RU2011115083A - Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства - Google Patents

Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2011115083A
RU2011115083A RU2011115083/28A RU2011115083A RU2011115083A RU 2011115083 A RU2011115083 A RU 2011115083A RU 2011115083/28 A RU2011115083/28 A RU 2011115083/28A RU 2011115083 A RU2011115083 A RU 2011115083A RU 2011115083 A RU2011115083 A RU 2011115083A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
silicon
thin film
base board
crystal
Prior art date
Application number
RU2011115083/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2476954C2 (ru
Inventor
Йохсуке ФУДЗИКАВА (JP)
Йохсуке ФУДЗИКАВА
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся (Jp)
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся (Jp), Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся (Jp)
Publication of RU2011115083A publication Critical patent/RU2011115083A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2476954C2 publication Critical patent/RU2476954C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1229—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with different crystal properties within a device or between different devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456—Cell terminals located on one side of the display only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

1. Базовая плата, содержащая множество подложек панели, ! причем ! базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на основной поверхности, ! каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, ! область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, ! область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и ! по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора. ! 2. Базовая плата по п.1, ! в которой подложки панели скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели, ! первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов. ! 3. Базовая плата по п.2, ! в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзисторов является таким же, как и первый профиль кристаллов. ! 4. Базовая плата по пп.1-3, ! в которой область формирования транзистора включает в себя монолитную интегральную схему, содержащую тонкую пленку из кремния. ! 5. Базовая плата по п.1, ! в которой тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. ! 6. Ба�

Claims (18)

1. Базовая плата, содержащая множество подложек панели,
причем
базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на основной поверхности,
каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края,
область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния,
область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и
по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора.
2. Базовая плата по п.1,
в которой подложки панели скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели,
первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.
3. Базовая плата по п.2,
в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзисторов является таким же, как и первый профиль кристаллов.
4. Базовая плата по пп.1-3,
в которой область формирования транзистора включает в себя монолитную интегральную схему, содержащую тонкую пленку из кремния.
5. Базовая плата по п.1,
в которой тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.
6. Базовая плата по п.5,
в которой метка управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон включает в себя
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, и
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов.
7. Базовая плата по п.1,
в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора и профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области края отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристалла, распределения размера зерен кристалла и шероховатости поверхности кристаллов.
8. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов и второй профиль кристаллов отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристаллов, распределения размера зерен кристаллов и шероховатости поверхности кристаллов.
9. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является нестабильно-кристаллическим и/или аморфным.
10. Базовая плата по п.1,
в которой каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область края, сформированную с одной стороны внешней кромки подложки панели.
11. Способ производства базовой платы, содержащей множество подложек панели, каждая из которых имеет область формирования транзистора и область края, при этом способ содержит этапы, на которых:
наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность базовой платы; и
выполняют отжиг лазером тонкой пленки из кремния для каждой предварительно определенной области,
причем этап отжига лазером осуществляют таким образом, чтобы сформировать область формирования транзистора посредством перемещения лазера и базовой платы относительно друг друга для поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области, и чтобы сформировать область с тонкой пленкой из кремния в, по меньшей мере, одной области края, при этом тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора.
12. Способ производства базовой платы по п.11,
в котором этап отжига лазером включает в себя
относительное перемещение базовой платы и лазера относительно друг друга вдоль направления строки или столбца таким образом, что подложки панели скомпонованы в шаблоне матрицы на основной поверхности базовой платы, и
отжиг лазером подложек панели, так что подложки панели включают в себя первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и подложку второй панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.
13. Способ производства базовой платы по п.12,
в котором этап отжига лазером осуществляют таким образом, что профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора является таким же, как и первый профиль кристаллов.
14. Способ производства базовой платы по п.11, дополнительно содержащий этап, на котором формируют шаблон тонкой пленки из кремния в области края для формирования метки управления процессом изготовления и/или оценочного шаблона.
15. Способ производства базовой платы по п.14,
в котором тонкая пленка из кремния для формирования шаблона представляет собой тонкую пленку из нестабильно кристаллизованного кремния и/или тонкую пленку из аморфного кремния.
16. Способ производства базовой платы по п.11,
в котором лазер представляет собой эксимерный лазер.
17. Подложка устройства, содержащая область формирования транзистора и область края,
причем область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния,
область края предусмотрена на внешней кромке подложки устройства, и
область края включает в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора.
18. Подложка устройства по п.17,
в которой на тонкой пленке из нестабильно кристаллизованного кремния или на тонкой пленке из аморфного кремния формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.
RU2011115083/28A 2008-09-18 2009-06-09 Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства RU2476954C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-239167 2008-09-18
JP2008239167 2008-09-18
PCT/JP2009/060549 WO2010032519A1 (ja) 2008-09-18 2009-06-09 母基板及びその製造方法、並びにデバイス基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011115083A true RU2011115083A (ru) 2012-10-27
RU2476954C2 RU2476954C2 (ru) 2013-02-27

