JP2003324109A - 薄膜トランジスタパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタパネルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン
照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形
成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄
膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 【解決手段】 走査ライン駆動回路部１１の薄膜トラン
ジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１とデータライン駆動回
路部１２の薄膜トランジスタ１４のチャネル長方向Ｌ２
とは互いに直交する方向となっている。この場合、ガラ
ス基板４上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜を結
晶化させてポリシリコン薄膜とするためのＣＷレーザの
スキャン方向は、ガラス基板４の一端面４ａａに対して
ほぼ４５°傾斜する方向とする。すると、薄膜トランジ
スタ１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がＣＷレ
ーザのスキャン方向に対してそれぞれほぼ４５°ずつ傾
斜する方向となる。
て、アモルファスシリコン薄膜をＣＷレーザのスキャン
照射により結晶化させてなるポリシリコン薄膜により形
成された、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄
膜トランジスタの特性のバラツキを小さくする。 【解決手段】 走査ライン駆動回路部１１の薄膜トラン
ジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１とデータライン駆動回
路部１２の薄膜トランジスタ１４のチャネル長方向Ｌ２
とは互いに直交する方向となっている。この場合、ガラ
ス基板４上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜を結
晶化させてポリシリコン薄膜とするためのＣＷレーザの
スキャン方向は、ガラス基板４の一端面４ａａに対して
ほぼ４５°傾斜する方向とする。すると、薄膜トランジ
スタ１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がＣＷレ
ーザのスキャン方向に対してそれぞれほぼ４５°ずつ傾
斜する方向となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は薄膜トランジスタ
パネルの製造方法に関する。
パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、薄膜トランジスタをスイッチン
グ素子として用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置は、一般的に、方形状の基板上に、基板の所定の一
端面と平行するように配置された複数の走査線と、走査
線と直交する方向に配置された複数のデータ線と、走査
線とデータ線との各交点近傍に配置された複数の薄膜ト
ランジスタおよび各薄膜トランジスタに接続された複数
の画素電極とが設けられた、構造の薄膜トランジスタパ
ネルを備えている。この場合、薄膜トランジスタのチャ
ネル長方向は、基板の所定の一端面と平行な方向または
垂直な方向となっている。
グ素子として用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置は、一般的に、方形状の基板上に、基板の所定の一
端面と平行するように配置された複数の走査線と、走査
線と直交する方向に配置された複数のデータ線と、走査
線とデータ線との各交点近傍に配置された複数の薄膜ト
ランジスタおよび各薄膜トランジスタに接続された複数
の画素電極とが設けられた、構造の薄膜トランジスタパ
ネルを備えている。この場合、薄膜トランジスタのチャ
ネル長方向は、基板の所定の一端面と平行な方向または
垂直な方向となっている。
【０００３】ところで、上記構造の薄膜トランジスタパ
ネルの製造方法には、方形状の基板上にアモルファスシ
リコン薄膜を成膜し、このアモルファスシリコン薄膜を
ＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてポリシリ
コン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して複
数の薄膜トランジスタを形成する方法がある。
ネルの製造方法には、方形状の基板上にアモルファスシ
リコン薄膜を成膜し、このアモルファスシリコン薄膜を
ＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させてポリシリ
コン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して複
数の薄膜トランジスタを形成する方法がある。
【０００４】この場合、ＣＷレーザのスキャン方向を方
形状の基板の一端面に対して平行な方向とし、基板をそ
れを載置するステージと共にＣＷレーザのスキャン方向
に対して直交する方向に間歇的に移動させ、これにより
基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜の全面に
ＣＷレーザを照射している。
形状の基板の一端面に対して平行な方向とし、基板をそ
れを載置するステージと共にＣＷレーザのスキャン方向
に対して直交する方向に間歇的に移動させ、これにより
基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜の全面に
ＣＷレーザを照射している。
【０００５】このとき、アモルファスシリコン薄膜の結
晶化はＣＷレーザのスキャン方向に沿って進み、シリコ
ンの結晶方位のそろった比較的大きな粒径のポリシリコ
ン薄膜が形成される。また、ＣＷレーザのスキャン方向
に対して直交する方向について見ると、ポリシリコン薄
膜には多数の結晶粒界が存在する。
晶化はＣＷレーザのスキャン方向に沿って進み、シリコ
ンの結晶方位のそろった比較的大きな粒径のポリシリコ
ン薄膜が形成される。また、ＣＷレーザのスキャン方向
に対して直交する方向について見ると、ポリシリコン薄
膜には多数の結晶粒界が存在する。
【０００６】一方、薄膜トランジスタの移動度は、チャ
ネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向と平行する方向
であると高くなり、ＣＷレーザのスキャン方向と直交す
る方向であると低くなる。そこで、従来では、画素電極
に接続された薄膜トランジスタのチャネル長方向はＣＷ
レーザのスキャン方向としていた。
ネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向と平行する方向
であると高くなり、ＣＷレーザのスキャン方向と直交す
る方向であると低くなる。そこで、従来では、画素電極
に接続された薄膜トランジスタのチャネル長方向はＣＷ
レーザのスキャン方向としていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜トラン
