее нанесенную тонкую пленку из кремния подвергают отжигу лазером в каждой предварительно определенной области. На этом этапе, как показано на фиг. 3(a), выполняют облучение лазером первой базовой платы 301 множество раз посредством сканирования с использованием лазера 305, который выполнен с возможностью линейного облучения в предварительно определенном диапазоне. Эксимерный лазер, имеющий эксимерный лазерный источник, соответственно используется как лазер 305, который выполняет такое облучение лазером. Отжиг лазером может осуществляться посредством относительного перемещения лазера 305 и первой базовой платы 301 вдоль направления строки или столбца в соответствии с компоновкой подложек 302 панели. Здесь будет описан случай, когда отжиг лазером выполняют путем перемещения лазера 305 в направлении стрелки A, в то время как первая базовая плата 301 зафиксирована.
Если предположить, что область, на которой лазер 305 перемещается из одного конца в другой конец первой базовой платы 301, представляет собой область облучения лазером, на первой базовой плате 301, показанной на фиг. 3(a), предусмотрены первая - четвертая области R1-R4 облучения лазером. В каждой из областей R1-R4 облучения лазером включены 12 подложек 302 панели в двух строках и шести столбцах.
Фиг. 3(c) является схематичным видом, иллюстрирующим состояние облучения лазером областей R1-R4 облучения лазером. При выполнении облучения лазером первой области R1 облучения лазером, например, облучение лазером выполняют на всех областях 303 формирования транзистора и областях 304 выводов относительно подложек 302 панели в первой строке, и облучение лазером выполняют только на областях 303 формирования транзистора и не на области 304 выводов относительно подложки 302 панели во второй строке.
Таким образом, как показано на фиг. 3(c), подложки 302a панели, в которых вся поверхность поликристаллизована и подложки 302b панелей, в каждой из которых поликристаллизована только область 303 формирования транзистора, присутствуют в первой области R1 облучения лазером. А именно, все шесть подложек 302 панели в первой строке становятся подложками 302a панели, в которых области 303a формирования транзистора и области 304a выводов поликристаллизованы, и шесть подложек 302 панели во второй строке становятся подложками 302b панели, в которых только области 303b, формирующие транзистор, поликристаллизованы, и области 304b выводов остаются аморфными.
Далее также, во второй области R2 облучения лазером, облучение лазером выполняют так же, как и в первой области R1 облучения лазером. В это время область RG лазерного соединения формируется между первой областью R1 облучения лазером и второй областью R2 облучения лазером. Здесь области 304b выводов подложек 302b панели, скомпонованные во второй строке, в первой области R1 облучения лазером, используются как часть области RG лазерного соединения.
Степенью кристаллизации тонкой пленки из кремния в области RG лазерного соединения нельзя управлять, как упомянуто выше. Кроме того, область RG лазерного соединения существенно отличается от областей 303 формирования транзистора подложек 302 панели по степени кристаллизации, включающей в себя средний размер зерна кристалла, распределение размера зерна кристалла и шероховатость поверхности кристаллов. В настоящем изобретении подложки 302 панели скомпонованы таким образом, что области краев (области 304b выводов) плат 302b панелей включены в состав области RG лазерного соединения. Здесь, как упомянуто выше, монолитная схема не формируется в области 304b выводов каждой из подложек 302b панели, и только метку 151 управления процессом изготовления и TEG 152, в дополнение к выводу 117, формируют в области 304b выводов. Поэтому не является какой-либо особой проблемой то, что область 304b выводов не является кристаллизованной в той же степени, что и область 303b формирования транзисторов.
Облучение лазером выполняют на третьей области R3 облучения лазером и четвертой области R4 облучения лазером, так же, как и в первой и второй областях R1 и R2 облучения лазером. Выполняя описанную выше обработку, 48 частей подложек 302 панели формируют на первой базовой плате 301.
Как упомянуто выше, по меньшей мере, часть областей края подложек 302 панели, более конкретно, области 304b выводов, сформированные между двумя соседними областями облучения лазером, используются как часть области RG лазерного соединения. Таким образом, становится возможным сузить промежуток D1 между двумя строками подложек 302 панели, скомпонованными над соседними двумя областям облучения лазером. Это обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек 302 панели на первой базовой плате 301, и в некоторых случаях, делает возможным увеличение количества подложек 302 панели, которые могут быть изготовлены из одной первой базовой платы 301 без каких-либо неудобств при управлении производством. Кроме того, область края может включать в себя, например, области рамки, в каждой из которых отсутствует монолитная схема, в дополнение к областям 304 выводов. Монолитную схему формируют в положении, включенном в состав области 304 выводов в двух соседних областях облучения лазером.
Кроме того, становится возможным уменьшить бесполезно расходуемую область подложки, которая сформирована на первой базовой плате 301 и которая потребовалась отдельно в результате сужения промежутка D1 между двумя строками подложек 302 панели, скомпонованных над соседними двумя областями облучения лазером. Кроме того, эффективная компоновка подложек 302 панелей позволяет образовывать другую схему в области, которая обычно была бесполезно расходуемой областью подложки, что приводит к эффективности использования первой базовой платы 301.
