JPH0221612A - 写真処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は写真処理方法に係り、特に、簡単な方法で、被
処理体が変わる毎に部分的に異なるパターンを形成する
ことができる写真処理方法に関する。

〔従来の技術〕

薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと称す）は大型サイズの
基板に形成できることから、カラー液晶表示装置、密着
センサー（ＦＡＸ等に使用される撮像デバイス）やサー
マルヘッド等に利用されているが、ＴＰＴ基板は、薄膜
を形成する工程とホトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングする工程とを数回組み合わせて施すことにより製
作する。

通常、各工程に使用されるホトマスクは複数の基板に対
して共通に使用されるので、ロット番号、製造番号のよ
うに基板１枚１枚に異なるパターンを形成する場合は何
らかの工夫が必要である。

半導体ウェハやＴＰＴ基板へのナンバリング（製造番号
を付けること）について、従来は、基体上に塗布したホ
トレジストをホトマスクにより第一次露光した後、専用
のナンバリング露光装置を用いて必要とするナンバーパ
ターンを第二次露光する２段階露光方法が採用されてい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術においては、工程が複雑に
なること、および、専用のナンバリング露光装置が高価
であり、かつ、構造が複雑で保守が難しいことなどの問
題点があった。

本発明の目的は、上記従来技術の有する課題を解消して
、容易かつ確実な写真処理方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の一実施例によれば、各被処理体固有のパターン
はホトレジスト上に形成し、被処理体共通のパターンは
ホトマスクに形成して、両パターンに従った露光を同時
に行う写真処理方法が提供される。

〔作用〕

各被処理体固有のパターンはホトレジスト上に形成され
るので、そのための露光は通常のホトマスクを使用する
露光装置で行うことができ、高価な専用露光装置を不用
とできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図によって説明する。

第１図は本発明ＴＰＴ基板ナンバリング方法の手順を示
す工程図で、（ａ）はガラス基体１上に、ＴＰＴのゲー
ト電極や配線層として使用されるクローム（Ｃｒ）薄膜
２を形成した状態、（ｂ）は該Ｃｒ薄膜２上にポジ型ホ
トレジスト膜３を塗布した状態、（ｃ）は該ホトレジス
ト膜３をプリベークした後、該膜３上の適宜の位置に紫
外線不透過性インクを用いてナンバー像４の描画を行な
った状態、（ｄ）は電極や配線のパターンが形成された
ホトマスク５を介して紫外線照射６を行っている状態、
（ｅ）は上記（ｄ）の状態の基板に対し現像を行い、不
要部分のホトレジストを除去した状態、（ｆ）は上記（
ｅ）の状態の基板に対してホトレジストのボストベーク
を施した後、このホトレジストをマスクとしてＣｒ膜の
不要部分をエツチングした状態、（ｇ）は上記（ｆ）の
状態の基板に対してホトレジスト膜のはく離を行い、Ｔ
ＰＴ基板の第１層膜のデポジション・パターユング工程
を終了した状態を示したものである。なお１本実施例に
おいて、ガラス基体１上のＣｒ膜２の厚さは１０００人
、ポジ型ホトレジスト膜３の厚さは１１朋とした。

ホトレジスト膜３上へのナンバー像４の描画は下記のよ
うにして行った。すなわち、まず、第２図に示すように
、Ｃｒ薄膜２を形成し、ポジ型ホトレジスト膜３を塗工
し、プリベークを行ったガラス基体１をＸ−Ｙプロッタ
１０の所定の位置に真空チャックにより固定し、次いで
、記入すべき位置、記入すべきナンバー等を予め入力し
て記憶させたコンピュータ１１からの出力によりＸ−Ｙ
プロッタ１０のプロッタペン１２を駆動させて、ガラス
基体１の所定の位置に、紫外線不透過性インクを用いて
ナンバー像４を描画した。本プロットはホトレジストが
必要な硬さになったプリベーク後に行なわれる。またホ
トレジストは水分を含んでいるため、にじみを防ぐため
、インク材は油性とした。

またペンの太さは０．１ｍｍのものを使用した。

以上のようにしてナンバーの描画を行った後、通常のパ
ターニングと同様にして、ＴＰＴパターンの露光を行い
、現像処理を施すことによって、ＴＰＴパターン７およ
びナンバー像４の部分のホトレジストが残り、その後、
さらにエツチング処理、レジストはく離の操作を施すこ
とによって、ガラス基体１上にＣｒ膜からなるＴＰＴパ
ターン８およびナンバーパタン９を得ることができた。