ジスタパネルにおいて、基板上にチャネル長方向が互い
に直交する２種類の薄膜トランジスタを形成する場合に
は、一方の薄膜トランジスタのチャネル長方向をＣＷレ
ーザのスキャン方向とすると、他方の薄膜トランジスタ
のチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向と直交す
る方向となり、２種類の薄膜トランジスタの特性のバラ
ツキが大きくなってしまう。そこで、この発明は、チャ
ネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ
の特性のバラツキを小さくすることができる薄膜トラン
ジスタパネルの製造方法を提供することを目的とする。
ジスタパネルにおいて、基板上にチャネル長方向が互い
に直交する２種類の薄膜トランジスタを形成する場合に
は、一方の薄膜トランジスタのチャネル長方向をＣＷレ
ーザのスキャン方向とすると、他方の薄膜トランジスタ
のチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向と直交す
る方向となり、２種類の薄膜トランジスタの特性のバラ
ツキが大きくなってしまう。そこで、この発明は、チャ
ネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ
の特性のバラツキを小さくすることができる薄膜トラン
ジスタパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜をＣ
Ｗレーザのスキャン照射により結晶化させてポリシリコ
ン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して２種
類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方向が前記Ｃ
Ｗレーザのスキャン方向に対して一方向および他方向に
それぞれ３０°〜６０°傾斜するように形成することを
特徴とするものである。請求項２に記載の発明は、請求
項１記載の発明において、前記ＣＷレーザのスキャン方
向は前記基板の所定の一端面に対して３０°〜６０°傾
斜する方向であることを特徴とするものである。請求項
３に記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記
基板は薄膜トランジスタパネル複数個分に対応する大き
さであり、該基板をその所定の一端面に対して平行な線
および垂直な線に沿って切断して複数個の薄膜トランジ
スタパネルを得ることを特徴とするものである。請求項
４に記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記
ＣＷレーザのスキャン照射は前記基板上からオーバーし
ないように制御することを特徴とするものである。請求
項５に記載の発明は、請求項３記載の発明において、前
記基板を載置するためのステージは前記ＣＷレーザが照
射されても影響を受けない材料によって形成され、前記
ＣＷレーザのスキャン照射はそのスキャン照射距離が一
定となるように制御することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１記載の発明におい
て、前記ＣＷレーザのスキャン方向は前記基板の所定の
一端面に対して平行な方向であることを特徴とするもの
である。請求項７に記載の発明は、請求項６記載の発明
において、前記基板は薄膜トランジスタパネル複数個分
に対応する大きさであり、該基板をその所定の一端面に
対して平行な線および垂直な線に沿って切断して複数個
の薄膜トランジスタパネルを得ることを特徴とするもの
である。請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の発
明において、前記基板は薄膜トランジスタパネル複数個
分に対応する大きさであり、該基板をその所定の一端面
に対して一方向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ
傾斜する２種類の線に沿って切断して複数個の薄膜トラ
ンジスタパネルを得ることを特徴とするものである。こ
の発明によれば、２種類の薄膜トランジスタをその各チ
ャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方
向および他方向にそれぞれ３０°〜６０°傾斜するよう
に形成しているので、チャネル長方向が互いに直交する
２種類の薄膜トランジスタの各チャネル長方向がＣＷレ
ーザのスキャン方向に対してそれぞれ３０°〜６０°傾
斜する方向となり、したがってチャネル長方向が互いに
直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを
小さくすることができる。
は、基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜をＣ
Ｗレーザのスキャン照射により結晶化させてポリシリコ
ン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分離して２種
類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方向が前記Ｃ
Ｗレーザのスキャン方向に対して一方向および他方向に
それぞれ３０°〜６０°傾斜するように形成することを
特徴とするものである。請求項２に記載の発明は、請求
項１記載の発明において、前記ＣＷレーザのスキャン方
向は前記基板の所定の一端面に対して３０°〜６０°傾
斜する方向であることを特徴とするものである。請求項
３に記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記
基板は薄膜トランジスタパネル複数個分に対応する大き
さであり、該基板をその所定の一端面に対して平行な線
および垂直な線に沿って切断して複数個の薄膜トランジ
スタパネルを得ることを特徴とするものである。請求項
４に記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記
ＣＷレーザのスキャン照射は前記基板上からオーバーし
ないように制御することを特徴とするものである。請求
項５に記載の発明は、請求項３記載の発明において、前
記基板を載置するためのステージは前記ＣＷレーザが照
射されても影響を受けない材料によって形成され、前記
ＣＷレーザのスキャン照射はそのスキャン照射距離が一
定となるように制御することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１記載の発明におい
て、前記ＣＷレーザのスキャン方向は前記基板の所定の
一端面に対して平行な方向であることを特徴とするもの
である。請求項７に記載の発明は、請求項６記載の発明
において、前記基板は薄膜トランジスタパネル複数個分
に対応する大きさであり、該基板をその所定の一端面に
対して平行な線および垂直な線に沿って切断して複数個
の薄膜トランジスタパネルを得ることを特徴とするもの
である。請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の発
明において、前記基板は薄膜トランジスタパネル複数個
分に対応する大きさであり、該基板をその所定の一端面
に対して一方向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ
傾斜する２種類の線に沿って切断して複数個の薄膜トラ
ンジスタパネルを得ることを特徴とするものである。こ
の発明によれば、２種類の薄膜トランジスタをその各チ
ャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方
向および他方向にそれぞれ３０°〜６０°傾斜するよう
に形成しているので、チャネル長方向が互いに直交する
２種類の薄膜トランジスタの各チャネル長方向がＣＷレ
ーザのスキャン方向に対してそれぞれ３０°〜６０°傾
斜する方向となり、したがってチャネル長方向が互いに
直交する２種類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを
小さくすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施形態と
しての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネ
ルを備えた液晶表示装置の等価回路的平面図およびその
所定の２箇所の拡大透過平面図を示したものである。こ
の液晶表示装置は、方形状の薄膜トランジスタパネル１
とその上に配置された方形状の対向パネル２とがほぼ方
形枠状のシール材３を介して貼り合わされ、シール材３
の内側における両パネル１、２間に液晶（図示せず）が
封入された構造となっている
しての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネ
ルを備えた液晶表示装置の等価回路的平面図およびその
所定の２箇所の拡大透過平面図を示したものである。こ
の液晶表示装置は、方形状の薄膜トランジスタパネル１
とその上に配置された方形状の対向パネル２とがほぼ方
形枠状のシール材３を介して貼り合わされ、シール材３
の内側における両パネル１、２間に液晶（図示せず）が
封入された構造となっている
【００１０】薄膜トランジスタパネル１のベースとなる
方形状のガラス基板４上においてシール材３の内側に
は、マトリクス状に配置された複数の画素電極５と、こ
れらの画素電極５にそれぞれ接続された複数の薄膜トラ
ンジスタ６と、図１の行方向に配置され、薄膜トランジ
スタ６に走査信号を供給する複数の走査ライン７と、図
１の列方向に配置され、薄膜トランジス７タにデータ信
号を供給する複数のデータライン８とが設けられてい
る。
方形状のガラス基板４上においてシール材３の内側に
は、マトリクス状に配置された複数の画素電極５と、こ
れらの画素電極５にそれぞれ接続された複数の薄膜トラ
ンジスタ６と、図１の行方向に配置され、薄膜トランジ
スタ６に走査信号を供給する複数の走査ライン７と、図
１の列方向に配置され、薄膜トランジス７タにデータ信
号を供給する複数のデータライン８とが設けられてい
る。
【００１１】薄膜トランジスタパネル１のベースとなる
方形状のガラス基板４の相隣接する所定の２辺は対向パ
ネル２から突出されている。このうちの一方の突出部４
ａ上の一点鎖線で囲まれた短冊形状の領域は、走査ライ
ン７に走査信号を供給するための走査ライン駆動回路が
一体的に形成された走査ライン駆動回路部１１となって
いる。他方の突出部４ｂ上の一点鎖線で囲まれた短冊形
状の領域は、データライン８にデータ信号を供給するた
めのデータライン駆動回路が一体的に形成されたデータ
ライン駆動回路部１２となっている。
方形状のガラス基板４の相隣接する所定の２辺は対向パ
ネル２から突出されている。このうちの一方の突出部４
ａ上の一点鎖線で囲まれた短冊形状の領域は、走査ライ
ン７に走査信号を供給するための走査ライン駆動回路が
一体的に形成された走査ライン駆動回路部１１となって
いる。他方の突出部４ｂ上の一点鎖線で囲まれた短冊形
状の領域は、データライン８にデータ信号を供給するた
めのデータライン駆動回路が一体的に形成されたデータ
ライン駆動回路部１２となっている。
【００１２】走査ライン駆動回路部１１のシフトレジス
タの一部を構成する薄膜トランジスタ１３は、その構造
については後で説明するが、そのチャネル長方向Ｌ１が
ガラス基板４の突出部４ａの突出端面４ａａと平行する
方向となるように配置されている。データライン駆動回
路部１２のシフトレジスタの一部を構成する薄膜トラン
ジスタ１４は、その構造については後で説明するが、そ
のチャネル長方向Ｌ２が薄膜トランジスタ１３のチャネ
ル長方向Ｌ１と直交する方向となるように配置されてい
る。なお、画素電極５に接続された薄膜トランジスタ６
のチャネル長方向はＬ１方向とＬ２方向のいずれの方向
であってもよい。
タの一部を構成する薄膜トランジスタ１３は、その構造
については後で説明するが、そのチャネル長方向Ｌ１が
ガラス基板４の突出部４ａの突出端面４ａａと平行する
方向となるように配置されている。データライン駆動回
路部１２のシフトレジスタの一部を構成する薄膜トラン
ジスタ１４は、その構造については後で説明するが、そ
のチャネル長方向Ｌ２が薄膜トランジスタ１３のチャネ
ル長方向Ｌ１と直交する方向となるように配置されてい
る。なお、画素電極５に接続された薄膜トランジスタ６
のチャネル長方向はＬ１方向とＬ２方向のいずれの方向
であってもよい。
【００１３】３種類の薄膜トランジスタ６、１４、１５
の基本的な構造は同じであり、一例として、図２に示す
ような構造となっている。すなわち、ガラス基板４の上
面には酸化シリコンからなる下地絶縁膜２１が設けられ
ている。下地絶縁膜２１の上面の所定の箇所にはポリシ
リコン薄膜２２が設けられている。ポリシリコン薄膜２
２の中央部は真性ポリシリコンからなるチャネル領域２
２ａとされ、その両側はｎ型ポリシリコンからなるソー
ス領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとされている。
の基本的な構造は同じであり、一例として、図２に示す
ような構造となっている。すなわち、ガラス基板４の上
面には酸化シリコンからなる下地絶縁膜２１が設けられ
ている。下地絶縁膜２１の上面の所定の箇所にはポリシ
リコン薄膜２２が設けられている。ポリシリコン薄膜２
２の中央部は真性ポリシリコンからなるチャネル領域２
２ａとされ、その両側はｎ型ポリシリコンからなるソー
ス領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとされている。
【００１４】ポリシリコン薄膜２２を含む下地絶縁膜２
１の上面には酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２３が
設けられている。ポリシリコン薄膜２２のチャネル領域
２２ａ上におけるゲート絶縁膜２３の上面にはタングス
テンやアルミニウム等からなるゲート電極２４が設けら
れている。ゲート電極２４を含むゲート絶縁膜２３の上
面には酸化シリコンからなる層間絶縁膜２５が設けられ
ている。
１の上面には酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２３が
設けられている。ポリシリコン薄膜２２のチャネル領域
２２ａ上におけるゲート絶縁膜２３の上面にはタングス
テンやアルミニウム等からなるゲート電極２４が設けら
れている。ゲート電極２４を含むゲート絶縁膜２３の上
面には酸化シリコンからなる層間絶縁膜２５が設けられ
ている。
【００１５】層間絶縁膜２５の上面の所定の２箇所には
タングステンやアルミニウム等からなるソース電極２６
およびドレイン電極２７が設けられている。ソース電極
２６およびドレイン電極２７は、層間絶縁膜２５および