В случае использования эксимерного лазера в качестве лазера 305, поскольку эксимерный лазер имеет верхний предел лазерной длины, как упомянуто выше, мог возникнуть случай, когда лазерная длина несколько короче и количество строк (столбцов) подложек 302 панели, которые могут быть подвергнуты отжигу при одном облучении лазером на первой базовой плате 301, уменьшено. Однако в настоящем изобретении возможен случай, когда использование области края подложки 302 панели как части области RG лазерного соединения обеспечивает возможность увеличения количества строк подложек 302 панели, которые могут быть облучены при одном облучении лазером, даже в случае использования эксимерного лазера с одинаковой лазерной длиной.
Кроме того, поскольку область края (область 304b выводов в описанном выше примере) не требуется облучать лазером, лазер 305, имеющий ту же лазерную длину, может облучать подложку 302 панели большего размера. В результате, соответственно обрабатывают увеличенный размер подложки 302 панели. Однако промежуток между двумя строками подложек 302 панели не полностью устранен, поскольку оно используется как область для формирования кольца короткого замыкания (область, которая выполняет короткое замыкание выходов в бесполезно расходуемой области подложки), которая соответственно используется, например, как мера против статического разряда.
На по меньшей мере, одной подложке 302 панели на первой базовой плате 301, имеющей описанную выше структуру, как упомянуто выше, предусмотрена область края (область 304 выводов), которая имеет область, содержащую тонкую пленку из кремния, имеющую профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область 303 формирования транзистора.
Различие в профиле кристаллов относится к различиям в, например, среднем размере зерна кристалла, распределении размеров зерен кристаллов, степени шероховатости поверхности кристаллов, направлении роста зерен кристаллов и т.п. Или в качестве альтернативы, состояние, в котором профили кристаллов отличаются друг от друга, может относится к случаю, когда первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является аморфным. Однако в области формирования транзистора, поликристаллический кремний предпочтительно имеет тем больший средний размер зерен кристаллов, чем меньше распределение размеров зерен кристаллов, и меньшую шероховатость поверхности кристаллов по сравнению с поликристаллическим кремнием в области края (область 304 выводов). Это требуется для получения тонкопленочного транзистора, имеющего высокую мобильность и хорошее сопротивление давлению.
В обычной первой базовой плате профили кристаллов тонких пленок из кремния являются теми же, что и во всех подложках панели, как описано далее. Кроме того, профили кристаллов являются теми же, что и между тонкими пленками из кремния в области выводов и в области формирования транзистора.
В настоящем изобретении множество подложек 302 панели скомпоновано на первой базовой плате, может включать в себя первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, имеющей первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, имеющей второй профиль кристаллов, который отличается от первого профиля кристаллов.
В случае, показанном на фиг. 3(a)-3(c), первая подложка панели относится к подложке 302a панели, скомпонованной в первой строке в каждой из областей R1-R4 облучения лазером, и вторая подложка панели относится к подложке 302b панели, скомпонованной во второй строке в каждой из областей R1-R4 облучения лазером.
Состояние, в котором первый профиль кристаллов отличается от второго профиля кристаллов, относится к состоянию, где средний размер зерна кристалла, распределение размера зерна кристалла, шероховатость поверхности кристаллов, направление роста зерен кристаллов и т.п. являются разными, как упомянуто выше. Или в качестве альтернативы, оно может относится к случаю, когда первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является аморфным. Например, первый профиль кристаллов может относиться к профилю, получаемому в результате одного отжига лазером, и второй профиль кристаллов может относиться к профилю, полученному в результате отсутствия отжига лазером, двух или больше отжигов лазером или тому подобное.
Профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области 303 формирования транзистора может быть тем же, что и первый профиль кристаллов. В случае, показанном на фиг. 3(c), области 303a и 303b формирования транзистора имеют те же профили кристаллов, что и область 304a выводов как область края.
На первой базовой плате 301, для которой был выполнен отжиг лазером, в тонкой пленке из кремния, поликристаллизованной с использованием обычного способа, формируют шаблон, и далее выполняют образование и обработку других требуемых компонентов. Таким образом, в области 303 формирования транзистора формируется монолитная схема, включающая в себя матрицу пикселей и тонкопленочный транзистор.
Способ производства согласно настоящему изобретению может дополнительно включать в себя этап для формирования метки управления процессом изготовления и/или TEG в области края подложки 302 панели, произведенной в описанных выше процессах, такой как область 304 выводов. Метка управления процессом изготовления и/или TEG имеет ту же конфигурацию, что и метка 151 управления процессом изготовления и TEG 152, показанные на фиг. 1 и 2, и могут быть сформированы в результате формирования шаблона тонкой пленки из кремния в области 304 выводов.
В настоящем изобретении, в случае, когда область края согласно настоящему изобретению включает в себя область 304 выводов, тонкая пленка из кремния, в частности, в области 304b выводов представляет собой тонкую пленку из нестабильно кристаллизованного кремния или аморфную тонкую пленку. Поэтому метку управления процессом изготовления и TEG выполняют из тонкой пленки из нестабильно кристаллизованного кремния или из тонкой пленки из аморфного кремния. Здесь "нестабильно кристаллизованный" или "нестабильный кристалл" относится к " случайно отожженному лазером без выполнения управления", или "кристаллу, полученному посредством случайного отжига лазером без управления".