Family

ID=42039364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011115083/28A RU2476954C2 (ru) 2008-09-18 2009-06-09 Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8471257B2 (ru)
EP (1) EP2328169A1 (ru)
JP (1) JP5451625B2 (ru)
CN (1) CN102089862A (ru)
BR (1) BRPI0918640A2 (ru)
RU (1) RU2476954C2 (ru)
WO (1) WO2010032519A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100841372B1 (ko) * 2006-12-19 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 이의 제조방법
KR101900915B1 (ko) * 2011-10-14 2018-09-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6744155B2 (ja) * 2016-06-30 2020-08-19 日本電産サンキョー株式会社 搬送システム
KR20180063936A (ko) 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6885134B2 (ja) * 2017-03-24 2021-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6311989A (ja) 1987-04-03 1988-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学的表示装置
JPH0221612A (ja) * 1988-07-11 1990-01-24 Hitachi Ltd 写真処理方法
RU2008713C1 (ru) * 1992-03-04 1994-02-28 Малое научно-производственное объединение "ЭЛО" Цветная жидкокристаллическая дисплейная панель с активной матрицей
SE500851C2 (sv) 1993-04-28 1994-09-19 Medevelop Ab Protessystem för rehabilitering av tandlöshet
JPH11186163A (ja) 1997-12-18 1999-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2000012460A (ja) 1998-06-24 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の形成方法および薄膜形成装置
US6336089B1 (en) * 1998-09-22 2002-01-01 Michael Everding Interactive digital phonetic captioning program
JP2000231122A (ja) * 1999-02-12 2000-08-22 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
JP2001044133A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Sharp Corp レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法
JP2001053282A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板及びその検査方法
JP3937692B2 (ja) * 2000-06-15 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 アレイ基板の検査方法、アレイ基板の製造方法、アレイ基板及び電気光学装置
JP3783532B2 (ja) * 2000-07-24 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法
JP2003271067A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP2005276996A (ja) 2004-03-24 2005-10-06 Hitachi Ltd 平面表示装置の製造方法
JP4674092B2 (ja) * 2005-01-21 2011-04-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置の製造方法
JP2008028303A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Hitachi Displays Ltd 平面表示装置の製造方法
JP5085902B2 (ja) 2006-08-24 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
JP4925884B2 (ja) 2007-03-26 2012-05-09 花王株式会社 吸収性物品の携帯用包装構造

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010032519A1 (ja) 2012-02-09
CN102089862A (zh) 2011-06-08
US20110140110A1 (en) 2011-06-16
RU2476954C2 (ru) 2013-02-27
EP2328169A1 (en) 2011-06-01
JP5451625B2 (ja) 2014-03-26
WO2010032519A1 (ja) 2010-03-25
BRPI0918640A2 (pt) 2015-12-01
US8471257B2 (en) 2013-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004311935A (ja) 単結晶シリコン膜の製造方法
RU2011115083A (ru) Базовая плата, способ производства базовой платы и подложка устройства
US20160020096A1 (en) Manufacture Method Of Low Temperature Poly Silicon, Manufacturing Method Of TFT Substrate Utilizing The Method, And TFT Substrate Structure
US20070184638A1 (en) Mask for silicon crystallization, method for crystallizing silicon using the same and display device
TW200504882A (en) Method for manufacturing polysilicon film
US9773813B2 (en) Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device
US20040224447A1 (en) Multi-pattern shadow mask laser annealing system
JP2007183656A (ja) アクティブマトリックス有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法
TW200518196A (en) Method for crystallizing amorphous silicon film
DE502005011195D1 (de) Verfahren zur gleichzeitigen rekristallisierung und dotierung von halbleiterschichten und nach diesem verfahren hergestellte halbleiterschichtsysteme
TW200719016A (en) Display panel and method for fabricating the same
CN106229254B (zh) 一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜
US11521989B2 (en) Display substrate, display apparatus and manufacturing method of display substrate
TWI574307B (zh) 利用順序橫向固化方法之結晶設備
JP2000016840A5 (ru)
TW579556B (en) Method of fabricating a low temperature polysilicon film
US7579123B2 (en) Method for crystallizing amorphous silicon into polysilicon and mask used therefor
TW200719479A (en) TFT array panel and method of manufacturing the same thereof
JP2005217214A (ja) 半導体薄膜の製造方法及び画像表示装置
TWI260702B (en) Method of selective laser crystallization and display panel fabricated by using the same
CN104821278A (zh) 低温多晶硅的制造方法及装置、多晶硅
TWI235496B (en) Crystallization method of polysilicon layer
TWI256138B (en) Method of fabricating a poly-silicon thin film transistor
CN108962961B (zh) 母板及其制备方法、显示基板
TWI256733B (en) Display panel with polysilicon layer and method of fabricating the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150610