ゲート絶縁膜２３の各所定の箇所に形成されたコンタク
トホール２８、２９を介してポリシリコン薄膜２２のソ
ース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃに接続されて
いる。
タングステンやアルミニウム等からなるソース電極２６
およびドレイン電極２７が設けられている。ソース電極
２６およびドレイン電極２７は、層間絶縁膜２５および
ゲート絶縁膜２３の各所定の箇所に形成されたコンタク
トホール２８、２９を介してポリシリコン薄膜２２のソ
ース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃに接続されて
いる。
【００１６】次に、上記構造の薄膜トランジスタパネル
１の薄膜トランジスタ６、１４、１５の部分の製造方法
について説明する。まず、図３に示すように、一点鎖線
で示す線に沿って切断すると、図１に示すガラス基板４
を複数個得ることができる大きさの方形状のガラス基板
３１を用意する。この場合、図３において一点鎖線で示
す線は、ガラス基板３１の一端面３１ａに対して平行な
線と垂直な線とからなっている。
１の薄膜トランジスタ６、１４、１５の部分の製造方法
について説明する。まず、図３に示すように、一点鎖線
で示す線に沿って切断すると、図１に示すガラス基板４
を複数個得ることができる大きさの方形状のガラス基板
３１を用意する。この場合、図３において一点鎖線で示
す線は、ガラス基板３１の一端面３１ａに対して平行な
線と垂直な線とからなっている。
【００１７】次に、図４（Ａ）に示すように、ガラス基
板３１の上面にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンか
らなる下地絶縁膜２１および水素含有の真性なアモルフ
ァスシリコン薄膜３２を連続して成膜する。この場合、
下地絶縁膜２の膜厚は１０００〜３０００Å程度であ
り、アモルファスシリコン薄膜３２の膜厚は５００〜１
５００Å程度である。
板３１の上面にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンか
らなる下地絶縁膜２１および水素含有の真性なアモルフ
ァスシリコン薄膜３２を連続して成膜する。この場合、
下地絶縁膜２の膜厚は１０００〜３０００Å程度であ
り、アモルファスシリコン薄膜３２の膜厚は５００〜１
５００Å程度である。
【００１８】次に、後の工程でＣＷレーザの照射により
高エネルギーを与えたとき水素が突沸して欠陥が生じる
のを避けるために、窒素雰囲気の大気圧中において温度
４５０℃程度で２時間以上の熱処理を行うことにより、
アモルファスシリコン薄膜３２中の水素濃度を低減す
る。次に、図４（Ｂ）に示すように、ＣＷレーザを照射
すると、真性なアモルファスシリコン薄膜３２が結晶化
されて真性なポリシリコン薄膜３３が形成される。
高エネルギーを与えたとき水素が突沸して欠陥が生じる
のを避けるために、窒素雰囲気の大気圧中において温度
４５０℃程度で２時間以上の熱処理を行うことにより、
アモルファスシリコン薄膜３２中の水素濃度を低減す
る。次に、図４（Ｂ）に示すように、ＣＷレーザを照射
すると、真性なアモルファスシリコン薄膜３２が結晶化
されて真性なポリシリコン薄膜３３が形成される。
【００１９】ここで、ＣＷレーザの照射について説明す
る。まず、図５に示すように、Ｙ方向に間歇的に移動可
能なステージ３４上にガラス基板３１をその一端面３１
ａがＸ方向に対してほぼ４５°傾斜するように載置す
る。次に、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザやＡｒイオンレーザ等
のＣＷレーザ３５を矢印で示すようにＸ方向にスキャン
照射するとともに、１回のスキャン照射の終了後にステ
ージ３４をその上に載置されたガラス基板３１と共にＹ
方向に所定の距離ずつ間歇的に移動させ、これによりガ
ラス基板３１上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜
３２の全面にＣＷレーザ３５を照射する。
る。まず、図５に示すように、Ｙ方向に間歇的に移動可
能なステージ３４上にガラス基板３１をその一端面３１
ａがＸ方向に対してほぼ４５°傾斜するように載置す
る。次に、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザやＡｒイオンレーザ等
のＣＷレーザ３５を矢印で示すようにＸ方向にスキャン
照射するとともに、１回のスキャン照射の終了後にステ
ージ３４をその上に載置されたガラス基板３１と共にＹ
方向に所定の距離ずつ間歇的に移動させ、これによりガ
ラス基板３１上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜
３２の全面にＣＷレーザ３５を照射する。
【００２０】すると、アモルファスシリコン薄膜３２の
結晶化がＣＷレーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に沿
って進み、シリコンの結晶方位のそろった比較的大きな
粒径のポリシリコン薄膜３３が形成される。また、ＣＷ
レーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に対して直交する
方向（Ｙ方向）について見ると、ポリシリコン薄膜３３
には多数の結晶粒界（図示せず）が存在する。
結晶化がＣＷレーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に沿
って進み、シリコンの結晶方位のそろった比較的大きな
粒径のポリシリコン薄膜３３が形成される。また、ＣＷ
レーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に対して直交する
方向（Ｙ方向）について見ると、ポリシリコン薄膜３３
には多数の結晶粒界（図示せず）が存在する。
【００２１】この場合、ガラス基板３１はステージ３４
上にその一端面３１ａがＸ方向（ＣＷレーザ３５のスキ
ャン方向）に対してほぼ４５°傾斜するように載置され
ているので、アモルファスシリコン薄膜３２の結晶化方
向はガラス基板３１の一端面３１ａに対してほぼ４５°
傾斜する方向（Ｘ方向）となり、この傾斜方向に対して
直交する方向（Ｙ方向）に多数の結晶粒界が存在するこ
とになる。ここで、一例として、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ
の場合には、パワー１０Ｗ程度とし、スキャン速度を５
０ｃｍ／ｓ程度とする。
上にその一端面３１ａがＸ方向（ＣＷレーザ３５のスキ
ャン方向）に対してほぼ４５°傾斜するように載置され
ているので、アモルファスシリコン薄膜３２の結晶化方
向はガラス基板３１の一端面３１ａに対してほぼ４５°
傾斜する方向（Ｘ方向）となり、この傾斜方向に対して
直交する方向（Ｙ方向）に多数の結晶粒界が存在するこ
とになる。ここで、一例として、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ
の場合には、パワー１０Ｗ程度とし、スキャン速度を５
０ｃｍ／ｓ程度とする。
【００２２】次に、図４（Ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ法により、ポリシリコン薄膜３３を素子分離
する。次に、図４（Ｄ）に示すように、素子分離された
ポリシリコン薄膜３３を含む下地絶縁膜２１の上面にプ