Здесь авторы настоящей заявки отмечают следующее в отношении метки 151 управления процессом изготовления и TEG 152.
Метка 151 управления процессом изготовления обозначает название элемента, штрих-код, метку проверки положения и т.п., которые наносят в виде определенного шаблона, используя тонкую пленку из кремния, тонкую пленку из металла и т.п. Поскольку устройство считывания считывает только форму метки, материал метки не имеет какого-либо влияния на его функциональную возможность. Поэтому, даже если метка будет выполнена в шаблоне посредством использования тонкой пленки из неоднородного поликристаллического кремния, тонкой пленки из аморфного кремния и тонкой пленки из однородного поликристаллического кремния, метка не составляет какого-либо функционального неудобства, если только форма ее не меняется.
С другой стороны, TEG 152 можно использовать для определения, является ли тонкопленочный транзистор предпочтительным образом поликристаллизованным. Например, в описанном выше примере, TEG 152 в области 304a выводов и TEG 152 в области 304b выводов выглядят, как правильно сформированные. Однако TEG 152 в области 304b выводов не может определять, правильно ли сформирован транзистор, поскольку TEG 152 имеет профиль кристаллов, отличающийся от тонкой пленки из кремния в области 303b формирования транзистора, в то время как TEG 152 в области 304a выводов предпочтительным образом поликристаллизован, как если бы он имел тот же профиль кристаллов, что и тонкая пленка из кремния в области 303a формирования транзистора. Поэтому, в таком случае, оценка и управление устройством могут быть достигнуты посредством оценки TEG 152 в области 304a выводов.
Кроме того, в каждой из областей 304 (304a, 304b) выводов, либо метка 151 управления процессом изготовления, либо TEG 152 могут быть сформированы, или в качестве альтернативы, все они могут быть сформированы. Кроме того, метка 151 управления процессом изготовления и TEG 152 могут быть сформированы в области рамки, как в области края, в которой монолитная схема не присутствует.
Как упомянуто выше, для использования области края (области 304b выводов) подложки 302b панели в качестве области RG лазерного соединения подложки 302 панели предпочтительно скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края (области 304 выводов) ориентированы в одном направлении первой базовой платы 301. Такая компоновка подложек 304 панели позволяет легко выполнить поликристаллизацию тонкой пленки из кремния так, чтобы профили кристалла области 303 формирования транзистора и области 304 выводов были разными.
Первая базовая плата 301, оборудованная подложками 302 панели, сформирована, как упомянуто выше, и базовая плата (не показана), на которой сформировано такое же количество подложек CF, как и подложек 302 панели, соединена, используя герметизирующий материал так, что подложки 302 панели и подложки CF могут быть обращены друг к другу. Затем соединенную базовую плату разрезают так, чтобы можно было получить требуемую ячейку. Таким образом может быть сформировано множество жидкокристаллических ячеек 100, имеющих описанную выше конфигурацию.
Фиг. 4 является схематическим видом сверху, иллюстрирующим процесс отжига лазером в обычном способе производства базовой платы. Конфигурации лазера 305 и первой базовой платы 301, на которую нанесена тонкая пленка из кремния, являются такими же, как показано на фиг. 3(a). Лазер 305 перемещается в направлении стрелки А для поликристаллизации тонкой пленки из кремния так же, как на фиг. 3(a). Здесь в каждой из областей R1 - R3 облучения лазером, все поверхности области 303 формирования транзистора и области 304 выводов, подвергают отжигу лазером, так, чтобы выполнить поликристаллизацию всех подложек 302 панели. Хотя область RG лазерного соединения формируется между двумя соседними областями облучения лазером, область 304 выводов как область края обычной подложки 302 панели не включена в состав области RG лазерного соединения, которая отличается от подложки 302 панели согласно настоящему изобретению.
Как ясно видно из сравнения фиг. 3(a) и фиг. 4, в соседних двух областях облучения лазером, промежуток D1 между двумя строками подложек 302 панели согласно настоящему изобретению является более узким, чем промежуток D2 между двумя строками обычных подложек 302 панели. Таким образом, благодаря сужению промежутка между двумя строками подложек 302 панели, скомпонованными на соседних двух областях облучения лазером, большее количество подложек 302 панели может быть скомпоновано на первой базовой плате 301, показанной на фиг. 3(a), по сравнению со случаем первой базовой платы 301, показанной на фиг. 4.
Таким образом, в настоящем изобретении становится возможным увеличивать количество подложек 302 панели, которые могут быть изготовлены из одной первой базовой платы 301 без какого-либо неудобства при управлении производством. Поэтому могут быть уменьшены затраты на изготовление.
В описанном выше пояснении только области края (области 304b выводов) подложек 302b панели, скомпонованные во второй строке в каждой из областей R1 - R4 облучения лазером, были включены в состав области RG лазерного соединения. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим, и, по меньшей мере, одна область края (область 304b выводов) должна быть включена в состав области RG лазерного соединения. Или в качестве альтернативы, все области края (область 304b выводов) могут быть включены в состав области RG лазерного соединения.