また、第３図は上記のようにして形成した液晶表示装置
用ＴＰＴ基板の状態を説明するためのＴＰＴ基板の概略
平面図である。ここで（ａ）は一つの基板を、（ｂ）は
異なる基板であることを示す。各基板１からは４枚の個
別基板が得られるようになっており、一連の薄膜形成工
程を終えた後。

４個の個別基板に分割される。図中１３は表示有効領域
内に形成されたＴＰＴマトリクス部を示し、これは基板
１内の４つの部分とも同様のパターンを有するものであ
る。表示領域外にある記号のうち右２桁（図中の「−１
」〜ｒ−４Ｊ）１４およびマトリクス部１３のパターン
はホトマスクパターンに従って形成され、また、左５桁
の記号１５はホトレジストに描かれたインクパターン４
に従って形成され、例えば、図中に示したように、基板
（ａ）ではｒ８８ＡＢＩＪ、基板（ｂ）ではｒ８８ＡＢ
２」と表示され、側基板のパターンはこの部分のみが異
なる。なお、右２桁の記号１４は記号１５と同じ方法で
形成してもよい。

以上、本発明の内容についてＴＰＴ基板の例を用いて説
明したが、本発明はＴＰＴ基板に限定されるものではな
く、半導体チップ等に比べて比較的大型の基板に写真処
理によってパターン形成を行う技術一般について広く適
用することができる。

また、上記例においては被処理体固有のパターンを記号
を例として説明したが、これは電子回路に必要なパター
ンであってもよい。この場合は、ホトマスクの設計ミス
があった場合や、条件を変えたパターンで試作実験をす
る場合などに極めて簡便である。これは、ホトマスクを
作るためにＣＡＤ技術等を用いるため、相当の日数とコ
ストがかかることによる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明を例えばＴＰＴ基板のナ
ンバリング方法に適用した場合で説明すれば、本発明の
方法、すなわちＸ−Ｙプロッタとコンピュータとの組合
わせによって基体上に塗布したレジスト膜の位置にナン
バーの描画を行わせる方法、によって、従来技術の有し
ていた課題を解消して、容易、かつ、確実なＴＰＴ基板
ナンバリング方法を提供することができ、原価低減上大
幅な効果を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明ＴＰＴ基板ナンバリング方法の手順を示
す工程図、第２図は本発明ＴＰＴ基板ナンバリング方法
の実施に用いる装置の配置の概要を示す図、第３図は本
発明により形成された２枚のＴＰＴ基板を示す概略図で
ある。 １・・・ガラス基体　　　　２・・Ｃｒ薄膜３・・ポジ
型ホトレジスト膜 ４・・・ナンバー像　　　　５・・・マスク６・紫外線
照射　　　　７・・・ＴＰＴパターン８・・・Ｃｒ膜Ｔ
ＰＴパターン ９・・Ｃｒ膜ナンバーパターン １０・・・Ｘ−Ｙプロッタ　　１１・・・コンピュータ
１２・・プロッタペン　　　１３・・・ＴＰＴマトリク
ス部１４・・・右２桁の記号　　　１５・・・左５桁の
記号（Ｑ） 代理人弁理士　　中　村　純之助 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被処理体表面にポジ型ホトレジスト層を形成し、該
   ホトレジスト層表面に第１のパターンを形成し、上記ホ
   トレジスト層を第２のパターンが形成されたホトマスク
   を介して露光し、上記ホトレジスト層を現像処理するこ
   とによって上記ホトレジスト層を上記第１及び第２のパ
   ターンに従ったパターンに形成することを特徴とする写
   真処理方法。 ２、上記第１のパターンは油性のインク層であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の写真処理方法。 ３、上記ホトレジスト層はポジ型であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の写真処理方法。 ４、上記第１のパターンは上記ホトレジストをベークし
   た後に形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の写真処理方法。 ５、上記被処理体は複数あり、上記第２のパターンは上
   記複数の被処理体に対して共通であり、上記第１のパタ
   ーンは上記被処理体が変わる毎に異なるパターンである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の写真処理
   方法。 ６、上記第１のパターンはＸ−Ｙプロッタにより描かれ
   たインク層であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の写真処理方法。