ラズマＣＶＤ法により酸化シリコンからなるゲート絶縁
膜２３を膜厚５００〜２０００Å程度に成膜する。
ソグラフィ法により、ポリシリコン薄膜３３を素子分離
する。次に、図４（Ｄ）に示すように、素子分離された
ポリシリコン薄膜３３を含む下地絶縁膜２１の上面にプ
ラズマＣＶＤ法により酸化シリコンからなるゲート絶縁
膜２３を膜厚５００〜２０００Å程度に成膜する。
【００２３】次に、ポリシリコン薄膜２２の中央部上に
おけるゲート絶縁膜２３の上面にタングステンやアルミ
ニウム等からなるゲート電極２４をパターン形成する。
次に、ゲート電極２４をマスクとしてｎ型イオンを注入
し、図２に示すように、ゲート電極２４によって覆われ
ていないポリシリコン薄膜２２をｎ型イオンが注入され
たソース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとする。
おけるゲート絶縁膜２３の上面にタングステンやアルミ
ニウム等からなるゲート電極２４をパターン形成する。
次に、ゲート電極２４をマスクとしてｎ型イオンを注入
し、図２に示すように、ゲート電極２４によって覆われ
ていないポリシリコン薄膜２２をｎ型イオンが注入され
たソース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとする。
【００２４】次に、ゲート電極２４を含むゲート絶縁膜
２３の上面にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから
なる層間絶縁膜２５を膜厚１０００〜１００００Å程度
に成膜する。次に、層間絶縁膜２５の所定の２箇所にコ
ンタクトホール２８、２９を形成する。次に、層間絶縁
膜２５の上面の所定の２箇所にタングステンやアルミニ
ウム等からなるソース電極２６およびドレイン電極２７
をパターン形成する。この場合、ソース電極２６および
ドレイン電極２７はコンタクトホール２８、２９を介し
てポリシリコン薄膜２２のソース領域２２ｂおよびドレ
イン領域２２ｃに接続される。
２３の上面にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから
なる層間絶縁膜２５を膜厚１０００〜１００００Å程度
に成膜する。次に、層間絶縁膜２５の所定の２箇所にコ
ンタクトホール２８、２９を形成する。次に、層間絶縁
膜２５の上面の所定の２箇所にタングステンやアルミニ
ウム等からなるソース電極２６およびドレイン電極２７
をパターン形成する。この場合、ソース電極２６および
ドレイン電極２７はコンタクトホール２８、２９を介し
てポリシリコン薄膜２２のソース領域２２ｂおよびドレ
イン領域２２ｃに接続される。
【００２５】かくして、薄膜トランジスタ６、１４、１
５が形成される。ただし、この場合、図１に示すよう
に、走査ライン駆動回路部１１のシフトレジスタの一部
を構成する薄膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１
はガラス基板４の突出部４ａの突出端面と平行な方向と
なるようにする。データライン駆動回路部１２のシフト
レジスタの一部を構成する薄膜トランジスタ１４のチャ
ネル長方向Ｌ２は薄膜トランジスタ１３のチャネル長方
向Ｌ１と直交する方向となるようにする。画素電極５に
接続された薄膜トランジスタ６のチャネル長方向はＬ１
方向とＬ２方向のいずれの方向としてもよい。
５が形成される。ただし、この場合、図１に示すよう
に、走査ライン駆動回路部１１のシフトレジスタの一部
を構成する薄膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１
はガラス基板４の突出部４ａの突出端面と平行な方向と
なるようにする。データライン駆動回路部１２のシフト
レジスタの一部を構成する薄膜トランジスタ１４のチャ
ネル長方向Ｌ２は薄膜トランジスタ１３のチャネル長方
向Ｌ１と直交する方向となるようにする。画素電極５に
接続された薄膜トランジスタ６のチャネル長方向はＬ１
方向とＬ２方向のいずれの方向としてもよい。
【００２６】一方、図５に示すように、ＣＷレーザ３５
のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに対し
てほぼ４５°傾斜する方向である。この結果、２種類の
薄膜トランジスタ１３、１４はその各チャネル長方向Ｌ
１、Ｌ２がＣＷレーザ３５のスキャン方向に対して一方
向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する方向
となるように配置されることになる。したがって、チャ
ネル長方向Ｌ１、Ｌ２が互いに直交する２種類の薄膜ト
ランジスタ１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が
ＣＷレーザ３５のスキャン方向に対してそれぞれほぼ４
５°ずつ傾斜する方向となり、チャネル長方向Ｌ１、Ｌ
２が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ１３、１
４の特性のバラツキを小さくすることができる。
のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに対し
てほぼ４５°傾斜する方向である。この結果、２種類の
薄膜トランジスタ１３、１４はその各チャネル長方向Ｌ
１、Ｌ２がＣＷレーザ３５のスキャン方向に対して一方
向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する方向
となるように配置されることになる。したがって、チャ
ネル長方向Ｌ１、Ｌ２が互いに直交する２種類の薄膜ト
ランジスタ１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が
ＣＷレーザ３５のスキャン方向に対してそれぞれほぼ４
５°ずつ傾斜する方向となり、チャネル長方向Ｌ１、Ｌ
２が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ１３、１
４の特性のバラツキを小さくすることができる。
【００２７】ところで、図５に示すように、ＣＷレーザ
３５のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに
対してほぼ４５°傾斜する方向であるので、同図に示す
矢印の長さが異なるように、ガラス基板３１上のアモル
ファスシリコン薄膜３２に対するＣＷレーザ３５のスキ
ャン照射距離が異なる。これは、ステージ３４の材料が
ステンレスである場合、ＣＷレーザ３５のスキャン照射
がガラス基板３１上からオーバーしないようにするため
である。すなわち、ＣＷレーザ３５がガラス基板３１上
からオーバーしてステンレス製のステージ３４に照射さ
れると、ステンレス成分が蒸発してガラス基板３１上の
アモルファスシリコン薄膜３２が汚染されるので、これ
を防止するためである。しかし、このようにすると、Ｃ
Ｗレーザ３５のスキャン照射の制御が複雑となる。
３５のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに
対してほぼ４５°傾斜する方向であるので、同図に示す
矢印の長さが異なるように、ガラス基板３１上のアモル
ファスシリコン薄膜３２に対するＣＷレーザ３５のスキ
ャン照射距離が異なる。これは、ステージ３４の材料が
ステンレスである場合、ＣＷレーザ３５のスキャン照射