В описанном выше пояснении области 304b выводов как области края не были подвергнуты отжигу лазером. Однако отжиг лазером может быть выполнен дважды, с тем, чтобы сделать степень кристаллизации тонкой пленки из кремния в областях 304b выводов более высокой, чем у тонкой пленки из кремния в области 303b формирования транзистора. Или в качестве альтернативы, области 304b выводов могут быть частично подвергнуты отжигу лазером.
В зависимости от вида лазера 305b интенсивность лазера может быть непостоянной от одного конца до другого конца лазера 305. Фиг. 3(d) является схематическим видом подложки панели и графиком, показывающим распределение интенсивности лазера. Например, когда используется лазер 305, имеющий вариации интенсивности лазера, как показано на графике, часть S лазера 305, интенсивность лазера которой ниже, может быть установлена для облучения области 304b выводов в качестве области края, и часть F лазера 305, в которой интенсивность лазера стабильна, может быть установлена для облучения области 303b формирования транзистора. В результате чего, достигается эффективное использование области, облучаемой лазером 305, в дополнение к увеличению степени кристаллизации в области 303b формирования транзистора. Здесь также возможно облучать область 304b выводов дважды посредством части S лазера 305, в которой интенсивность лазера ниже.
В приведенных выше пояснениях первая базовая плата 301 зафиксирована, и лазер 305 перемещается вдоль направления столбца (направление стрелки A) скомпонованных подложек 302 панели для выполнения отжига лазером. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим, только при условии, что первая базовая плата 301 и лазер 305 должны перемещаться относительно друг друга. В соответствии с этим, первая базовая плата 301 может перемещаться, в то время как лазер 305 зафиксирован. Или в качестве альтернативы, отжиг лазером может быть выполнен, в то время как и первая базовая плата 301, и лазер 305 перемещаются.
В описанном выше пояснении был описан процесс осуществления отжига лазером с использованием одного лазера 305. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим, и можно использовать множество лазеров. Кроме того, множество лазеров, имеющих разную лазерную длину, можно использовать в комбинации, для выполнения отжига лазером.
В описанном выше пояснении используется подложка панели 302, имеющая структуру свободных трех сторон, которая имеет область 303 формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область 304 выводов, сформированную с одной стороны на внешней кромке подложки 302 панели. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим и также применимо к подложке панели, которая имеет структуру с двумя свободными сторонами или структуру с одной свободной стороной.
В приведенном выше пояснении область выводов была пояснена как область края. Однако в настоящем изобретении область края также может представлять собой область рамки, где отсутствует монолитная схема, или в качестве альтернативы, область края может относиться к обеим из них. Примеры области рамки, где отсутствует монолитная схема, как области края могут включать в себя случай, представленный на фиг. 3(e). А именно, области R1 и R3 облучения лазером являются теми же, что и показано на фиг. 3(a), и часть области 303 формирования транзистора подложки 302 панели включена в состав области RG лазерного соединения в каждой из областей R2 и R4 облучения лазером.
В приведенном выше пояснении был представлен случай, в котором множество подложек 302 панели скомпонованы на первой базовой плате 301. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим. Например, во время производства жидкокристаллического устройства отображения и т.п., которое имеет большую подложку панели, одна подложка панели может быть скомпонована на первой базовой плате. Затем описанный выше способ можно применять для производства подложки панели согласно настоящему изобретению, в которой профили кристаллов области формирования транзистора и области края отличаются друг от друга.
В описанных выше пояснениях подложку панели вырезают для формирования ячейки устройства отображения после того, как первая базовая плата и вторая базовая плата будут соединены друг с другом. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим, и подложка панели может быть вырезана непосредственно из первой базовой платы.
В приведенном выше пояснении была представлена жидкокристаллическая ячейка, которая представляет собой типичную ячейку устройства отображения, используемую в устройстве отображения с плоской панелью. Однако настоящее изобретение не ограничивается этим, и его можно изменить в пределах области, которая не выходит за пределы объема настоящего изобретения. Например, оно также применимо для ячейки устройства отображения, используемой в устройстве EL отображения (ЭЛ, электролюминесцентном), детекторе с плоской панелью и т.п.
Результат изобретения
В соответствии с настоящим изобретением, использование, по меньшей мере, части области разъема в подложке панели в качестве области лазерного соединения обеспечивает возможность эффективной компоновки подложек панели на базовой плате и уменьшения бесполезно расходуемой области подложки.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 является видом в перспективе, иллюстрирующим конфигурацию жидкокристаллической ячейки, включающей в себя подложку устройства, получаемую в настоящем изобретении.
Фиг. 2 является видом сверху жидкокристаллической ячейки, представленной на фиг. 1.
Фиг. 3(a) и (c) являются схематическими видами сверху, поясняющими первую базовую плату в настоящем изобретении, и способ ее производства.
Фиг. 3(b) является схематическим видом сверху подложки панели. Фиг. 3(d) является схематическим видом, иллюстрирующим распределение интенсивности лазера на подложке панели. Фиг. 3(e) является схематическим видом сверху для пояснения другого примера облучения лазером, который отличается от фиг. 3(a).
Фиг. 4 является схематическим видом сверху для пояснения обычной первой базовой платы и способа ее производства.
Фиг. 5 является видом в перспективе для пояснения обработки кристаллизации тонкой пленки из кремния на базовой плате в варианте 1 осуществления.
Фиг. 6 является видом в перспективе для пояснения обработки кристаллизации тонкой пленки из кремния на базовой плате в сравнительном варианте осуществления.
ЛУЧШИЕ СПОСОБЫ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение более конкретно описано со ссылкой на вариант осуществления. Однако настоящее изобретение не ограничивается только вариантом осуществления.
Вариант 1 осуществления
В варианте 1 осуществления поясняется процесс осуществления отжига лазером первой базовой платы. Фиг. 5 является видом в перспективе, иллюстрирующим конфигурацию первой базовой платы 501, имеющей множество подложек 502 панели в варианте 1 осуществления. Фиг. 5 схематично иллюстрирует положения схем 550 и выводов 557 в подложках 502 панели, которые сформированы в шаблон в результате различных обработок, выполненных после кристаллизации тонкой пленки из кремния посредством отжига лазером. На этапе, когда выполняют отжиг тонкой пленки из кремния первой базовой платы 501, схемы 550, такие как схема управления затвором, практически еще не сформированы в шаблон. Поэтому подложки 502 панели на первой базовой плате 501 схематично показывают предполагаемые положения схем, которые будут сформированы в шаблон в ходе различных обработок, выполненных после кристаллизации.
На фиг. 5 лазер 505 представляет собой эксимерный лазер и имеет лазерную длину RL. Первая базовая плата 501 представляет собой стеклянную подложку, имеющую толщину приблизительно 0,7 мм. Тонкую пленку 506 из кремния наносят на основную поверхность первой базовой платы 501, и подложки панели 502 компонуют в шаблон матрицы через предварительно определенные интервалы. В частности, 36 частей подложек 502 панели скомпонованы в матрице 6×6.
При обработке кристаллизации тонкой пленки 506 из кремния, нанесенной на первую базовую плату 501, лазер 505 перемещается в направлении стрелки A и выполняет сканирование основной поверхности первой базовой платы 501 множество раз со сдвигом своего положения каждый раз для сканирования всех строк. Здесь сканирование выполняют три раза для поликристаллизации тонкой пленки 506 из кремния. В частности, выполняют первое облучение лазером тонкой пленки 506 из кремния на первой базовой плате 501. Затем второе облучение лазером выполняют так, что устанавливаются следующие соотношения в отношении области RG лазерного соединения, формируемой между первой областью R1 облучения лазером и второй областью R2 облучения лазером.
D1<D2
RG=D2≤T+D1
T: длина вывода на подложке панели;
D1: Промежуток между строками подложек панели, скомпонованных над соседними двумя областями облучения лазером в настоящем варианте осуществления;
D2: Промежуток между строками подложек панели, скомпонованных над соседними двумя областями облучения лазером в сравнительном варианте осуществления;
Обычно, каждое из значений T, D1 и D2 имеет длину приблизительно несколько миллиметров. Область RG лазерного соединения может быть сделана областью нестабильного облучения лазером или областью, не облучаемой лазером.
Третье облучение лазером выполняют таким же образом. А именно, облучение лазером выполняют так, что описанное выше соотношение устанавливается в отношении области RG лазерного соединения, формируемой между второй областью R2 облучения лазером и третьей областью R3 облучения лазером.
Кроме того, в третьей области R3 облучения лазером, область R на стороне оконечного участка подложки не является областью лазерного соединения. Однако область R, а также оконечный участок первой базовой платы 501 могут быть сделаны как область, нестабильно облучаемая лазером, или область, не облучаемая лазером.
В результате описанного выше отжига лазером выполняют соответствующую поликристаллизацию для тонкой пленки из кремния в области, в которой запланировано формировать пиксели и монолитную схему в каждой из подложек 502 панели, скомпонованных в шаблоне матрицы на первой базовой плате 501. Следовательно, тонкие пленки из кремния подложек 502 панели представляют первый профиль кристаллов.
Однако, когда внимание сфокусировано на области 504 выводов как области края, становится понятно, что подложки 502 панели включают в себя как подложки 502 (A, C, E) панели, на которых тонкие пленки из кремния областей 504 выводов правильно поликристаллизованы для получения первого профиля кристаллов, так и подложки 502 (B, D, F) панели, на которых тонкие пленки из кремния областей 504 выводов нестабильно поликристаллизованы для получения второго профиля кристаллов. Кроме того, когда области 504 выводов подложек 502 (B, D, F) панели не подвергают отжигу, тонкие пленки из кремния, нанесенные в областях 504 выводов этих подложек 502 (B, D, F) панели, становятся аморфными.
Другими словами, тонкие пленки из кремния в областях 504 выводов подложек 502 панели, включенные в состав конкретной строки (столбца), скомпонованной на первой базовой плате 501 в шаблоне матрицы, могут иметь малые или различные средние размеры зерен кристалла. Кроме того, шероховатость их поверхности может быть большой. Кроме того, они могут оставаться аморфными. Поэтому характеристикой настоящего изобретения является то, что в нем используются области 504 выводов, которые представляют собой области края как области RG лазерного соединения. Кроме того, область рамки, где монолитная схема не присутствует, также можно использовать как область края.