がガラス基板３１上からオーバーしないようにするため
である。すなわち、ＣＷレーザ３５がガラス基板３１上
からオーバーしてステンレス製のステージ３４に照射さ
れると、ステンレス成分が蒸発してガラス基板３１上の
アモルファスシリコン薄膜３２が汚染されるので、これ
を防止するためである。しかし、このようにすると、Ｃ
Ｗレーザ３５のスキャン照射の制御が複雑となる。
【００２８】一方、ステージ３４の材料がＣＷレーザ３
５が照射されても影響を受けない材料、例えば石英やガ
ラス等である場合には、ガラス基板３１上のアモルファ
スシリコン薄膜３２に対するＣＷレーザ３５のスキャン
照射距離が異ならせる必要はなく、スキャン照射距離を
一定としてもよい。このようにすれば、ＣＷレーザ３５
のスキャン照射の制御が容易となる。
５が照射されても影響を受けない材料、例えば石英やガ
ラス等である場合には、ガラス基板３１上のアモルファ
スシリコン薄膜３２に対するＣＷレーザ３５のスキャン
照射距離が異ならせる必要はなく、スキャン照射距離を
一定としてもよい。このようにすれば、ＣＷレーザ３５
のスキャン照射の制御が容易となる。
【００２９】なお、図５では、ガラス基板３１をステー
ジ３４上にその一端部３１ａがステージ３４の左上に位
置するように載置した場合について説明したが、これに
限らず、図６に示すように、ガラス基板３１をステージ
３４上にその一端部３１ａがステージ３４の左下に位置
するように載置するようにしてもよい。
ジ３４上にその一端部３１ａがステージ３４の左上に位
置するように載置した場合について説明したが、これに
限らず、図６に示すように、ガラス基板３１をステージ
３４上にその一端部３１ａがステージ３４の左下に位置
するように載置するようにしてもよい。
【００３０】次に、図７はこの発明の第２実施形態とし
ての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネル
を備えた液晶表示装置の等価回路的平面図およびその所
定の２箇所の拡大透過平面図を示したものである。この
液晶表示装置では、走査ライン駆動回路部１１のシフト
レジスタの一部を構成する薄膜トランジスタ１３は、そ
のチャネル長方向Ｌ１がガラス基板４の突出部４ａの突
出端面４ａａに対して所定の方向にほぼ４５°傾斜する
方向となるように配置されている。データライン駆動回
路部１２のシフトレジスタの一部を構成する薄膜トラン
ジスタ１４は、そのチャネル長方向Ｌ２が薄膜トランジ
スタ１３のチャネル長方向Ｌ１と直交する方向となるよ
うに配置されている。
ての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネル
を備えた液晶表示装置の等価回路的平面図およびその所
定の２箇所の拡大透過平面図を示したものである。この
液晶表示装置では、走査ライン駆動回路部１１のシフト
レジスタの一部を構成する薄膜トランジスタ１３は、そ
のチャネル長方向Ｌ１がガラス基板４の突出部４ａの突
出端面４ａａに対して所定の方向にほぼ４５°傾斜する
方向となるように配置されている。データライン駆動回
路部１２のシフトレジスタの一部を構成する薄膜トラン
ジスタ１４は、そのチャネル長方向Ｌ２が薄膜トランジ
スタ１３のチャネル長方向Ｌ１と直交する方向となるよ
うに配置されている。
【００３１】次に、この場合のＣＷレーザの照射につい
て説明する。まず、図８に示すように、Ｙ方向に間歇的
に移動可能なステージ３４上にガラス基板３１をその一
端面３１ａがＹ方向と平行するように載置する。次に、
ＣＷレーザ３５をＸ方向にスキャン照射するとともに、
１回のスキャン照射の終了後にステージ３４をその上に
載置されたガラス基板３１と共にＹ方向に所定の距離ず
つ間歇的に移動させ、これによりガラス基板３１上に成
膜されたアモルファスシリコン薄膜３２の全面にＣＷレ
ーザ３５を照射する。
て説明する。まず、図８に示すように、Ｙ方向に間歇的
に移動可能なステージ３４上にガラス基板３１をその一
端面３１ａがＹ方向と平行するように載置する。次に、
ＣＷレーザ３５をＸ方向にスキャン照射するとともに、
１回のスキャン照射の終了後にステージ３４をその上に
載置されたガラス基板３１と共にＹ方向に所定の距離ず
つ間歇的に移動させ、これによりガラス基板３１上に成
膜されたアモルファスシリコン薄膜３２の全面にＣＷレ
ーザ３５を照射する。
【００３２】すると、アモルファスシリコン薄膜３２の
結晶化がＣＷレーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に沿
って進み、シリコンの結晶方位のそろった比較的大きな
粒径のポリシリコン薄膜３３が形成される。また、ＣＷ
レーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に対して直交する
方向（Ｙ方向）について見ると、ポリシリコン薄膜３３
には多数の結晶粒界（図示せず）が存在する。
結晶化がＣＷレーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に沿
って進み、シリコンの結晶方位のそろった比較的大きな
粒径のポリシリコン薄膜３３が形成される。また、ＣＷ
レーザ３５のスキャン方向（Ｘ方向）に対して直交する
方向（Ｙ方向）について見ると、ポリシリコン薄膜３３
には多数の結晶粒界（図示せず）が存在する。
【００３３】この場合、ガラス基板３１はステージ３４
上にその一端部３１ａがＸ方向（ＣＷレーザ３５のスキ
ャン方向）に対してほぼ４５°傾斜するように載置され
ているので、アモルファスシリコン薄膜３２の結晶化方
向はガラス基板３１の一端面３１ａに対してほぼ４５°
傾斜する方向（Ｘ方向）となり、この傾斜方向に対して
直交する方向（Ｙ方向）に多数の結晶粒界が存在するこ
とになる。
上にその一端部３１ａがＸ方向（ＣＷレーザ３５のスキ
ャン方向）に対してほぼ４５°傾斜するように載置され
ているので、アモルファスシリコン薄膜３２の結晶化方
向はガラス基板３１の一端面３１ａに対してほぼ４５°
傾斜する方向（Ｘ方向）となり、この傾斜方向に対して
直交する方向（Ｙ方向）に多数の結晶粒界が存在するこ
とになる。
【００３４】そして、上述の場合とほぼ同様の工程を経
て薄膜トランジスタ１３、１４を形成し、次いで図８に
示すガラス基板３１を図３に示す場合と同様の一点鎖線
に沿って切断し、図７に示す薄膜トランジスタパネル１
を複数個得る。ただし、この場合、図７に示すように、
走査ライン駆動回路部１１のシフトレジスタの一部を構
成する薄膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１はガ
ラス基板４の突出部４ａの突出端面４ａａに対して所定
の方向にほぼ４５°傾斜する方向となるようにする。デ
ータライン駆動回路部１２のシフトレジスタの一部を構
成する薄膜トランジスタ１４のチャネル長方向Ｌ２は薄
膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１と直交する方
向となるようにする。
て薄膜トランジスタ１３、１４を形成し、次いで図８に
示すガラス基板３１を図３に示す場合と同様の一点鎖線
に沿って切断し、図７に示す薄膜トランジスタパネル１
を複数個得る。ただし、この場合、図７に示すように、
走査ライン駆動回路部１１のシフトレジスタの一部を構
成する薄膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１はガ
ラス基板４の突出部４ａの突出端面４ａａに対して所定