Таким образом, в способе производства базовой платы, включающей в себя подложку панели согласно настоящему изобретению, область RG лазерного соединения между n-ой областью облучения лазером и (n+1)-ой областью облучения лазером включает в себя области края на подложках 502 панели, а именно, области 504 выводов. Здесь область RG лазерного соединения между n-ой областью облучения лазером и (n+1)-ой областью облучения лазером относится, например, к области RG лазерного соединения между первой областью R1 облучения лазером и второй областью R2 облучения лазером, и области RG лазерного соединения между второй областью R2 облучения лазером и третьей областью R3 облучения лазером. Таким образом, область RG лазерного соединения не только сформирована посредством области бесполезно расходуемой подложки, но также посредством областей 504 выводов подложек 502 панели. Поэтому область бесполезно расходуемой подложки не обязательно должна быть увеличена, и первая базовая плата 501 не будет бесполезно расходоваться. В лучшем случае, область RG лазерного соединения, по существу, формируется только посредством областей 504 выводов, и бесполезно расходуемая область подложки между двумя подложками 502 панели не требуется, за исключением области бесполезно расходуемой подложки в качестве области формирования кольца короткого замыкания.
Третья область R3 облучения лазером не включает в себя область R на стороне конечного участка подложки, соответствующую областям 504 выводов подложек 502 панели, скомпонованных в шестой строке первой базовой платы 501. В соответствии с этим, количество строк (столбцов) подложек 502 панели, которые могут быть подвергнуты отжигу при одном облучении лазером, не уменьшается, даже когда область одного облучения лазером (лазерная длина RL) мала. Другими словами, максимальную лазерную длину RL можно рассматривать практически как (RL+T). Таким образом, хотя это зависит от размера подложки 502 панели, количество строк (столбцов) подложек 502 панели, которые могут быть облучены при одном облучении лазером, в лучшем случае может быть увеличено в пределах области такой лазерной длины (RL+T).
В лучшем случае, такая конфигурация позволяет обеспечить эффективную кристаллизацию без увеличения количества раз облучения лазером, в то время как количество подложек панели 502, которые могут быть скомпонованы на первой базовой плате 501, увеличено. В результате, достигают результат снижения затрат на изготовление.
Как описано выше, в настоящем изобретении, облучение лазером выполняют нестабильно или не выполняют к области края подложек 502 (B, D, E) панели, скомпонованных в предварительно определенной строке или столбце на первой базовой плате 501, а именно, тонким пленкам из кремния областей 504 выводов. Затем неоднородную тонкую пленку из поликристаллического кремния или аморфную тонкую пленку из кремния формируют в шаблоне для получения части метки 551 управления процессом изготовления или TEG 552. Метку 551 управления процессом изготовления и TEG 552 формируют на каждой подложке 502 панели на первой базовой плате 501.
Первая базовая плата 501 в настоящем варианте осуществления включает в себя
(1) подложки 502 (A, C, E) панели, имеющие тонкие пленки из однородно поликристаллизованного кремния, которые частично формируют метку 551 управления процессом изготовления и TEG 552, скомпонованные в областях 504 выводов, и
(2) подложки 502 (B, D, F) панели, имеющие тонкие пленки из неоднородно поликристаллизованного или аморфного кремния, которые частично формируют метку 551 управления процессом изготовления и TEG 552, скомпонованные в областях 504 выводов.
Следует отметить, что группы TEG 552 (B, D, F), содержащие тонкопленочные транзисторы, выполненные из тонких пленок из не соответствующим образом поликристаллизованного кремния, в настоящее время не соответствуют измерениям, хотя внешне они сформированы в шаблон соответствующим образом. Здесь множество других подложек 502 панели скомпонованы на первой базовой плате 501. Тонкие пленки из кремния, составляющие группы TEG 552 (A, C, E) в этих других подложках 502 панели, поликристаллизованы соответствующим образом. Поэтому оценка или управление устройством могут быть выполнены посредством оценки этих TEG 552 (A, C, E).
Сравнительный вариант осуществления
Фиг. 6 является схематическим видом сверху, иллюстрирующим процесс отжига лазером в способе производства обычной базовой платы. Конфигурации лазера 605 и первой базовой платы 601, на которую нанесена тонкая пленка 606 из кремния, являются теми же, что и показанные на фиг. 5.
В сравнительном варианте осуществления, когда лазер 605 выполняет сканирование поверхности пленки первой базовой платы 601 множество раз, все подложки 602 панели, скомпонованные на первой базовой плате 601, в равной степени отжигают лазером.
Более конкретно, лазер 605 перемещается в направлении стрелки A и выполняет сканирование основной поверхности первой базовой платы 601 множество раз при сдвиге своего положения для сканирования всех строк. Здесь, сканирование выполняется три раза для поликристаллизации тонкой пленки 606 из кремния, в то время как первая базовая плата 601 зафиксирована и лазер 605 перемещается в направлении стрелки A. Область RG лазерного соединения сформирована между каждой из двух соседних областей облучения лазером из областей R1 - R3 облучения лазером. Вся поверхность областей 661 формирования транзистора и областей 604 выводов, которые составляют все подложки 602 панели в каждой из областей R1-R3 облучения лазером, поликристаллизуется.
Как упомянуто выше, обычно требуется, чтобы ширина (лазерная длина) RL облучения лазером превышала длину области 603 формирования транзистора и области 604 выводов подложки 602 панели, а именно, длину всей подложки 602 панели.
Как очевидно при сравнении между фиг. 5 и 6, в первой базовой плате 501 настоящего изобретения, промежуток между двумя строками подложек панели, скомпонованных поверх соседних двух областей облучения лазером, уже, чем в обычной первой базовой плате 601. В соответствии с этим, очевидно, что уменьшена бесполезно расходуемая область подложки, и подложки 502 панели эффективно скомпонованы на первой базовой плате 501 в соответствии с настоящим изобретением. Кроме того, поскольку сокращено расстояние между строками подложек панели первой базовой платы 501, становится возможным компоновать подложки панели в центральной части первой базовой платы 501, избегая периферийную часть первой базовой платы 501 (внешнюю кромку первой базовой платы 501), в которой, вероятно, может возникнуть дефект. Поэтому, даже в случае, когда количество подложек панели, которые могут быть скомпонованы в первой базовой плате 501, не увеличивается, исключение периферийной части первой базовой платы 501, в которой, вероятно, возникает дефект, приводит к результату улучшения производительности в процессе изготовления подложек панели.
В настоящей заявке заявлен приоритет по патентной заявке № 2008-239167, поданной в Японии 18 сентября 2008 г. в соответствии с Парижской Конвенцией и положениями национального закона в обозначенном государстве, и все содержание которой тем самым приведено здесь в качестве ссылочного материала.
ПОЯСНЕНИЕ НОМЕРОВ ССЫЛОЧНЫХ ПОЗИЦИЙ
100 Жидкокристаллическая ячейка
110 Подложка устройства
111, 303, 303a, 303b, 503, 603 Область формирования транзистора
112, 304, 304a, 304b, 504, 604 Область выводов
113 Область устройства отображения
114 Схема управления затвором
115 Схема управления истоком
116, 550 Схема
117, 557 Вывод
118 Межсоединения
120 Подложка CF
130 Герметизирующий материал
140 Герметизирующая смола
151, 551 Метка управления процессом изготовления
152, 552 TEG
301, 501 Первая базовая плата
302, 302a, 302b, 502, 602 Подложка панели
305, 505, 605 Лазер
506, 606 Тонкая пленка из кремния
R1 - R4 Область, облучаемая лазером
RG Область лазерного соединения
RL Лазерная длина.

Claims (11)

1. Базовая плата, содержащая множество подложек панели,
причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на основной поверхности,
каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края,
область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, имеющей первый профиль кристаллов,
область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели,
причем подложки панели содержат первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов,
при этом тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края, причем метка управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон включают в себя
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, включающие в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, и
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, включающие в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов.
2. Базовая плата по п.1,
в которой подложки панели скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели.
3. Базовая плата по п.1 или 2,
в которой область формирования транзистора включает в себя монолитную интегральную схему, содержащую тонкую пленку из кремния.
4. Базовая плата по п.1,
в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора и профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области края отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристалла, распределения размера зерен кристалла и шероховатости поверхности кристаллов.
5. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов и второй профиль кристаллов отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристаллов, распределения размера зерен кристаллов и шероховатости поверхности кристаллов.
6. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является нестабильно-кристаллическим и/или аморфным.
7. Базовая плата по п.1,
в которой каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область края, сформированную с одной стороны внешней кромки подложки панели.
8. Способ производства базовой платы, содержащей множество подложек панели, каждая из которых имеет область формирования транзистора и область края, которая предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, при этом способ содержит этапы, на которых: наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность базовой платы; и
выполняют отжиг лазером тонкой пленки из кремния для каждой предварительно определенной области,
причем этап отжига лазером осуществляют таким образом, чтобы сформировать область формирования транзистора, имеющую тонкую пленку из кремния первого профиля кристаллов и область края, посредством перемещения лазера и базовой платы относительно друг друга для поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области, и чтобы сформировать область с тонкой пленкой из кремния в области края, отличной от области края, имеющей первый профиль кристаллов, при этом тонкая пленка из кремния имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов,
при этом способ дополнительно содержит этапы, на которых
формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, в области края, и
формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов, в другой области края.
9. Способ производства базовой платы по п.8,
в котором этап отжига лазером включает в себя относительное перемещение базовой платы и лазера относительно друг друга вдоль направления строки или столбца таким образом, что подложки панели скомпонованы в шаблоне матрицы на основной поверхности базовой платы.
10. Способ производства базовой платы по п.8,
в котором тонкая пленка из кремния, имеющая второй профиль кристаллов, представляет собой тонкую пленку из нестабильно кристаллизованного кремния и/или тонкую пленку из аморфного кремния.
11. Способ производства базовой платы по п.8,
в котором лазер представляет собой эксимерный лазер.