の方向にほぼ４５°傾斜する方向となるようにする。デ
ータライン駆動回路部１２のシフトレジスタの一部を構
成する薄膜トランジスタ１４のチャネル長方向Ｌ２は薄
膜トランジスタ１３のチャネル長方向Ｌ１と直交する方
向となるようにする。
【００３５】一方、図８に示すように、ＣＷレーザ３５
のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに対し
て直交する方向である。この結果、２種類の薄膜トラン
ジスタ１３、１４はその各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が
ＣＷレーザ３５のスキャン方向に対して一方向および他
方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する方向となるよう
に配置されることになる。したがって、チャネル長方向
Ｌ１、Ｌ２が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ
１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がＣＷレーザ
３５のスキャン方向に対してそれぞれほぼ４５°ずつ傾
斜する方向となり、チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が互いに
直交する２種類の薄膜トランジスタ１３、１４の特性の
バラツキを小さくすることができる。
のスキャン方向はガラス基板３１の一端面３１ａに対し
て直交する方向である。この結果、２種類の薄膜トラン
ジスタ１３、１４はその各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が
ＣＷレーザ３５のスキャン方向に対して一方向および他
方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する方向となるよう
に配置されることになる。したがって、チャネル長方向
Ｌ１、Ｌ２が互いに直交する２種類の薄膜トランジスタ
１３、１４の各チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がＣＷレーザ
３５のスキャン方向に対してそれぞれほぼ４５°ずつ傾
斜する方向となり、チャネル長方向Ｌ１、Ｌ２が互いに
直交する２種類の薄膜トランジスタ１３、１４の特性の
バラツキを小さくすることができる。
【００３６】ところで、この第２実施形態の場合、図８
に示すように、ＣＷレーザ３５のスキャン方向はガラス
基板３１の一端面３１ａに対して直交する方向であるの
で、ガラス基板３１上のアモルファスシリコン薄膜３２
に対するＣＷレーザ３５のスキャン照射距離を一定とす
ればよく、ＣＷレーザ３５のスキャン照射の制御が容易
となる。しかし、この第２実施形態の場合、図７に示す
ように、薄膜トランジスタ１３、１４のチャネル長方向
Ｌ１、Ｌ２がガラス基板４の端面に対してそれぞれほぼ
４５°ずつ傾斜する方向となるので、そのパターン設計
が煩雑となってしまう。
に示すように、ＣＷレーザ３５のスキャン方向はガラス
基板３１の一端面３１ａに対して直交する方向であるの
で、ガラス基板３１上のアモルファスシリコン薄膜３２
に対するＣＷレーザ３５のスキャン照射距離を一定とす
ればよく、ＣＷレーザ３５のスキャン照射の制御が容易
となる。しかし、この第２実施形態の場合、図７に示す
ように、薄膜トランジスタ１３、１４のチャネル長方向
Ｌ１、Ｌ２がガラス基板４の端面に対してそれぞれほぼ
４５°ずつ傾斜する方向となるので、そのパターン設計
が煩雑となってしまう。
【００３７】そこで、図８に示すように、ＣＷレーザ３
５のスキャン方向をガラス基板３１の一端面３１ａに対
して直交する方向とし、図９において一点鎖線で示すよ
うに、ガラス基板３１をその一端面３１ａに対して一方
向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する２種
類の線に沿って切断すると、例えば図１に示すような構
造の薄膜トランジスタパネル１を複数個得ることができ
る。そして、この場合には、薄膜トランジスタ１３、１
４のチャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がガラス基板４の端面に
対してそれぞれ平行する方向となるので、そのパターン
設計が容易となる。
５のスキャン方向をガラス基板３１の一端面３１ａに対
して直交する方向とし、図９において一点鎖線で示すよ
うに、ガラス基板３１をその一端面３１ａに対して一方
向および他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する２種
類の線に沿って切断すると、例えば図１に示すような構
造の薄膜トランジスタパネル１を複数個得ることができ
る。そして、この場合には、薄膜トランジスタ１３、１
４のチャネル長方向Ｌ１、Ｌ２がガラス基板４の端面に
対してそれぞれ平行する方向となるので、そのパターン
設計が容易となる。
【００３８】なお、上記各実施形態では、２種類の薄膜
トランジスタのチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン
方向に対して一方向および他方向にそれぞれほぼ４５°
ずつ傾斜するものであるが、少なくとも一方の薄膜トラ
ンジスタのチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向
に対して垂直でなければ効果が得られるものであり、実
際のデバイスとして２種類の薄膜トランジスタのチャネ
ル長方向がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方向お
よび他方向にそれぞれ３０゜〜６０゜の範囲に傾斜する
ようにしてもよい。また、例えば図５に示すように、Ｃ
Ｗレーザ３５のスキャン方向を左側から右側に向かう一
方向のみとした場合について説明したが、これに限ら
ず、例えば図９に示すように、千鳥状の２方向としても
よい。
トランジスタのチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン
方向に対して一方向および他方向にそれぞれほぼ４５°
ずつ傾斜するものであるが、少なくとも一方の薄膜トラ
ンジスタのチャネル長方向がＣＷレーザのスキャン方向
に対して垂直でなければ効果が得られるものであり、実
際のデバイスとして２種類の薄膜トランジスタのチャネ
ル長方向がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方向お
よび他方向にそれぞれ３０゜〜６０゜の範囲に傾斜する
ようにしてもよい。また、例えば図５に示すように、Ｃ
Ｗレーザ３５のスキャン方向を左側から右側に向かう一
方向のみとした場合について説明したが、これに限ら
ず、例えば図９に示すように、千鳥状の２方向としても
よい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、２種類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方向
がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方向および他方
向にそれぞれ３０°〜６０°傾斜するように形成してい