RU2011115083/28A 2008-09-18 2009-06-09 Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства RU2476954C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008239167 2008-09-18
JP2008-239167 2008-09-18
PCT/JP2009/060549 WO2010032519A1 (ja) 2008-09-18 2009-06-09 母基板及びその製造方法、並びにデバイス基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011115083A RU2011115083A (ru) 2012-10-27
RU2476954C2 true RU2476954C2 (ru) 2013-02-27

Family

ID=42039364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011115083/28A RU2476954C2 (ru) 2008-09-18 2009-06-09 Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8471257B2 (ru)
EP (1) EP2328169A1 (ru)
JP (1) JP5451625B2 (ru)
CN (1) CN102089862A (ru)
BR (1) BRPI0918640A2 (ru)
RU (1) RU2476954C2 (ru)
WO (1) WO2010032519A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841372B1 (ko) * 2006-12-19 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 이의 제조방법
KR101900915B1 (ko) * 2011-10-14 2018-09-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6744155B2 (ja) * 2016-06-30 2020-08-19 日本電産サンキョー株式会社 搬送システム
KR20180063936A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6885134B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2008713C1 (ru) * 1992-03-04 1994-02-28 Малое научно-производственное объединение "ЭЛО" Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей
JP2000101088A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
JP2000231122A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
JP2001044133A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Sharp Corp レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法
JP2001053282A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6311989A (ja) 1987-04-03 1988-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学的表示装置
JPH0221612A (ja) * 1988-07-11 1990-01-24 Hitachi Ltd 写真処理方法
SE500851C2 (sv) 1993-04-28 1994-09-19 Medevelop Ab Protessystem för rehabilitering av tandlöshet
JPH11186163A (ja) 1997-12-18 1999-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2000012460A (ja) 1998-06-24 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の形成方法および薄膜形成装置
JP3937692B2 (ja) * 2000-06-15 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 アレイ基板の検査方法、アレイ基板の製造方法、アレイ基板及び電気光学装置
JP3783532B2 (ja) * 2000-07-24 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法
JP2003271067A (ja) 2002-03-18 2003-09-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP2005276996A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Hitachi Ltd 平面表示装置の製造方法
JP4674092B2 (ja) * 2005-01-21 2011-04-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置の製造方法
JP2008028303A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Hitachi Displays Ltd 平面表示装置の製造方法
JP5085902B2 (ja) * 2006-08-24 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
JP4925884B2 (ja) 2007-03-26 2012-05-09 花王株式会社 吸収性物品の携帯用包装構造

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2008713C1 (ru) * 1992-03-04 1994-02-28 Малое научно-производственное объединение "ЭЛО" Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей
JP2000101088A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
JP2000231122A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
JP2001044133A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Sharp Corp レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法
JP2001053282A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2328169A1 (en) 2011-06-01
US20110140110A1 (en) 2011-06-16
RU2011115083A (ru) 2012-10-27
WO2010032519A1 (ja) 2010-03-25
CN102089862A (zh) 2011-06-08
BRPI0918640A2 (pt) 2015-12-01
JP5451625B2 (ja) 2014-03-26
US8471257B2 (en) 2013-06-25
JPWO2010032519A1 (ja) 2012-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7199397B2 (en) AMOLED circuit layout
US7368204B2 (en) Mask for laser crystallization and crystallization method using the same
US7192852B2 (en) Method for fabricating image display device
KR100510001B1 (ko) 반도체장치의제조방법
US8183122B2 (en) Semiconductor device including semiconductor thin film, which is subjected to heat treatment to have alignment mark, crystallizing method for the semiconductor thin film, and crystallizing apparatus for the semiconductor thin film
RU2476954C2 (ru) Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства
TWI240416B (en) Flat panel display and method of manufacturing the same
KR100724648B1 (ko) 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 장치
US7033434B2 (en) Mask for crystallizing, method of crystallizing amorphous silicon and method of manufacturing array substrate using the same
KR20010030364A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US6451636B1 (en) Semiconductor device and display device having laser-annealed semiconductor element
US20090095962A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus
US20050214959A1 (en) Semiconductor thin film manufacturing method
JP2003318111A (ja) レーザアニール処理方法、レーザアニール処理方法に用いられる遮蔽マスク、及びレーザアニール処理装置
US20080064152A1 (en) Liquid crystal display device having drive circuit and fabricating method thereof
CN100444321C (zh) 半导体薄膜的制造方法及图像显示装置
US8513065B2 (en) Method for manufacturing display device
JP3550805B2 (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
US20220212291A1 (en) Laser crystallization apparatus
KR100491990B1 (ko) 어레이기판을 제조하는 방법 및 포토마스크
JP2006054223A (ja) 半導体薄膜の結晶化方法、結晶化された半導体薄膜を有する基板、そして半導体薄膜の結晶化装置
JP2004138912A (ja) ディスプレイ装置とその製造方法
JP2005347764A (ja) 画像表示装置の製造方法
KR20070071967A (ko) 다결정 실리콘 필름 제조방법의 제조방법
JP2008288514A (ja) 半導体薄膜の結晶化方法、表示装置の製造方法、薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150610