るので、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜
トランジスタの各チャネル長方向がＣＷレーザのスキャ
ン方向に対してそれぞれ３０°〜６０°傾斜する方向と
なり、したがってチャネル長方向が互いに直交する２種
類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくするこ
とができる。
ば、２種類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方向
がＣＷレーザのスキャン方向に対して一方向および他方
向にそれぞれ３０°〜６０°傾斜するように形成してい
るので、チャネル長方向が互いに直交する２種類の薄膜
トランジスタの各チャネル長方向がＣＷレーザのスキャ
ン方向に対してそれぞれ３０°〜６０°傾斜する方向と
なり、したがってチャネル長方向が互いに直交する２種
類の薄膜トランジスタの特性のバラツキを小さくするこ
とができる。
【図１】この発明の第１実施形態としての製造方法によ
り製造された薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示
装置の等価回路的平面図およびその所定の２箇所の拡大
透過平面図。
り製造された薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示
装置の等価回路的平面図およびその所定の２箇所の拡大
透過平面図。
【図２】図１に示す薄膜トランジスタの構造を説明する
ために示す断面図。
ために示す断面図。
【図３】図１に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際
し、当初用意したガラス基板を示す平面図。
し、当初用意したガラス基板を示す平面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ図１に示す薄膜トラ
ンジスタパネルの各製造工程を示す断面図。
ンジスタパネルの各製造工程を示す断面図。
【図５】図４（Ｂ）に示すＣＷレーザの照射を説明する
ために示す平面図。
ために示す平面図。
【図６】ガラス基板のステージ上への載置の他の例を説
明するために示す平面図。
明するために示す平面図。
【図７】この発明の第２実施形態としての製造方法によ
り製造された薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示
装置の等価回路的平面図およびその所定の２箇所の拡大
透過平面図。
り製造された薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示
装置の等価回路的平面図およびその所定の２箇所の拡大
透過平面図。
【図８】上記第２実施形態におけるＣＷレーザの照射を
説明するために示す平面図。
説明するために示す平面図。
【図９】この発明の第３実施形態としての製造方法にお
いてガラス基板の切断を説明するために示す平面図。
いてガラス基板の切断を説明するために示す平面図。
【図１０】ＣＷレーザの照射方法の他の例を説明するた
めに示す平面図。
めに示す平面図。
１ 薄膜トランジスタパネル
２ 対向パネル
３ シール材
４ ガラス基板
５ 画素電極
６ 薄膜トランジスタ
７ 走査ライン
８ データライン
１１ 走査ライン駆動回路部
１２ データライン駆動回路部
１３、１４ 薄膜トランジスタ
３１ ガラス基板
３２ アモルファスシリコン薄膜
３３ ポリシリコン薄膜
３４ ステージ
３５ ＣＷレーザ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H092 JA25 JA33 JA38 JA46 JB13
JB23 JB32 JB38 JB51 JB63
JB69 KA04 MA07 MA12 MA28
MA35 MA37
5F052 AA02 BA01 BB01 BB07 DA02
DB03 EA15 JA01
5F110 AA30 BB02 CC02 DD02 DD03
DD13 EE03 EE04 FF02 FF30
GG02 GG13 GG25 GG35 GG45
GG60 HJ13 HL03 HL04 NN02
NN04 NN23 NN35 NN72 PP03
PP05 PP35 QQ09 QQ11
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に成膜されたアモルファスシリコ
ン薄膜をＣＷレーザのスキャン照射により結晶化させて
ポリシリコン薄膜とし、このポリシリコン薄膜を素子分
離して２種類の薄膜トランジスタをその各チャネル長方
向が前記ＣＷレーザのスキャン方向に対して一方向およ
び他方向にそれぞれ３０゜〜６０゜傾斜するように形成
することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の発明において、前記Ｃ
Ｗレーザのスキャン方向は前記基板の所定の一端面に対
して３０゜〜６０゜傾斜する方向であることを特徴とす
る薄膜トランジスタパネルの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の発明において、前記基
板は薄膜トランジスタパネル複数個分に対応する大きさ
であり、該基板をその所定の一端面に対して平行な線お
よび垂直な線に沿って切断して複数個の薄膜トランジス
タパネルを得ることを特徴とする薄膜トランジスタパネ
ルの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の発明において、前記Ｃ
Ｗレーザのスキャン照射は前記基板上からオーバーしな
いように制御することを特徴とする薄膜トランジスタパ
ネルの製造方法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の発明において、前記基
板を載置するためのステージは前記ＣＷレーザが照射さ
れても影響を受けない材料によって形成され、前記ＣＷ
レーザのスキャン照射はそのスキャン照射距離が一定と
なるように制御することを特徴とする薄膜トランジスタ
パネルの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の発明において、前記Ｃ
Ｗレーザのスキャン方向は前記基板の所定の一端面に対
して平行な方向であることを特徴とする薄膜トランジス
タパネルの製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の発明において、前記基
板は薄膜トランジスタパネル複数個分に対応する大きさ
であり、該基板をその所定の一端面に対して平行な線お
よび垂直な線に沿って切断して複数個の薄膜トランジス
タパネルを得ることを特徴とする薄膜トランジスタパネ
ルの製造方法。 - 【請求項８】 請求項６に記載の発明において、前記基
板は薄膜トランジスタパネル複数個分に対応する大きさ
であり、該基板をその所定の一端面に対して一方向およ
び他方向にそれぞれほぼ４５°ずつ傾斜する２種類の線
に沿って切断して複数個の薄膜トランジスタパネルを得
ることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127833A JP4069667B2 (ja) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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